JP2003517990A - 石英ガラスるつぼ及びその製造方法 - Google Patents

石英ガラスるつぼ及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003517990A
JP2003517990A JP2001546592A JP2001546592A JP2003517990A JP 2003517990 A JP2003517990 A JP 2003517990A JP 2001546592 A JP2001546592 A JP 2001546592A JP 2001546592 A JP2001546592 A JP 2001546592A JP 2003517990 A JP2003517990 A JP 2003517990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sio
quartz glass
granules
crucible
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001546592A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4746240B2 (ja
Inventor
ヴェルデッカー、ヴァルトラウト
ライスト、ヨハン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Original Assignee
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG, Shin Etsu Quartz Products Co Ltd filed Critical Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Publication of JP2003517990A publication Critical patent/JP2003517990A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4746240B2 publication Critical patent/JP4746240B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/06Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/09Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/09Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
    • C03B19/095Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002Crucibles or containers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00Type of glass produced
    • C03B2201/02Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C03B2201/03Impurity concentration specified
    • C03B2201/04Hydroxyl ion (OH)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00Glass compositions
    • C03C2201/02Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00Glass compositions
    • C03C2201/06Doped silica-based glasses
    • C03C2201/20Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
    • C03C2201/23Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00Glass compositions
    • C03C2201/80Glass compositions containing bubbles or microbubbles, e.g. opaque quartz glass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00Glass manufacturing
    • Y10S65/04Electric heat
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/131Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)

Abstract

(57)【要約】 高い純度ならびにIR領域内で高い不透明度および/または低い透明度を示す石英ガラスるつぼを提供する。本発明は、回転軸を中心に対称的なるつぼ基体を有する、不透明な石英ガラスからなる石英ガラスるつぼであって、このるつぼ基体は、不透明な石英ガラスからなる外側領域(3)を有し、この外側領域は半径方向に内側に向って、少なくとも2.15g/cm3の密度を有する透明な石英ガラスからなる内側領域(2)へと移行する石英ガラスるつぼである。るつぼ基体(1)は、0.5m2/g〜40m2/gの範囲内の比表面積(BETによる)および嵩密度少なくとも0.8g/cm3を有する合成SiO2粒状体から製造されており、この合成SiO2粒状体は、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形成されている。石英ガラスるつぼの製造方法において、合成SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形成されたSiO2粒状体を使用し、このSiO2粒状体は、0.5m2/g〜40m2/gの範囲内の比表面積(BETによる)および少なくとも0.8g/cm3の嵩密度を有している。加熱を、透明な石英ガラスからなる内側領域(4)の形成下にガラス化される前線が内側から外側に進行するように行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、回転軸を中心に対称的な、不透明な石英ガラスからなるるつぼ基体
を有する石英ガラスるつぼであって、このるつぼ基体は、不透明な石英ガラスか
らなる外側領域を有し、この外側領域は半径方向に内側に向って、少なくとも2
.15g/cm3の密度を有する透明な石英ガラスからなる内側領域へと移行す
る石英ガラスるつぼに関する。
【0002】 さらに本発明は、回転軸を中心に回転可能でありかつ内壁を有する金型を用意
し、SiO2粒状体をこの金型中に注入してこの金型の内壁上に粒状層を形成さ
せ、さらにこの粒状層を内側から外側に、該金型を回転させながら加熱すること
により、不透明な外側領域を有するガラス化したるつぼ基体を形成する石英ガラ
スるつぼの製造方法に関する。
【0003】 この概念による石英ガラスるつぼは、DE−A14440104に記載されて
いる。この公知の石英ガラスるつぼは、不透明な外側領域を有するるつぼ基体か
らなり、この外側領域は半径方向に内側に向って、平滑な、耐摩耗性の、緻密な
内側領域へと移行する。この内側領域の厚さは、1〜2mmの範囲内であり、か
つその密度は、少なくとも2.15g/cm3である。この石英ガラスるつぼは
、泥土鋳込法(Schlikergussverfahren)によって製造される。このために石英ガ
ラスは、水の添加下に粒径70μm未満を有する粉末状材料に粉砕される。この
ことによって生じた泥土(Schliker)が、石英ガラスるつぼの石膏下型に注入され
、さらに乾燥後に得られたるつぼ予備成形部材は、温度1350℃〜1450℃
で焼成される。焼成後に不透明かつ多孔質のるつぼ予備成形部材の選択された面
領域にさらに別の熱処理が1650℃〜2200℃で実施され、こうすることに
よって不透明かつ多孔質の原材料が、少なくとも2.15g/cm3の密度を有
する透明な石英ガラスに変換される。このような方法でるつぼ基体に、半径方向
に中心に向って、平滑な、耐摩耗性の、緻密な内側領域へと移行する上記の不透
明な外側領域が得られる。
【0004】 (背景) 冒頭に記載のこの概念の方法は、DE−C19710672から公知である。
この文献には、いわゆる「注入法(Einstreuverfahren)」による、Czochralski法
によるシリコン単結晶の引き上げのための石英ガラスるつぼの製造が記載されて
いる。この場合にはまず、回転する溶融鋳込み金型の内壁に粒状層が、天然の石
英粒から形成され、かつガラス化され、不透朋な基体を形成する。透明な、平滑
性の内側層を得るために、さらに合成の石英粉末が該溶融鋳込み金型中に注入さ
れ、該石英粉末は、基体の内壁上に堆積し、かつアークによって溶融されて緻密
な透明な内側層にされる。したがって、このようにして製造された石英ガラスる
つぼは、不透明な基体と透明な緻密な内側層からなり、この内側層は、この石英
ガラスるつぼの内側表面を形成している。内側層の原材料は、基体を構成する原
材料とは異なっている。別の工程で得られるこの内側層は、とりわけ、基体から
内側表面への不純物の拡散を防止するために役立てられている。
【0005】 冒頭に記載された石英ガラスるつぼは、その不純物含有という理由から、高い
純度が重要である使用には不適当である。透明な内側領域を得ることは、費用の
かかる付加的な熱処理を必要とする。不透明な外側領域は、本質的に、可視スペ
クトル領域の光に対して不透過性であるが、しかしながら、赤外スペクトル領域
(以下、IR領域とも記載)内では十分に透過性である。IR領域内の放射損失
は、るつぼ壁全体にわたる顕著な温度勾配を生じさせる。しかしながら、るつぼ
内部の溶融物の温度を上げることによる放射損失の補償は、るつぼ壁の軟化、変
形およびもたれを生じさせる可能性があり、ひいてはるつぼの寿命を短くする可
能性がある。この問題は、特に、より小さなるつぼより通常長く使用される、大
きな内部容積を有するるつぼの場合に顕著である。
【0006】 注入法による石英ガラスるつぼの製造のための上記方法もまた、内側層を得る
ための別の工程を必要とし、その結果、いずれにしても費用がかかる。
【0007】 本発明の課題は、高い純度およびIR領域内で高い不透明度、すなわち低い透
過度、を示す石英ガラスるつぼを提供することであり、かつこの石英ガラスるつ
ぼの簡単で経済的な製造方法を提供することである。
【0008】 (発明の説明) 石英ガラスるつぼに関して、冒頭に記載のるつぼから出発した上記課題は、本
発明によれば、るつぼ基体が、0.5m2/g〜40m2/gの範囲内の比表面積
(BETによる)および少なくとも0.8g/cm3の嵩密度(Stampfdichte)を
有する合成SiO2粒状体から製造されており、この場合、この合成SiO2粒状
体は、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形成され
ていることによって達成される。
【0009】 本発明による石英ガラスるつぼは、完全に、合成によって得られたSiO2
らなる。この高い純度の原材料ゆえにこの石英ガラスるつぼは、全体で高い純度
を示す。この石英ガラスるつぼからその中に入れられている溶融物への不純物の
拡散を防止する措置は、必要としない。
【0010】 このるつぼ基体は、不透明な石英ガラスからなる外側領域および透明な石英ガ
ラスからなる内側領域を有する。外側領域と内側領域は、相互に一体となった結
合した領域である。このことは、外側領域と内側領域の間に鮮明かつ明確な境界
面が存在しないことを意味する。
【0011】 本発明による石英ガラスるつぼは、合成SiO2からなる粒状体から製造され
ている。粒状体の相応する層がガラス化されることによって、不透明な外側領域
および透明な内側領域が得られる。ガラス化工程の際に、ガラス化される前線は
、内側から外側に移る。粒状体中の開放気孔および連通気孔(Porenkanaele)は、
その際に閉じられ、かつガスが金型の内壁に向って追い出される。内側領域の範
囲内でのより著しい熱の作用(より高い温度およびより長い加熱時間)によって
、この内側領域は気孔がなくなるか、あるいはこの内側領域が少なくとも2.1
5g/cm3の密度を有する程度に気孔が少なくなる。この密度は、透明な石英
ガラスの密度に近似している。したがって、例えば機械的な強さおよび硬さ、な
らびに化学的耐性に関する内側領域の機械的および化学的性質は、緻密な透明な
石英ガラスに相当する。
【0012】 外側領域は、IR領域内の高い不透明度を示し、本発明において、不透明度は
可視光領域(約350nm〜800nm)ならびにIR領域内の低い透過度(1
パーセント未満)である。厚さ3mmの円板の透過度は、750nm〜4800
nmのIR波長領域内で1%未満である。IR波長領域内での高い不透明度は、
本質的に、外側領域が、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝
集体から形成されかつ比表面積(BETによる)0.5m2/g〜40m2/gを
有するSiO2粒状体から製造されていることによって達成される。このような
SiO2粒状体のガラス化によって、均質な気孔分布を高い気孔密度および高い
比重とともに有する不透明な石英ガラスが得られる。これに対して、小さな比表
面積を有する天然もしくは合成の石英ガラス粒から製造されている光不透過性の
石英ガラスの場合には、第一に粗大な気泡が存在しかつ気泡密度(Blasenhaufigk
eit)は比較的少ない。この場合にはとりわけ可視光領域内の不透明度が得られる
。IR領域内での高い不透明度にために、本発明による石英ガラスるつぼの定め
られたとおりの使用の場合には、るつぼ壁全体にわたる温度勾配の形成は減少さ
れ、その結果、例えば溶融物の過熱による補償または熱遮蔽物(熱シールド)の
取付け等による補償は、必要ない。したがって、この種の粒状体のガラス化によ
って得られた石英ガラスるつぼは、良好な断熱性および長い寿命を示す。
【0013】 これに必要な外側領域の微細孔性は、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に
多孔質の凝集体の形で存在しているSiO2粒状体の使用によって達成される。
この種の一次粒子は、例えばケイ素化合物の火炎加水分解(Flammenhydrolyse)、
もしくは酸化によって、いわゆるゾルゲル法による有機ケイ素化合物の加水分解
によって、あるいは液体中の無機ケイ素化合物の加水分解によって得られる。確
かにこの種の一次粒子は、通常高い純度を示すが、しかし、その嵩密度が小さい
せいでこの一次粒子は、取扱いが困難なだけである。この目的のために粒状化法
による圧縮が必要である。粒状化の際、微細一次粒子のクラスター化によってよ
り大きな直径の凝集体が形成される。この凝集体は、多数の開放連通気孔を有し
ており、かかる気孔は、これに相応して大きな孔隙を形成する。使用されたSi
2粒状体の個々の粒は、この種の凝集体から形成される。かかる粒状体は、大
きな孔隙のために比表面積(BETによる)0.5m2/g〜40m2/gを有す
る。したがってこの比表面積は、外部表面積としてではなく、主として連通気孔
の形で内側表面積として現われる。ガラス化の際に孔隙の大部分は、焼結および
崩壊によって閉じられる。しかしながら、予め開放していた連通気孔のほとんど
から、多数の微細な独立気孔が残り、この独立気孔で赤外線が反射され、このこ
とによってIR領域での高い不透明度が得られる。粒状体の大きな表面積は、特
に、ガラス化の際のガス状一酸化ケイ素(SiO)の生成に有利であり、このこ
とが小さな気孔の崩壊に反対に作用する。なぜなら、小さな独立気孔内に閉じこ
められたガスは、もはや漏出することができないからである。さらに高い比表面
積によって、粒状体の使用前の例えば熱塩素処理による特に効果的な浄化が可能
になる。それというのも不純物は、主に開放された表面の範囲に存在しており、
このような場所からは不純物を容易に溶出しかつ開放連通気孔を通して排出する
ことができるからである。
【0014】 少なくとも0.8g/cm3の嵩密度は、第一にSiO2粒状体の注入可能性(S
chuettefaehigkeit)を保証し、これに対して石英ガラスの不透明度は、上述のと
おり、本質的に、内部表面積として形成されている大きな比表面積によって条件
付けられている。
【0015】 SiO2粒状体の比表面積は、BET法(DIN66132)によって測定さ
れ、かつ嵩密度は、DIN/ISO787第11部によって測定される。
【0016】 好適な実施形態において、本発明によるるつぼ基体は、2m2/g〜20m2
gの範囲内の比表面積(BETによる)および1.0g/cm3〜1.4g/c
3の範囲内の嵩密度を有する合成SiO2粒状体から製造されている。
【0017】 石英ガラスは、内側領域の範囲で準安定のOH含量最大20重量ppmを有し
ていることが好ましい。「準安定のOH含量」とは、通常、石英ガラスの熱処理
によって分離することができる水酸基含量のことである。本発明の状況では、「
準安定のOH含量」として、石英ガラスを10-1ミリバールでの真空下で100
0℃の温度に40時間の間、加熱することによって分離することができる水酸基
含量が定義される。このような熱処理で分離することができないOH基は、「固
く結合している水酸基」とこれ以降表記される。準安定のOH含量最大20重量
ppmを有する内側領域の場合には、石英ガラスるつぼの定められたとおりの使
用の際に水酸基が放出されないか、またはわずかしか放出されないことが保証さ
れている。さらに、準安定の水酸基のわずかな含量のために、この石英ガラスの
使用中の気孔の拡大およびきずの形成の危険が減少される。この効果は、石英ガ
ラスの加熱の際に、ガスが解放され、もはや漏出することができない場合に得る
ことができる。
【0018】 化学的に固く結合している水酸基が、確かにこの石英ガラスるつぼの使用中に
気孔の拡大を生じさせない。しかしながら、固く結合している水酸基の含量は最
大40重量ppmであることが好ましい。低いOH含量を有する石英ガラスは、
より高いOH含量を有する石英ガラスに比してより高い粘度を有する。高い粘度
によって、高い温度での石英ガラスるつぼの金型安定性が改善される。固く結合
している水酸基も真空下の高い温度で部分的に分離することができるので、この
種の水酸基の含量が少ないことが、真空下での該石英ガラスるつぼの使用の場合
の気孔の拡大の危険を減少させる。
【0019】 不透明な外側領域および透明な内側領域は、同じ合成SiO2粒状体から製造
されていることが好ましい。この種のるつぼは、特に簡単に製造することができ
る。
【0020】 本発明による石英ガラスるつぼの同等の別の好適な実施形態の場合には、不透
明な外側領域は、より密度の低い第1のSiO2粒状体から製造されており、か
つ内側領域は、より密度の高い第2のSiO2粒状体から製造されている。この
第2のSiO2粒状体が予め圧縮されることによって、内側領域の範囲内での必
要な密度の調整が容易になる。
【0021】 本発明による石英ガラスるつぼの好適な実施形態においては、内側領域が少な
