JP2003142533A

JP2003142533A - 接触加熱用ヒーター

Info

Publication number: JP2003142533A
Application number: JP2001333277A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Yokoyama; 清横山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-10-30
Filing date: 2001-10-30
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】従来のフェイスダウンボンディング用ヒーター
では、電極引き出し部がヒーター加熱面に対して平行に
引き出されている為、半導体チップを加熱押圧した際に
多層パッケージ基板上の他部品への熱的悪影響があり、
集積度の高い実装はできないという問題があった。【解決手段】セラミックス体に発熱体８を備えたヒータ
ーを用い、被加熱部を押圧するようにした接触加熱用ヒ
ーターであって、セラミックスヒーター２には実質的に
発熱する部分２ａと電極部及び電極引出部である実質的
には発熱しない部分９ａが存在し、セラミックスヒータ
ー２の水平方向の投影面積中に占める上記実質的には発
熱しない部分９ａの面積を２０％以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ベアチップ
を基板上に実装する際に用いるダイボンディングヒータ
ー等、被加熱物に接触して加熱する接触加熱装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体ベアチップを基板上に実装する方
法として、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材
を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチチップモジュ
ールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点
ロウ材を使用したフリップチップ接続法が行われてい
る。

【０００３】例えば、フリップチップ接続法は、図５に
示すように、多層パッケージ基板１７上に半導体チップ
１３を載置して、その上面からボンディング用ヒーター
１１と接着剤を用いた方法などで化学的に接合されたツ
ール１２で加熱しながら押圧することによって、接合を
行っている。この時、両者に備えたハンダバンプ１５に
よって、接合するとともにワイヤリングを行うことがで
きる。

【０００４】ボンディング用ヒーター１１に求められる
特性としては、まず使用する接着材を軟化もしくは溶融
するために必要十分な熱を半導体チップ１３を介してハ
ンダバンプ１５に代表される接着材まで効率よく伝える
必要がある。

【０００５】さらに、半導体チップ１３を接合する際に
は、熱と同時に圧力も加えるため、ボンディング用ヒー
ター１１及びツール１２には機械的強度や耐摩耗性が要
求される。

【０００６】このような点から、ボンディング用ヒータ
ー１３としては、チタンやモリブデン等の耐熱金属材を
用い、焼結ダイヤでツール１２を構成するとともに、そ
れ自体にパルス性大電流を流して発熱させるようにした
パルスヒーター方式があった。

【０００７】また、特開平１０−１３４９３８号公報に
は、図６に示すように、セラミックス製のヘッド１８と
該ヘッド１８を他部材に結合するセラミックス製のホル
ダー２０とから構成され、前記ホルダー２０よりもヘッ
ド１８の熱伝導率を高くしたことを特徴として、セラミ
ックスヒーター１９とヘッド１８の間が窒化珪素、窒化
アルミニウム、アルミナ、酸化珪素、ジルコニア、アル
カリ土類金属酸化物、希土類元素酸化物のいずれかの組
み合わせからなる組成からなり、融点が１５００〜１８
００℃の高融点ガラスである接着剤によって接合された
ボンディング用ヒーターが提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、年々肥大化
の一途をたどる半導体市場において、その急成長の牽引
車となっている携帯電話、モバイルコンピューターのさ
らなる高性能化に伴い、半導体チップ実装の高集積化、
小型化はとどまるところを知らない。これに伴い多層パ
ッケージ基板に実装する半導体チップを実装する際の実
装精度の要求が高まってきた。

【０００９】これに対し、図６に示すような前記従来の
セラミックスヒーター１９では、電極部１９ｂがセラミ
ックスヒーター１９の水平方向に大きく取られているた
め、セラミックスヒーター１９が発熱すると同時にこの
電極部１９ｂもセラミックスヒーター１９の発熱により
加熱されるため、半導体チップを加熱押圧して異方性導
電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材を使用したＡＣＦ接
続方法、またはマルチチップモジュールに用いるような
Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材を使用したフ
リップチップ接続法により多層パッケージ基板上に実装
する際に実質的には発熱はしていないが、発熱するヒー
ター部分からの熱伝導により加熱された電極部の熱で多
層パッケージ基板上の他部品への熱的悪影響があるた
め、集積度の高い実装はできないという問題があった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
に鑑み、鋭意研究の結果、半導体チップの多層パッケー
ジ基板上に実装する際に電極部が他の部品へ熱影響を与
えないヒーターを考案した。

【００１１】すなわち、本発明は、セラミックス体に発
熱体を備えたセラミックスヒーターを用い、被加熱部を
押圧するようにした接触加熱用ヒーターであって、セラ
ミックスヒーターには実質的に発熱する部分と実質的に
は発熱しない電極部や電極引出部が存在し、セラミック
スヒーターの水平方向の投影面積中に占める上記実質的
には発熱しない電極部及び電極引出部の面積が２０％以
下であることを特徴とする接触加熱装置を考案したもの
である。

【００１２】また、本発明の接触加熱用ヒーターは、上
記セラミックスヒーターの電極部がＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄの
一種以上から選ばれる第一金属化面と、更にその上にA
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種以上から選ばれる第二金属
化面とを有することを特徴とする

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、図１を用いて本発明の詳
細について説明する。図１は本発明の斜視図である。ま
た、図２はその分解斜視図である。

【００１４】本発明の接触加熱装置は、被加熱物を押圧
するためのツール１と、そのツール１を加熱するための
セラミックスヒーター２と、セラミックスヒーター２か
ら発生した熱を主に上記ツール１側に伝達させるための
断熱材３と、以上の各部品を統合し他部材に結合する為
のホルダー４とを備えている。これらの部材を図２に示
すようにネジ５とナット６で締め付けて一体化してい
る。図２の構成では、ネジ５とナット６でセラミックス
ヒーター２、断熱材３とホルダー４を締め付ける構成と
したが、ナット６ホルダー４とのあいだにバネをかませ
てバネで固定する構造としてもよい。

【００１５】ここで実質的に発熱する面積と実質的には
発熱していない電極部及び電極引き出し部について、図
３を用いて説明する。図３に本発明のセラミックスヒー
ター２に於ける実質的に発熱する部分２ａの面積と実質
的に発熱しない部分９ａの面積の考え方を示した。図３
で斜線部が実質的に発熱する部分２ａの面積で格子線部
が実質的に発熱しない部分９ａの面積である。実質的に
発熱する部分２ａとはその内蔵される発熱体８に通電す
ることにより発熱するヒーターとして働く部分であり、
実質的に発熱しない部分９ａとは発熱体８よりも抵抗値
が低く設定された抵抗体で通電しても実質的には発熱せ
ず、発熱体８に通電するための便宜を図るために設けら
れた電極部９及び電極引出部のことである。なお、電極
部９は必要であるが、電極引出部はなくても良く、図３
では電極引出部を備えていない例を示している。

【００１６】実質的に発熱しない部分９の面積がセラミ
ックスヒーター２の押圧方向に垂直な水平方向の投影面
積に対し２０％以下であれば、他部品への熱的悪影響を
防止することができる。これは、電極部９がセラミック
スヒーター２から突き出ていても、セラミックスヒータ
ー２の発熱面に併合されていても同様の効果が得られ
る。

【００１７】ちなみに、図６に示すような従来のセラミ
ックスヒーター２では、図１のように実質的に発熱しな
い部分９ａの面積が２０％よりも大きく、本発明の効果
を奏することができない。

【００１８】図６に示すような従来のセラミックスヒー
ター２では、電極部９がセラミックスヒーター２の水平
方向に大きく取られているため、セラミックスヒーター
２が発熱すると同時にこの電極部９もセラミックスヒー
ター２の発熱により加熱されるため、半導体チップを押
圧加熱して異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材
を使用したＡＣＦ接続法、またはマルチチップモジュー
ルに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロ
ウ材を使用したフリップチップ接続法により多層パッケ
ージ基板上に実装する際に実質的には発熱してはいない
が、発熱するセラミックスヒーター２部分からの熱伝導
により加熱された電極部の熱で多層パッケージ基板上の
他部品への熱的影響があるため、集積度の高い実装はで
きないという問題がある。

【００１９】さて、図１、２に示すような接触加熱用ヒ
ーターでは、セラミックス体に発熱体８を埋め込んだあ
るいはセラミックス体の片面または両面に発熱体８を形
成したセラミックスヒーター２に通電する必要がある
が、図２に示すような構造では、ネジ５とセラミックス
ヒーター２の貫通孔７との接点で導通を取る必要がある
が、セラミックスヒーター２の貫通孔７にＡｇ−Ｃｕ−
ＴｉメタライズやＡｕ−Ｎｉ−Ｖのメタライズを形成
し、ネジ５との導通を取ることができる。

【００２０】図２の貫通孔７の拡大図を図４に示すよう
に、発熱体８と外部電極であるネジ５との導通を取るた
めに金属化面１０に形成する前記メタライズ層としては
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄの一種以上から選ばれる第一金属化面
を有し、更にその上にAｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種以
上から選ばれる第二金属化面を有することことが望まし
い。これは、穴部分７にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉメタライズや
Ａｕ−Ｎｉ−Ｖのメタライズを形成した場合に比べて高
寿命化を計ることができるからであり、窒化珪素などの
セラミックスをヒーターとした場合は、セラミックス磁
器への直接メッキ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などによって
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄの一種以上から選ばれる第一金属化面
を有し、更にAｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種以上から選
ばれる第二金属化面を形成することができる。しかしな
がら、これらの第一金属化面の厚みは金属とセラミック
スの熱膨張係数差を考慮する必要があり、第一金属化面
と第二金属化面それぞれの厚みは１０μｍ以下であるこ
とが望ましい。また、セラミックスヒーター２の信頼性
向上のため金属化面とセラミックスとの密着強度は０．
５ｋｇ／ｃｍ²以上であることが望ましい。

【００２１】被加熱物と押圧するためのツール１として
は、炭化珪素、窒化アルミニウムなどを主成分とする焼
結体を用いることが望ましい。たとえば焼結助剤として
Ａｌ ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃などを焼結助剤として含有
させた窒化アルミニウム焼結体を使用することが好まし
い。窒化アルミニウムセラミックス製のツール１は、窒
化アルミニウム粉末とＡｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃など
の所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整し
て、メタノール、ＩＰＡなどの非水系溶媒と混合効率を
上げるためのＡｌ₂Ｏ₃製又はＳｉ₃Ｎ₄製のメディアとと
もにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、得ら
れた窒化アルミニウムスラリーを２００メッシュ程度の
メッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、
振動ミルのライニングからの混入を取り去った後に防爆
式の乾燥機により１２０℃程度で２４時間程度乾燥した
後に４０メッシュ程度のメッシュパスを施す。ここで得
られた、窒化アルミニウムと所望の焼結助剤の混合され
た粉末に、さらに、所望の有機バインダーを所望量混合
し、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの
方法により造粒したのち、プレス成形またはＣＩＰ成形
により所望の形状に加工し、５００〜７００℃程度の温
度で脱脂することにより有機バインダーを飛散させ、得
られた成形体を窒素中にて１８００℃〜２０００℃程度
の温度で焼結させた。あるいは直接カーボン型中で成形
と焼結を同時に行うホットプレスで焼結させても良い。
また、炭化珪素質焼結体を用いる場合、例えば炭化珪素
に対し０．２〜４．０重量％の炭化硼素や必要に応じて
０．５〜５重量％の希土類元素酸化物を添加して、１９
００〜２１００℃の真空中で焼成する。

【００２２】また、セラミックスヒーター２は、窒化珪
素、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどを主成
分とするセラミックス中に発熱体８を埋設したものを用
いることが好ましい。

【００２３】たとえば焼結助剤としてＢ、Ｃなどを含有
した炭化珪素もしくは、焼結助剤として、Ｙ₂Ｏ₃、Ａｌ
₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃などを焼結助剤として含有した窒化珪素
を用いた。セラミックスヒーター２は、窒化珪素粉末と
Ａｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃などの所望の焼結助剤粉末
を所望の組成になるように調整するか、又は炭化珪素粉
末とＢ、Ｃなどの所望の焼結助剤粉末を所望の組成にな
るように調整して、メタノール、ＩＰＡなどの非水系溶
媒と混合効率を上げるためのＡｌ₂Ｏ₃製又はＳｉ₃Ｎ₄製
のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法
で混合し、得られたスラリーを２００メッシュ程度のメ
ッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振
動ミルのライニングからの混入を取り去った後、防爆式
の乾燥機を用いて１２０℃程度で２４時間程度乾燥した
後に４０メッシュ程度のメッシュに通す。ここで得られ
た、混合粉末に、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式
造粒法などの方法により所望の有機バインダーを所望の
量だけ混合して、プレス成形、ＣＩＰ成形して所望の形
状を得た後、脱脂工程を５００〜７００℃程度の温度で
行い、有機バインダーを飛散させて得られた成形体を窒
素中にて１８００℃〜２０００℃程度の温度で焼結させ
ることにより窒化珪素製あるいは炭化珪素製の板を得
る。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行
うホットプレスでも窒化珪素製あるいは炭化珪素製の板
を得ても良い。

【００２４】ここで得られた窒化珪素製あるいは炭化珪
素製の板をセラミックスヒーター２とする方法を以下に
説明する。炭化珪素をセラミックスヒーター２として使
用する場合には、その半導体的性質から、炭化珪素その
ものに電流を通電して加熱する為に図３に示す内蔵する
ような発熱体８は設けてもよいし、設けなくてもよい。
また窒化珪素をセラミックスヒーター２として使用する
場合には、その絶縁性から直接窒化珪素に電流を通電す
るのではなく、窒化珪素の表面または内部に導電性セラ
ミックスあるいは金属からなるＷ、Ｍｏ、ＷＣなどの発
熱体８を印刷するなどの方法で形成して、還元雰囲気中
などでその発熱体８を窒化珪素に後付又は窒化珪素の焼
結と同時に焼き付け一体化することにより、セラミック
スヒーター２として使用する。

【００２５】断熱材３としては、５〜３０％程度の気孔
率を有するムライトセラミックスやムライト−コージェ
ライトセラミックスを用いる。上記気孔率を持った断熱
材３は、樹脂性のビーズを生成形体中に分散させて焼成
すれば、強度と断熱性を同時に満足する焼結体を得るこ
とができる。また、単に多孔質焼結体とするだけであれ
ば、焼結温度より低い温度で焼成するか、粒径の粗い原
料を用いて焼成することにより、多孔質な断熱材とする
ことができる。このようにして断熱材３を得ることがで
きる。

【００２６】上記セラミックス製のツール１を除く、各
部品を統合し他部材に結合する為のホルダー４として
は、例えばＮｉの添加量を調整することによって熱膨張
係数をセラミックス並としたノビナイト鋳鉄を使用すれ
ば良い。

【００２７】

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。

【００２８】実施例１ここでは、Ｙｂ₂Ｏ₃を焼結助剤とする窒化アルミニウム
粉末をバインダーと混合後に金型中でプレス成形を施
し、窒素雰囲気中にて１９００℃焼成し、平面研削盤に
て機械加工することにより、２４ｍｍ×２４ｍｍ×２ｍ
ｍｔの寸法のツール１を得た。

【００２９】Ｙｂ₂Ｏ₃を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末
または窒化アルミニウム粉末をバインダーと混合後にプ
レス成形し５０ｍｍ角の窒化ケイ素あるいは窒化アルミ
ニウム成形体を得た後に発熱体としてＷＣインクを印刷
し、もう一つの５０ｍｍ角の窒化ケイ素または窒化アル
ミニウム成形体でＷＣインクを挟み込み、１７００〜１
８００℃でホットプレスを行うことにより、ＷＣを発熱
体８として内蔵する窒化ケイ素質または窒化アルミニウ
ム質焼結体を得た。これを平面研削盤、超音波加工機を
用いて、発熱部は２４ｍｍ×２４ｍｍ×３ｍｍｔとし、
貫通孔７を両サイドに形成して、セラミックスヒーター
２とした。

【００３０】断熱材３は気孔を有するムライトをセラミ
ックスヒーター２と寸法をあわせるように平面研削盤、
超音波加工機で加工して作製し、断熱材３の熱伝導率の
変更は気孔率を調整することにより作製した。

【００３１】ホルダー４としてはＮｉを多く含有した鋳
鉄を断熱材３と寸法をあわせるように平面研削盤、超音
波加工機で加工して作製し、ホルダー４の熱膨張係数は
セラミックスに近づけるようにＮｉ量を変更して行っ
た。

【００３２】本発明の接触加熱装置は、被加熱物を押圧
するためのセラミックス製のツール１と、そのツールを
加熱するためのセラミックスを主成分とするセラミック
スヒーター２と、セラミックスヒーター２から発生した
熱を主に上記セラミックス製ツール１側に伝達させるた
めの断熱材３と、以上の各部品を統合し他部材に結合す
る為のホルダー４とをボルト５などを用いて機械的に締
結することにより作製した。ここで、実質的に発熱しな
い部分９ａである電極部９の面積の、実質的に発熱する
部分２ａに対する面積を１〜５０％の間で変量したサン
プルを作製した。

【００３３】また、Ｎｏ．６に示した従来の接触加熱装
置は、図６に示すセラミックスヒーター１９とした。

【００３４】これらの本発明の接触加熱用ヒーターと従
来の接触加熱装置の、多層パッケージ基板上の他部品へ
の熱的悪影響を比較した。結果を、表１に示した。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１から判るように、セラミックスヒータ
ー２の面積に対する実質的に発熱しない電極部や電極引
出部の水平方向の投影面積が２０％を越える従来の接触
加熱装置では、多層パッケージ基板上で実際に実装する
ＩＣチップから１０ｍｍ以上離れた他のＩＣチップにつ
いても影響が認められたが、本発明の範囲内である前記
投影面積が２０％以下であるＮｏ．１〜３には、３ｍｍ
以上離れたＩＣチップには熱影響は認められなかった。

【００３７】実施例２ここでは、本発明のセラミックスヒーター２の金属化面
１０の種類による寿命の比較を行った。

【００３８】まず、本発明の実施の形態で示した方法に
従って作製した図１、２に示す本発明のセラミックスヒ
ーター２を用いた加熱装置の作製方法を説明する。

【００３９】Ｙｂ₂Ｏ₃を焼結助剤とする窒化アルミニウ
ム粉末をバインダーと混合後に金型中でプレス成形を施
し、窒素雰囲気中にて１９００℃焼成し、平面研削盤に
て機械加工することにより、２４ｍｍ×２４ｍｍ×２ｍ
ｍｔの寸法のツール１を得た。

【００４０】Ｙｂ₂Ｏ₃を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末
または窒化アルミニウム粉末をバインダーと混合後にプ
レス成形し５０ｍｍ角の窒化ケイ素あるいは窒化アルミ
ニウム成形体を得た後に発熱体８としてＷＣインクを印
刷し、もう一つの５０ｍｍ角の窒化ケイ素または窒化ア
ルミニウム成形体でＷＣインクを挟み込み、１７００〜
１８００℃でホットプレスを行うことにより、ＷＣを発
熱体８として内蔵する窒化ケイ素質または窒化アルミニ
ウム質焼結体を得た。これを平面研削盤、超音波加工機
を用いて、発熱部の寸法は２４ｍｍ×２４ｍｍ×３ｍｍ
ｔとし、ボルト締め用の穴部分７を両サイドに形成し、
穴部分７には、Ａｇ−Ｃｕ−ＴｉやＡｕ−Ｎｉ−Ｖメタ
ライズやＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄの一種以上から選ばれる第一
金属化面１０と、更にAｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種以
上から選ばれる第二金属化面１０を直接メッキ法により
形成し、セラミックスヒーター２とした。

【００４１】断熱材３は気孔を有するムライトをセラミ
ックスヒーター２と寸法をあわせるように平面研削盤、
超音波加工機で加工して作製し、断熱材３の熱伝導率の
変更は気孔率を調整することにより作製した。

【００４２】ホルダー４としてはＮｉを多く含有した鋳
鉄を断熱材３と寸法をあわせるように平面研削盤、超音
波加工機で加工して作製し、ホルダー４の熱膨張係数の
変更はＮｉ量を変更して行った。

【００４３】本発明の接触加熱用ヒーターは、被加熱物
を押圧するためのセラミックス製のツール１と、そのツ
ールを加熱するためのセラミックスを主成分とするセラ
ミックスヒーター２と、セラミックスヒーター２から発
生した熱を主に上記セラミックス製ツール側に伝達させ
るための断熱材３と、以上の各部品を統合し他部材に結
合する為のホルダー４とをボルト５などを用いて機械的
に締結することにより作製した。

【００４４】そして、これらのサンプルについて、５０
℃から５００℃まで３秒で昇温、５００℃で１０秒間保
持、５００℃から５０℃まで７秒で降温するという条件
で寿命の比較を行った。結果を表２に示した。

【００４５】

【表２】

【００４６】表２から判るように、第ニ金属化面１０を
形成しないＮｏ．７、１０、第一金属化面１０としてＡ
ｇ−Ｃｕ−ＴｉやＡｕ−Ｎｉ−Ｖからなる金属層を形成
し、その上にＡｕ、Ｎｉからなる第二金属化面１０を形
成したＮｏ．８、９、１１、１２は、１０万サイクル未
満の耐久テストで断線してしまった。

【００４７】これに対し、第一金属化面１０としてＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄからなる金属層を形成し、さらにその上
にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈからなる第二金属化面１０を
形成したＮｏ．１〜６は、１０万サイクル以上の耐久性
を示した。

【００４８】したがって、電極部がＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄの
一種以上から選ばれる第一金属化面１０を有し、更にA
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種以上から選ばれる第二金属
化面１０を有するものは、良好な耐久性を示すことが判
った。

【００４９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、セラミッ
クス体に発熱体を備えたセラミックスヒーターを用い、
被加熱部を押圧するようにした接触加熱用ヒーターであ
って、セラミックスヒーターには実質的に発熱する部分
と実質的には発熱しない電極部や電極引出部が存在し、
セラミックスヒーターの水平方向の投影面積中に占める
上記実質的には発熱しない電極部及び電極引出部の面積
を２０％以下とすることにより、実際に実装するＩＣチ
ップから３ｍｍ以上離れたＩＣチップには熱影響が認め
られなくなり、より高密度の実装に対応することができ
る。

【００５０】また、電極部がＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄの一種以
上から選ばれる第一金属化面を有し、更にAｕ、Ａｇ、
Ｐｔ、Ｒｈの一種以上から選ばれる第二金属化面を有す
ることことにより、寿命を長くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接触加熱用ヒーターを示す斜視図であ
る。

【図２】図１の接触加熱用ヒーターの分解斜視図であ
る。

【図３】（ａ）（ｂ）は、本発明の接触加熱用ヒーター
に用いるセラミックスヒーターの実質的に発熱する部分
と実質的には発熱しない部分を説明する概略図である。

【図４】本発明の接触加熱用ヒーターに用いるセラミッ
クスヒーターの電極部の拡大図である。

【図５】従来の接触加熱用ヒーターを示す概略図であ
る。

【図６】従来の接触加熱用ヒーターを示す概略図であ
る。

【図７】従来の接触加熱用ヒーターに用いるセラミック
スヒーターの実質的に発熱する部分と実質的に発熱しな
い部分を説明する概略図である。

【符号の説明】

１：ツール２：セラミックスヒーター２ａ：実質的に発熱する部分３：断熱材４：ホルダー５：ネジ６：ナット７：貫通孔８：発熱体９：電極部９ａ：実質的に発熱しない部分１０：金属化面１１：押圧加熱用ヒーター１２：ツール１３：半導体チップ１４：電極１５：ハンダバンプ１６：電極１７：多層パッケージ基板１８：ヘッド１９：セラミックヒーター１９ｂ：電極部１９ｃ：リード２０：ホルダー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス体に発熱体を備えたセラミッ
クスヒーターを用い、被加熱物を押圧するようにした接
触加熱用ヒーターであって、上記セラミックスヒーター
には実質的に発熱する部分と実質的には発熱しない電極
部や電極引出部が存在し、セラミックスヒーターの水平
方向の投影面積中に占める上記実質的には発熱しない電
極部及び電極引出部の面積が２０％以下であることを特
徴とする接触加熱用ヒーター。
【請求項２】上記セラミックスヒーターの電極部がＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄの一種以上から選ばれる第一金属化面
と、更にその上に備えたAｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈの一種
以上から選ばれる第二金属化面とを有することを特徴と
する請求項１記載の接触加熱用ヒーター。