CN113436984A - 用于半导体制程机台的设备接口系统 - Google Patents

用于半导体制程机台的设备接口系统 Download PDF

Info

Publication number
CN113436984A
CN113436984A CN202010205491.9A CN202010205491A CN113436984A CN 113436984 A CN113436984 A CN 113436984A CN 202010205491 A CN202010205491 A CN 202010205491A CN 113436984 A CN113436984 A CN 113436984A
Authority
CN
China
Prior art keywords
container
doorway
housing
airflow adjustment
adjustment member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010205491.9A
Other languages
English (en)
Inventor
杨胜钧
林艺民
李志聪
邱云姿
谢主翰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority to CN202010205491.9A priority Critical patent/CN113436984A/zh
Publication of CN113436984A publication Critical patent/CN113436984A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。

Description

用于半导体制程机台的设备接口系统
技术领域
本揭露是关于用于半导体制程机台的设备接口系统。
背景技术
随着集成电路技术持续地演进，集成电路装置持续缩小，借此成就了低制造成本、高装置整合密度、高速度以及高效能。随着集成电路体积缩小带来的优点，制造生产集成电路的工具设备也随之进化。半导体集成电路系经由集成电路制造厂中的多个处理程序制成。这些制程牵涉包含热氧化、渗杂、离子植入、快速热制程、化学气相沉积、物理气相沉积、磊晶、蚀刻以及光学蚀刻技术等相关的制造工具。在制造过程中，储存于晶圆传送盒中的晶圆可通过适当的设备接口系统而传送至各制造工具。
发明内容
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，其中气流调整元件沿第一方向延伸，且气流调整元件沿第二方向邻接该壳体位于门口上方的一部分，其中第二方向垂直于第一方向，气流调整元件第一方向上的长度大于气流调整元件第二方向上的宽度。
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个狭缝，以供气流的部分通过。
附图说明
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的配置示意图；
图2A至图2B根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台于各操作阶段的剖面示意图；
图3A是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件的立体示意图；
图3B是图3A的气流调整元件的上视示意图；
图3C是图3A的气流调整元件的侧视示意图；
图4是根据本揭露的部分实施方式的设备接口系统的立体示意图；
图5是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件的上视示意图；
图6是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件的上视示意图；
图7是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件的上视示意图。
【符号说明】
100：半导体制程机台
200：设备接口系统
210：密闭容器
210S：密封空间
212：壳体
212A、212B：门口
212AW：长度
214：可移动门盖
216：可移动门盖
220：装载端口
230：机器手臂
240：吹气系统
250：气流调整元件
250L：长度
250W：宽度
250H：高度
250O：开口
251～259：实体部分
251’～255’：实体部分
260：气压侦测器
270：气体过滤元件
290：控制器
700：负载锁定室
710：晶圆进入室
720：晶圆送出室
800：缓冲室
810：机器手臂
910～940：反应室
WP：晶圆传送盒
WPS：空间
WPF：前盖
W：晶圆
GP：气体分散板
GPO：通气孔
BP：底板
BPO：通气孔
O1～O6：开口
O1’～O4’：开口
D1、D2：方向
具体实施方式