くとも部分的に合成クリストバライトからなるSiO2粒状体から製造されてい
る。このSiO2粒状体は、その使用前に焼なましによって部分的に合成クリス
トバライトに変換される。クリストバライトへの変換に伴ってOH含量が減少す
るのは明らかである。したがって、合成クリストバライトから得られたSiO2
粒状体からなる内側領域は、少ないOH含量を示す。
【0022】 内側領域は、外側領域に向って内側表面から2mmのところまでであることが
好ましい。
【0023】 透明な内側領域に透明な石英ガラスからなる内側層を設けることが有利である
ことが明らかになっている。この内側層は、主に上記のような内側領域の補強に
使用される。
【0024】 冒頭に記載の方法上の課題は、本発明によれば、SiO2粒として、合成によ
り製造されたSiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形
成されたSiO2粒状体を使用し、この場合、このSiO2粒状体は、0.5m2
/g〜40m2/gの範囲内の比表面積(BETによる)および嵩密度少なくと
も0.8g/cm3を有しており、この場合、加熱を、透明な石英ガラスからな
る内側領域の形成下にガラス化される前線(Verglassungsfront)が内側から外側
に進行するように行うことによって達成される。
【0025】 加熱によって粒状層は、ガラス化される。この場合には1作業工程で不透明な
外側領域と透明な内側領域が得られる。ガラス化工程の際にガラス化される前線
は内側から外側に進行する。粒状体中の開放気孔および連通気孔は、その際に閉
じられ、かつガスが金型の内壁に向って追い出される。内側領域の範囲内でのよ
り著しい熱の作用(より高い温度およびより長い加熱時間)によって、この内側
領域は気孔がなくなるか、あるいはこの内側領域が少なくとも2.15g/cm 3 の密度を有する程度に気孔が少なくなる。
【0026】 ガラス化される前線は、溶融された材料と溶融され始めた材料の間の不明瞭な
境界範囲である。溶融され始めた材料には、開放している気孔およびチャネルが
存在し、一方、溶融された材料は、独立気孔を有しており、この独立気孔は、も
はや外側表面とはつながっていない。ガラス化される前線が内側から外側に進行
することによって、潜在可能な不純物は、ガス相中に移され、かつガラス化され
る前線から外側へ、粒状層のなお多孔質の範囲に向って追い出され、ここでこれ
らの不純物は、漏出することができる。
【0027】 透明な内側領域が粒状層のガラス化によって得られるので、付加的なガラス化
工程は、必要ない。したがって本発明による方法は、簡単かつ経済的に実施する
ことができる。局所的な加熱の際に典型的に生じる機械的応力は、回避される。
【0028】 本発明による方法によって、IR領域内の高い不透明度もしくはわずかな透明
度を有する外側領域が得られる。厚さ3mmの円板の直接のスペクトル透過度は
、600nm〜2650nmの波長領域内で1%未満である。このことは本質的
に、外側領域がSiO2粒状体から製造されており、この場合、このSiO2粒状
体は、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形成され
かつ比表面積(BETによる)0.5m2/g〜40m2/gを有することによっ
て達成される。このようなSiO2粒状体のガラス化によって、均質な気孔分布
を高い気孔密度および高い比重とともに有する不透明な石英ガラスが得られる。
これに対して、小さな比表面積(例えば検出限界未満)を有する天然もしくは合
成の石英ガラス粒が使用される場合には、第一に粗大なきずが、少ないきず頻度
で得られ、このことによって、とりわけ可視光領域内の不透明度が得られる。高
いIR領域内での高い不透明度のために、上記の粒状体が使用されて製造された
石英ガラスるつぼは、良好な断熱性を示す。
【0029】 これに必要な外側領域の微小孔性は、SiO2粒状体の使用によって達成され
、この場合、かかるSiO2粒状体は、SiO2一次粒子の少なくとも部分的に多
孔質の凝集体の形で存在している。この種の一次粒子は、例えばケイ素化合物の
火炎加水分解もしくは酸化によって、いわゆるゾルゲル法による有機ケイ素化合
物の加水分解によって、あるいは液体中の無機ケイ素化合物の加水分解によって
得られる。この種の一次粒子は、その嵩密度が少ないせいで取扱いが困難なだけ
である。取扱いのために粒状化法による圧縮が必要である。粒状化の際、微細一
次粒子のクラスター化によってより大きな直径の凝集体が形成される。この凝集
体は、多数の開放連通気孔を有しており、かかる気孔は、これに相応して大きな
孔隙を形成する。使用されたSiO2粒状体の個々の粒は、この種の凝集体から
形成される。かかる粒状体は、大きな孔隙のために比表面積(BETによる)0
.5m2/g〜40m2/gを有する。したがってこの比表面積は、外部表面積と
してではなく、主として連通気孔の形で内側表面積として現われる。ガラス化の
際に孔隙の大部分は、焼結および崩壊によって閉じられる。しかしながら、予め
開放していた連通気孔のほとんどから、多数の微細な独立気孔が残り、この独立
気孔で赤外線が反射され、このことによってIR領域での高い不透明度もしくは
低い透明度が得られる。粒状体の大きな表面積は、特に、ガラス化の際のガス状
一酸化ケイ素(SiO)の生成に有利であり、このことが小さな気孔の崩壊に反
対に作用し、それというのも小さな独立気孔内に閉じこめられたガスは、もはや
漏出することができないからである。さらに高い比表面積によって、粒状体の使
用前の例えば熱塩素処理による特に効果的な浄化が可能になる。それというのも
不純物は、主に開放された表面の範囲に存在しており、このような場所からは不
純物を容易に溶出しかつ開放連通気孔を通して排出することができるからである
【0030】 少なくとも0.8g/cm3の嵩密度は、第一にSiO2粒状体の注入可能性を
保証し、これに対して石英ガラスの不透明度は、上述のとおり、本質的に、内部
表面積として形成されている大きな比表面積によって条件付けられている。
【0031】 SiO2粒状体の比表面積は、BET法(DIN66132)によって測定さ
れ、かつ嵩密度は、DIN/ISO787第11部によって測定される。
【0032】 好適な方法の場合には、2m2/g〜20m2/gの範囲内の比表面積(BET
による)および1.0g/cm3〜1.4g/cm3の範囲内の嵩密度を有する合
成SiO2粒状体が使用される。この種の嵩密度は、注入可能性および取扱い容
易性に関して特に有効であることが実証された。
【0033】 有利な変法の場合には、平均粒径5μm未満を示すSiO2一次粒子の少なく
とも部分的に多孔質の凝集体の形のSiO2粒状体が使用される。この種の一次
粒子は、いわゆる「ゾルゲル法」によって、有機ケイ素化合物の加水分解によっ
て得られる。同等の別の好適な変法の場合には、平均粒径2μm未満を示すSi
2一次粒子の少なくとも部分的に多孔質の凝集体の形のSiO2粒状体が使用さ
れる。この種の、高熱によって生じた一次粒子は、無機ケイ素化合物の火炎加水
分解もしくは酸化によって形成される。ガラス化の際の低い失透傾向のために、
この一次粒子は、非晶質であることが好ましい。
【0034】 上記の2つの変法の場合にこの一次粒子は、大きな開放された比表面積を示す
。物理的もしくは化学的な結合力に基づく多数のこの種の一次粒子の凝集によっ
て、本発明の範囲内の粒状体が形成される。粒状化には、公知の粒状化法が使用
され、殊に一次粒子を含有する材料の構造粒状化(Augangsgarnulation)(湿式粒
状化法)または圧縮粒状化(押し出し)が使用される。殊にゾルゲル法によって
製造された一次粒子は、最密構造になっており、それというのも該一次粒子がお
もに、かつまた好適に球形を有しているからである。開放された表面は、互いに
接する一次粒子の接触面の周囲で小さくなるが、しかしながら各一次粒子間で、
上述のとおり、ガラス化の際に独立気孔が形成される。一次粒子が平均粒径5μ
m未満を有することによって、相応に微細な気孔分布が得られる。平均粒径は、
ASTMC1070により、いわゆるD50値として測定される。
【0035】 不均一な密度分布を示すSiO2粒子からなる粒状体が、本発明による方法の
場合の使用に特に適当であることが証明されており、この場合、より低い密度の
内側領域は、より高い密度の外側領域によって少なくとも部分的に包囲されてい
る。これ以降、粒状体の個々の粒は、SiO2粒子と表記され、粒子の集合体は
、粒状体と表記される。不均一な密度分布によって、ガスを内側領域内に閉じこ
めることができ、さらにこのガスは、ガラス化の際に漏出しないか、または部分
的にしか漏出できず、したがって気孔形成および石英ガラスの透明度に寄与する
。この密度分布は、例えば内側領域が空洞を有する場合にも得られる。
【0036】 SiO2粒状体の比表面積および嵩密度は、特に簡単に、800℃〜1450
℃の範囲内の温度での焼結を含む熱処理によって調整される。この場合には外側
領域のより高い密度も得ることができる。例えば、熱処理の際に温度勾配が維持
されることによってである。温度勾配の調整によって気孔および連通気孔は、有
利に、各粒の表面に近い容積部分において、すなわち外側領域において、収縮す
る。したがって外側領域は、多孔質のもしくは中空の内側領域の密度より高い密
度を有する。SiO2粒の熱処理は、始めに生じた温度勾配が外側領域と内側領
域の間で等しくなる前に終了または中断される。このことは、例えば、粒状体が
加熱帯域を通る流路内を継続的に導かれることによって簡単に実施することがで
きる。この種の温度勾配は、下記で詳説しているとおり、より粗大な粒子の場合
には、より微細な粒子の場合より簡単に生じうる。
【0037】 熱処理が塩素含有雰囲気下での加熱を含む方法は、有利であることが証明され
ている。塩素含有雰囲気下での処理によって、処理温度で揮発する塩素化合物を
形成する不純物およびOH基は分離される。したがって不透明な石英ガラスの純
度は改善され、粘度は高められ、かつ失透傾向はさらにわずかになる。該塩素含
有雰囲気は、塩素および/または塩素化合物を含有している。本発明の範囲内で
は純粋な石英ガラスは、不純物群Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、C
r、Mn、TiおよびZrを合わせて250重量ppb未満有している。ドーピ
ング物質は、本発明の範囲内では不純物ではない。
【0038】 好適な方法の場合には熱処理は、多孔質の凝集体を窒素含有雰囲気下および炭
素の存在下で温度1000℃〜1300℃で加熱することを含む。この変法によ
って、全体の自由表面(freier Oberflache)に窒素が富化された粒状体−粒子が
得られる。窒素の組み込みは、炭素の存在下で容易になる。窒素の組み込みによ
って石英ガラスの粘度が高められることが証明されている。
【0039】 高い粘度は、5重量ppm〜20重量ppmの範囲内でアルミニウムでドープ
されているSiO2粒からなる粒状体によって達成される。この場合にはアルミ
ニウム−ドーピングは、微細に分布されたナノスケールのAl23粒子によって
行われる。このことによって、ドーピング物質の均一な分布が保証される。ナノ
スケールの粒子で構成されている上記の粒状体が使用されることによって、この
ドーピング物質は、各粒状体−粒子内においても均一に分布する。従来のSiO 2 粒の使用の場合には、これは不可能である。それというのも、この場合には、
添加されたドーピング物質は粒の表面上にしか堆積することができないので、そ
の結果、このドーピング物質はガラス化の後に、かつての粒界の範囲内で富化さ
れるからである。高熱によって得られたAl23粒子は、その高い比表面積ゆえ
に特に好適である。
【0040】 150μm〜800μmの範囲内の平均粒径を有するSiO2粒状体の使用の
場合には、90μm未満の粒径を有する微粒子を回避することが有利であること
が証明されている。このために90μm未満の粒径を有する粒子は、粒状体から
除去するか、またはその形成をすでに粒状体の製造時に抑制される。より大きな
粒状体−粒子では、予備成形部材のガラス化の際に、または粒状体の予備圧縮の
ための熱処理の際に温度勾配が生じ、この温度勾配によって、外側領域でのより
高い圧縮を伴う粒子の内部に密度勾配が生じ、ひいては、上述のとおり、ガラス
化の際の気孔形成を促進する。これとは逆に、微細粒子の大きさがわずかである
ことによって、このような密度勾配の形成は困難になりかつ妨害され、その結果
、篩下から気孔形成は得られない。さらに篩下は、連通気孔の崩壊の際に石英ガ
ラスの収縮に影響を及ぼし、かつ設定した質量の維持を困難にする。
【0041】 外側領域および内側領域の形成は、アークによる粒状層のゾーン加熱によって
行われるのが好ましく、この場合、内側領域の範囲内では1900℃に達する温
度に調整される。内側領域および外側領域の硬化は、経済的に共通の処理段階で
行うことができる。
【0042】 粒状層を加熱前に1000℃の温度にすることが、有利であることが証明され
ている。粒状体の融点未満の温度で行われるこの前加熱によって、粒状層の厚さ
全体にわたる均一な温度部分が得られる。この場合には、SiO2粒状体を内側
領域の範囲内ですでに部分的にガラス化させることは、有利である。このことに
よって後続の加熱段階で必要な密度の設定が容易になる。
【0043】 不透明な外側領域は、より密度の低い第1のSiO2粒状体から製造されてお
り、かつ透明な内側領域は、より密度の高い第2のSiO2粒状体から製造され
ることが好ましい。この第2の粒状体が予め圧縮されることによって、内側領域
の範囲内での必要な密度の調整が容易になる。
【0044】 内側領域の範囲内でSiO2粒状体が使用され、このSiO2粒状体は、焼なま
しによって少なくとも部分的に合成クリストバライトに変換されていることが好
ましい。クリストバライトへの変換に伴ってOH含量が減少するのは、明らかで
ある。したがって、合成クリストバライトを含有するSiO2粒状体からなる内
部部分は、少ないOH含量を示す。
【0045】 このことに関連して内側領域を得るのに使用される第2のSiO2粒状体が、
その使用前に脱水処理にかけられ、かつこの場合にはOH含量は最大40重量p
pmに調整され、かつ、このようにして脱水された粒状体が引き続きガラス化さ
れることが、有利であることが証明されている。
【0046】 第2のSiO2粒状体は、準安定のOH含量最大20重量ppmを有している
ことが好ましい。「準安定のOH含量」と「固く結合している水酸基」の定義は
、上記の定義が参照される。準安定のOH含量最大20重量ppmを有する内側
領域の場合には、石英ガラスるつぼの定められたとおりの使用の際に水酸基が放
出されないか、またはわずかしか放出されないことが保証されている。さらに、
準安定の水酸基のわずかな含量のために、該石英ガラスの使用中の気孔の拡大お
よびきずの形成の危険が減少される。この効果は、石英ガラスの加熱の際に、ガ
スが解放され、もはや漏出することができない場合に得ることができる。
【0047】 化学的に固く結合している水酸基が、確かにこの石英ガラスるつぼの使用中に
、気孔の拡大を生じさせない。しかしながら、固く結合している水酸基の含量は
、最大40重量ppmであることが好ましい。低いOH含量を有する石英ガラス
は、より高いOH含量を有する石英ガラスに比してより高い粘度を有する。高い
粘度によって、高い温度での石英ガラスるつぼの金型安定性が改善される。固く
結合している水酸基も真空下の高い温度で部分的に分離することができるので、
この種の水酸基の含量が少ないことが、真空下での該石英ガラスるつぼの使用の
場合の気孔の拡大の危険を減少させる。
【0048】 特に好適な方法の場合には、SiO2粒が回転している金型中に注入され、内
側領域に堆積し、かつこの場合にはアークによってガラス化されることにより、
透明な内側領域に透明な石英ガラスからなる内側層が設けられる。透明な石英ガ
ラスからなるこの内側層は、主に上記のような内側領域の補強に使用される。
【0049】 粒状層の加熱の際に、金型の内壁の範囲内が減圧されることは、さらに有利で
ある。減圧によって過剰量のガスが迅速に追い出され、かつ溶融時間が短縮され
る。
【0050】 次に本発明を実施例および図により詳説する。 図1は本発明による石英ガラスるつぼの実施形態のるつぼ壁の断面図である。 図2は本発明による方法への使用に適しているSiO2粒状体の第1の実施形
態の1個の粒状体−粒子の断面図である。 図3は本発明による方法への使用に適しているSiO2粒状体のもう1つの実
施形態の1個の粒状体−粒子の断面図である。
【0051】 図1には、本発明による石英ガラスるつぼの壁の断面図が概略図で示されてい
る。
【0052】 石英ガラスるつぼは、完全に、合成によって得られたSiO2からなる。該石
英ガラスるつぼは、全体として参照番号1に割り当てられている基体および合成
石英ガラスからなる内側層2を有している。この基体1は、2つの部分からなり
、これら2つの部分は、それらの透明度もしくは不透明度に関してのみが異なっ
ており、すなわち不透明な外側領域3と透明な部分4からなる。この基体は、全
体として約5mmの壁厚を有している。このうち約4mmが不透明な外側領域3
のものであり、約1mmが透明部分4のものである。かかる外側領域3およびか
かる透明部分4は、相互に一体となった結合した領域であり、その結果、鮮明か
つ明確な境界面が存在しない。
【0053】 該石英ガラスるつぼは、以下で例により詳説されているように、合成SiO2
から製造されいる。
【0054】 透明部分4は、気孔がないか、あるいは該透明部分が少なくとも2.15g/
cm3の密度を有する程度に気孔が少ない。この密度は、透明な石英ガラスの密
度に近似している。したがって、例えば機械的な強さおよび硬さ、ならびに化学
的耐性等に関するこの透明部分の機械的および化学的性質は、緻密な透明な石英
ガラスに相当する。
【0055】 これに対して外側領域3は、IR領域内の高い不透明度もしくは低い透過度を
有する。厚さ3mmの円板の透過度は、750nm〜4800nmの波長領域内
で1%未満である。この低い透過度は、気孔の均一な分布での、かつ、同時に高
い気孔密度および高い比重での微小孔性によって達成される。不透明な外側領域
の孔径は、ほぼ5μm〜40μmである。したがって、この石英ガラスるつぼは
良好な断熱性および長い寿命を示す。
【0056】 次に本発明による石英ガラスるつぼの製造のための、本発明による方法を3つ
の実施例により詳説する。
【0057】 例1 BET−比表面積70m2/gを有する、高熱によって生じたSiO2をナノス
ケールのAl23粉末12重量ppmの添加後に粒状化し、乾燥させ、かつ篩分
けした。160μm〜840μmの間の粒子画分を回転式管型炉中で1200℃
でCl2/HCl−ガス混合物中で処理量6kg/hで精製し、同時にOH基を
分離した。その後のLi、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Mn、T
iおよびZr元素の含量は、それぞれ10重量ppb未満、すなわちそれぞれの
検出限界未満であった。これらの不純物の総含量は、150重量ppb未満であ
った。これに続いて、塩素基を脱着するために熱処理を1200℃で行った。
【0058】 このようにして得られた粒状体は、嵩密度1.1g/cm3およびBET−比
表面積15m2/gを有していた。
【0059】 この粒状体を回転する溶融鋳込み金型中に入れ、かつその内壁に堆積させ、る
つぼ予備成形部材を得た。この予備成形部材をアークによって層厚約8mmにな
るまで温度1500℃で加熱した。各粒状体−粒子をこの場合には焼結によって
再度それ自体で圧縮したが、しかしながら、バラ材としては全体が溶融すること
はなかった。温度勾配の形成によってゆるやかに結合しているガス、殊に水酸基
、の脱着が可能となった。
【0060】 引き続き、このようにして得られたるつぼ予備成形部材を、ガラス化される前
線が内側から外側に進行し、かつこれによって、半径方向の約1mmの拡大部を
有する透明部分4、およびガラス化されたが、しかし不透明な外側領域3を得る
ことによって、アークを用いてゾーンでガラス化した。透明部分4でのより著し
い熱の作用(より高い温度およびより長い加熱時間)によって、この透明部分は
気孔がなくなるか、あるいはこの内側領域が少なくとも2.15g/cm3の密
度を有する程度に気孔が少なくなった。
【0061】 これに対して外側領域3は、IR領域内の高い不透明度もしくは低い透過度を
有する。このことは、本質的に、使用されるSiO2粒状体が、SiO2一次粒子
の少なくとも部分的に多孔質の凝集体から形成されることおよび比較的高いBE
T−比表面積(15m2/g)を有していることによって達成される。
【0062】 このようにして製造された石英ガラスるつぼは、殊に高い純度およびIR領域
内での高い不透明度(低い透過度)を示した。不透明な外側領域の孔径は、ほぼ
5μm〜40μmであった。
【0063】 例2 石英ガラスるつぼを例1と同様にして製造した。引き続き、透明部分4を、透
明な内側層2を設けることによって補強した。このために、ケイ酸ナトリウム(
水ガラス)の押出しによって得られかつBET−比表面積700m2/gおよび
嵩密度0.45g/cm3を有するSiO2粒状体を使用した。粒径は、250μ
m〜500μmの範囲内であった。該押出物を1200℃での高温塩素処理によ
って浄化しかつ熱圧縮した。アルカリ金属残量物をこのことによって検出限界の
範囲未満に減少させた。
【0064】 その後の粒状体(押出物)のBET(ブルナウアー‐エメット‐テラー)によ
る比表面積は、38m2/gでありかつ嵩密度は、1.11g/cm3であった。
【0065】 引き続き、この押出物を第2の熱処理で、その非晶質構造から結晶構造(クリ
ストバライト)に変換した。
【0066】 このクリスタロバライトを用いて、注入法およびアーク溶融によって内側層2
を溶融により形成し、かつこのことによって層厚が全体で3mmになるまでの透
明部分4の補強を達成した。
【0067】 内側層2は、均質な構造を示し、かつ、20重量ppbの水酸基含量を有して
いた。定められたとおりの使用の場合には、再結晶ならびに気孔の拡大は、とも
に観察されなかった。
【0068】 例3 石英ガラスるつぼを例1と同様にして製造した。引き続き、透明部分4を、透
明な内側層2を設けることによって補強した。
【0069】 このために、石英ガラスるつぼ製造に使用した同じSiO2粒状体を1420
℃で滞留時間1時間で水素の存在下でガラス化した。準安定のOH基を、ガラス
化された粒状体の使用の直前に10-2mbarでの真空下での1000℃での焼
きなましによって分離した。
【0070】 このようにして前処理したSiO2粒状体を、内側層2を得るために注入法に
よって石英ガラスるつぼ中に加え、かつアークにより溶融した。
【0071】 いわゆる「バキューム・ベーク試験(Vakuum-Bake-Test)」(1600℃、4
時間、真空)において気孔の成長ならびに再結晶化傾向は、示されなかった。
【0072】 次に上記の方法の実施のために使用されたSiO2粒状体を、図2により詳説
する。図2には概略的に、使用された粒状体の1個の有利な粒子21が示されて
いる。ナノスケールのSiO2粒子からなる円形の粒状体−粒子21には、密度
が薄くなっている中央部分22があり、密度が高くなっている外側層23で囲ま
れている。内側領域の密度は、透明な石英ガラスの密度の約40%であり、外側
領域の密度は、かかる石英ガラスの密度の約60%である。中央部分22と外側
領域23との境界面は、流動的である。粒径は、420μmであり、外側層23
の厚さは、100μmである。
【0073】 粒状体の生成はミキサーを用いて慣用的な湿式粒状化法により行う。SiCl 4 の火炎加水分解により生成され比表面積(BETによる)60m2/gを有する
、熱によって生じた非晶質のナノスケールのSiO2粒子から水溶液を形成する
。均一な混合の下でこの水溶液から水分を取り除き、粒状の塊に分解する。乾燥
後、こうして得た粒状体の比表面積(BETによる)は約50m2/gであり、
この球形の粒子の直径は160μmから840μmの範囲であった。次にこのS
iO2粒状体を、約1200℃の塩素含有雰囲気中を通すことにより、予め熱圧
縮した。この工程中、この粒状体はさらに浄化されるが、この場合、SiO2
状体は連通気孔を通して浄化ガスに接することができ、かつガス状の不純物は容
易に除去できるため、塩素浄化が特に有効である。ヒドロキシル基も同時に除去
する。この処理は回転式石英ガラス管内で行う。処理量は10kg/hである。
処理中に個々の粒子中で温度勾配が生じ、これが内側領域22および外側領域2
3における異なる密度となる。
【0074】 上記方法で得られたSiO2粒状体は、BET−比表面積25m2/gおよび嵩
密度1.18g/cm3を有していた。平均粒径は、約420μmであり、この
場合、90μm未満の直径を有する粒子画分(しかしながらこれは製造条件とし
てはこの場合には存在しない)が、不透明な石英ガラスの製造における使用の前
に、除去されることに注目されたい。Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu
、Cr、Mn、TiおよびZrの不純物の総含量は、200重量ppb未満であ
った。
【0075】 非晶質の、ナノスケールのSiO2粒子から、このようにして得られた粒状体
は、図1に記載されている、本発明による石英ガラスるつぼの製造に、使用する
ことができた。個々の粒状体−粒子が、著しく小さな粒径を有する複数の一次粒
子のクラスター化によって形成されているために、ガラス化の際に、前述で詳説
したとおり、相応して微細かつ均一な気孔分布が可能である。
【0076】 図3には概略的に、噴霧粒状体としては典型的な1個の噴霧粒子31が示され
ている。この噴霧粒子31は、SiO2一次粒子の凝集体である。かかる噴霧粒
子31は、空所32を有しており、この空所32は、外側層33で囲まれている
。該外側層33には、漏斗状入口(Einzugstricher)が形成されており、これは空
所32への狭い貫通口34に開口している。かかる噴霧粒子31の外径は、約3
00μmであり、かつ外側層33の厚さは、約100μmである。
【0077】 この噴霧粒子の生成を以下により詳細に記載する。
【0078】 比表面積(BETによる)70m2/gを有する高純度の、高熱によって生じ
た、ナノスケールのSiO2一次粒子を脱イオン水中に分散させた。これに、高
熱によって生じたAl23の形のアルミニウム12重量ppmを添加した。この
懸濁液をリットル重量1380g/lに調整した。この泥土(Schlicker)の粘度
は、450mPasであった。市販の噴霧乾燥機(Dorst社、D400型)を使
用してこの懸濁液を熱風温度380℃でかつ泥土圧力10.5barで噴霧した
。得られた噴霧粒状体は、平均粒径330μmおよび残留湿分0.3%を有して
いた。比表面積(BETによる)は、54m2/gであり、かつ、嵩密度は、0
.6g/cm3であった。引き続き粒状体を1200℃で流路中で処理量6.1
kg/hでHCl/Cl2−ガス混合物中で浄化し、かつ熱圧縮した。
【0079】 上記処理の後のBET−比表面積は、20m2/gであり、嵩密度は、0.8
g/cm3であり、かつ、嵩密度は、0.92g/cm3であった。90μm未満
の直径を有する粒子画分は、この場合には製造工程の噴霧粒状化の際にサイクロ
ンによって除去した。Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Mn、
TiおよびZrの不純物の総含量は、200重量ppb未満であった。
【0080】 このようにして得られた、非晶質の、ナノスケールのSiO2粒子からなる粒
状体は、図1に記載されている本発明による石英ガラスるつぼの製造に、同様に
使用することができた。個々の噴霧粒子が、著しく小さな粒径を有する複数の一
次粒子のクラスター化によって形成されているために、ガラス化の際に相応して
微細かつ均一な気孔分布が可能である。なお、このことは、空所32によって付
加的なほぼ閉じているガス空間が形成されており、この空所は、ガラス化の際に
少なくとも部分的に保持されたままであることによって容易になり、それという
のも閉じこめられたガスがガラス化中に部分的にのみ漏出することができ、かつ
このようにして気孔形成および不透明度に寄与するためである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による石英ガラスるつぼの実施形態のるつぼ壁の断面図である。
【図2】 本発明による方法への使用に適しているSiO2粒状体の第1の実施形態の1
個の粒状体−粒子の断面図である。
【図3】 本発明による方法への使用に適しているSiO2粒状体のもう1つの実施形態
の1個の粒状体−粒子の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴェルデッカー、ヴァルトラウト ドイツ連邦共和国、63456 ハナウ、シェ ンボルンストラーセ 80 (72)発明者 ライスト、ヨハン ドイツ連邦共和国、63674 アルテンスタ ット、ブライテ・シュナイゼ 13 Fターム(参考) 4G014 AH00 4K046 CA06 CB13 CB15 CB18 【要約の続き】 る。加熱を、透明な石英ガラスからなる内側領域(4) の形成下にガラス化される前線が内側から外側に進行す るように行う。

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転軸を中心に対称的な、不透明な石英ガラスからなるるつ
    ぼ基体を有する石英ガラスるつぼであって、該るつぼ基体は、不透明な石英ガラ
    スからなる外側領域(3)を有し、該外側領域は半径方向に内側に向って、少な
    くとも2.15g/cm3の密度を有する透明な石英ガラスからなる内側領域(
    4)へと移行する石英ガラスるつぼにおいて、 前記るつぼ基体(1)は、0.5m2/g〜40m2/gの範囲内の比表面積(B
    ETによる)および少なくとも0.8g/cm3の嵩密度(Stampfdichte)を有す
    る合成SiO2粒状体から製造されており、該合成SiO2粒状体は、SiO2
    次粒子の少なくとも部分的に多孔質である凝集体から形成されていることを特徴
    とする、石英ガラスるつぼ。
  2. 【請求項2】 前記るつぼ基体(1)は、2m2/g〜20m2/gの範囲内
    の比表面積(BETによる)および1.0g/cm3〜1.4g/cm3の範囲内
    の嵩密度を有する合成SiO2粒状体から製造されていることを特徴とする、請
    求項1記載の石英ガラスるつぼ。
  3. 【請求項3】 前記石英ガラスは、前記内側領域(4)の範囲で準安定のO
    H含量最大20重量ppmを有していることを特徴とする、請求項1または2記
    載の石英ガラスるつぼ。
  4. 【請求項4】 前記石英ガラスは、固く結合している水酸基含量最大40重
    量ppmを有していることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に
    記載の石英ガラスるつぼ。
  5. 【請求項5】 前記不透明な外側領域(3)および前記透明な内側領域(4
    )は、同じ合成SiO2粒状体から製造されていることを特徴とする、請求項1
    から4までのいずれか1項に記載の石英ガラスるつぼ。
  6. 【請求項6】 前記不透明な外側領域(3)はより密度の低い第1のSiO 2 粒状体から製造されており、かつ前記内側領域(4)は、より密度の高い第2
    のSiO2粒状体から製造されていることを特徴とする、請求項1から5までの
    いずれか1項に記載の石英ガラスるつぼ。
  7. 【請求項7】 前記内側領域(4)は、少なくとも部分的に合成クリストバ
    ライトからなるSiO2粒状体から製造されていることを特徴とする、請求項1
    から6までのいずれか1項に記載の石英ガラスるつぼ。
  8. 【請求項8】 前記内側領域(4)は、前記外側領域(3)に向って内側表
    面から2mmのところまでであることを特徴とする、請求項1から7までのいず
    れか1項に記載の石英ガラスるつぼ。
  9. 【請求項9】 前記内側領域(4)に透明な石英ガラスからなる内側層(2
    )が設けられていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記
    載の石英ガラスるつぼ。
  10. 【請求項10】 石英ガラスるつぼの製造方法であって、回転軸を中心に回
    転可能でありかつ内壁を有する金型を用意し、SiO2粒状体を該金型中に注入
    して該金型の前記内壁上に粒状層を形成させ、さらに該粒状層を内側から外側に
    、該金型を回転させながら加熱することにより、不透明な外側領域を有するガラ
    ス化したるつぼ基体を得る石英ガラスるつぼの製造方法において、 使用する前記SiO2粒状体は、合成により製造されたSiO2一次粒子の少なく
    とも部分的に多孔質である凝集体から形成されたSiO2粒状体(21、31)
    であり、該SiO2粒状体は、0.5m2/g〜40m2/gの範囲内の比表面積
    (BETによる)および少なくとも0.8g/cm3の嵩密度を有しており、前
    記加熱は、ガラス化される前線が内側から外側に進行するようにし、透明な石英
    ガラスからなる内側領域が形成されるように行うことを特徴とする、石英ガラス
    るつぼの製造方法。
  11. 【請求項11】 2m2/g〜20m2/gの範囲内の比表面積(BETによ
    る)および1.0g/cm3〜1.4g/cm3の範囲内の嵩密度を有するSiO 2 粒状体を使用することを特徴とする、請求項10記載の方法。
  12. 【請求項12】 0.5μm〜5μmの範囲内の平均粒径を示すSiO2
    次粒子の少なくとも部分的に多孔質の凝集体の形のSiO2粒状体(21、31
    )を使用することを特徴とする、請求項10または11記載の方法。
  13. 【請求項13】 0.2μm未満の平均粒径を示すSiO2一次粒子の少な
    くとも部分的に多孔質の凝集体の形のSiO2粒状体(21、31)を使用する
    ことを特徴とする、請求項10から12までのいずれか1項に記載の方法。
  14. 【請求項14】 より低い密度の内側領域(22、32)が、より高い密度
    の外側領域(23、33)によって少なくとも部分的に包囲されている、不均一
    な密度分布を示すSiO2粒子からなるSiO2粒状体(21、31)を使用する
    ことを特徴とする、請求項10から13までのいずれか1項に記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記SiO2粒状体(21、31)の比表面積および嵩密
    度を、800℃〜1450℃の範囲内の温度での焼結を含む熱処理によって調整
    することを特徴とする、請求項10から14までのいずれか1項に記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記熱処理は塩素含有雰囲気下での加熱であることを特徴
    とする、請求項15記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記熱処理を窒素含有雰囲気下および炭素の存在下で温度
    1000℃〜1300℃で行うことを特徴とする、請求項15または16記載の
    方法。
  18. 【請求項18】 5重量ppm〜20重量ppmの範囲内でアルミニウムで
    ドープされているSiO2粒状体(21、31)を使用することを特徴とする、
    請求項10から17までのいずれか1項に記載の方法。
  19. 【請求項19】 150μm〜800μmの範囲内の平均粒径を有する粒子
    からなるSiO2粒状体(21、31)を使用し、この場合、90μm未満の粒
    径を有する微細粒子を回避することを特徴とする、請求項10から18までのい
    ずれか1項に記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記外側領域(3)および前記内側領域(4)の前記形成
    をアークによる粒状層のゾーン加熱によって行い、この場合、該内側領域(4)
    の範囲内では1900℃を超える温度に調整することを特徴とする、請求項10
    から19までのいずれか1項に記載の方法。
  21. 【請求項21】 前記粒状層を加熱前に1000℃を超える温度に加熱する
    ことを特徴とする、請求項20項に記載の方法。
  22. 【請求項22】 前記SiO2粒状体(21、31)は、前記加熱中に前記
    内側領域(4)の範囲内でガラス化させることを特徴とする、請求項21項に記
    載の方法。
  23. 【請求項23】 前記不透明な外側領域(3)をより密度の低い第1のSi
    2粒状体から製造し、かつ前記透明の内側領域(4)をより密度の高い第2の
    SiO2粒状体から製造することを特徴とする、請求項10から22までのいず
    れか1項に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記第2のSiO2粒状体(21、31)をその使用前に
    脱水処理にかけ、かつその時OH含量を最大40重量ppmに調整し、かつ、こ
    のようにして脱水した該粒状体(21、31)を引き続きガラス化することを特
    徴とする、請求項23記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記第2のSiO2粒状体(21、31)は、準安定のO
    H含量最大20重量ppmを有していることを特徴とする、請求項24記載の方
    法。
  26. 【請求項26】 前記内側領域(4)の範囲内で、焼なましによって少なく
    とも部分的に合成クリストバライトに変換されているSiO2粒状体を使用する
    ことを特徴とする、請求項10から25までのいずれか1項に記載の方法。
  27. 【請求項27】 SiO2粒を回転している前記金型中に散布し、前記透明
    な内側領域(4)に堆積させ、これをアークによってガラス化することにより、
    該内側領域(4)に透明な石英ガラスからなる内側層(2)を設けることを特徴
    とする、請求項10から26までのいずれか1項に記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記粒状層の加熱の際に前記金型の内壁の範囲内を減圧さ
    せることを特徴とする、請求項10から27までのいずれか1項に記載の方法。
JP2001546592A 1999-12-22 2000-12-14 石英ガラスるつぼの製造方法。 Expired - Fee Related JP4746240B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19962449A DE19962449C2 (de) 1999-12-22 1999-12-22 Quarzglastiegel und Verfahren für seine Herstellung
DE19962449.6 1999-12-22
PCT/EP2000/012686 WO2001046077A1 (de) 1999-12-22 2000-12-14 Quarzglastiegel und verfahren für seine herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003517990A true JP2003517990A (ja) 2003-06-03
JP4746240B2 JP4746240B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=7934122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001546592A Expired - Fee Related JP4746240B2 (ja) 1999-12-22 2000-12-14 石英ガラスるつぼの製造方法。

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6672107B2 (ja)
EP (1) EP1159227B1 (ja)
JP (1) JP4746240B2 (ja)
KR (1) KR100716483B1 (ja)
CN (1) CN1204068C (ja)
DE (1) DE19962449C2 (ja)
NO (1) NO329850B1 (ja)
TW (1) TWI229055B (ja)
WO (1) WO2001046077A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131378A (ja) * 2002-09-21 2004-04-30 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg 不透明石英ガラス材の製造方法
JP2010083690A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010111524A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010138034A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010189205A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2012116738A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Japan Siper Quarts Corp シリカガラスルツボ
JP2013519624A (ja) * 2010-02-16 2013-05-30 ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 石英ガラスるつぼの製造法
WO2015099000A1 (ja) * 2013-12-28 2015-07-02 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ及びその製造方法
JP2015520094A (ja) * 2012-04-05 2015-07-16 ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG 合成石英ガラス粒体の製造法

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10158521B4 (de) * 2001-11-29 2005-06-02 Wacker-Chemie Gmbh In Teilbereichen oder vollständig verglaster SiO2-Formkörper und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3983054B2 (ja) * 2002-01-17 2007-09-26 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法
DE10217946A1 (de) * 2002-04-22 2003-11-13 Heraeus Quarzglas Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung desselben
JP3970692B2 (ja) * 2002-05-31 2007-09-05 信越化学工業株式会社 プリフォーム製造方法
DE10225773B4 (de) * 2002-06-10 2005-03-31 Heraeus Tenevo Ag Jacketrohr aus synthetisch hergestelltem Quarzglas
JP4086283B2 (ja) * 2002-07-31 2008-05-14 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法
JP4300334B2 (ja) * 2002-08-15 2009-07-22 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの再生方法
JP4444559B2 (ja) * 2002-10-09 2010-03-31 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの強化方法とシリコン単結晶の引き上げ方法
KR100710049B1 (ko) * 2002-12-27 2007-04-20 주식회사 실트론 실리콘 단결정 성장 장치의 석영 도가니
JP4453954B2 (ja) * 2003-02-28 2010-04-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法および該製造方法で製造された石英ガラスルツボ
JP4330363B2 (ja) * 2003-03-28 2009-09-16 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボ
JP4339003B2 (ja) * 2003-04-02 2009-10-07 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
DE10327496A1 (de) * 2003-06-17 2005-01-20 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasbauteils mit hoher thermischer Stabilität
US7637126B2 (en) * 2003-12-08 2009-12-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for the production of laser-active quartz glass and use thereof
US7563512B2 (en) * 2004-08-23 2009-07-21 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Component with a reflector layer and method for producing the same
US20060135342A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Anderson James G Method of making alkali metal silicate glass, feedstock, and glass article formed therefrom
US7837955B2 (en) * 2006-03-08 2010-11-23 Unimin Corporation Continuous reactor system for anoxic purification
DE102006014689A1 (de) 2006-03-28 2007-10-11 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot Bestrahlungseinheit
EP2070883B2 (en) * 2006-09-11 2017-04-19 Tosoh Corporation Fused quartz glass and process for producing the same
DE102006043738B4 (de) * 2006-09-13 2008-10-16 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Bauteil aus Quarzglas zum Einsatz bei der Halbleiterfertigung und Verfahren zur Herstellung desselben
FR2912397B1 (fr) * 2007-02-14 2009-05-08 Commissariat Energie Atomique Installation d'affinage de silicium.
WO2009017071A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Japan Super Quartz Corporation 石英ガラスルツボの製造方法
US8715037B2 (en) 2007-09-13 2014-05-06 Vibraglaz (Uk) Limited Materials processing medium and method
GB0717849D0 (en) * 2007-09-13 2007-10-24 Vibraglaz Uk Ltd Finishing medium and process
CN100523315C (zh) * 2007-09-28 2009-08-05 中国科学院物理研究所 分体式钽坩埚及其制造方法
KR20100132025A (ko) * 2008-03-31 2010-12-16 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 석영 유리 도가니와 그 제조 방법
TWI410534B (zh) * 2008-07-10 2013-10-01 Japan Super Quartz Corp 石英玻璃坩堝及使用其之矽單晶拉提方法
JP5069663B2 (ja) * 2008-10-31 2012-11-07 ジャパンスーパークォーツ株式会社 多層構造を有する石英ガラスルツボ
DE102008056084B4 (de) * 2008-11-06 2012-05-03 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Zylinderförmiges Halbzeug zur Herstellung einer optischen Faser sowie Verfahren für die Herstellung der Faser oder einer Vorform dafür
TWI448592B (zh) * 2009-09-07 2014-08-11 Japan Super Quartz Corp 石英玻璃坩堝之製造方法
KR101048586B1 (ko) * 2009-10-06 2011-07-12 주식회사 엘지실트론 고강도 석영 도가니 및 그 제조방법
JP4951057B2 (ja) * 2009-12-10 2012-06-13 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
EP2410081B1 (en) 2009-12-14 2014-11-19 Japan Super Quartz Corporation Method for manufacturing a silica glass crucible
DE102010021696A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung eines Quarzglastiegels mit transparenter Innenschicht aus synthetisch erzeugten Quarzglas
DE102010045934B4 (de) * 2010-09-21 2012-04-05 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung eines Quarzglastiegels mit transparenter Innenschicht aus synthetisch erzeugtem Quarzglas
JP5801407B2 (ja) * 2010-10-28 2015-10-28 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus QuarzglasGmbH & Co. KG 合成石英ガラス顆粒の製造方法
JP5685894B2 (ja) 2010-11-05 2015-03-18 信越半導体株式会社 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法
JP5467418B2 (ja) * 2010-12-01 2014-04-09 株式会社Sumco 造粒シリカ粉の製造方法、シリカガラスルツボの製造方法
JP5605902B2 (ja) * 2010-12-01 2014-10-15 株式会社Sumco シリカガラスルツボの製造方法、シリカガラスルツボ
CN102031488A (zh) * 2010-12-23 2011-04-27 福建福晶科技股份有限公司 一种提高膜层损伤阈值的坩埚
CN102167500B (zh) * 2011-01-10 2013-01-09 圣戈班石英(锦州)有限公司 一种不透明石英实验室器皿的制备方法
CN102351407B (zh) * 2011-08-25 2014-02-05 江苏阳山硅材料科技有限公司 一种熔铝石英坩埚的制作方法
US8713966B2 (en) * 2011-11-30 2014-05-06 Corning Incorporated Refractory vessels and methods for forming same
US20140083360A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having more uniform gas flow
WO2014189622A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Applied Materials, Inc. A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
KR101856091B1 (ko) * 2013-12-28 2018-05-09 가부시키가이샤 섬코 석영 유리 도가니 및 그의 왜곡 측정 장치
EP3000790B2 (de) * 2014-09-29 2023-07-26 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren für die Herstellung von Bauteilen aus synthetischem Quarzglas aus SiO2-Granulat
US10604438B2 (en) * 2015-07-15 2020-03-31 Heraeus Quartz America Llc Process for joining opaque fused quartz to clear fused quartz
TW201731780A (zh) * 2015-12-18 2017-09-16 何瑞斯廓格拉斯公司 於懸掛式金屬片坩堝中製備石英玻璃體
US10676388B2 (en) 2015-12-18 2020-06-09 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Glass fibers and pre-forms made of homogeneous quartz glass
WO2017103125A1 (de) 2015-12-18 2017-06-22 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Sprühgranulieren von siliziumdioxid bei der herstellung von quarzglas
US11339076B2 (en) 2015-12-18 2022-05-24 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of carbon-doped silicon dioxide granulate as an intermediate in the preparation of quartz glass
TWI728018B (zh) * 2015-12-18 2021-05-21 德商何瑞斯廓格拉斯公司 自二氧化矽粉末製備石英玻璃體
US10730780B2 (en) 2015-12-18 2020-08-04 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of a quartz glass body in a multi-chamber oven
KR20180094087A (ko) 2015-12-18 2018-08-22 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 실리카 과립으로부터 실리카 유리 제품의 제조
CN108698885A (zh) 2015-12-18 2018-10-23 贺利氏石英玻璃有限两合公司 石英玻璃制备中硅含量的提升
EP3390303B1 (de) 2015-12-18 2024-02-07 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Herstellung von quarzglaskörpern mit taupunktkontrolle im schmelzofen
US11299417B2 (en) 2015-12-18 2022-04-12 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of a quartz glass body in a melting crucible of refractory metal
CN108698895A (zh) * 2015-12-18 2018-10-23 贺利氏石英玻璃有限两合公司 在悬挂式烧结坩埚中制备石英玻璃体
KR20180095880A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 합성 석영 유리 결정립의 제조
CN108698880B (zh) 2015-12-18 2023-05-02 贺利氏石英玻璃有限两合公司 不透明石英玻璃体的制备
CN108700378B (zh) * 2016-02-26 2019-11-15 联合材料公司 钼坩锅
DE102017127624A1 (de) * 2017-11-22 2019-05-23 Schott Ag Beschichtetes Glas- oder Glaskeramik-Substrat, Beschichtung umfassend geschlossene Poren sowie Verfahren zur Beschichtung eines Substrats
JP7141844B2 (ja) * 2018-04-06 2022-09-26 信越石英株式会社 石英ガラスるつぼの製造方法
JP7341017B2 (ja) * 2019-09-30 2023-09-08 信越石英株式会社 熱反射部材及び熱反射層付きガラス部材の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH029783A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 石英ガラスるつぼ
JPH05105577A (ja) * 1990-06-25 1993-04-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法
JPH07267724A (ja) * 1993-11-12 1995-10-17 Heraeus Quarzglas Gmbh 高含量の二酸化珪素を有する造形物およびその製造法
JPH09255476A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4632686A (en) * 1986-02-24 1986-12-30 Gte Products Corporation Method of manufacturing quartz glass crucibles with low bubble content
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JPH0319031A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Fujitsu Ltd 推論処理方式
JPH0463543A (ja) * 1990-07-02 1992-02-28 Morinaga & Co Ltd シロップ漬けカットパインの製造法
JP2684449B2 (ja) * 1990-10-31 1997-12-03 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法
US5772714A (en) * 1995-01-25 1998-06-30 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Process for producing opaque silica glass

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH029783A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 石英ガラスるつぼ
JPH05105577A (ja) * 1990-06-25 1993-04-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法
JPH07267724A (ja) * 1993-11-12 1995-10-17 Heraeus Quarzglas Gmbh 高含量の二酸化珪素を有する造形物およびその製造法
JPH09255476A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131378A (ja) * 2002-09-21 2004-04-30 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg 不透明石英ガラス材の製造方法
JP2010083690A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010111524A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010138034A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2010189205A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd シリカ容器及びその製造方法
JP2013519624A (ja) * 2010-02-16 2013-05-30 ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 石英ガラスるつぼの製造法
JP2012116738A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Japan Siper Quarts Corp シリカガラスルツボ
JP2015520094A (ja) * 2012-04-05 2015-07-16 ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG 合成石英ガラス粒体の製造法
WO2015099000A1 (ja) * 2013-12-28 2015-07-02 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ及びその製造方法
CN105849320A (zh) * 2013-12-28 2016-08-10 胜高股份有限公司 石英玻璃坩埚及其制造方法
JP6088666B2 (ja) * 2013-12-28 2017-03-01 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ及びその製造方法
KR101771599B1 (ko) 2013-12-28 2017-08-25 가부시키가이샤 섬코 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법
US9863061B2 (en) 2013-12-28 2018-01-09 Sumco Corporation Vitreous silica crucible and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI229055B (en) 2005-03-11
CN1341080A (zh) 2002-03-20
KR20010102319A (ko) 2001-11-15
DE19962449A1 (de) 2001-07-12
KR100716483B1 (ko) 2007-05-10
US6672107B2 (en) 2004-01-06
EP1159227A1 (de) 2001-12-05
EP1159227B1 (de) 2005-08-17
DE19962449C2 (de) 2003-09-25
NO20006376D0 (no) 2000-12-14
JP4746240B2 (ja) 2011-08-10
WO2001046077A1 (de) 2001-06-28
US20030041623A1 (en) 2003-03-06
CN1204068C (zh) 2005-06-01
NO20006376L (no) 2001-06-25
NO329850B1 (no) 2011-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003517990A (ja) 石英ガラスるつぼ及びその製造方法
KR100716485B1 (ko) 불투명 석영유리의 제조 방법, 이 방법을 실행하기에적합한 sio2 과립재료 및 불투명 석영유리로 이루어진물품
US6660671B2 (en) Method of producing a composite material having a high SiO2 content, composite material obtained according to the method, and permanent mold made thereof
KR101834041B1 (ko) SiO2 그래뉼레이트의 합성 석영 유리의 제조 방법 및 이에 적합한 SiO2 그래뉼레이트
CN104185613B (zh) 用于由电熔化的合成的石英玻璃制造成形体的方法
JP6231074B2 (ja) 合成石英ガラス粒体の製造法
CN104245609B (zh) 用于制备合成石英玻璃粒料的方法
JP2001354438A (ja) 不透明合成石英ガラスから作られる部材の製造法と、この方法によって製造される石英ガラス管
JP2004532176A5 (ja)
JP4038137B2 (ja) ケイ素−チタン−混合酸化物粉末を含有する分散液、その製造方法、それにより製造された成形体、その製造方法、ガラス成形品、その製造方法及びその使用
CN1098219C (zh) 高硅氧玻璃耐火制品的制备工艺
JP2000344535A (ja) 石英ガラス成形体のリサイクル方法
JPH04198034A (ja) 高粘度合成石英ガラス部材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110510

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110513

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4746240

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees