JP3898630B2 - 押圧加熱装置 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスに用いられ、例えば、半導体チップ等の被加熱物を回路基板上にフリップチップ実装する際に用いるダイボンディングセラミックスヒータ等として利用される押圧加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップを回路基板上に実装する方法として、異方性導電膜(ACF)等の樹脂系の接着材を使用したACF接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなAu−Si、Au−Sn等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法が行われている。
【0003】
例えば、フリップチップ接続法は、多層パッケージ基板上に半導体チップを実装する場合、例えば裏面側に当接する半田等のバンプを配した半導体チップを押圧加熱装置で吸着し、基板の所望の位置に搭載する。その後、半導体チップの表面を押圧加熱することで基板に半田バンプが溶融し接合することができる。
【0004】
ここでフリップチップ接続用の押圧加熱装置に求められる特性としては、まず使用する接着剤を軟化もしくは溶融するために必要な熱を、半導体チップを介してハンダバンプに代表される接着材まで効率よく伝える必要がある。また、生産効率の点から、予め定められた規定の温度までの昇温速度が速く、押圧加熱接合後の接着剤が固化するまでの温度降下速度が速いことが重要であり、また、実装後の半導体チップの信頼性から、半導体チップの表面である加熱面の全領域の温度分布が均熱である必要がある。
【0005】
従って、このために半導体チップの押圧加熱は、直接ヒータで行うのではなく、高熱伝導率のツールによりヒータ面に真空吸着し、ツール面において急速昇温、降温を行いながら均熱性を確保したのち、半導体チップを基板上に押圧加熱実装される。
【0006】
そこで、急速な昇温、降温を行うフリップチップ接続用パルス型ヒータとしての押圧加熱装置が特許文献(例えば特開2001−332589号公報)に開示されている。
図4に示すように、押圧加熱装置Yは、不図示の基板に搭載した半導体チップの表面に当接するセラミック製のツール11とその下面全域に当接するセラミックスヒータ12と、その下面に配した断熱材13及びベース14とから構成されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年の技術進歩に伴って装置の高機能化となってきているが、実装される半導体チップのサイズもさまざまなものが利用されるようになり、半導体チップのサイズに併せて高熱伝導性のツールもさまざまなサイズのものが使用する必要が生じている。
【0008】
従って、半導体チップを加熱するツール11も半導体チップのサイズが変わる毎にツール11の均熱化のために半導体チップのサイズに合ったツール11に変更しなければならず、このツール11の交換も頻繁になってきた。但し、ツール11の変更時に、ツール11の全領域の温度分布が均一となるためにはツール11とセラミックヒータ12との位置関係を正確に行う必要があり、ツール11の交換毎にCCDカメラ等でツール11自身の位置関係を調整する必要があった。
【0009】
また、ツール11の交換時には、ツール11の真空吸着を止めるために、不慮の落下によるツール11が破損する等の問題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記問題点に鑑み、鋭意研究の結果、ツール交換時にツール自身の位置確認が不要であり、さらに、ツール交換時の真空吸着を止めた場合のツールの不慮の落下による破損を防止することのできる押圧加熱装置を見いだした。
【0011】
すなわち、本発明の押圧加熱装置は、ベース上に備えた断熱材と、該断熱材上に備えた吸引手段を有する板状のセラミックヒータと、該セラミックヒータの熱を被加熱物に伝導させる高熱伝導性のツールとからなり、前記セラミックヒータの吸引手段により前記ツールを吸引保持してなり、前記ツールは、前記セラミックヒータに当接する板状の第1部材と、該第1部材上に形成され、前記被加熱物に当接する第2部材とからなり、前記セラミックヒータの側面と前記第1部材の側面とが同一平面となるように、前記各側面に当接する1つ又は複数の位置決め部材を備え、前記位置決め部材の少なくとも1つは、前記第1部材の側面から主面にかけて当接していることを特徴とする。
【0012】
前記第1部材の側面から主面にかけて当接している前記位置決め部材が複数設けられ、これらのうちの少なくとも2つの位置決め部材が前記ツールを介して対向する位置に配設されているのが好ましい。また、前記第1部材の側面から主面にかけて当接している前記位置決め部材は、前記第1部材の前記主面に当接している箇所の厚みが前記第2部材の厚みよりも薄いことがより好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図1〜図3を用いて説明する。図1は、本発明の押圧加熱装置の全体を示す斜視図、図2は分解斜視図、図3はツールの交換を行う際の交換方法を説明するための図である。
