TWI744834B

TWI744834B - 用於半導體製程機台之設備介面系統

Info

Publication number: TWI744834B
Application number: TW109109690A
Authority: TW
Inventors: 楊勝鈞; 林藝民; 李志聰; 邱云姿; 謝主翰
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2020-03-23
Filing date: 2020-03-23
Publication date: 2021-11-01
Also published as: TW202137390A

Abstract

一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含容器、裝載埠、機器手臂、吹氣系統以及氣流調整元件。容器具有殼體，其中殼體具有門口。裝載埠設置於容器之外且鄰近殼體的門口。機器手臂設置於容器中。吹氣系統用以於容器中產生氣流。氣流調整元件設置於容器中且位於門口以及吹氣系統之間，其中氣流調整元件具有多個開口，以供氣流之部份通過，氣流調整元件的開口在氣流調整元件之表面上的面積占比隨著靠近殼體的門口逐漸降低。

Description

用於半導體製程機台之設備介面系統

本揭露是關於用於半導體製程機台之設備介面系統。

隨著積體電路技術持續地演進，積體電路裝置持續縮小，藉此成就了低製造成本、高裝置整合密度、高速度以及高效能。隨著積體電路體積縮小帶來的優點，製造生產積體電路的工具設備也隨之進化。半導體積體電路係經由積體電路製造廠中的多個處理程序製成。這些製程牽涉包含熱氧化、滲雜、離子植入、快速熱製程、化學氣相沉積、物理氣相沉積、磊晶、蝕刻以及光學蝕刻技術等相關的製造工具。在製造過程中，儲存於晶圓傳送盒中的晶圓可藉由適當的設備介面系統而傳送至各製造工具。

本揭露之部份實施方式提供一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含容器、裝載埠、機器手臂、吹氣系統以及氣流調整元件。容器具有殼體，其中殼體具有門口。裝載埠設置於容器之外且鄰近殼體的門口。機器手臂設置於容器中。吹氣系統用以於容器中產生氣流。氣流調整元件設置於容器中且位於門口以及吹氣系統之間，其中氣流調整元件具有多個開口，以供氣流之部份通過，氣流調整元件的開口在氣流調整元件之表面上的面積占比隨著靠近殼體的門口逐漸降低。

本揭露之部份實施方式提供一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含容器、裝載埠、機器手臂、吹氣系統以及氣流調整元件。容器具有殼體，其中殼體具有門口。裝載埠設置於容器之外且鄰近殼體的門口。機器手臂設置於容器中。吹氣系統用以於容器中產生氣流。氣流調整元件設置於容器中且位於門口以及吹氣系統之間，其中氣流調整元件具有複數個開口，以供氣流之部份通過，其中氣流調整元件沿第一方向延伸，且氣流調整元件沿第二方向鄰接該殼體位於門口上方的一部份，其中第二方向垂直於第一方向，氣流調整元件第一方向上的長度大於氣流調整元件第二方向上的寬度。

本揭露之部份實施方式提供一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含容器、裝載埠、機器手臂、吹氣系統以及氣流調整元件。容器具有殼體，其中殼體具有門口。裝載埠設置於容器之外且鄰近殼體的門口。機器手臂設置於容器中。吹氣系統用以於容器中產生氣流。氣流調整元件設置於容器中且位於門口以及吹氣系統之間，其中氣流調整元件具有複數個狹縫，以供氣流之部份通過。

以下本揭露將提供許多個不同的實施方式或實施例以實現所提供之專利標的之不同特徵。許多元件與設置將以特定實施例在以下說明，以簡化本揭露。當然這些實施例僅用以示例而不應用以限制本揭露。舉例而言，敘述「第一特徵形成於第二特徵上」包含多種實施方式，其中涵蓋第一特徵與第二特徵直接接觸，以及額外的特徵形成於第一特徵與第二特徵之間而使兩者不直接接觸。此外，於各式各樣的實施例中，本揭露可能會重複標號以及/或標註字母。此重複是為了簡化並清楚說明，而非意圖表明這些討論的各種實施方式以及/或配置之間的關係。

更甚者，空間相對的詞彙，例如「下層的」、「低於」、「下方」、「之下」、「上層的」、「上方」等相關詞彙，於此用以簡單描述元件或特徵與另一元件或特徵的關係，如圖所示。在使用或操作時，除了圖中所繪示的轉向之外，這些空間相對的詞彙涵蓋裝置的不同的轉向。或者，這些裝置可旋轉(旋轉90度或其他角度)，且在此使用的空間相對的描述語可作對應的解讀。

圖1是根據本揭露之部分實施方式之半導體製程機台100的配置示意圖。半導體製程機台100可以是一群集工具(cluster tool)，包含設備介面(factory interface；FI)系統200、負載鎖定(load-lock)室700、緩衝室800以及製程反應室910~940。

設備介面系統200可例如為設備前端模組(equipment front-end module；EFEM)。設備介面系統200包含裝載埠(load port)220以及密閉容器210。裝載埠220用以承載晶圓傳送盒WP。晶圓傳送盒WP可以裝載多個晶圓，並被適當自動化搬動系統運送，例如空中單軌無人搬送系統(Overhead Hoist Transfer；OHT)。

設備介面系統200的密閉容器210與負載鎖定室700交界。負載鎖定室700包含晶圓進入室710以及晶圓送出室720。設備介面系統200的密閉容器210中可設有機器手臂230(參照圖2A)，以將晶圓從裝載埠220所承載的晶圓傳送盒WP中取出而傳送至負載鎖定室700的晶圓進入室710中，也可以將晶圓從負載鎖定室700的晶圓送出室720中取出而傳送到裝載埠220所承載的晶圓傳送盒WP中。

負載鎖定室700根據晶圓所欲傳送的位置，產生與緩衝室800或設備介面系統200的密閉容器210相同的氣壓環境。負載鎖定室700內氣壓環境的調整可以透過合適的手段，例如泵，利用加入氣體或是製造真空的方式改變負載鎖定室700內的氣體含量。當負載鎖定室700內氣壓環境達到期望的壓力時，即可開啟負載鎖定室700與與緩衝室800或設備介面系統200的密閉容器210之間的晶圓通道，晶圓即可自負載鎖定室700被抓取經由晶圓通道傳送至緩衝室800或設備介面系統200的密閉容器210。

緩衝室800又稱為轉移室(Transfer Chamber)。緩衝室800連接負載鎖定室700以及反應室910~940。緩衝室800可設有機器手臂810，以使晶圓在負載鎖定室700以及反應室910~940之間傳送。

於部分實施方式中，反應室910~940可用以進行化學氣相沉積、如高密度電漿 (high density plasma；HDP) 製程、原子層沉積、濺鍍、蝕刻、清洗等步驟，其中化學氣相沉積可以是低壓化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積或其他適當的製程。反應室910~940的數量僅為示意，不應以此數量為限。

晶圓傳送盒WP中的矽晶圓可經由設備介面系統200配置到晶圓進入室710，再由晶圓進入室710進入緩衝室800中，然後緩衝室800內的機器手臂810將晶圓傳送至各製程反應室910~940中。

圖2A至圖2B根據本揭露之部分實施方式之半導體製程機台100於各操作階段之剖面示意圖。於部分實施方式中，設備介面系統200的密閉容器210包括密封空間210S，其由殼體212環繞。殼體212可以由具有適當鋼性的材料組成，例如不銹鋼。殼體212可具有門口212A，以連接晶圓傳送盒WP。殼體212可具有門口212B，以連接負載鎖定室700。

密閉容器210可更包含可移動門蓋214與216，分別位於殼體212的二個側壁上且用以遮蓋進出密封空間210S之殼體212的門口212A、212B。裝載埠220可設置於密封空間210S之外且位於或鄰近於密閉容器210之外側表面上，其中裝載埠220可緊鄰於可移動門蓋214(或者門口212A)。可移動門蓋214可經由操作而開啟或閉合門口212A，進而連通或隔開晶圓傳送盒WP內的空間WPS以及密封空間210S。類似地，可移動門蓋216可經由操作而開啟或閉合門口212B，進而連通或隔開密封空間210S以及負載鎖定室700內的空間。

於部分實施方式中，機器手臂230可設置於密閉容器210中。透過機器手臂230的操作可於晶圓傳送盒WP與負載鎖定室700間經由門口212A、212B傳輸晶圓W。

於部分實施方式中，設備介面系統200更可包含吹氣系統240、氣流調整元件250、氣壓偵測器260、氣體過濾元件270以及控制器290。吹氣系統240、氣流調整元件250、氣壓偵測器260以及氣體過濾元件270可設置於密閉容器210中。吹氣系統240可設置於密封空間210S的上方以從上往下吹氣，從而產生氣流。吹氣系統240可例如為風扇過濾單元(fan filter unit；FFU)。於部分實施方式中，吹氣系統240的下方可以設置有氣體分散板GP，其具有多個通氣孔GPO，以使氣體分散開來。氣體分散板GP可以受到殼體212的支撐。於部分實施方式中，可以省略氣體分散板G。氣體過濾元件270可以設置於吹氣系統240下方，甚至是氣體分散板GP的下方，以過濾氣體中的塵粒。於部分實施方式中，可以省略氣體過濾元件270。氣壓偵測器260可以設置於吹氣系統240的下方以偵測密封空間210S中的氣體壓力。

於部分實施方式中，吹氣系統240的下方可以設置有底板BP，其連接於殼體212，並可支撐密閉容器210中的其他元件(例如圖2A的機器手臂230)。於部分實施方式中，底板BP具有多個通氣孔BPO，以使吹氣系統240提供的氣流可以先後穿過氣體分散板GP以及底板BP而離開密封空間210S。

設備介面系統200中可能存在有塵粒。於部份實施方式中，於殼體212與可移動門蓋214之間設置有密封元件，以密封兩者連接處。密封元件係設置於殼體212、可移動門蓋214之一上或上述兩者之上。密封元件可為如膠條、O型環、凝膠或適用於密封密閉容器210之其他裝置。在部分情況下，設備介面系統200中的塵粒可能來自於這些密封元件。

設備介面系統200中的吹氣系統240持續產生由上往下穩定的氣流，以免塵粒揚起。在某些情況下，在打開可移動門蓋214以及晶圓傳送盒WP的前蓋WPF後、準備從晶圓傳送盒WP中取出矽晶圓時，設備介面系統200中的吹氣系統向下吹動的氣體可能會流通至晶圓傳送盒WP的空間WPS中，並在空間WPS中往上傳遞，而在晶圓傳送盒WP的空間WPS中形成接近封閉的氣流迴圈。此時，設備介面系統200的塵粒可能會經由氣流而傳送至從空間WPS，在空間WPS中因該氣流迴圈而重複流動(於本文中稱為回流)，而使晶圓傳送盒WP的晶圓受到塵粒的汙染。

本揭露之多個實施方式中，藉由設置氣流調整元件250，使設備介面系統200鄰近晶圓傳送盒WP的氣流流速降低。藉此，在打開晶圓傳送盒WP的前蓋WPF以準備從中取出矽晶圓時，設備介面系統200中的吹氣系統向下吹動的氣體較不會流通至晶圓傳送盒WP的空間WPS中，而可免於在空間WPS中形成封閉的氣流迴圈。藉此，可以避免因晶圓傳送盒WP的空間WPS中的回流而保護晶圓傳送盒WP的晶圓W免受到塵粒的汙染。於此，可移動門蓋214可以夾住晶圓傳送盒WP的前蓋WPF，而在開啟門口212A的時候一併打開晶圓傳送盒WP。

詳細而言，氣流調整元件250可設置於吹氣系統240、氣體分散板GP以及氣體過濾元件270的下方、位於殼體212的門口212A的上方且鄰近於殼體212的門口212A。氣流調整元件250沿方向D1(圖2A與圖2B中進出紙面方向)延伸，且氣流調整元件250可沿方向D2鄰接殼體212位於門口212A上方的一部份。氣流調整元件250可以具有多個開口(例如圖3A至圖3C的開口O1~O6)以供氣體通過，其中氣流調整元件250的開口在氣流調整元件250之表面上的面積占比隨著靠近門口212A逐漸變小，以調整鄰近於門口212A的氣流分布。

參照圖2A，於部分實施方式中，將晶圓傳送盒WP放置於裝載埠220上。在開啟可移動門蓋214之前，可以依據氣壓偵測器260所偵測到的密封空間210S的氣體壓力狀態，調整吹氣系統240的強度，以使氣體壓力狀態達到預定的狀態時。此時，氣流經氣流調整元件250而於門口212A處有較慢的氣流分布。

參照圖2B，於氣體壓力狀態達到預定的狀態後，可經由可移動門蓋214而開啟門口212A，此時經由氣流調整元件250的氣流分布，能避免於晶圓傳送盒WP的空間WPS中產生回流，從而避免塵粒因回流而造成晶圓缺陷。且，藉由氣流調整元件250亦可以維持設備介面系統200的密封空間210S內的流場穩定。其後可以進行晶圓搬運等作業。

圖3A是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件250之立體示意圖。圖3B是圖3A之氣流調整元件250之上視示意圖。圖3C是圖3A之氣流調整元件250之側視示意圖。於本實施方式中，氣流調整元件250具有朝方向D1平行延伸的實體部分251~257，而使氣流調整元件250的開口O1~O6可以為長條狀的且朝方向D1平行延伸。

於本實施方式中，實體部分251~257的重心(或中心)沿著方向D2等距分布，且實體部分251~257的寬度隨著靠近門口212A(參考圖2A)逐漸變大，而使開口O1~O6的尺寸隨著靠近門口212A(參考圖2A)逐漸變小，進而使開口O1~O6在氣流調整元件250之表面上的面積占比隨著靠近門口212A(參考圖2A)逐漸降低。於本文中，開口的面積占比可以視為開口於氣流調整元件250的上表面的面積除上氣流調整元件250(即實體部分251~257與開口O1~O6的總和)於其上表面的整體面積。舉例而言，於此，開口O1~O6為狹縫，這些狹縫(即開口O1~O6)的寬度隨著靠近門口212A(參考圖2A)逐漸縮小。

於本實施方式中，氣流調整元件250還具有實體部分258，以連接各實體部分251~257的兩端，而使氣流調整元件250能維持結構穩定。氣流調整元件250的實體部分251~258可以由適當的塑膠材料所形成，例如鐵氟龍。或者，氣流調整元件250的實體部分251~258可以由具有適當剛性的其他材料所組成。

於本揭露之部分實施方式中，氣流調整元件250於方向D1上的長度250L大於氣流調整元件250於方向D2上的寬度250W。舉例而言，氣流調整元件250於方向D1上的長度250L可以在大約175公分至大約195公分的範圍之間。如果超過此範圍可能會結構干擾其他器件(例如另一門口)；如果小於此範圍，可能無法有效地降低靠近門口的氣流速度。氣流調整元件250於方向D2上的寬度250W可以在大約50公分至大約70公分的範圍之間。如果超過此範圍可能會結構干擾其他器件；如果小於此範圍，可能無法有效地降低靠近門口的氣流速度。於部分實施方式中，方向D2垂直於方向D1。氣流調整元件250的高度250H可以在大約35公分至大約45公分的範圍之間。如果超過此範圍可能會結構干擾其他器件；如果小於此範圍，可能會有結構剛性不足的問題，而造成氣流不穩定。

圖4是根據本揭露之部分實施方式之設備介面系統200之立體示意圖。氣流調整元件250於方向D1上的長度250L可設計為大於殼體212的門口212A於方向D1上的長度212AW，以有效地避免於晶圓傳送盒WP中產生回流。舉例而言，氣流調整元件250的長度250L可以大於門口212A的長度212AW大約2公分至大約10公分之間。如果氣流調整元件250的長度250L大於門口212A的長度212AW，且長度250L與長度212AW的差值大於大約10公分，氣流調整元件250可能會結構干擾其他器件(例如另一門口)。如果氣流調整元件250的長度250L小於門口212A的長度212AW，且長度250L與長度212AW的差值大於大約2公分，氣流調整元件250可能無法有效地降低靠近門口的氣流速度。於部分實施方式中，可以設計氣流調整元件250的狹縫(即圖3A至圖3C中的開口O1~O6)於方向D1上的長度大於門口212A於該方向D1上的長度212AW，以建立均勻的氣流分布。於部分實施方式中，氣流調整元件250於方向D2上的寬度250W可設計為小於門口212A的長度212AW，以免佔據過多空間。

圖5是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件250之上視示意圖。本實施方式與圖3A至圖3C的實施方式相似，差別在於：本實施方式中，氣流調整元件250具有寬度相同的多個實體部分251’~255’。於本實施方式中，實體部分251’~255’的重心(或中心)的間距沿著方向D2隨著靠近門口逐漸縮小，而使開口O1’~O4’的尺寸(於此指寬度)隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸變小，進而使開口O1’~O4’的面積占比隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸降低。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。

圖6是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件250之上視示意圖。本實施方式與圖3A至圖3C的實施方式相似，差別在於：本實施方式中，氣流調整元件250具有實體部分259以及其上的多個開口250O。於此，開口250O可以於二維方向上規律或隨機分布，而不同於前述的狹縫(前述圖3A至圖3C的開口O1~O6或圖5的開口O1’~O4’)，前述的狹縫僅於一維方向(例如方向D2)上分布。舉例而言，於此，開口250O為圓孔。於其他實施方式中，開口250O可以是方孔、六角形孔等等，而不以圖中所繪為限。

於本實施方式中，開口250O的尺寸一致，且開口250O的分布密度隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸降低。此處所稱的分布密度可視為氣流調整元件250(即實體部分259與開口250O的總和)每單位面積的開口250O的數量。如此一來，開口250O的面積占比隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸降低，而能夠降低靠近門口212A(參考圖2A與圖4)的氣體流速。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。

圖7是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件250之上視示意圖。本實施方式與圖6的實施方式相似，差別在於：本實施方式中，氣流調整元件250的開口250O分布密度一致，且開口250O的尺寸(於此指直徑)隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸變小。如此一來，開口250O的面積占比隨著靠近門口212A(參考圖2A與圖4)逐漸降低，而能夠降低靠近門口212A(參考圖2A與圖4)的氣體流速。開口250O可以是圓孔、方孔、六角形孔等等，而不以圖中所繪為限。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。

本揭露之多個實施方式中，藉由設置氣流調整元件，使設備介面系統鄰近晶圓傳送盒的氣流流速降低。藉此，在打開晶圓傳送盒以準備從中取出矽晶圓時，設備介面系統中的吹氣系統向下吹動的氣體較不會流通至晶圓傳送盒的空間中，而可免於在晶圓傳送盒的空間中形成封閉的氣流迴圈。藉此，可以避免因晶圓傳送盒的空間中的回流而保護晶圓傳送盒的晶圓免受到塵粒的汙染。

於部分實施方式中，氣流調整元件鄰接殼體位於門口上方的部份。

於部分實施方式中，氣流調整元件的開口的尺寸隨著靠近殼體的門口逐漸縮小。

於部分實施方式中，氣流調整元件的開口的分布密度隨著靠近殼體的門口逐漸降低。

本揭露之部份實施方式提供一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含容器、裝載埠、機器手臂、吹氣系統以及氣流調整元件。容器具有殼體，其中殼體具有門口。裝載埠設置於容器之外且鄰近殼體的門口。機器手臂設置於容器中。吹氣系統用以於容器中產生氣流。氣流調整元件設置於容器中且位於門口以及吹氣系統之間，其中氣流調整元件具有複數個開口，以供氣流之部份通過，其中氣流調整元件沿第一方向延伸，且氣流調整元件沿第二方向鄰接該殼體位於門口上方的一部份，其中第二方向垂直於第一方向，氣流調整元件於第一方向上的長度大於氣流調整元件於第二方向上的寬度。

於部分實施方式中，氣流調整元件於第二方向上的寬度小於門口於第一方向上的長度。

於部分實施方式中，氣流調整元件於第一方向上的長度大於門口於第一方向上的長度。

於部分實施方式中，狹縫的寬度隨著靠近殼體的門口逐漸縮小。

於部分實施方式中，狹縫於方向上的長度大於門口於方向上的長度。

以上概述多個實施方式之特徵，該技術領域具有通常知識者可較佳地了解本揭露之多個態樣。該技術領域具有通常知識者應了解，可將本揭露作為設計或修飾其他程序或結構的基礎，以實行實施方式中提到的相同的目的以及/或達到相同的好處。該技術領域具有通常知識者也應了解，這些相等的結構並未超出本揭露之精神與範圍，且可以進行各種改變、替換、轉化，在此，本揭露精神與範圍涵蓋這些改變、替換、轉化。

100:半導體製程機台 200:設備介面系統 210:密閉容器 210S:密封空間 212:殼體 212A、212B:門口 212AW:長度 214:可移動門蓋 216:可移動門蓋 220:裝載埠 230:機器手臂 240:吹氣系統 250:氣流調整元件 250L:長度 250W:寬度 250H:高度 250O:開口 251~259:實體部分 251’~255’:實體部分 260:氣壓偵測器 270:氣體過濾元件 290:控制器 700:負載鎖定室 710:晶圓進入室 720:晶圓送出室 800:緩衝室 810:機器手臂 910~940:反應室 WP:晶圓傳送盒 WPS:空間 WPF:前蓋 W:晶圓 GP:氣體分散板 GPO:通氣孔 BP:底板 BPO:通氣孔 O1~O6:開口 O1’~O4’:開口 D1、D2:方向

圖1是根據本揭露之部分實施方式之半導體製程機台的配置示意圖。圖2A至圖2B根據本揭露之部分實施方式之半導體製程機台於各操作階段之剖面示意圖。圖3A是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件之立體示意圖。圖3B是圖3A之氣流調整元件之上視示意圖。圖3C是圖3A之氣流調整元件之側視示意圖。圖4是根據本揭露之部分實施方式之設備介面系統之立體示意圖。圖5是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件之上視示意圖。圖6是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件之上視示意圖。圖7是根據本揭露之部分實施方式之氣流調整元件之上視示意圖。

200:設備介面系統 210:密閉容器 210S:密封空間 212:殼體 212A,212B:門口 214:可移動門蓋 216:可移動門蓋 220:裝載埠 230:機器手臂 240:吹氣系統 250:氣流調整元件 260:氣壓偵測器 270:氣體過濾元件 290:控制器 700:負載鎖定室 800:緩衝室 WP:晶圓傳送盒 WPS:空間 WPF:前蓋 W:晶圓 GP:氣體分散板 GPO:通氣孔 BP:底板 BPO:通氣孔 D1,D2:方向

Claims

一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含：一容器，具有一殼體，其中該殼體具有一門口；一裝載埠，設置於該容器之外且鄰近該殼體的該門口；一機器手臂，設置於該容器中；一吹氣系統，用以於該容器中產生一氣流；以及一氣流調整元件，設置於該容器中且位於該門口以及該吹氣系統之間，其中該氣流調整元件具有複數個開口，以供該氣流之一部份通過，該氣流調整元件的該些開口在該氣流調整元件之一表面上的面積占比隨著靠近該殼體的該門口逐漸降低。
如請求項1所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件鄰接該殼體位於該門口上方的一部份。
如請求項1所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件的該些開口的尺寸隨著靠近該殼體的該門口逐漸縮小。
如請求項1所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件的該些開口的分布密度隨著靠近該殼體的該門口逐漸降低。
一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含：一容器，具有一殼體，其中該殼體具有一門口；一裝載埠，設置於該容器之外且鄰近該殼體的該門口；一機器手臂，設置於該容器中；一吹氣系統，用以於該容器中產生一氣流；以及一氣流調整元件，設置於該容器中且位於該門口以及該吹氣系統之間，其中該氣流調整元件具有複數個開口，以供該氣流之一部份通過，其中該氣流調整元件沿一第一方向延伸，且該氣流調整元件沿一第二方向鄰接該殼體位於該門口上方的一部份，其中該第二方向垂直於該第一方向，該氣流調整元件於該第一方向上的一長度大於該氣流調整元件於該第二方向上的一寬度。
如請求項5所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件於該第二方向上的該寬度小於該門口於該第一方向上的一長度。
如請求項5所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件於該第一方向上的該長度大於該門口於該第一方向上的一長度。
一種用於半導體製程機台之設備介面系統，包含：一容器，具有一殼體，其中該殼體具有一門口；一裝載埠，設置於該容器之外且鄰近該殼體的該門口；一機器手臂，設置於該容器中；一吹氣系統，用以於該容器中產生一氣流；以及一氣流調整元件，設置於該容器中且位於該門口以及該吹氣系統之間，其中該氣流調整元件具有複數個狹縫，以供該氣流之一部份通過，且該些狹縫的寬度隨著靠近該殼體的該門口逐漸縮小。
如請求項8所述之設備介面系統，其中該氣流調整元件具有複數個實體部分，每個該些實體部分位於每二個相鄰的該些狹縫之間，且該些實體部分的寬度隨著靠近該殼體的該門口逐漸增大。
如請求項8所述之設備介面系統，其中該些狹縫於一方向上的一長度大於該門口於該方向上的一長度。