以下本揭露将提供许多个不同的实施方式或实施例以实现所提供的专利标的的不同特征。许多元件与设置将以特定实施例在以下说明，以简化本揭露。当然这些实施例仅用以示例而不应用以限制本揭露。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上”包含多种实施方式，其中涵盖第一特征与第二特征直接接触，以及额外的特征形成于第一特征与第二特征之间而使两者不直接接触。此外，于各式各样的实施例中，本揭露可能会重复标号以及/或标注字母。此重复是为了简化并清楚说明，而非意图表明这些讨论的各种实施方式以及/或配置之间的关系。
更甚者，空间相对的词汇，例如“下层的”、“低于”、“下方”、“之下”、“上层的”、“上方”等相关词汇，于此用以简单描述元件或特征与另一元件或特征的关系，如图所示。在使用或操作时，除了图中所绘示的转向之外，这些空间相对的词汇涵盖装置的不同的转向。或者，这些装置可旋转(旋转90度或其他角度)，且在此使用的空间相对的描述语可作对应的解读。
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的配置示意图。半导体制程机台100可以是一群集工具(cluster tool)，包含设备接口(factory interface；FI)系统200、负载锁定(load-lock)室700、缓冲室800以及制程反应室910～940。
设备接口系统200可例如为设备前端模组(equipment front-end module；EFEM)。设备接口系统200包含装载端口(load port)220以及密闭容器210。装载端口220用以承载晶圆传送盒WP。晶圆传送盒WP可以装载多个晶圆，并被适当自动化搬动系统运送，例如空中单轨无人搬送系统(Overhead Hoist Transfer；OHT)。
设备接口系统200的密闭容器210与负载锁定室700交界。负载锁定室700包含晶圆进入室710以及晶圆送出室720。设备接口系统200的密闭容器210中可设有机器手臂230(参照图2A)，以将晶圆从装载端口220所承载的晶圆传送盒WP中取出而传送至负载锁定室700的晶圆进入室710中，也可以将晶圆从负载锁定室700的晶圆送出室720中取出而传送到装载端口220所承载的晶圆传送盒WP中。
负载锁定室700根据晶圆所欲传送的位置，产生与缓冲室800或设备接口系统200的密闭容器210相同的气压环境。负载锁定室700内气压环境的调整可以透过合适的手段，例如泵，利用加入气体或是制造真空的方式改变负载锁定室700内的气体含量。当负载锁定室700内气压环境达到期望的压力时，即可开启负载锁定室700与缓冲室800或设备接口系统200的密闭容器210之间的晶圆通道，晶圆即可自负载锁定室700被抓取经由晶圆通道传送至缓冲室800或设备接口系统200的密闭容器210。
缓冲室800又称为转移室(Transfer Chamber)。缓冲室800连接负载锁定室700以及反应室910～940。缓冲室800可设有机器手臂810，以使晶圆在负载锁定室700以及反应室910～940之间传送。
于部分实施方式中，反应室910～940可用以进行化学气相沉积、如高密度电浆(high density plasma；HDP)制程、原子层沉积、溅镀、蚀刻、清洗等步骤，其中化学气相沉积可以是低压化学气相沉积、电浆化学气相沉积或其他适当的制程。反应室910～940的数量仅为示意，不应以此数量为限。
晶圆传送盒WP中的硅晶圆可经由设备接口系统200配置到晶圆进入室710，再由晶圆进入室710进入缓冲室800中，然后缓冲室800内的机器手臂810将晶圆传送至各制程反应室910～940中。
图2A至图2B根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100于各操作阶段的剖面示意图。于部分实施方式中，设备接口系统200的密闭容器210包括密封空间210S，其由壳体212环绕。壳体212可以由具有适当钢性的材料组成，例如不锈钢。壳体212可具有门口212A，以连接晶圆传送盒WP。壳体212可具有门口212B，以连接负载锁定室700。
密闭容器210可更包含可移动门盖214与216，分别位于壳体212的二个侧壁上且用以遮盖进出密封空间210S的壳体212的门口212A、212B。装载端口220可设置于密封空间210S之外且位于或邻近于密闭容器210的外侧表面上，其中装载端口220可紧邻于可移动门盖214(或者门口212A)。可移动门盖214可经由操作而开启或闭合门口212A，进而连通或隔开晶圆传送盒WP内的空间WPS以及密封空间210S。类似地，可移动门盖216可经由操作而开启或闭合门口212B，进而连通或隔开密封空间210S以及负载锁定室700内的空间。
于部分实施方式中，机器手臂230可设置于密闭容器210中。透过机器手臂230的操作可于晶圆传送盒WP与负载锁定室700间经由门口212A、210B传输晶圆W。
