JP2003510837A - 制御された小環境を有するウエハの大気圧搬送モジュール - Google Patents

制御された小環境を有するウエハの大気圧搬送モジュール

Info

Publication number
JP2003510837A
JP2003510837A JP2001527326A JP2001527326A JP2003510837A JP 2003510837 A JP2003510837 A JP 2003510837A JP 2001527326 A JP2001527326 A JP 2001527326A JP 2001527326 A JP2001527326 A JP 2001527326A JP 2003510837 A JP2003510837 A JP 2003510837A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer module
airflow
shelf
atmospheric
load cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001527326A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4632612B2 (ja
Inventor
カベー・ファロ・エフ.
ジェイコブ・デイビッド・イー.
ラーソン・ディーン・ジェイ
マラスキン・マーティン・アール.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23623640&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2003510837(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2003510837A publication Critical patent/JP2003510837A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4632612B2 publication Critical patent/JP4632612B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Abstract

(57)【要約】 大気圧搬送モジュールが提供される。モジュールは、トップ領域と、中央領域と、ボトム領域と、ロードセル領域と、を有した囲いハウジングを含む。ブロアは、囲いハウジングのトップ領域の中に設けられ、中央領域へと下向きに流れるエアフローを生成するように構成される。ロードセル領域の中に設けられたシェルフは、囲いハウジングの中央領域とボトム領域との境界を規定する。シェルフは、ロードセル領域の壁から少なくとも部分的に隔たれており、これによって、シェルフの後方においてスロットを規定する。多孔シートは、シェルフから水平方向に広がって、さらに中央領域とボトム領域との境界を規定するように構成される。この実施例において、ブロアによって生成されたエアフローは、多孔シートを自由に通らないように制約を加えられ、その一部分は、ロードセルのシェルフに向かいスロットを通ってさらに囲いハウジングのボトム領域に流れ込むようにリダイレクトされる。1つ以上のウエハを有したカセットは、ロードセルの中のシェルフの上に座するように構成され、このためリダイレクトエアフローに曝される。したがって、リダイレクトエアフローは、ウエハの表面の上を静かに流れることによって、ウエハが大気圧搬送モジュールの中に一時的に据えられている間に、ウエハの表面からプロセスガスおよび微粒子を除去するのに役立つ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、半導体処理装置のモジュール間でウエハを移送することに
関し、特に、制御された小環境を有するモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造では、処理チャンバは、例えば、接続されたチャンバ間
でウエハまたは基板を移送を許容するように相互に接続される。このような移送
は、例えば搬送モジュールによって行われる。搬送モジュールは、接続されたチ
ャンバ間において、隣り合う壁に設けられたスロットまたはポートを通してウエ
ハの移送を行う。例えば、搬送モジュールは、半導体エッチングシステム、材料
堆積システム、フラットパネルディスプレイエッチングシステムを含む、様々な
基板処理モジュールとの連携のもとで使用されるのが一般的である。清浄度およ
び処理精度への要求が高まるにつれて、処理工程中および処理工程間での人的介
入を減らす必要性が増してきている。この必要性は、中間的な処理装置として動
作する真空搬送モジュール(真空状態などの減圧状態に維持される)によって、
部分的に解決されてきた。例えば、真空搬送モジュールは、基板が保管される1
つ以上のクリーンルーム保管設備と、エッチングまたは堆積処理といった処理が
基板に対して実際に実行される複数の基板処理モジュールとの間に物理的に設置
されると良い。こうすると、基板の処理が必要になった際に、搬送モジュールの
中に設けられたロボットアームを利用して、選択された基板をロードロックチャ
ンバから取り出し、複数の処理モジュールのうちの1つの中に配置することが可
能になる。
【0003】 当業者に周知のように、複数の保管設備と複数の処理モジュールとの間で基板
を「搬送する」搬送モジュールの構成は、多くの場合において「クラスタツール
構造」システムと称される。図1Aは、半導体工程における代表的なクラスタ構
造100を示した図であり、図中には、真空搬送モジュール106に接続された
様々なチャンバが示されている。図中、真空搬送モジュール106は、様々な製
造工程を実施するために個々に最適化された3つの処理モジュール108a〜1
08cに結合されている。処理モジュール108a〜108cは、例えば、変圧
器結合プラズマ(TCP)基板エッチング、層の堆積、および/またはスパッタ
リングを実行できるように構成して良い。
【0004】 真空搬送モジュール106には、ウエハを真空搬送モジュール106に導入す
るように構成されたロードロック104が接続されている。ロードロック104
は、クリーンルーム102に接続された大気圧搬送モジュール(ATM)103
に結合することができる。ATM103は、一般に、ウエハのカセットを保持す
るための領域と、ウエハをカセットから取り出してロードロック104に対して
出し入れするロボットと、を有する。周知のように、ロードロック104は、真
空搬送モジュール106とATM103との間における圧力変更インターフェー
スとして機能する。したがって、ATM103およびクリーンルーム102を大
気圧に保持する一方で、真空搬送モジュール106を定圧(例えば真空)に維持
することが可能になる。
【0005】 図1Bは、大気圧搬送モジュール(ATM)103を含んだシステムの部分図
150であり、図中のATM103は、フィルタ/ブロア152aと、アームセ
ット158を有したロボット156と、シェルフ154とを含む。シェルフ15
4は、ウエハ162のカセット160をカセット環境152bの中で保持するよ
うに構成される。ATM103のカセット環境152bは、ドア155を有する
。ドア155は、処理中にカセット160を挿入するまたは取り出すために開く
ことができるドア155を有する。フィルタ/ブロア152aは、ATM103
へのエアフロー170を生成するように構成される。このため、エアフロー17
0は、実質的な妨害を受けることなしに、微粒子スクリーン171を通ってAT
M103の下部に達し、排気口152cから排出される。また、ATM103は
、ロードロック104および搬送モジュール106に接続された状態で簡単に図
示されている。上述したように、搬送モジュール106は、選択された処理モジ
ュール108間でウエハを移送することができる。
【0006】 従来技術によるこのタイプのATM103は、カセット160とロードロック
104との間でかなり効率よくウエハを移送することができるが、ブロア152
aの動作時に、エアフロー170がカセット環境152bを迂回することが知ら
れている。その結果、カセット環境152は、実質的に静止した状態に維持され
る。つまり、ウエハ162間の環境が、動作時におけるエアフロー170の影響
を実質的に受けない状態に維持される。
【0007】 図1Cは、複数のウエハ162を有したカセット160を、より詳細に示した
図である。一般に、処理モジュール108の1つで処理されたウエハがカセット
160に戻されると、ウエハ162の間に後処理ガスが流れる。これらのガスは
、直近に処理されたウエハ162の上面から発散された状態で、符号166によ
って図示されている。ウエハ162間にこのようなガス166が存在すると、化
学ガスが化学反応を続けるので、処理済みウエハ162の歩留まりを低下させる
という問題を生じる。ウエハの劣化が大きいと、歩留まりの低下に関連した金銭
的な損失が顕著になる。
【0008】 カセット環境152bが停滞すると、ウエハ162の表面に落ちた微粒子が、
カセット環境152bにカセットが留まっている間中にわたり表面に残留し続け
るという問題を生じる。これらの微粒子164は、ウエハ162上に形成された
半導体回路を大きく損傷させる可能性がある。周知のように、処理操作と処理操
作との間でウエハ162の表面に微粒子164が残留していることは望ましくな
い。ウエハ162の表面に微粒子が残留する時間が長くなると、このような微粒
子によって精密な集積回路が損傷される可能性も高くなり、洗浄がいっそう困難
になる。
【0009】 停滞したカセット環境152bの中にカセット160が止まっていると、ドア
155を開いてカセット160を取り出す工程技師が、ウエハ162の表面から
発散される望ましくないレベルの有毒ガス166に曝されるという問題を生じる
。このように、プロセスガスや化学副産物に曝されると、カセットを取り扱うに
あたって混乱を生じ、処理済みの貴重な半導体ウエハ162が満載されたカセッ
ト160を取り落とす可能性がある。
【0010】 以上から、ウエハのカセットの中および周りの環境を制御できる大気圧搬送モ
ジュールが必要とされていることがわかる。
【0011】
【発明の概要】
本発明は、概して、処理中のウエハのカセットが一時的に保管される領域の中
に小環境を生成することができる大気圧の搬送モジュールを提供することによっ
て、これらのニーズを満たすものである。小環境は、ウエハの間を流れるエアフ
ローを規定することによって、ウエハを取り囲む環境からプロセスガスおよび副
産物を実質的に除去するように、構成されることが好ましい。ここで、本発明が
、工程、装置、システム、デバイス、または方法を含む様々な方法で実現できる
ことを、理解しておく必要がある。以下では、本発明の実施形態をいくつか取り
上げて説明する。
【0012】 一実施形態において、大気圧の搬送モジュールを開示する。モジュールは、進
歩性を有したいくつかの要素を含んだハウジングを有する。ハウジングは、調整
されたエアフローを自身から遠ざかる下向きの方向に生成するためのブロアを含
んだトップ部分を有する。ハウジングは、また、ブロアから横方向にずらして設
けられたロードセル領域を含む。ロードセルは、ウエハカセットをサポートする
ためのシェルフを含み、シェルフは、ロードセルの壁から隔てられることによっ
てリダイレクトエアフロースロットを規定する。ブロアの下方には、多孔シート
が規定される。この多孔シートは、自身を通してエアフローに制約を加え、横方
向にずれて設けられたロードセルのウエハカセットへとリダイレクトエアフロー
を導入するように構成される。このようなリダイレクトエアフローによって、ウ
エハカセットの中でウエハの周りを漂っている残留プロセスガスをウエハカセッ
トから押し流し、リダイレクトエアフロースロットから排出できるという利点が
得られる。さらに、開いたドアからエアが流れ出ることによって、外から微粒子
が侵入する可能性を減らせるという利点も得られる。
【0013】 別の一実施形態において、大気圧搬送モジュールを開示する。モジュールは、
トップ領域と、中央領域と、ボトム領域と、ロードセル領域と、を有した囲いハ
ウジングを含む。ブロアは、囲いハウジングのトップ領域の中に設けられ、中央
領域へと下向きに流れるエアフローを生成するように構成される。ロードセル領
域の中に設けられたシェルフは、囲いハウジングの中央領域とボトム領域との境
界を規定している。シェルフは、ロードセル領域の壁から少なくとも部分的に隔
たれることによって、シェルフの後方においてスロットを規定している。多孔シ
ートは、シェルフから広がって、さらに中央領域とボトム領域との境界を規定す
るように構成される。この実施形態において、ブロアによって生成されたエアフ
ローは、多孔シートを自由に通らないように制約を加えられ、その一部分は、ロ
ードセルのシェルフに向かいスロットを通ってさらに囲いハウジングのボトム領
域に流れ込むようにリダイレクトされる。
【0014】 リダイレクトエアフローおよび非リダイレクトエアフロー(多孔シートを通っ
て流れるエアフロー)は、ボトム領域に達した後に通気孔から排出される。別の
1実施形態では、ボトム領域の中にファンを設け、シェルフの後方に規定された
スロットを通るリダイレクトエアフローをサポートすることができる。こうして
、リダイレクトエアフローは、1つまたはそれ以上のウエハを有したカセットが
ロードセル領域のシェルフの上に座している際に、ウエハの上に存在し得る任意
のポストプロセスガスおよび微粒子を循環させるように作用する。したがって、
ポストプロセスガスおよび任意の微粒子が、通気孔を通って囲みハウジングのボ
トム領域から流し出される。この実施形態では、ファンが(1つまたは複数の)
ドアに連動していることが好ましい。こうすれば、ロードセルのどのドアが開い
た場合でもファンのスイッチを切ることができる。こうして、ドアが開いたとき
に、汚れた空気がATMに引き入れられてウエハが汚染されることが阻止される
【0015】 さらに別の一実施形態において、大気圧搬送モジュールを作成する方法を開示
する。この方法は、トップ領域と、中央領域と、ボトム領域と、ロードセル領域
と、を有した囲いハウジングを形成する工程を含む。ブロアは、囲いハウジング
のトップ領域の中に設けられ、中央領域へと下向きに流れるエアフローを生成す
るように構成される。シェルフは、ロードセル領域の中に設けられ、囲いハウジ
ングの中央領域とボトム領域との境界を規定している。シェルフは、ロードセル
領域の壁から少なくとも部分的に隔たれることによって、シェルフの後方におい
てスロットを規定している。多孔シートは、シェルフから水平に広がって、さら
に中央領域とボトム領域との境界を規定するように設けられる。ブロアによって
生成されたエアフローは、多孔シートを自由に通らないように制約を加えられ、
その一部分は、多孔シートからそれてロードセルのシェルフに向かいスロットを
通ってさらに囲いハウジングのボトム領域に流れ込むように、多孔シートからそ
れる方向にリダイレクトされる。
【0016】 1つ以上のウエハを有するウエハカセットは、ロードセルのシェルフの上に座
して、リダイレクトエアフローを受けるように構成される。したがって、リダイ
レクトエアフローは、ウエハカセットの中に一時的に保管され得る任意のウエハ
の上で、静かな空気の流れを維持する。シェルフは、2つ以上のウエハカセット
を保持するように構成され、そして、各ウエハカセットの周りに仕切り用の囲み
を設けることによって、シェルフ後方のドアを開いて特定のウエハカセットを取
り出す際に、安定した小環境を維持することができる。
【0017】 リダイレクトエアフローがウエハの上を静かに流れるので、ロードセルの中に
座しているウエハは、停滞した環境の中でポストプロセスガスの蓄積を生じない
ことを保証される。静かに流れるリダイレクトエアフローは、カセットの中に座
しているウエハの上から微細粒子を除去する際にも役立つので、処理済みウエハ
の歩留まりおよび品質を高める制御された小環境を維持することができる。本発
明の原理を例示した添付図面と関連付けながら行う以下の詳細な説明によって、
本発明のその他の態様および利点が明らかになる。
【0018】 本発明は、添付図面を用いた以下の詳細な説明によって、容易に理解される。
なお、この添付図面においては、同様の構成要素には同様の番号体型が与えられ
ている。
【0019】
【発明の実施の形態】
処理中のウエハカセットを一時的に保管する領域の中に小環境を生成すること
ができる大気圧搬送モジュールの発明を開示する。小環境は、ウエハの間を実質
的にウエハに沿って流れるエアフローを規定することによって、カセットの中に
座しているウエハの間からプロセスガスおよび副産物を実質的に除去するように
、構成されることが好ましい。しかしながら、当業者には明らかなように、本発
明は、これらの項目の一部または全てを特定しなくても実施できる。そのほか、
本発明が不明瞭にならないため、周知の処理操作については詳細には説明してい
ない。
【0020】 図2Aは、クリーンルームフロア201の上に位置することができる大気圧搬
送モジュール(ATM)200を、本発明の一実施形態にしたがい示す図である
。ATM200は、フィルタおよび可変速式のブロアを含んだトップ部分を備え
る。あるいは、可変速式のブロアの代わり定速式のブロアを使用し、さらに、エ
アフローを調整するための組込み式のダンパをセパレータ205に含ませること
もできる。ATM200の一部としては、ウエハ214のための1つまたはそれ
以上のカセット212を保持するように構成されたロードセル202も含まれる
。この実施例におけるカセット212は、任意サイズの複数のウエハを保持する
ことができるオープンカセットである。例えば、カセット212は、200mm
のウエハ、300mmのウエハ、さらには200mmより小さいウエハや300
mmより大きいウエハをも保持できるように、構成することができる。オープン
カセット212の代表的なメーカとして、米国ミネソタ州チャスカ所在のフルオ
ロウェア社(Fluoroware, Inc.)が挙げられる。
【0021】 ATM200は、カセット212と隣接するロードロック(未図示)との間で
ウエハを取り扱ったり移送したりするためのアームセット208を有したロボッ
ト206を保持するように構成される。カセット212は、ロードセル領域にお
いてシェルフ204とATM200の後壁との間にリダイレクトエアフロースロ
ット203を規定するシェルフ204の上に位置することが好ましい。シェルフ
204とほぼ同じ高さでシェルフ204から広がる多孔シート205は、アーム
セット208をロボット206から隔てている。一般に、多孔シート205は、
ウエハを一時的に保管し、取り扱い、移送するクリーンな領域と、ロボットモー
タが備わっている下方の領域と、の境界を規定するように構成される。
【0022】 好ましい一実施形態において、多孔シート205の上方に位置するATM20
0の内壁(すなわちATM200のうちクリーンな中央領域)は、ウエハ214
上の精密なマイクロデバイスを損傷させ得る壁の腐食および電荷の蓄積を阻止で
きるように、電解研摩されたステンレススチールで形成される。多孔シート20
5も電解研摩されたステンレススチールであることが好ましい一方で、多孔シー
ト205の下方に位置する壁は粉体塗装されたスチールであって良い。ウエハは
多孔シート205より上の高さで維持されるので、多孔シートおよびシェルフ2
04の下方における電荷の蓄積は、一般に問題にならない。図中のATM200
は、ATM200に対してカセット212の出し入れを行うために開くことがで
きるドア210を有する。多孔シート205の下方には、排気222をクリーン
ルームに引き入れてATM200のハウジングの囲いから排出させることを可能
にする通気孔221が設けられる。必要時には、通気孔221にダンパを取り付
けることによって、過剰な量の空気がATM200に出入りするのを阻止するこ
とができる。さらには、通気孔はATM200の底部に設けられ得る。
【0023】 200aの中のフィルタは、例えば、0.1ミクロンに対して約99.999
5%の高効率を達成することが可能な任意の適切なフィルタであって良い。代表
的なフィルタとして、米国ケンタッキー州ルイスヴィル所在のアメリカンエアフ
ィルタ社(American Air Filter, International)によるホウ珪酸ガラスファイ
バを使用したアメリカンエアフィルタが挙げられる。同様に、ブロアは、クリー
ンルーム環境において使用することができる任意の適切な可変速式ブロア(また
は定速式ブロア)であって良い。代表的な可変速式ブロアとして、コネチカット
州ファーミントン所在のEBM社(EBM Industries)によるカゴ形ブロアRH3
1M−4/104371が挙げられる。可変速式ブロアは、フィルタを通して、
多孔シート、アームセット208、およびカセット212に向かって初期的に下
向きに方向付けられた調整されたエアフロー220を生成する。
【0024】 一実施形態において、多孔シート205は、特定の量のエアフローを通過させ
てリダイレクトエアフロー220aを形成するように、(任意の所望の形状を有
した)開口部を使用して較正される。リダイレクトエアフロー220aが生成さ
れると考えられるのは、多孔シート205が、多孔シート205を通ってATM
200の下方領域へと向かうエアフロー(すなわち非リダイレクトエアフロー2
20b)に対して、少なくとも部分的に制約を加えるからである。
【0025】 図に示すように、リダイレクトエアフロー220aは、ロードセル202に向
かって曲がり、カセット212の中および周りに小環境を形成する。したがって
、リダイレクトエアフロー220aの少なくとも一部分は、ウエハ214の間を
ウエハ214に沿って流れ、さらにリダイレクトエアフロースロット203を通
って下向きに流れる。カセット212の中のウエハ214の間を通って流れるリ
ダイレクトエアフローによって生成された小環境は、ロードセル202の中に座
しているウエハ214の表面から、停滞したガスおよび微粒子を除去するのに役
立つ。もちろん、調整されたエアフロー220の一部分は、非リダイレクトエア
フロー220bとして多孔シート205を通って流れる。リダイレクトエアフロ
ースロット203を通るリダイレクトエアフロー220aおよび多孔シート20
5を通って流れる非リダイレクトエアフロー220bは、ともに、ATM200
の囲みハウジングの下方領域に設けられた通気孔221から排出され、排気22
2として表される。
【0026】 次の表Aに示すように、一実施形態において、調整されたエアフロー220は
、約40フィート毎分(12.19メートル毎分)〜約120フィート毎分(3
6.57メートル毎分)の平均流速で多孔シート205を通って流れ、リダイレ
クトエアフロー220aは、約10フィート毎分(3.04メートル毎分)〜約
80フィート毎分(24.38メートル毎分)の平均流速で静かにウエハ214
の間を流れる。表Aに示された平均流速は、ロードセル202のドア210が閉
じられている場合の代表的な値である。ロードセル202のドア210が少なく
とも1つ開かれている場合の代表的な平均流速は、表Bに示される。
【0027】
【表A】
【0028】
【表B】
【0029】 図2Bは、本発明の別の一実施形態を示した図であり、図中のATM200は
、リダイレクトエアフロー220aがリダイレクトエアフロースロット203を
通って通気孔221から流れ出るのをさらにサポートするためのファン240を
含む。図に示すように、ファン240は、シェルフ204に連結された壁204
aに設けられている。ファンは、リダイレクトエアフロー220aがスロット2
03を通りさえすれば、任意の方法で設けることが可能である。このように、フ
ァン204を設けることによって、リダイレクトエアフロースロット203を通
してさらなる吸い込みが提供されるので、ウエハ214の間に存在するプロセス
ガスおよび副産物を、リダイレクトエアフロースロット203を通るように引き
込んで、ファンエアフロー220a’として排出することが可能になる。前述し
たように、ドアが開いたときには、ファンのスイッチを切って、「汚れた」クリ
ーンルームエアが引き込まれるのを阻止することが好ましい。
【0030】 図3Aは、処理システムに接続されたATM200を、本発明の1実施形態に
したがって示した上面図である。ATM200の構造およびロードロック104
に対するロボットの配置に関しては、1999年6月29日付けの同時係属の米
国特許出願09/342,669「Atmospheric Wafer Transfer Module with N
est For Wafer Transport Robot and Method of Implementing Same(ウエハ搬
送ロボット用のネストを有した大気圧エウエハ移送モジュールおよびそれを実現
する方法)」において、詳細に説明されている。この出願を、引例として本明細
書に組み込むものとする。図に示すように、ATM200は、1対のロードロッ
ク104に通じるように設計される。ロードロック104は、ゲートバルブ10
5によって搬送チャンバ106に結合されている。そして、搬送チャンバ106
は、処理モジュール108に連結することができる。ロボットアーム(図示せず
)は、ロードロック104の中からウエハを取り出して、そのウエハを処理動作
が実施される選択された処理モジュール108に挿入するために、搬送チャンバ
106の中に設けられる。
【0031】 図中のATM200は、ロードロック104に挿入する前にウエハをアームセ
ット208の上に並べることができるアライナ250を有している。図中のロー
ドセル202は、カセット212をサポートするシェルフ204を有している。
図中のカセット212は、ウエハ214を有している。カセット212の後方で
シェルフ204の高さには、図2Aおよび図2Bを参照にして上述したリダイレ
クトエアフロースロット203が設けられている。ドア210は、ロードセル2
02に対してカセット212の出し入れを行うことを可能にする。カセットの挿
入および取り外しは、外部のクリーンルームロボット(図示せず)あるいは人が
行う。
【0032】 この実施形態において、図中のATM200は、グリッド状の多孔シート20
5を有している。多孔シート205は、ウエハ214の間をそしてリダイレクト
エアフロースロット203を通って流れるエアフローの量を増やすまたは減らす
ように選択することができる。図中のATM200は、斜めのロードロック10
4に接続できる幾何学形状を有しているが、他の任意の形状によって、エアフロ
ーの適切なリダイレクトを可能にすることができる。リダイレクトは、主に、多
孔シート205を通してエアフローに制約を加えた結果として生じるので、エア
フローの少なくとも一部分が、シェルフ204およびカセット212の中の任意
のウエハに向かってリダイレクトされる。
【0033】 図3Bは、本発明による別の一実施形態を示した図であり、ロードセル202
および多孔シート205’に変更が加えられている。図に示すように、多孔シー
ト205’は、より密なグリッド構成を有する。このグリッドは、多孔シート2
05’を通るエアフローを減少させるすなわち制約を加えることによって、より
沢山のエアフローを、ウエハ214の間を通ってリダイレクトエアフロースロッ
トから下向きに流れるようにリダイレクトするように構成される。ロードセル2
02は、また、カセット212同志を隔てる環境セパレータ207を含むように
も変更されている。また、各カセット212は、側壁213によっても囲まれて
いる。
【0034】 環境セパレータ207および側壁213を設けることによって、特定のドア2
10を開いて特定のカセット212を取り出すまたは挿入することが望まれる際
に、各カセット212の小環境をより正確に制御することが可能になる。つまり
、あるカセット212を取り出すまたは挿入するために、ドア210の1つが開
かれた場合であっても、その開かれた小環境における圧力の変化が、何枚かの処
理済みウエハを有し得る隣りのセルの小環境に、実質的な影響をおよぼすことは
ない。また、環境セパレータは、セル間における粒子移動および相互汚染を阻止
するのに役立つことに、注意する必要がある。各ロードセル202は、また、第
1のリダイレクトエアフロースロット203aおよび第2のリダイレクトエアフ
ロースロット203bをそれぞれ含むことが好ましい。
【0035】 図3Cは、本発明による別の1実施形態を示した図であり、さらに別の変形構
造を有した多孔シート205”およびロードセル202が示されている。この実
施形態において、多孔シート205”は、多孔シート205”を通して所望のエ
アフローを実現するように調整することが可能な複数の穿孔を有したシートとし
て規定される。代表的な1実施形態において、多孔シート205”の穿孔は、開
口率が約20%〜約80%のシートを規定するように構成することができ、なか
でも約40%〜約70%の開口率を有することが好ましく、さらには約63%の
開口率を有することが最も好ましい。約63%の開口特性を実現するため、一実
施形態は、3/16の中心間隔で他の列の穿孔に対してずらして穿孔され且つ5
/32の直径を有する穿孔を有する。一般に、開口率は、表Aおよび表Bを参照
にして上述した所望の平均流速を達成できるように構成される。上述した実施形
態と同様で、多孔シート205”は、腐食を阻止し静電荷を抑制するために、電
解研摩されたステンレススチールで形成されることが好ましい。
【0036】 この実施例は、ロードセル202にカセットの囲み209を設けることによっ
て変更がなされている。このカセットの囲み209は、カセット212がシェル
フ204の中に配置されたときにはカセット212を狭く取り囲むが、カセット
212が多孔シート205”に向かって延びるとともに広く張り出されるように
構成される。こうして、カセットの囲み209は、リダイレクトエアフロー22
0aが実質的にウエハ212の間を通って第1および第2のリダイレクトエアフ
ロースロット203a,203bから流れ出ることを可能にする。カセットの囲
み209は、カセット212を取り囲む壁の形態をとることが好ましい。カセッ
トの囲み209の外には、シェルフ204’の残りの部分が位置している。カセ
ットの囲み209の内面全体は、腐食を阻止し静電荷の発生の可能性を低減する
ために、電解研摩されたステンレススチールで形成される。
【0037】 以上では、理解を明確にする目的で本発明を詳細に説明したが、添付した請求
の範囲内で、一定の変更および修正を加えられることは明らかである。例えば、
ATMは、ロードロックおよび内部のロボットに対して特定の形状を有するもの
として説明されているが、多孔シートの領域は、例えば長方形や正方形などの任
意の形状を有することができることを、理解する必要がある。また、各ウエハカ
セットを取り囲む構造も、任意の形状をとることができる。ただし、特に重要な
のは、多孔シートに向かって下向きに方向付けられたエアフローの一部分が、ウ
エハカセットに向かってリダイレクトされ、ウエハの表面の上を静かに流れるエ
アフローを提供し続ける小環境を、ウエハの間および周りに形成するという点に
ある。したがって、上述した実施形態は、例示を目的としたものであって限定的
ではなく、本発明は、本明細書で取り上げた項目に限定されず、添付した請求の
範囲および等価物の範囲内で変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 従来技術による代表的な半導体処理クラスタツール構造を示した図であり、図
中には、真空搬送モジュールに接続された大気圧搬送モジュールが示され、ロー
ドロックは、真空搬送モジュールに移送するウエハを受け取る。
【図1B】 大気圧搬送モジュール(ATM)およびカセットを含んだシステムの部分図で
ある。
【図1C】 大気圧搬送モジュール(ATM)およびカセットを含んだシステムの部分図で
ある。
【図2A】 クリーンルームフロアの上に座してロードロックチャンバに接続することがで
きる大気圧搬送モジュール(ATM)を、本発明の一実施形態にしたがって示し
た図である。
【図2B】 本発明の別の一実施形態を示した図であり、図中のATMは、リダイレクトエ
アフローがリダイレクトエアフロースロットを通って通気孔から流れ出るのをさ
らにサポートするためのファンを含む。
【図3A】 処理システムに接続されたATMを、本発明の一実施形態にしたがって示した
上面図である。
【図3B】 本発明による別の一実施形態を示した図であり、ロードセルおよび多孔シート
に変更が加えられている。
【図3C】 本発明による別の一実施形態を示した図であり、さらに別の変形構造を有した
多孔シートおよびロードセルが示されている。
【符号の説明】
100…クラスタ構造 102…クリーンルーム 103…大気圧搬送モジュール(ATM) 104…ロードロック 105…ゲートバルブ 106…搬送モジュール 108…処理モジュール 152a…フィルタ/ブロア 152b…カセット環境 152c…排気口 154…シェルフ 155…ドア 156…ロボット 158…アームセット 160…ウエハカセット 162…ウエハ 164…微粒子 166…ポストプロセスガス 170…エアフロー 171…微粒子スクリーン 200…大気圧搬送モジュール(ATM) 200a…トップ部分 201…クリーンルームフロア 202…ロードセル 203…リダイレクトエアフロースロット 204…シェルフ 205…多孔シート 206…ロボット 207…環境セパレータ 208…アームセット 209…カセットの囲み 210…ドア 212…カセット 213…側壁 214…ウエハ 220…調整されたエアフロー 220a…リダイレクトエアフロー 220b…非リダイレクトエアフロー 221…通気孔 222…排気 250…アライナ
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成13年11月1日(2001.11.1)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイコブ・デイビッド・イー. アメリカ合衆国 カリフォルニア州94538 フリモント,パシフィック・ストリー ト,40266 (72)発明者 ラーソン・ディーン・ジェイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州94043 サンタ・クララ,ムーン・ビーム・ドラ イブ,29 (72)発明者 マラスキン・マーティン・アール. アメリカ合衆国 カリフォルニア州94566 プレザントン,リースリング,1024 Fターム(参考) 5F031 CA02 DA01 DA08 FA01 FA07 FA11 FA12 GA45 MA13 MA21 NA03 NA07 NA16 NA18 PA05 【要約の続き】 たがって、リダイレクトエアフローは、ウエハの表面の 上を静かに流れることによって、ウエハが大気圧搬送モ ジュールの中に一時的に据えられている間に、ウエハの 表面からプロセスガスおよび微粒子を除去するのに役立 つ。

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大気圧搬送モジュールであって、 調整されたエアフローを自身から遠ざかる下向きの方向に生成するためのブロ
    アを有するトップ部分と、 前記ブロアから横方向にずらして配置されたロードセル領域と、前記ロードセ
    ルはウエハカセットをサポートするためのシェルフを含み、前記シェルフは前記
    ロードセルの壁から隔てられることによってリダイレクトエアフロースロットを
    規定し、 前記ブロアの下方に規定された多孔シートであって、自身を通るエアフローに
    制約を加え、さらに、前記ウエハカセットを通してリダイレクトエアフローを導
    入するように構成された多孔シートと を含んだハウジングを備える大気圧搬送モジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記大気圧搬送モジュールは、1つまたはそれ以上のロードロックチャンバに
    接続されるように構成された大気圧搬送モジュール。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の大気圧搬送モジュールであって、さらに、 前記ウエハカセットと前記1つまたはそれ以上のロードロックチャンバとの間
    でウエハを移送するためのアームセットを有したロボットを備える大気圧搬送モ
    ジュール。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記多孔シートはエアフローの量に制約を加えるように選択され、前記導入さ
    れたリダイレクトエアフローは前記多孔シートによって制約を加えられたエアフ
    ローの量と、前記ブロアからの前記調整されたエアフローの流速とに依存して調
    節される大気圧搬送モジュール。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ウエハカセットを通って流れる前記調整されたエアフローの少なくとも一
    部は、前記ウエハカセットに含ませることができる1つ以上のウエハに沿って流
    れる大気圧搬送モジュール。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ウエハカセットを通って流れる前記リダイレクトエアフローは、前記リダ
    イレクトエアフロースロットを通って前記シェルフおよび前記多孔シートの下方
    の領域へと導かれる大気圧搬送モジュール。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記多孔シートによって制約を加えられた前記ブロアからの前記エアフローの
    少なくとも一部は、非リダイレクトエアフローとして前記多孔シートを通って前
    記シェルフおよび前記多孔シートの下方の前記領域に流れ込む大気圧搬送モジュ
    ール。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記シェルフおよび前記多孔シートの下方の前記領域へと導入された前記リダ
    イレクトエアフローおよび前記非リダイレクトエアフローは、通気孔を通って前
    記大気圧搬送モジュールの前記領域から排出される大気圧搬送モジュール。
  9. 【請求項9】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ロードセルは、前記ウエハカセットの挿入または取り出しのためのドアを
    少なくとも1つ有する大気圧搬送モジュール。
  10. 【請求項10】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、さらに、 前記シェルフの下方に配置され、前記リダイレクトエアフロースロットを通し
    て前記シェルフおよび前記多孔シートの下方に規定された領域に前記リダイレク
    トエアフローを引き込むように構成されたファンと、 前記ファンを前記ロードセルのドアに結合させ、前記ロードセルの前記ドアが
    開いたときに前記ファンのスイッチが切れるようにする連動機構と を備える大気圧搬送モジュール。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ハウジングからエアフローを除去するための通気孔が、前記シェルフおよ
    び前記多孔シートの下方に規定される大気圧搬送モジュール。
  12. 【請求項12】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ハウジングは、さらに、前記フロアに統合されたフィルタを備える大気圧
    搬送モジュール。
  13. 【請求項13】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ウエハカセットはオープンカセットである大気圧搬送モジュール。
  14. 【請求項14】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記多孔シートの上方に規定され前記多孔シートを含んだ前記ハウジングの内
    側部分は、電解研摩されたステンレススチールで形成される大気圧搬送モジュー
    ル。
  15. 【請求項15】 請求項1記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ロードセルの前記シェルフは、1つ以上の前記ウエハカセットをサポート
    するように構成される大気圧搬送モジュール。
  16. 【請求項16】 請求項15記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記1つ以上のウエハカセットは、仕切りの壁によって個々に取り囲まれてい
    る大気圧搬送モジュール。
  17. 【請求項17】 請求項7記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記リダイレクトエアフローは、約10フィート毎分(3.04メートル毎分
    )〜約80フィート毎分(24.38メートル毎分)の平均流速を有し、前記非
    リダイレクトエアフローは、約40フィート毎分(12.19メートル毎分)〜
    約120フィート毎分(36.57メートル毎分)の平均流速を有する大気圧搬
    送モジュール。
  18. 【請求項18】 大気圧搬送モジュールであって、 トップ領域と、中央領域と、ボトム領域と、ロードセル領域と、を有した囲い
    ハウジングと、 前記囲いハウジングの前記トップ領域の中に設けられ、前記中央領域へと下向
    きに流れるエアフローを生成するように構成されたブロアと、 前記囲みハウジングの前記中央領域と前記ボトム領域との境界を規定するシェ
    ルフであって、前記ロードセル領域の壁から少なくとも部分的に隔てられること
    によってスロットを規定するシェルフと、 前記シェルフから広がって、さらに前記中央領域と前記ボトム領域との境界を
    規定する多孔シートと を備え、前記ブロアによって生成されたエアフローは、前記多孔シートを自由に
    通らないように制約を加えられ、前記エアフローの一部は、前記ロードセルの前
    記シェルフに向かい前記スロットを通ってさらに前記囲いハウジングの前記ボト
    ム領域に流れ込むようにリダイレクトされる大気圧搬送モジュール。
  19. 【請求項19】 請求項18記載の大気圧搬送モジュールであって、 1つ以上のウエハを有したウエハカセットは、前記ロードセルの前記シェルフ
    の上に位置するように構成される大気圧搬送モジュール。
  20. 【請求項20】 請求項19記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハに実質的に沿って流れる大気圧搬送モジュ
    ール。
  21. 【請求項21】 請求項20記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハの表面からプロセスガスを除去するのに役
    立つ大気圧搬送モジュール。
  22. 【請求項22】 請求項20記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハの表面上に存在するまたはその空気中に含
    まれる微粒子の除去に寄与する大気圧搬送モジュール。
  23. 【請求項23】 請求項19記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記ウエハカセットを個々に含むように、前記ロードセルの中において前記シ
    ェルフを取り囲む壁の囲いが規定され、前記スロットは、前記壁の囲いの後壁に
    おいて規定される大気圧搬送モジュール。
  24. 【請求項24】 請求項18記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記シェルフに向かって部分的にリダイレクトされた前記エアフローはリダイ
    レクトエアフローであり、前記多孔シートを通って流れる前記エアフローは非リ
    ダイレクトエアフローである大気圧搬送モジュール。
  25. 【請求項25】 請求項24記載の大気圧搬送モジュールであって、 前記リダイレクトエアフローは、約10フィート毎分(3.04メートル毎分
    )〜約80フィート毎分(24.38メートル毎分)の平均流速を有し、前記非
    リダイレクトエアフローは、約40フィート毎分(12.19メートル毎分)〜
    約120フィート毎分(36.57メートル毎分)の平均流速を有する大気圧搬
    送モジュール。
  26. 【請求項26】 大気圧搬送モジュールを作成するための方法であって、 トップ領域と、中央領域と、ボトム領域と、ロードセル領域と、を有した囲い
    ハウジングを形成し、 前記囲いハウジングの前記トップ領域の中に、前記中央領域へと下向きに流れ
    るエアフローを生成するように構成されたブロアを設け、 前記囲みハウジングの前記中央領域と前記ボトム領域との水平な境界を規定す
    るシェルフであって、前記ロードセル領域の壁から少なくとも部分的に隔てられ
    ることによってスロットを規定するシェルフを設け、 前記シェルフから水平に広がって、さらに前記中央領域と前記ボトム領域との
    境界を規定する多孔シートであって、前記ブロアによって生成されたエアフロー
    は、前記多孔シートを自由に通らないように制約を加えられ、前記エアフローの
    一部分は、前記ロードセルの前記シェルフに向かい前記スロットを通ってさらに
    前記囲いハウジングの前記ボトム領域に流れ込むように、前記多孔シートからそ
    れる方向にリダイレクトされる多孔シートを設ける方法。
  27. 【請求項27】 請求項26記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 1つ以上のウエハを有したウエハカセットは、前記ロードセルの前記シェルフ
    の上に位置するように構成される方法。
  28. 【請求項28】 請求項27記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハに実質的に沿って流れる方法。
  29. 【請求項29】 請求項28記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハの表面上の空気中に含まれるプロセスガス
    を除去するのに役立つ方法。
  30. 【請求項30】 請求項28記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 前記シェルフに向かってリダイレクトされた前記エアフローの一部は、前記ウ
    エハカセットの前記1つ以上のウエハの表面からの微粒子の除去に部分的に寄与
    する方法。
  31. 【請求項31】 請求項26記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 前記多孔シートはグリッド構成を有し、電解研摩されたステンレススチールで
    ある方法。
  32. 【請求項32】 請求項26記載の大気圧搬送モジュールを作成する方法で
    あって、 前記多孔シートは複数の穿孔を有し、電解研摩されたステンレススチールであ
    る方法。
JP2001527326A 1999-09-30 2000-09-28 制御された小環境を有するウエハの大気圧搬送モジュール、大気圧搬送モジュールを作成するための方法 Expired - Lifetime JP4632612B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/410,190 US6364762B1 (en) 1999-09-30 1999-09-30 Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US09/410,190 1999-09-30
PCT/US2000/027015 WO2001024233A1 (en) 1999-09-30 2000-09-28 Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003510837A true JP2003510837A (ja) 2003-03-18
JP4632612B2 JP4632612B2 (ja) 2011-02-16

Family

ID=23623640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001527326A Expired - Lifetime JP4632612B2 (ja) 1999-09-30 2000-09-28 制御された小環境を有するウエハの大気圧搬送モジュール、大気圧搬送モジュールを作成するための方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6364762B1 (ja)
EP (1) EP1218926B1 (ja)
JP (1) JP4632612B2 (ja)
KR (1) KR100660361B1 (ja)
CN (1) CN1189917C (ja)
DE (1) DE60013869T2 (ja)
IL (1) IL148872A (ja)
TW (1) TW462076B (ja)
WO (1) WO2001024233A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019726A (ja) * 2004-06-29 2006-01-19 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハ移送システム及びシステム内の圧力調整方法
JP2007229906A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Kawasaki Heavy Ind Ltd 清潔空間用ロボット
JP2011517134A (ja) * 2008-04-15 2011-05-26 ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー クリーン移送ロボット
US8469650B2 (en) 2004-06-29 2013-06-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of controlling pressure in a wafer transfer system
JP2014530496A (ja) * 2011-09-14 2014-11-17 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド ロードステーション

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660055B2 (en) * 2001-10-25 2003-12-09 Asm Technology Singapore Pte Ltd. Compartment for maintaining a clean production environment
TW509097U (en) * 2002-01-18 2002-11-01 Ritdisplay Corp Transporting device for evaporation
US20040069409A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-15 Hippo Wu Front opening unified pod door opener with dust-proof device
KR100483428B1 (ko) * 2003-01-24 2005-04-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
KR100505061B1 (ko) * 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
TWI228750B (en) * 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
CN1307692C (zh) * 2003-04-29 2007-03-28 力晶半导体股份有限公司 稳定材料层性质的方法
US7189291B2 (en) * 2003-06-02 2007-03-13 Entegris, Inc. Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures
DE102004026883B4 (de) * 2004-05-27 2014-12-24 Inova Pharma Systems Gmbh Anordnung zum sterilen Abfüllen
WO2005121027A2 (en) * 2004-06-04 2005-12-22 Durr Ecoclean, Inc. An integrated machining module for processing workpieces and a method of assembling the same
US20070134821A1 (en) * 2004-11-22 2007-06-14 Randhir Thakur Cluster tool for advanced front-end processing
US20060156979A1 (en) * 2004-11-22 2006-07-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US20090272461A1 (en) * 2005-08-03 2009-11-05 Alvarez Jr Daniel Transfer container
JP5030410B2 (ja) * 2005-09-28 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR101224454B1 (ko) * 2005-11-01 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 리프터 장비
US8794896B2 (en) * 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
US20070144118A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Alvarez Daniel Jr Purging of a wafer conveyance container
JP4606388B2 (ja) * 2006-06-12 2011-01-05 川崎重工業株式会社 基板移載装置の搬送系ユニット
FR2933813B1 (fr) * 2008-07-11 2010-12-24 Alcatel Lucent Dispositif de purge et procede.
KR101541538B1 (ko) * 2008-12-19 2015-08-04 세메스 주식회사 웨이퍼 이송 유닛 및 이를 포함하는 프로브 스테이션
JP5796972B2 (ja) * 2010-06-14 2015-10-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置
CN102162531A (zh) * 2010-12-27 2011-08-24 北京七星华创电子股份有限公司 风门装置
US9176397B2 (en) 2011-04-28 2015-11-03 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for transferring a substrate in a lithography system
CN102768977B (zh) * 2011-05-06 2015-09-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 机械手、大气传输单元和晶片传输方法
US9272315B2 (en) * 2013-10-11 2016-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Mechanisms for controlling gas flow in enclosure
TWI678751B (zh) * 2013-12-13 2019-12-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組(efem)
KR102343640B1 (ko) * 2014-12-15 2021-12-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9550219B2 (en) * 2014-12-29 2017-01-24 Daifuku Co., Ltd. Apparatus of inhalation type for stocking wafer at ceiling and inhaling type wafer stocking system having the same
CN107851597B (zh) * 2015-08-04 2021-10-01 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
KR102618491B1 (ko) * 2016-10-31 2023-12-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
CN110549316B (zh) * 2018-06-04 2021-06-22 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种防水型洁净机器人
CN110549315B (zh) * 2018-06-04 2021-06-22 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种迷宫式防水型洁净机器人

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241075A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 株式会社日立製作所 製品製造装置
JPH04334579A (ja) * 1991-05-08 1992-11-20 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置
JPH10312942A (ja) * 1997-05-13 1998-11-24 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6162740A (ja) * 1984-09-03 1986-03-31 Sanki Eng Co Ltd クリ−ントンネル送風清浄装置
KR920007809B1 (ko) * 1984-10-11 1992-09-17 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 클린 룸
US4723480A (en) * 1985-04-19 1988-02-09 Hitachi, Ltd. Manufacturing apparatus with air cleaning device
DE3704505A1 (de) 1987-02-13 1988-08-25 Leybold Ag Einlegegeraet fuer vakuumanlagen
KR0155158B1 (ko) 1989-07-25 1998-12-01 카자마 젠쥬 종형 처리 장치 및 처리방법
JP2986121B2 (ja) 1991-03-26 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び真空処理装置
US5488964A (en) 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JP2696024B2 (ja) * 1991-11-07 1998-01-14 三菱電機株式会社 ウェット処理装置及びその制御方法
KR100221983B1 (ko) 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
JP3470370B2 (ja) * 1994-01-24 2003-11-25 富士通株式会社 塵埃粒子発生位置特定装置および方法ならびにクリーンルーム
US5538385A (en) 1994-06-24 1996-07-23 Kensington Laboratories, Inc. Specimen carrier holder and method of operating it
US5833726A (en) * 1995-05-26 1998-11-10 Extraction System, Inc. Storing substrates between process steps within a processing facility
TW317644B (ja) 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3218425B2 (ja) * 1996-03-25 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3784117B2 (ja) 1996-11-13 2006-06-07 東京応化工業株式会社 基板の処理装置
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
JP4048387B2 (ja) 1997-09-10 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 ロードロック機構及び処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241075A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 株式会社日立製作所 製品製造装置
JPH04334579A (ja) * 1991-05-08 1992-11-20 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置
JPH10312942A (ja) * 1997-05-13 1998-11-24 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019726A (ja) * 2004-06-29 2006-01-19 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハ移送システム及びシステム内の圧力調整方法
US8469650B2 (en) 2004-06-29 2013-06-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of controlling pressure in a wafer transfer system
JP2007229906A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Kawasaki Heavy Ind Ltd 清潔空間用ロボット
JP2011517134A (ja) * 2008-04-15 2011-05-26 ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー クリーン移送ロボット
JP2014530496A (ja) * 2011-09-14 2014-11-17 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド ロードステーション
US9812343B2 (en) 2011-09-14 2017-11-07 Brooks Automation, Inc. Load station

Also Published As

Publication number Publication date
EP1218926B1 (en) 2004-09-15
TW462076B (en) 2001-11-01
DE60013869D1 (de) 2004-10-21
EP1218926A1 (en) 2002-07-03
CN1189917C (zh) 2005-02-16
DE60013869T2 (de) 2005-09-22
KR100660361B1 (ko) 2006-12-21
CN1377510A (zh) 2002-10-30
WO2001024233A1 (en) 2001-04-05
JP4632612B2 (ja) 2011-02-16
IL148872A0 (en) 2002-09-12
US6364762B1 (en) 2002-04-02
IL148872A (en) 2005-08-31
KR20020047196A (ko) 2002-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003510837A (ja) 制御された小環境を有するウエハの大気圧搬送モジュール
US10930536B2 (en) Workpiece stocker with circular configuration
KR100453090B1 (ko) 처리장치및처리장치내의기체의제어방법
KR101770970B1 (ko) 이송 챔버 가스 퍼지 장치, 전자 디바이스 프로세싱 시스템들, 및 퍼지 방법들
WO2003013993A9 (en) Reticle protection and transport
JP5030410B2 (ja) 真空処理装置
JP4346175B2 (ja) マイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法
JPH06177225A (ja) 環境制御装置
US7553516B2 (en) System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates
JPH06340304A (ja) 筐体の収納棚及び筐体の搬送方法並びに洗浄装置
JP3697275B2 (ja) 局所クリーン化におけるインターフェイスボックス及びそのクリーンルーム
JP5456804B2 (ja) 搬送容器
JP3098547B2 (ja) キャリアストッカ
JP2873761B2 (ja) 半導体製造装置
JPS62198122A (ja) 半導体処理装置
JP4322411B2 (ja) 半導体製造装置
JP2000091399A (ja) 半導体製造装置
JP2003017376A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JPH06299349A (ja) イオン注入装置
JPH0419304B2 (ja)
JP2003297763A (ja) 半導体製造装置
JPH0672710B2 (ja) 半導体ウェハー処理装置
WO2004023046A1 (ja) 半導体処理システム用の気体清浄化装置
JP2004127975A (ja) 基板処理装置
JP2007035956A (ja) メインテナンス方法およびクリーンルーム装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100628

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100715

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101019

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4632612

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

R157 Certificate of patent or utility model (correction)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250