【0014】
本発明の押圧加熱装置Xは、図1、図2に示すように、吸引孔8を有するベース4の一方主面に真空吸着用の第1吸引孔8aを有する断熱材3と、断熱材3上に第1吸引孔8aと連通した第2吸引孔8b(吸引手段)を有した板状のセラミックヒータ2と、セラミックヒータ2の熱を被加熱物に伝導する高熱伝導性のツール1とからなり、セラミックヒータ2の第2吸引孔8bでツール1を吸引保持している。
【0015】
ベース4としては、ツール1を除く各部品を統合し他部材に結合する為に用いられ、例えばNiの添加量を調整することによって熱膨張係数を6×10-6/℃以下としたノビナイト鋳鉄が通常使用されている。
【0016】
断熱材3は、ベース4上に設置される平板状の設置基板30と、セラミックヒータ2の熱を遮断する四角柱状の冷却部31とからなり、いずれも吸引孔8から連通した第1吸引孔8aが中央に形成され、吸引孔8aの両端には冷却用のガスが通過する溝部32を有する。冷却部31は低熱伝導性のセラミック、例えば、気孔率30%以下のセラミックスが用いられ、5〜30%程度の気孔率を有するムライトセラミックスやムライト−コージェライトセラミックスを用いることが好ましい。この低熱伝導性のセラミックスを用いる理由は、セラミックヒータ2からベース4側への熱伝導を極力抑えることにより、ベース4側が膨張してボンディングの位置精度が低下することを防止することができるとともに、セラミックヒータ2の熱を主としてツール1側に伝熱させて伝達効率を向上させることができるからである。
【0017】
上記気孔率を持ったホルダ3の製法としては、樹脂性のビーズを生成形体中に分散させて焼成すれば、強度と断熱性を同時に満足する焼結体を得ることができる。また、単に多孔質焼結体とするだけであれば、焼結温度より低い温度で焼成するか、粒径の粗い原料を用いて焼成することにより、多孔質な断熱材とすることができる。また、ホルダ3として気孔率0%の緻密体質のセラミックスを用いる場合、熱伝導率が3W/m・K以下と極めて小さいフッソ金雲母系からなるマシナブルセラミックスを用いることが望ましい。このマシナブルセラミックスは、一般のセラミックスに比較して、容易に切削加工することができる。一般には、断熱材3は、研削加工で所望の形状とし、冷却用連通穴8、9は、超音波加工機で加工する。
【0018】
セラミックスヒータ2は、板状に形成された概略四角形の平面形状となっており、その中央に第1の吸引孔8aに連通した吸引手段である第2の吸引孔8bを有し、内部に不図示の発熱体が埋設された加熱部2a、その発熱体に電力を供給するリード部2b、ネジにより断熱材3と連結する連結部2cとからなる。
この加熱部2a、リード部2b、連結部2cは、ともに一体的に形成したセラミックス材料より構成されており、セラミックスとして、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどを主成分とするセラミックス中に発熱抵抗体を埋設したものを用いることが好ましく、焼結助剤として、Y2O3、Al2O3、Yb2O3などを焼結助剤として含有した窒化珪素を用いても良い。
【0019】
セラミックスヒータ2の製造例として、窒化珪素の粉末とAl2O3、Y2O3、Yb2O3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整するか、又は炭化珪素粉末とB、Cなどの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、IPAなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのAl2O3製又はSi3N4製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、スラリーを作製する。そして得られたスラリーを200メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後、防爆式の乾燥機を用いて120℃程度で24時間乾燥し、その後に40メッシュ程度のメッシュに通す。ここで得られた、混合粉末に、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により所望の有機バインダーを所望の量だけ混合して、プレス成形、CIP成形して所望の形状に形成し、脱脂工程を500〜700℃程度の温度で行い、有機バインダーを飛散させて得られた成形体を窒素中にて1800℃〜2000℃程度の温度で焼結させることにより窒化珪素製の板を得る。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスでも窒化珪素製の板を得ても良い。
【0020】
ツール1は、セラミックヒータ2に吸着保持され、セラミックヒータ2から着脱可能に構成されている。具体的には、ツール1はセラミックヒータ2に当接する板状の第1部材1aと、この第1部材1a上に一体的に接合して形成され不図示の被加熱物に当接する第2部材1bとからなる。第1部材1aは第2部材1bに比べて平面の面積が大きくなるように形成され、少なくとも第1部材1aの一側面がセラミックヒータ2の一側面と同一平面Zになるようにツール1、セラミックヒータ2の各側面に当接する位置決め部材5を設けている。
【0021】
なお、本発明では上述のようにツール1の一側面とセラミックヒータ2の一側面とに位置決め部材5が当接するように構成しても良いが、図1に示すようにセラミックヒータ2と互いに交わる2つの平面についても同一平面Zとできる複数の位置決め部材5、5を互いに直交する方向に少なくとも3カ所設けた3点支持としても良い。いずれにしても、セラミックヒータ2に吸引保持されるツール1を装着した際に位置決め部材5により簡単で、かつ、正確に位置決めさせることができる。
【0022】
さらに、図1に示すように断熱材3の冷却部31についても位置決め部材5により同一平面となるように形成しても良い。これにより製造工程が簡略化させることができる。
【0023】
この位置決め部材5は、ステンレスや鋼材等からなるものを使用しても良く、又は窒化珪素や窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミックスからなるものを使用しても構わない。しかしながら、この位置決め部材5への熱伝導を考えると、比較的比熱が小さなセラミックスからなるものを使用した方が、温度分布を考慮すると有利になる。
【0024】
さらに、複数の位置決め部材5のうち、ツール1の対向する2辺にはツール1の交換時にツール1を保持するための真空吸着を止めた場合、もしくは装置の誤動作等によりツール1の真空吸着が機能しなくなった場合等に備えて、ツール1が落下することを防ぐための落下防止機能を有する位置決め部材6も形成されている。
【0025】
この落下防止機能を有する位置決め部材6は、ツール1の第1部材1aの側面から平面(主面)にかけて当接するカギ状に形成され、ツール1の対向する2辺に設けることでツール1の落下を防止する。その場合、半導体チップ実装時に邪魔とならないように、落下防止機能部分である平面にかけて当接する箇所6aの厚みは、第2部材1bの厚みより薄く形成すると良い。また、平面にかけて当接する部位のエッジは面取りされて第2部材1bの接触による破損を防止している。
【0026】
なお、8cは被加熱物を吸着するための吸引孔であり吸引孔8から第1の吸引孔8a、第2の吸引孔8bを通じて連通して形成されている。
【0027】
ツール1は被加熱物と当接して押圧するため、高熱電導性のセラミックスが用いられる。例えば、炭化珪素、窒化アルミニウムなどを主成分とする焼結体があげられる。また、このセラミックスの焼成に際して、焼結助剤としてAl2O3、Y2O3、Yb2O3などを焼結助剤として含有させることが好ましい。
【0028】
窒化アルミニウム質焼結体のツール1は、窒化アルミニウム粉末とAl2O3、Y2O3、Yb2O3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、上述した、セラミックスヒータ2と同じ製造方法により形成される。
【0029】
さらに、炭化珪素質焼結体を用いる場合、例えば炭化珪素に対し0.2〜4.0重量%の炭化硼素や必要に応じて0.5〜5重量%の希土類元素酸化物を添加して、1900〜2100℃の真空中で焼成する。
【0030】
これらの窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素質焼結体は、熱伝導性が良い高熱伝導性のもので、熱膨張率が低いもの、例えば、熱伝導率が100W/m・K以上で、熱膨張率が6×10-6/℃以下のものが用いられる。または、セラミックスに限定されず熱伝導率が高く、比熱の小さい金属アルミニウムを用いても良い。この場合アルミニウム表面の硬度を上げるために、アルマイト処理等の表面処理をすることが望ましい。
【0031】
次に、位置決め部材5および落下防止機能を有した位置決め部材6の機能について説明する。位置決め部材5,6は、図1に示すようにツール1の装着時にツール1とセラミックスヒータ2の位置決めを行うためのものであって、断熱材3及びセラミックヒータ2の両同一側面に当接して接合されている。そして、これらの位置決め部材5,6は、図3に示すように配置されており、矢印の方からツール1が挿入される。そのとき、落下防止機能付きの位置決め部材6とその隣りの位置決め部材5とがガイドとなってこれらに摺擦しながらツール1が嵌り込んでいき、このツール1が位置決め部材5に当接して設置が完了する。
【0032】
かくして、本発明によれば、実装される半導体チップの大きさに関係なく、ツール1の交換時の位置決めが容易となり、さらにツール1の落下を防止することができる。
【0033】
【実施例】
まず、本発明の実施の形態で示した方法に従って、図1、2に示す構造の押圧加熱装置Xを作製した。
【0034】
なお、高熱伝導のツール1としては、窒化アルミニウム製のものを用いた。ツール1のセラミックスヒータ2に当接する第1の部分1aは、24mm×24mm×0.5mmとし、半導体チップに当接する第2の部分1bは12mm×12mm×1.5mmとなるように平面研削盤により加工した。また、半導体チップを吸着する吸引孔8cは、超音波加工機により加工した。
【0035】
位置決め部材5は、ツール1の24mm×24mmの外縁部に当接する位置に1個目を設け、それに直交する外縁に2個目以降を設けた。落下防止機能付き位置決め部6は、ツール1の24mm×24mmの対向する2辺の位置に設け、ツール1の第1部材1aの幅0.5mm部分に引っ掛けを設ける形で配置した。
【0036】
落下防止機能付き位置決め部6は、第2部材1bとは接触させず、0.05mm程度の隙間を設けた。さらに、ツール1装着時にツール1が落下防止機能部6aに接触し、ツール1に欠け等の発生がないように落下防止部品6の落下防止機能部6aは面取りを施した。
【0037】
位置決め部材5、6の材料としては、耐熱性のあるSUS304を用い、落下防止機能を有する位置決め部材6の落下防止機能部は、ワイヤーカット等にて加工を施し、最後に面取りを行った。
【0038】
また、セラミックスヒータ2は、Yb2O3を焼結助剤とする窒化珪素粉末をバインダーと混合後にプレス成形し50mm角の窒化珪素成形体を得た後に発熱抵抗体としてWCインクを印刷し、その上にもう一つの50mm角の窒化珪素を重ねてWCインクを挟み込み、1700〜1800℃でホットプレスを行うことにより、WCを発熱抵抗体として内蔵する窒化珪素質焼結体を得た。これを平面研削盤、超音波加工機を用いて、加熱部20はツール1の大きさに合わせて24mm×24mm×2tとし、接合部21を両サイドに形成した。
【0039】
さらに電極引き出し用のリード部、真空吸着穴を形成して、セラミックスヒータ2とした。
【0040】
断熱材3としては、気孔率30%以下のセラミックスを用いた。ベース4としてはNiを多く含有した鋳鉄を冷却部材3と寸法をあわせるように平面研削盤、超音波加工機で加工して作製した。
【0041】
以上の押圧加熱装置は、ツール1を5回交換した際の位置精度を±30μm以下にすることができ、停電等の不慮の事態においても、ツール1が落下して破損するといった問題を防止できることがわかった。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、ベース上に備えた断熱材と、該断熱材上に備えた吸引手段を有する板状のセラミックヒータと、該セラミックヒータの熱を被加熱物に伝導させる高熱伝導性のツールとからなり、前記セラミックヒータの吸引手段により前記ツールを吸引保持してなる押圧加熱装置において、前記ツールは、前記セラミックヒータに当接する板状の第1部材と、該第1部材上に形成され、前記被加熱物に当接する第2部材とからなり、前記セラミックヒータの側面と前記第1部材の側面とが同一平面上で当接して位置決めされる位置決め部材を備えたために、前記ツールを交換した際のツール設置の位置精度を簡単な方法で向上させることができ、位置調整のための時間を短縮することができる。
【0043】
また、前記位置決め部材は、前記第1部材の側面から平面にかけて当接することにより前記ツールの落下防止機能を備えたことにより、ツール保持用の真空ポンプが故障するといった不慮の事態に対して、ツールが落下して破損することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の押圧加熱装置の全体を示す斜視図である。
【図2】図1の分解斜視図である。
【図3】ツールの交換を行う際の交換方法を説明するための図である。
【図4】従来の押圧加熱装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 ツール
2 セラミックスヒータ
3 断熱材
4 ベース
5 位置決め部材
6 落下防止機能が付いた位置決め部材
Claims (3)
- ベース上に備えた断熱材と、該断熱材上に備えた吸引手段を有する板状のセラミックヒータと、該セラミックヒータの熱を被加熱物に伝導させる高熱伝導性のツールとからなり、前記セラミックヒータの吸引手段により前記ツールを吸引保持してなる押圧加熱装置において、
前記ツールは、前記セラミックヒータに当接する板状の第1部材と、該第1部材上に形成され、前記被加熱物に当接する第2部材とからなり、前記セラミックヒータの側面と前記第1部材の側面とが同一平面となるように、前記各側面に当接する1つ又は複数の位置決め部材を備え、前記位置決め部材の少なくとも1つは、前記第1部材の側面から主面にかけて当接していることを特徴とする押圧加熱装置。 - 前記第1部材の側面から主面にかけて当接している前記位置決め部材が複数設けられ、これらのうちの少なくとも2つの位置決め部材が前記ツールを介して対向する位置に配設されている請求項1に記載の押圧加熱装置。
- 前記第1部材の側面から主面にかけて当接している前記位置決め部材は、前記第1部材の前記主面に当接している箇所の厚みが前記第2部材の厚みよりも薄い請求項1又は2に記載の押圧加熱装置。
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