于部分实施方式中，设备接口系统200更可包含吹气系统240、气流调整元件250、气压侦测器260、气体过滤元件270以及控制器290。吹气系统240、气流调整元件250、气压侦测器260以及气体过滤元件270可设置于密闭容器210中。吹气系统240可设置于密封空间210S的上方以从上往下吹气，从而产生气流。吹气系统240可例如为风扇过滤单元(fanfilter unit；FFU)。于部分实施方式中，吹气系统240的下方可以设置有气体分散板GP，其具有多个通气孔GPO，以使气体分散开来。气体分散板GP可以受到壳体212的支撑。于部分实施方式中，可以省略气体分散板G。气体过滤元件270可以设置于吹气系统240下方，甚至是气体分散板GP的下方，以过滤气体中的尘粒。于部分实施方式中，可以省略气体过滤元件270。气压侦测器260可以设置于吹气系统240的下方以侦测密封空间210S中的气体压力。
于部分实施方式中，吹气系统240的下方可以设置有底板BP，其连接于壳体212，并可支撑密闭容器210中的其他元件(例如图2A的机器手臂230)。于部分实施方式中，底板BP具有多个通气孔BPO，以使吹气系统240提供的气流可以先后穿过气体分散板GP以及底板BP而离开密封空间210S。
设备接口系统200中可能存在有尘粒。于部分实施方式中，于壳体212与可移动门盖214之间设置有密封元件，以密封两者连接处。密封元件系设置于壳体212、可移动门盖214之一上或上述两者之上。密封元件可为如胶条、O型环、凝胶或适用于密封密闭容器210的其他装置。在部分情况下，设备接口系统200中的尘粒可能来自于这些密封元件。
设备接口系统200中的吹气系统240持续产生由上往下稳定的气流，以免尘粒扬起。在某些情况下，在打开可移动门盖214以及晶圆传送盒WP的前盖WPF后、准备从晶圆传送盒WP中取出硅晶圆时，设备接口系统200中的吹气系统向下吹动的气体可能会流通至晶圆传送盒WP的空间WPS中，并在空间WPS中往上传递，而在晶圆传送盒WP的空间WPS中形成接近封闭的气流回圈。此时，设备接口系统200的尘粒可能会经由气流而传送至从空间WPS，在空间WPS中因该气流回圈而重复流动(于本文中称为回流)，而使晶圆传送盒WP的晶圆受到尘粒的污染。
本揭露的多个实施方式中，通过设置气流调整元件250，使设备接口系统200邻近晶圆传送盒WP的气流流速降低。借此，在打开晶圆传送盒WP的前盖WPF以准备从中取出硅晶圆时，设备接口系统200中的吹气系统向下吹动的气体较不会流通至晶圆传送盒WP的空间WPS中，而可免于在空间WPS中形成封闭的气流回圈。借此，可以避免因晶圆传送盒WP的空间WPS中的回流而保护晶圆传送盒WP的晶圆W免受到尘粒的污染。于此，可移动门盖214可以夹住晶圆传送盒WP的前盖WPF，而在开启门口212A的时候一并打开晶圆传送盒WP。
详细而言，气流调整元件250可设置于吹气系统240、气体分散板GP以及气体过滤元件270的下方、位于壳体212的门口212A的上方且邻近于壳体212的门口212A。气流调整元件250沿方向D1(图2A与图2B中进出纸面方向)延伸，且气流调整元件250可沿方向D2邻接壳体212位于门口212A上方的一部分。气流调整元件250可以具有多个开口(例如图3A至图3C的开口O1～O6)以供气体通过，其中气流调整元件250的开口在气流调整元件250的表面上的面积占比随着靠近门口212A逐渐变小，以调整邻近于门口212A的气流分布。
参照图2A，于部分实施方式中，将晶圆传送盒WP放置于装载端口220上。在开启可移动门盖214之前，可以依据气压侦测器260所侦测到的密封空间210S的气体压力状态，调整吹气系统240的强度，以使气体压力状态达到预定的状态时。此时，气流经气流调整元件250而于门口212A处有较慢的气流分布。
参照图2B，于气体压力状态达到预定的状态后，可经由可移动门盖214而开启门口212A，此时经由气流调整元件250的气流分布，能避免于晶圆传送盒WP的空间WPS中产生回流，从而避免尘粒因回流而造成晶圆缺陷。且，通过气流调整元件250亦可以维持设备接口系统200的密封空间210S内的流场稳定。其后可以进行晶圆搬运等作业。
图3A是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件250的立体示意图。图3B是图3A的气流调整元件250的上视示意图。图3C是图3A的气流调整元件250的侧视示意图。于本实施方式中，气流调整元件250具有朝方向D1平行延伸的实体部分251～257，而使气流调整元件250的开口O1～O6可以为长条状的且朝方向D1平行延伸。
于本实施方式中，实体部分251～257的重心(或中心)沿着方向D2等距分布，且实体部分251～257的宽度随着靠近门口212A(参考图2A)逐渐变大，而使开口O1～O6的尺寸随着靠近门口212A(参考图2A)逐渐变小，进而使开口O1～O6在气流调整元件250的表面上的面积占比随着靠近门口212A(参考图2A)逐渐降低。于本文中，开口的面积占比可以视为开口于气流调整元件250的上表面的面积除上气流调整元件250(即实体部分251～257与开口O1～O6的总和)于其上表面的整体面积。举例而言，于此，开口O1～O6为狭缝，这些狭缝(即开口O1～O6)的宽度随着靠近门口212A(参考图2A)逐渐缩小。
于本实施方式中，气流调整元件250还具有实体部分258，以连接各实体部分251～257的两端，而使气流调整元件250能维持结构稳定。气流调整元件250的实体部分251～258可以由适当的塑胶材料所形成，例如铁氟龙。或者，气流调整元件250的实体部分251～258可以由具有适当刚性的其他材料所组成。
于本揭露的部分实施方式中，气流调整元件250于方向D1上的长度250L大于气流调整元件250于方向D2上的宽度250W。举例而言，气流调整元件250于方向D1上的长度250L可以在大约175厘米至大约195厘米的范围之间。如果超过此范围可能会结构干扰其他器件(例如另一门口)；如果小于此范围，可能无法有效地降低靠近门口的气流速度。气流调整元件250于方向D2上的宽度250W可以在大约50厘米至大约70厘米的范围之间。如果超过此范围可能会结构干扰其他器件；如果小于此范围，可能无法有效地降低靠近门口的气流速度。于部分实施方式中，方向D2垂直于方向D1。气流调整元件250的高度250H可以在大约35厘米至大约45厘米的范围之间。如果超过此范围可能会结构干扰其他器件；如果小于此范围，可能会有结构刚性不足的问题，而造成气流不稳定。
图4是根据本揭露的部分实施方式的设备接口系统200的立体示意图。气流调整元件250于方向D1上的长度250L可设计为大于壳体212的门口212A于方向D1上的长度212AW，以有效地避免于晶圆传送盒WP中产生回流。举例而言，气流调整元件250的长度250L可以大于门口212A的长度212AW大约2厘米至大约10厘米之间。如果气流调整元件250的长度250L大于门口212A的长度212AW，且长度250L与长度212AW的差值大于大约10厘米，气流调整元件250可能会结构干扰其他器件(例如另一门口)。如果气流调整元件250的长度250L小于门口212A的长度212AW，且长度250L与长度212AW的差值大于大约2厘米，气流调整元件250可能无法有效地降低靠近门口的气流速度。于部分实施方式中，可以设计气流调整元件250的狭缝(即图3A至图3C中的开口O1～O6)于方向D1上的长度大于门口212A于该方向D1上的长度212AW，以建立均匀的气流分布。于部分实施方式中，气流调整元件250于方向D2上的宽度250W可设计为小于门口212A的长度212AW，以免占据过多空间。
图5是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件250的上视示意图。本实施方式与图3A至图3C的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，气流调整元件250具有宽度相同的多个实体部分251’～255’。于本实施方式中，实体部分251’～255’的重心(或中心)的间距沿着方向D2随着靠近门口逐渐缩小，而使开口O1’～O4’的尺寸(于此指宽度)随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐变小，进而使开口O1’～O4’的面积占比随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐降低。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘言。
图6是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件250的上视示意图。本实施方式与图3A至图3C的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，气流调整元件250具有实体部分259以及其上的多个开口250O。于此，开口250O可以于二维方向上规律或随机分布，而不同于前述的狭缝(前述图3A至图3C的开口O1～O6或图5的开口O1’～O4’)，前述的狭缝仅于一维方向(例如方向D2)上分布。举例而言，于此，开口250O为圆孔。于其他实施方式中，开口250O可以是方孔、六角形孔等等，而不以图中所绘为限。
于本实施方式中，开口250O的尺寸一致，且开口250O的分布密度随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐降低。此处所称的分布密度可视为气流调整元件250(即实体部分259与开口250O的总和)每单位面积的开口250O的数量。如此一来，开口250O的面积占比随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐降低，而能够降低靠近门口212A(参考图2A与图4)的气体流速。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘言。
图7是根据本揭露的部分实施方式的气流调整元件250的上视示意图。本实施方式与图6的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，气流调整元件250的开口250O分布密度一致，且开口250O的尺寸(于此指直径)随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐变小。如此一来，开口250O的面积占比随着靠近门口212A(参考图2A与图4)逐渐降低，而能够降低靠近门口212A(参考图2A与图4)的气体流速。开口250O可以是圆孔、方孔、六角形孔等等，而不以图中所绘为限。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘言。
本揭露的多个实施方式中，通过设置气流调整元件，使设备接口系统邻近晶圆传送盒的气流流速降低。借此，在打开晶圆传送盒以准备从中取出硅晶圆时，设备接口系统中的吹气系统向下吹动的气体较不会流通至晶圆传送盒的空间中，而可免于在晶圆传送盒的空间中形成封闭的气流回圈。借此，可以避免因晶圆传送盒的空间中的回流而保护晶圆传送盒的晶圆免受到尘粒的污染。
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
于部分实施方式中，气流调整元件邻接壳体位于门口上方的部分。
于部分实施方式中，气流调整元件的开口的尺寸随着靠近壳体的门口逐渐缩小。
于部分实施方式中，气流调整元件的开口的分布密度随着靠近壳体的门口逐渐降低。
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，其中气流调整元件沿第一方向延伸，且气流调整元件沿第二方向邻接该壳体位于门口上方的一部分，其中第二方向垂直于第一方向，气流调整元件于第一方向上的长度大于气流调整元件于第二方向上的宽度。
于部分实施方式中，气流调整元件于第二方向上的宽度小于门口于第一方向上的长度。
于部分实施方式中，气流调整元件于第一方向上的长度大于门口于第一方向上的长度。
本揭露的部分实施方式提供一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个狭缝，以供气流的部分通过。
于部分实施方式中，狭缝的宽度随着靠近壳体的门口逐渐缩小。
于部分实施方式中，狭缝于方向上的长度大于门口于方向上的长度。
以上概述多个实施方式的特征，该技术领域具有通常知识者可较佳地了解本揭露的多个态样。该技术领域具有通常知识者应了解，可将本揭露作为设计或修饰其他程序或结构的基础，以实行实施方式中提到的相同的目的以及/或达到相同的好处。该技术领域具有通常知识者也应了解，这些相等的结构并未超出本揭露的精神与范围，且可以进行各种改变、替换、转化，在此，本揭露精神与范围涵盖这些改变、替换、转化。

Claims (10)

1.一种用于半导体制程机台的设备接口系统，其特征在于，包含：
一容器，具有一壳体，其中该壳体具有一门口；
一装载端口，设置于该容器之外且邻近该壳体的该门口；
一机器手臂，设置于该容器中；
一吹气系统，用以于该容器中产生一气流；以及
一气流调整元件，设置于该容器中且位于该门口以及该吹气系统之间，其中该气流调整元件具有多个开口，以供该气流的一部分通过，该气流调整元件的所述多个开口在该气流调整元件的一表面上的面积占比随着靠近该壳体的该门口逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的设备接口系统，其特征在于，其中该气流调整元件邻接该壳体位于该门口上方的一部分。
3.根据权利要求1所述的设备接口系统，其特征在于，其中该气流调整元件的所述多个开口的尺寸随着靠近该壳体的该门口逐渐缩小。
4.根据权利要求1所述的设备接口系统，其特征在于，其中该气流调整元件的所述多个开口的分布密度随着靠近该壳体的该门口逐渐降低。
5.一种用于半导体制程机台的设备接口系统，其特征在于，包含：
一容器，具有一壳体，其中该壳体具有一门口；
一装载端口，设置于该容器之外且邻近该壳体的该门口；
一机器手臂，设置于该容器中；
一吹气系统，用以于该容器中产生一气流；以及
一气流调整元件，设置于该容器中且位于该门口以及该吹气系统之间，其中该气流调整元件具有多个开口，以供该气流的一部分通过，其中该气流调整元件沿一第一方向延伸，且该气流调整元件沿一第二方向邻接该壳体位于该门口上方的一部分，其中该第二方向垂直于该第一方向，该气流调整元件于该第一方向上的一长度大于该气流调整元件于该第二方向上的一宽度。
6.根据权利要求5所述的设备接口系统，其特征在于，其中该气流调整元件于该第二方向上的该宽度小于该门口于该第一方向上的一长度。
7.根据权利要求5所述的设备接口系统，其特征在于，其中该气流调整元件于该第一方向上的该长度大于该门口于该第一方向上的一长度。
8.一种用于半导体制程机台的设备接口系统，其特征在于，包含：
一容器，具有一壳体，其中该壳体具有一门口；
一装载端口，设置于该容器之外且邻近该壳体的该门口；
一机器手臂，设置于该容器中；
一吹气系统，用以于该容器中产生一气流；以及
一气流调整元件，设置于该容器中且位于该门口以及该吹气系统之间，其中该气流调整元件具有多个狭缝，以供该气流的一部分通过。
9.根据权利要求8所述的设备接口系统，其特征在于，其中所述多个狭缝的宽度随着靠近该壳体的该门口逐渐缩小。
10.根据权利要求8所述的设备接口系统，其特征在于，其中所述多个狭缝于一方向上的一长度大于该门口于该方向上的一长度。
CN202010205491.9A 2020-03-23 2020-03-23 用于半导体制程机台的设备接口系统 Pending CN113436984A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010205491.9A CN113436984A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 用于半导体制程机台的设备接口系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010205491.9A CN113436984A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 用于半导体制程机台的设备接口系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113436984A true CN113436984A (zh) 2021-09-24

Family

ID=77752555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010205491.9A Pending CN113436984A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 用于半导体制程机台的设备接口系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113436984A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7263639B2 (ja) 基板搬送部
KR100660361B1 (ko) 제어된 소규모주변부를 갖춘 웨이퍼의 대기중이송모듈
KR100483428B1 (ko) 기판 가공 장치
CN110770890B (zh) 可索引侧储存仓设备、加热的侧储存仓设备、系统和方法
US6095582A (en) Article holders and holding methods
JP5391070B2 (ja) 複数の平坦基板を保管するためのストッカ及び方法
JP2001524267A (ja) 複数のシングル・ウェーハ・ロードロック・ウェーハ加工装置ならびにそのローディングおよびアンローディングの方法
US20200135520A1 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
KR20180049289A (ko) 기판 이송 장치
CN100382231C (zh) 用于处理晶片的设备和方法
US20230337365A1 (en) Oxygen and humidity control in storage device
TWI797944B (zh) 用於調整氣流的製程裝置和製程方法
US20220208576A1 (en) Substrate processing apparatus
US20210323756A1 (en) Substrate container system
CN113436984A (zh) 用于半导体制程机台的设备接口系统
KR20190098056A (ko) 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템
TWI744834B (zh) 用於半導體製程機台之設備介面系統
CN111403312B (zh) 基板处理设备和方法
US11139152B2 (en) Substrate processing apparatus
US20090060691A1 (en) Substrate receiving apparatus and substrate receiving method
US11862506B2 (en) Substrate processing system, vacuum substrate transfer module, and substrate transfer method
CN212412024U (zh) 一种晶圆处理设备的前端模块
US20040250519A1 (en) [front opening unified pod and associated method for preventing outgassing pollution]
KR20080071682A (ko) 로드락 챔버 및 이를 이용한 반도체 제조 장치
CN117083700A (zh) 真空处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination