TW462076B - Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment - Google Patents

Description

462076 五、發明說明α) 發明領域 本發明係關於在半導體處理設備之模組中傳送晶圓的 技術，尤有關於具有可控制之迷你環境之一模組。 發明背景 在半導體裝置之製造中’處理容室用以傳送晶圓或基 板，如：與該界面容室之間。舉例而言，這種傳送是經由 輸送模組移動該晶圓並通過設置於該界面容室鄰接壁上之 槽或埠。一般而言，輸送模组的使用與種種基板處理模組 相關，其可能包含：半導體姓刻系統、材料沉積系統、以 及平面面板顯示蝕刻系統。由於對於潔淨以及高處理精密 度之要求成長，所以對於在處理步驟期間減少人為影響亦 已成為一成長需求。這項需求已部分符合作為一中間處理 設備之真空輸送模組（典型地維持在一降低的壓力，例 如：真空狀態）之實行°舉例而言，一真空輸送模組實際 上可以座落於一個以上之無塵室儲存設備（貯存基板之處 )與多重基板處理模組（實際上處理基板之處，例如：钱 到’或於其上執彳于；儿積）之間。依此方式，當處理中需要 一基板時，可以使用一座落於該輸送模組内部之機械手 臂，從一真空預備室取回一選擇之基板，並將其置於多重 處理模組之其中一個。 *如^本項技藝者所熟知，用以在多重儲存設備與處 ^ ΐϊ中且=基板之輸送模組之配置經常被稱為」 叢本 /、二構（cluster tool archiitecture),车 統。圖1 A顯π -典型的半導體處理叢集結構⑽，說明與

第6頁 d62〇76 五、發明說明〔2) * 二真空輸达模組1〇6相連接之各種容室。顯示之真空輸送 模Λ1 0 6連接至二個處理模組1 〇 8 & _ 1 〇 8 c，可以分別地執行 各種製造處理。舉例而言，處理模組1〇8a l〇8c可用以執 行變壓耦式電漿（TCP )基板蝕刻、層沉積、及/或濺鍍。 一真空預備室104連接至真空輸送模組1〇6，用以將基 板，入真空輪送模組1〇6。真空預備室1〇4可以連接至與無 塵至102相連接之大氣壓輸送模組（ATM) 103。典型的 A^M 1 03具有用以支撐晶圓之晶舟盒之區域，以及從該晶舟 盒取回該晶圓與移動它們進出真空預備室丨〇 4之機器人。 誠如热知’真空預備室104在真空輸送模組106與ATM103之 間作為一壓力變化界面。因此，當ATM1〇3與無塵室1〇2保 持在大氣壓下時，真空輸送模組1 0 6可以保持在一個固定 的壓力（例如：真空）。 圖1 B顯示一局部系統圖，包含：一大氣壓輸送模組 (ATM ) ’具有過濾器/鼓風機152a ; —機器人156，具有 手臂組158 ;以及—架子154。在一晶舟盒環境152b中，設 汁架子1 54用以支撐一晶圓162之晶舟盒160 => ATM1 03之晶 舟盒環境152b具有一門155，於處理期間門丨55可以被開 啟’用以插入或移除晶舟盒160。在ATM1 03中設計過濾器/ 鼓風機152a用以產生一氣流17〇，因此使該氣流大體上不 文干擾地通過—微粒隔板171到達ATM1 03之下部，接著由 —排氣口 152c排出。此外，簡單地顯示ATM1〇3連接至真空 預備室1 0 4與輸送模组丨〇 6。接著，如上所述，輸送模組 1 〇 6可以在選擇的處理模組丨〇 8之間傳送晶圓。

第7頁 A62〇7 B 五、發明說明（3) 雖然習知技藝之ATM103能夠相當有效地從晶舟盒16〇 傳送晶圓進出真空預備室丨〇4，但可以觀察到在鼓風機 1 5 2 a運作期間’氣流^ 7 q繞過晶舟盒環境1 5 2 b。因此，大 體上晶舟盒環境1 52b仍保持靜態。亦即，運作期間晶圓 1 6 2間的環境大體上仍保持不受氣流丨7 〇的影響。 圖1 C顯不晶舟盒1 6 〇之更詳細視圖’晶舟盒1 6 G具有複 數個晶圓162。一般而言，晶圓在處理模組1〇8之其中一個 内接文處理並堆疊回晶舟盒1 6 〇之後，處理過後之氣體將 會盤旋在各個晶圓丨62之間。該氣體由新近處理過之晶圓 162之上表面發出，並以166所標示之圖形表示。晶圓丨62 之間存在之氣體1 6 β所帶來的問題是：該化學氣體在某些 情況下可能會繼續其化學反應’並造成經處理過之晶圓一 1 6 2之產量下降。假如晶圓減少的量夠多，則與產量減少 相關之潛在金融損失可能會值得去注意。 不流動的晶舟盒環境1 52b所帶來的另一項問題是：任 何的微粒都有可能掉落在晶圓丨62的表面，並於該晶舟盒 如放在晶舟盒環境1 5 2 b的時候，繼續殘留於該晶圓的上表 面:這些微粒1 6 4在某些情況下可能會對晶圓丨6 2上形成之 半導體電路造成實質上的損害。吾人熟知在處理操作期間 〇是不允許微粒164殘留於晶圓162表面的。該微粒殘留於 晶圓1 62表面的時間愈久，微粒對靈敏的積體電路所造成 之損害可能性也愈高’亦愈難去做清洗。 晶舟盒160停放於靜態環境1521)所帶來的另—項問題 一旦一處理工程師開啟門1 5 5以移去晶舟盒1 6 〇，B」

第8頁 462076 五、發明說明（4) 盒1 6 0可能使該處理工程師潛在不適宜程度地接觸到從晶 圓162表面發出之有毒氣體166。在某些情況下，處理工程 師與該處理氣體及化學副產品的接觸，可能會造成該處理 工程師在操作該晶舟盒時失去判斷能力，因此使充滿貴重 的處理半導體晶圓162之晶舟盒160掉落D 、 雲於上述’吾人所需要的是可以控制晶舟盒内部及其 周圍環境之大氣壓輸送模組。 μ

發明概I 概括言之，本發明藉由提供一大氣壓輸送模組，於處 理期間晶圓之晶舟盒暫時貯存之區域產生一迷你環境而滿 足這些需要。該迷你環境最好形成一通過該晶圓之氣流， 以使處理氣體與副產品能從環繞該晶圓之環境中實質上被 清除。吾人應明白本發明能夠以許多方式實施，例如包 含：—處理、一設備、一系統、一裝置、或一方法。以下 將敘述本發明之數個發明實施例。 於一實施例中，揭示一大氣壓輸送模組。該模組具有 一機體，該機體包含若干發明元件。該機體具有一頂部， 其包含一鼓風機用以產生一向下並遠離該機體頂部之調節 氣流·。該機體亦包含一負載單元區，側向偏移該鼓風機。 該負載單元包含一架子，用以支撐一晶舟盒，將該架子從 該負载單元之一壁分離以形成一偏轉氣流槽。—穿孔板 片’定義於該鼓風機之下方，該穿孔板片用以限制通過該 穿孔板片之氣流’並引導一偏轉氣流通過座落於該側向偏

d62〇76 五、發明說明（5) 移負載單元之該晶舟盒。該偏轉氣流之優點是可以將停留 於該晶舟盒内晶圓上之殘餘處理氣體從該晶舟盒内向下推 進該偏轉氣流槽。另一個優點是當門開啟時，氣體會向外 流出，因而減少外部微粒進入的機會。 於另一實施例中，揭示一大氣壓輸送模組。該模組包 含一封閉式機體，具有一頂部區、一中央區、一底部區、 以及一負載單元區。一鼓風機，位於該封閉式機體之頂部 區’用以產生一氣流並向下流進該中央區。一架子，於該 封閉式機體之中央區與底部區之間形成一分隔線，該架子 至少部分地與該負載單元區之一壁相間隔，藉以形成一 槽。一穿孔板片，從該架子延伸，並更進一步於該中央區 與該底部區之間形成該分隔線。於本實施例中，限制該鼓 風機所產生之氣流自由地流經該穿孔板片，並且部分地使 該氣流朝該負載單元之架子方向流動，經由該槽而進入該 封閉式機體之底部區。 一旦該偏轉氣流及該非偏轉氣流（流動穿過該穿孔板 片）進入該底部區’該氣體便經由一排氣口向外導出°於 另一實施例中，可以在該底部區裝設一風扇，以協助該偏 轉氣流通過位於該架子後方之槽。依此方式，當一具有一 個晶圓以上之晶舟盒座落於該負載單元區内之架子上時， 將引起該偏轉氣流流通任何可能在該晶圓上方出現之後處 理氣體與微粒。因此，使該後處理氣體與任何微粒流入該 封閉式機體之底部區，並從該排氣口排出。於本實施例 中，該風扇最好與該負載單元之門連鎖，俾能使該負載單

第10頁 4 620 7 6 五、發明說明（6) 元之任何一屬門開啟時’關閉該風舄。依此方式，當門開 啟時’骯髒的空氣才不會因為該風扇而被吸進該ATM污染 晶圓。 於另一實施例中，揭示一大氣壓輸送模組之製造方 法。該方法包含：形成一具有 頂部區、~中央區、一底 部區、以及一負載單元區之封閉式機體。於該封閉式機體 之頂部區設置一鼓風機’用以產生一向下進入該中央區之 氣流°於該負載單元區設置一架子’該架子在該封閉式機 體之中央區與底部區之間形成一水平分隔線。該架子至少 部分地與該負載單元區之一壁相間隔，藉以形成一槽。從 該架子以水平延伸的方式設置一穿孔板片’並更進一步於 該中央區與該底部區之間形成該分隔線。限制該鼓風機所 產生之氣流自由地流經該穿孔板片，並且部分地使該氣流 遠離該穿孔板片而朝該負載單元之架子方向流動，經由該 槽進入該封閉式機體之底部區。 一具有一個晶圓以上之晶舟盒座落於該負載單元之架 子上接收該偏轉氣流。因此，該偏轉氣流於該晶舟盒内暫 時貯存之任一晶圓上方維持一和緩之氣流。該架子可以支 撐一個以上之晶舟盒’並且可以在各個晶舟盒周圍建立— 隔離外圍’當該架子後方之門開啟以取出一特定之晶舟盒 時，用以維持一穩定之迷你環境。 該晶圓上方和緩流動之偏轉氣流有利於保護座落於該 負載單兀内之晶圓，而非靜態環境中導致該後處理氣體增 多之晶圓。該和缓流動之偏轉氣流亦協助移除置於該晶舟

462076 五、發明說明（7) 盒内晶圓上方之微粒 因此 進高產率以及古σ併 維持 控制之逑你環境以促

^ % «版 質之經處理過之晶圓。本發明彳S 施樣態及優點將從以下與附圖相關聯之詳 ：另-實 楚，並經由實施例說明本發明之原理。 月而更顯清 較佳實施例 本發月係說明一大氣壓輪送模組，在處 盒暫”！之區域可以產生-迷你環境。迷你；；晶舟 設計是包含-通過且實質上平行於晶圓之“ U好的 舟盒中晶圓間所發出之處理氣體及副產品實質 使從晶 除。然而’對於熟習本項技藝者而言，在沒有—二：被清 具體之細節下亦可以實行本發明。換言之，；，全部 發明，於此將不詳細說明熟知之處理操作。 扣凊本 依照本發明之一實施例，圊2A顯示一座落於 201之大氣壓輸送模組（ATM ) 2〇〇。ATM2〇〇包含、—.、室層 200a，其具有：一過濾器；以及一可變速度鼓風機7 /又， 可變速度鼓風機可以是固定速度鼓風機，以及隔板又可 以包含一嵌入式氣流調節器，用以調節氣流。作 ，部分還包含一負載單元20 2，用以支撐一個以乍上=° 圓21 4之晶舟盒2 1 2。於本例子中，晶舟盒21 2為一開放晶 舟盒’可以支撐任何特定尺寸之多重晶圓。舉例而言，晶 舟盒212可用以支撐2〇〇 mm晶圓、3 00 mm晶圓、以及小於 20 0 mm與大於30 0 mm之晶圓。一開放晶舟盒212之製造公 司為美國明尼蘇達州Chaska之Fluoroware公司。

第12頁 462076 五、發明說明（8) 裝配ATM200以支撐一具有手臂組2 0 8之機器人20 6，用 以在晶舟盒2 1 2與一相鄰之真空預備室（圖未顯示）之間 操作以及傳送晶圓。晶舟盒2 1 2最好是座落於一架子204 上，並於架子204與負載單元區内ATM200後壁之間，形成 一偏轉氣流槽203。從架子204水平延伸出去且與架子204 相同高度處有一穿孔板片205，穿孔板片205將機器人206 及其手臂組208做區隔。一般而言，配置穿孔板片205用以 在晶圓暫時貯存、處理、及傳送之較乾淨區域與機器人存 在之下部區之間形成一分隔線。 於一較佳實施例中，穿孔板片205以上之ATM200之内 壁（亦即：ATM200之清潔中心區域）材質為電拋光不銹 鋼，不但可以防止内壁之腐蝕，而且可以防止可能會損害 晶圓214上靈敏微裝置之電荷聚集（charge buildup)。 穿孔板片的材質也最好是電拋光不銹鋼，而穿孔板片205 以下之内壁則可能為粉末塗敷鋼（powder coated steel )。通常，因為晶圓被維持在穿孔板片2 0 5之上，所以穿 孔板片及架子204以下電荷聚集之可能性不是問題。顯示 之ATM20 0亦具有一可開啟之門210 (或複數個門），用以 插入及移動ATM200内部之晶舟盒21 2。在穿孔板205的下 方有一個排氣口 221，允許將排出的氣體222導入無塵室， 以及導出ATM200之殼體。如果有必要，可以在排氣口 221 密接一氣流調節器，以防止過多的氣流衝出或衝進 ATM200。更進一步，亦可以將排氣口設置在ATM2 0 0之底 部°

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五、發明說明（9) 頂部2 0 0 a中之過濾器可以是任何能夠產生良好效率 過濾器’例如：可以過濾除去大於1微米以上之粒子 之 率約為99. 9995%者。一過濾器之典型例子為一種具有娜石 玻璃纖維的美國空氣過濾器，此可由美國肯塔基州路易7 导市之美國空氣過渡器公司（American Air Filter)躡

取。同樣地，鼓風機可以是任何適合之可變速度鼓風機 (或一固定速度之鼓風機），並可用於無塵室環境。—口 變速度鼓風機之典型例子為鼠籠式鼓風機 W RH31M-4/104371 ’可從美國康乃迪克州華明頓之ebm工業 公司購取。因此’可變速度鼓風機將產生一通過過滤器之 調節氣流2 2 0，並於開始時將其朝穿孔板片、手臂組2〇8、 以及晶舟盒212之方向向下引導。 於一較佳實施例中’測定穿孔板片2 〇 5開孔之口徑， 使一特定之氣流量可以穿過穿孔板片，並依此方式產生一 偏轉氣流2 2 0 a。相信偏轉氣流2 2 0 a之所以會產生是因為穿 孔板片205至少部分限制了空氣（亦即：非偏轉氣流22〇b )穿過穿孔板片2 05並進入ATM200下部區之流動。 如圖中線條所示，偏轉氣流2 2 0 a彎向負載單元2 〇 2， 並於晶舟盒2 1 2内部及其周圍產生一迷你環境。因此，偏 轉氣流220a將至少部分平行流動及通過晶圓2 1 4，接著， 向下通過偏轉氣流槽2 0 3。藉由偏轉氣流通過晶舟盒2 1 2之 晶圓2 1 4產生之迷你環境，將有助於晶圓21 4停留於負載單 元2 02時，從其表面移除滯留之氣體及微粒。當然，部分 的調節氣流22 0將穿過穿孔板片205成為非偏轉氣流22 0b。

第14頁 4 6207 6 五、發明說明（ίο) 穿過偏轉軋流槽2 〇 3之偏轉氣流2 2 〇 a，以及穿過穿孔板片 2 0 5之非偏轉氣流22〇b兩者皆將從ATM2 00殼體下部區之排 氣口 221排出’並以排出的氣體222表示之。 於一實施例中’如下表A所示，調節氣流22〇穿過穿孔 板片2 0 5之平均速度約為4〇〜12〇 it/mirl，而偏轉氣流22〇a 將以約10〜80 f t/min之平均速度，和緩地通過晶圓214。 負載單元202之門210於關閉情況下之典型平均速度如表a 中所列。於負載單元2 02之門210至少一個開啟之情況下， 氣流之典型平均速度如表B所列。

表A ---- 典型之氣流校準 ATM晶舟盒 門關閉 偏轉氣流 非偏轉氣流 較佳範圍 -10-80 ft/min 〜40-120 ft/min 更佳範圍 ~20-40 ft/min 〜50-80 ft/min 最佳範圍 〜30 ft/min ~60 ft/min

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五、發明說明（11) 表B _ i 典型之氣流校準 ATM晶舟盒 門開啓 偏轉氣流 非偏轉氣流 較佳範圍 〜10-120ft/min -30-120 ft/min 更佳範圍 〜30-60 ft/min -40-80 ft/min 最佳範圍 〜40 ft/min 〜50 ft/min 圖2B顯示本發明之另一實施例，於其中ATM2〇〇包含一 風扇240以進一步協助偏轉氣流22〇a穿過偏轉氣流槽2〇3， 並從排氣口 221排出。如圖所示，風扇24〇設置於一與架子 204接合之壁2〇4a上。只要能協助偏轉氣流22〇a通過槽 203，風扇之置入方式有多個^就其本身而論，藉由風扇 4的安裝而額外產生通過偏轉氣流槽2 〇 3之吸力，使得晶 圓2 1 4之間形成之處理氣體及副產品可以經由偏轉氣流槽 3而被排出，成為風扇氣流2 2 〇 &。如上述，當門開啟時 最好將風扇關閉’以避免吸進「骯髒的」無塵室空氣。 圖^顯示依據本發明之一實施例之與一處理系統相連 直* # 之俯視圖。ATM2 0 0之架構幾何及機器人相對於 美Ξ糞*丨ΐ1!4之配置’在1 999年6月29曰提出專利申請的 第〇9/342,669號，專利名稱為「設有晶 法1 . °之八窩的大氣壓晶圓傳送模組及其實施方 法」中作更詳盡說明。申 示，設計ATM200與一對真二參考文獻中。如圖所 于真二預備至1〇4相通。真空預備室

第16頁 462076 五、發明說明（12) 104經由閉門閥105連接至一輸送室1〇6。接著，輸送室ι〇β 可以連接至處理模組1 0 8。輸送室1 〇 6裝置有一機器人手臂 (圖未顯示）’用以從真空預備室1 〇4取回晶圓，並將其 插入選擇之處理模組1 0 8 ’於其中執行處理操作。 圖示之ΑΤΜ200具有一對準器250，在晶圓被插入真空 預備室104之前’於其中可以調整晶圓使其與手臂组2〇8對 準。顯示之負載單元202具有支撐晶舟盒212之架子204。 顯示之晶舟盒212則具有晶圓214。晶每盒212後方與架子 204同高度之處為偏轉氣流槽203 (已參考上述之圖2Α及2Β I兒明之）。門210允許:從負載單元202之内部插入或移動晶 舟盒212。此外，可以藉由一外部無塵室機器人（圖未顯 示）或人來插入及移動晶舟盒。 於本實施例中，顯示之ΑΤΜ2 0 0具有一格子狀之穿孔板 片2 0 5。可以選擇穿孔板片2 0 5，以使更多或是較少之氣流 通過晶圓214以及偏轉氣流槽203。雖然圖示之ΑΤΜ200具有 用以連接角落之真空預備室1 04的幾何形狀，但吾人應瞭 解無論任何形狀都能使氣流適當地偏轉。氣流方向的改變 主要是由於限制其通過穿孔板片2 0 5之結果，從而改變至 少部分氣流之方向，使其流向架子204以及晶舟盒212中之 任何晶圓。 圖3Β顯示本發明之另一實施例，於其中負載單元202 與穿孔板片2 0 5 ’已經過修改。如圖所示，穿孔板片2 0 5 ’之 格子密度更高，以減少或限制通過穿孔板片205’之氣流， 並將更多量的氣流偏轉晶圓21 4，以及向下通過偏轉氣流

第17頁 4 6207S 五、發明說明（13) 槽。負載單元2 0 2亦已經過修改，使其包含隔離兩晶舟盒 212之環境隔板207。此外，每一個晶舟盒212亦被側壁213 所包圍。 當想要開啟一特定之門2 1 〇以移動或插入一特定之晶 舟盒2 1 2時’藉由環境隔板2 〇 7以及側壁2 1 3，能夠更精確 地控制各個晶舟盒2 1 2之迷你環境。亦即，當門2 1 〇之其中 一個被開啟以移動或插入晶舟盒2 1 2之時，開啟之迷你環 境之内部壓力的變化將不會對鄰近單元内之迷你環境（其 可能含有若干經處理過之晶圓）造成實質上的影響。環境 隔板協助阻隔單元之間微粒移動及交互污染一事，亦是重 要且須〉主意的。各個負載早元2 0 2亦最好.個別包含一第一 偏轉氣流槽2 0 3a，以及一第二偏轉氣流槽2〇3b。 圖3C顯示本發明之另一實施例，於其中穿孔板片 2 0 5 ’’與負載單元2 0 2之構造已經過修改。於本實施例中， 定義穿孔板片205 "為一具有複數個貫通孔之板片，調整穿 孔板片205H能夠使期望之氣流通過穿孔板片20 5"。於一典 型之實施例中’穿孔板片2 0 5 ”之貫通孔係設成使得板片之 開口率為約20%〜80%，更佳為約40%〜70%開啟，最佳為約 6 3%開口。為達成約63%開口之特性，所採之一實施例為令 貫通孔中心錯開3 / 1 6，而孔之直徑為5 / 3 2。一般而言，設 計開啟百分比以達成期望之平均速度如同表A及表B所述。 如上述之實施例中，穿孔板片2 0 5 ”最好是由不銹鋼所製 成，並已經過電拋光以防腐蝕以及抑制靜電電荷產生。 於本例子中，已經過修改之負載單元2 0 2具有晶舟盒

第18頁 4 6 20 76 五、發明說明（14) 罩2 0 9，於架子204内部放置 孔板片205M方向外傾睹曰 ^ 曰曰 舟盒212。依此方式，晶舟j 上流經晶圓2 1 2並從第—及） 出。晶舟盒罩209最好以圍只 盒罩2 0 9的外部則是架子2 〇 4 整個内表面最好是由不錄鋼 腐蝕以及減少靜電電荷產生 雖然為了清楚理解之目 以描述’但吾人瞭解在以下 作一些變更和修改而予以實 ATM具有一特定的幾何形狀 機器人）’但是吾人應理解 何幾何形狀，例如：矩形、 晶舟盒的結構可以呈現幾個 分向下朝穿孔板片方向流動 流動’因此在晶圓及其周圍 連續地在晶圓表面之上方提 實施例應認為係用以例釋性 此專細節所限制’而可在以 效設計之内加以修改。 晶舟盒2 1 2，但晶舟盒21 2朝穿 舟盒罩2 0 9可以嚴密地圍住晶 ^罩209將使偏轉氣流220a實質 5二偏轉氣流槽2 0 3 a及2 0 3 b排 ^的形式包圍晶舟盒212。晶卉 的剩餘部分。晶舟盒罩2 0 9的 所製成，並已經過電拋光以防 之可能性。 的，前述本發明已就其細節加 之申請專利範圍的範疇内仍可 施。舉例而言，雖然已說明過 (關於真空預備室以及一内部 到穿孔板片的區域可以具有任 正方形等等。此外，環繞各個 形狀。然而，特別重要的是部 之氣流，偏轉朝晶舟盒之方向 產生一迷你環境，此迷你環境 供一和緩之氣流。因此，此等 質而非限定性質’本發明不受 下之申請專利範圍的範疇或等

第19頁 462076 圖式簡單說明 ~ 圖1 A描繪出一典型習知之半導體處理叢集工具結構 (semiconductor process cluster tool architecture )，說明以與一真空輸送模組連接之一大氣壓輸送模組， 其中叹有一真空預備室接收晶圓，用以傳送至真空輸送模 組。 圖1B及1C顯不一局部系統圖，包含：一大氣壓輸送模 组（ATM )’以及一晶舟盒。 圖2A為顯示依照本發明—實施例，一大氣壓輸送模組 可以座落於一無塵室層，並與一真空預備室相連。 圖2B顯示本發明之另一實施例，於其中該ATM包含一 風扇’以進一步協助該偏轉氣流（redirected n〇w)通 過一偏轉氣流槽並向外排出。 圖3A顯示本發明之一實施例，連接至一處理系統的一 ATM之俯視圖。 圖3 B顯示本發明之另一實施例，於其中該負載單元 (load cel 1 )與該穿孔板片已被修改。 圖3 C顯示本發明之另一實施例，於其中該穿孔板片與該負 載早元具有另一種變化構造。 符號之說明 100 半導體處理叢集結構 10 2 無塵室 103 大氣壓輸送模組（ATM) 104 真空預備室

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第21頁 圖式簡單說明 105 閘門閥 106 輸送室；輸送模組 108 處理模組 108a 處理模組 108b 處理模組 108c 處理模組 15 2a 過濾器/鼓風機 152b 晶奋盒壤境 15 2c 排氣口 154 架子 155 鬥 156 機器人 158 手臂組 160 晶舟盒 162 晶圓 164 微粒 166 氣體 170 氣流 171 微粒隔板 200 大氣壓輸送模組（ATM ) 201 無塵室層 202 負載單元 203 偏轉氣流槽 2 0 3a 第一偏轉氣流槽 462076 圖式簡單說明 2 0 3b 第二偏轉氣流槽 204 架子 2 0 4a 壁 205 穿孔板片 20 5’ 穿孔板片 2 0 5^ 穿孔板片 206 機器人 207 壤境隔板 208 手臂組 209 晶舟盒罩 210 門 212 晶舟盒 213 側壁 214 晶圓 220 調節氣流 220a 偏轉氣流 2 2 0b 非偏轉氣流 221 排氣口 222 排出的氣體 240 風扇 250 對準器

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Claims (1)

1. 462076 六、申請專利範圍 1 _ 一種 該頂部之調 元包含一架 之一壁分離 片用以限制 流通過該晶 2.如申 大氣壓輪送 3 ·如申 含： 大氣 頂部 節氣 負載 子’ 以形 穿孔 通過 舟盒 請專 模组 請專 用以產生一向下並遠離 一個以上之 4. 如申 穿孔板片係 孔板片限制 之速度，調 5. 如申 過該晶舟盒 含之一個以 6. 如申 流經該晶舟 壓輸送模ί且，句含— a , ^ s 機體，該機體具有 ，具有~鼓風機 /；IL f兀由該鼓風機橫向偏開，該負載單 以稽一晶舟盒’該架子由該負載單元 成一偏轉氣流槽；及 ，片疋義於該鼓風機之下方，該穿孔板 °亥穿孔板片之氣流，並用以產生一偏轉氣 〇 利範圍第1項之大氣壓輪送模組，其中該 用t連接一個以上之真空預備室。 利範圍第2項之大氣壓輸送模組，更包 機為人’具有一手臂組，用以在該晶舟盒與該 真空預備室之間傳送晶圓。 請專利範圍第1項之大氣壓輸送模組，其中該 經，擇用以限制一氣流流量，並依據藉由該穿 之氣流流量’以及來自該鼓風機之經調節氣流 ^該產生之偏轉氣流。 請專利範圍第4項之大氣壓輸送模組，其中通 之偏轉氣流至少部分地平行於該晶舟盒中所包 上之晶圓。 =專利範圍第5項之大氣壓輸送模組，其中將 盒之偏轉氣流，經由該偏轉氣流槽導至該架子

   462078 六、申請專利範圍 及該穿孔板片下方之區域。 7. 如申請專利範圍第6項之大氣壓輸送模組，其中來 自該鼓風機且藉由該穿孔板片之限制之氣流，至少部分通 過該穿孔板片成為非偏轉氣流，並進入該架子及該穿孔板 片下方之區域。 8. 如申請專利範圍第7項之大氣壓輸送模組，其中導 進該架子以及該穿孔板片下方區域之該偏轉氣流及該非偏 轉氣流’經由一排氣口被排出至該大氣壓輸送模組外。 9. 如申請專利範圍第1項之大氣壓輸送模組，其中該 負載單元具有至少一個門，用以插入或移除該晶舟盒。 1 0.如申請專利範圍第1項之大氣壓輪送模組，更包 含： 一風扇，位於該架子的下方，該風扇經由該偏轉氣流 槽將該偏轉氣流抽入形成於該架子及該穿孔板片下方之一 區域；_ 一連鎖機構，將該風扇藕合於該負載單元之一門，俾 於該負載單元之門開啟時關閉該風扇。 11.如申請專利範圍第項之大氣壓輸送模組，其中 於該架子及該穿孔板片下方形成有一排氣口，用以自該機 體内移除氣流。 1 2.如申請專利範圍第1項之大氣壓輸送模組’其中該 機體更包含： 一過滤器，與該鼓風機結合在一起。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之大氣壓輸送模組’其中該

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   第25頁 462076 六、申諳專利範圍 方向流動，經由該槽而進入該封閉式機體之底部區。 19.如申請專利範圍第18項之大氣壓輪送模組，其中 具有一個以上的晶圓之一晶舟盒置於該負裁單元之架子 上。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之大氣壓輪送模組，其中 朝該架子被偏轉之該氣流的一部分’實質上平行於該晶舟 盒中一個以上之晶圓而流過。 2 1.如申請專利範圍第2 〇項之大氣壓輸送模組，其中 朝該架子偏轉之該氣流，部分地協助從該晶舟盒中一個以 上之晶圓表面移除處理氣體。 2 2.如申請專利範圍第2 〇項之大氣壓輪送模組，其中 朝該架子被偏轉之該氣流，部分地協助移除該晶奋盒中一 個以上之晶圓表面或飄浮於其上方的微粒。 2 3.如申請專利範圍第1 9項之大氣壓輪送模組，其中 於該負載單元内部並環繞該架子周圍形成有圍牆以個別容 納晶舟盒’且於該圍牆之後壁形成該槽。 24·如申請專利範圍第丨8項之大氣壓輸送模組，其中 一部为朝5玄木子被偏轉之氣流為一偏轉氣流，而通過該穿 孔板片之氣流為非偏轉氣流。 25.如申請專利範圍第24項之大氣壓輸送模組，其中 該偏轉氣流具有一平均速度，範圍在丨〇 f t / m i η到8 0 f t / m i η之間，而該非偏轉氣流之平均速度範圍則在4 〇 ft/min 到 120 ft/min 之間。 2 6 · —種大氣壓輸送模組之製造方法，包含：

   第26頁 462076 六、申請專利範圍 形成具有一頂部區、一中央區、~底部區、以及一負 載單元區之一封閉式機體； 於該封閉式機體之頂部區設置—鼓風機，用以產生一 向下進入該中央區之氣流； 設置一架子，俾於該封閉式機體之中央區與底部區之 間形成一水平分隔線，該架子至少部分地與該負載單元區 之一壁相隔開，藉以形成，槽；以及 自該架子水平延伸處設置 穿孔板片，該穿孔板片進 一步於該中央區與該底部區之間形成分隔線；由該鼓風機 所產生之氣流受到限制無法自由地流經該穿孔板片，並且 部分地使該氣流自該穿孔板片偏移開而朝該負、加 子方向流動，經由忒槽進入該封閉式機體之底。穴 27.如申請專利範圍第26項之大氣壓輪送模；之製造 方法，其中具有一個以上的晶圓之一晶冉八 B曰升盒置於該負載單 元之架子上。 2 8如申請專利範圍第2 7項之大& ^ ^ „ κ大軋壓輪送模組之製造 方法，其中朝该架子偏轉之該氣流的—部分，實質上平行 於該晶舟盒中一個以上之晶圓而流過。 订 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之大氣壓輸送模組之製造 方法，其中朝該架子偏轉之該氣流，協助部分地移除飄浮 於該晶舟衾中 個以上之晶圓表面上方的處理氣體。 3 0.如申凊專利範圍第2 8項之大氣壓輸送模組之製造 方法’其中朝該架子偏轉之氣流，部分地協助移除該晶舟 盒中一個以上之晶圓表面的微粒。

   第幻1 462076 六、申請專利範圍 3 1.如申請專利範圍第2 6項之大氣壓輸送模組之製造 方法，其中該穿孔板片具有一格子狀排列，且該穿孔板片 為電拋光不銹鋼。 3 2.如申請專利範圍第2 6項之大氣壓輸送模組之製造 方法，其中該穿孔板片具有複數之貫通孔，且該穿孔板片 為電拋光不銹鋼。

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