TW202347438A - 半導體製造系統 - Google Patents
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- TW202347438A TW202347438A TW112105571A TW112105571A TW202347438A TW 202347438 A TW202347438 A TW 202347438A TW 112105571 A TW112105571 A TW 112105571A TW 112105571 A TW112105571 A TW 112105571A TW 202347438 A TW202347438 A TW 202347438A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 108
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 humidity Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/26—Drying gases or vapours
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
提供一種半導體製造系統。半導體製造系統包括具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到設備前端模組；以及，晶圓濕度控制裝置，嵌合於設備前端模組，用於產生氣幕來保護半導體晶圓。晶圓濕度控制裝置包括進氣層，具有進氣口以接收氣體；均勻層，整合於進氣層，且設計用於重新分配氣體；以及，導流結構，具有組裝在一起的多個部件以保持均勻層，並與進氣層整合。
Description
半導體積體電路(IC)工業經歷了快速增長。IC材料和設計的技術進步產生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小且更複雜的電路。在IC演進過程中，在幾何尺寸(即，通過製程可形成的最小元件(或線))減小的同時，功能密度(即，單位晶片面積中的互連裝置的數量)已普遍增加。此種按比例縮小製程通常通過增加生產效率和降低相關成本來提供很多益處。這樣的按比例縮小也增加了IC處理與製造的複雜程度，為了實現這些進步，需要在IC處理與製造進行類似的發展。
舉例來說，在 IC 製造中，對粒子、濕度及其他污染物的控制極具挑戰性。即使是較小的粒子也可能是影響產量的缺陷，需要消除或大幅減少。在其他示例中，現有的濕度控制裝置具有可能產生應力、變形及其他缺陷的結構，導致所需功能無法被實現。因此，需要一種半導體系統及其製造與使用方法來解決上述問題。
本揭露總體上涉及一種半導體製造系統。以下揭露內容提供多個不同實施例或示例，用於實施不同特徵。本揭露可能在各種示例中重複使用參考編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，並非指定其在各種實施例及/或組態之間的關係。再者，元件與配置的具體示例描述如下，以簡化本揭露。當然，這些僅僅是示例，並非用以限定本揭露。舉例而言，以下敘述中提及第一特徵形成於第二特徵上方或形成於第二特徵上，可能包含第一特徵與第二特徵形成直接接觸的實施例，也可能包含額外的特徵形成於第一特徵與第二特徵之間，使得第一特徵與第二特徵不直接接觸的實施例。此外，在本揭露中，一個特徵形成在另一個特徵上、一個特徵連接於另一個特徵及/或一個特徵耦接於另一個特徵可能包含前述特徵形成直接接觸的實施例，也可能包含額外的特徵形成插入前述特徵之間的實施例，使得前述特徵不直接接觸。
此外，本揭露可能在各種示例中重複使用參考編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，並非指定其在各種實施例及/或組態之間的關係。再者，一個特徵形成在另一個特徵上、一個特徵連接於另一個特徵及/或一個特徵耦接於另一個特徵可能包含前述特徵形成直接接觸的實施例，也可能包含額外的特徵形成插入前述特徵之間的實施例，使得前述特徵不直接接觸。另外，空間上相關的用語，例如「下部的」、「上部的」、「水平」、「垂直」、「在…上方」、「在…之上」、「在…下方」、「在…之下」、「上」、「下」、「頂部」、「底部」等及其衍生用語(例如如「水平地」、「向下地」、「向上地」等)可用於此，以便於描述本揭露中的一個特徵元件相對於另一個特徵的關係。此空間上相關的用語意在涵蓋包含前述特徵的裝置的不同方位。更進一步而言，當採用「大約」、「近似」等來描述數值或數值範圍時，此用語意在涵蓋包含所述數值在內的合理範圍內的數值，或本領域技術人員理解的其他值。舉例來說，「大約5奈米」的用語，其包含從4.5奈米到5.5奈米的尺度範圍。
本揭露提供了一種具有積體晶圓濕度控制裝置的積體電路系統(或半導體系統)的各種實施例。積體晶圓濕度控制裝置具有減少應力和變形的設計、結構及其組裝方法。
圖1是根據本揭露一實施例的各種態樣所建構的積體電路系統(也稱為半導體系統)10的示意圖。在一些實施例中，半導體系統10設計用於半導體製造。半導體系統10包括設備前端模組(EFEM)12，設計作為在超潔淨儲存載體與用於處理、測量及測試的各種系統(也稱為製程系統)之間運送半導體晶圓(或光罩)的模組。實施於製程系統的處理包括沉積、蝕刻、離子植入、微影製程及其組合。
設備前端模組12包括一或多個卸載模組(load port)14，設計用於從晶圓載盤16至處理工具24接收半導體晶圓17與傳送半導體晶圓17。晶圓載盤16為設計用於保持與傳送一或多個半導體晶圓17並於運送過程中對其進行保護的容器。在揭露的實施例中，晶圓載盤16為前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod)，設計用於保持半導體晶圓17，例如300毫米的矽晶圓。
半導體系統10更包括透過界面22與設備前端模組12耦接的一或多個處理工具24，以使半導體晶圓17能夠在設備前端模組12與處理工具24之間傳送。處理工具24為將一或多個製程施行於半導體晶圓17的平台，例如製造、測量、測試及其組合。在一些示例中，製造包括沉積、蝕刻、離子植入、化學機械研磨、微影製程、其他合適的製程及其組合。在一些示例中，測量包括測量電阻、反射率、粒子汙染、電性測量、其他合適的製程及其組合。在一些示例中，測試包括在完成IC製造之後及切割之前篩選故障晶片的測試。
在揭露的實施例中，處理工具24為沉積設備，例如化學氣相沉積或物理氣相沉積。在進一步的實施例中，處理工具24包括晶圓平台26，設計用於在沉積過程中固持一或多個半導體晶圓17並且能夠移動，例如旋轉及/或轉換運動。處理工具24也可包括一或多個機械手28，用於在設備前端模組12與晶圓平台26之間或晶圓平台26之間傳送半導體晶圓17。
回到設備前端模組12，設備前端模組12包括嵌合於與整合於設備前端模組12的晶圓濕度控制裝置20。晶圓濕度控制裝置20為設計用於控制儲存於晶圓載盤16內的半導體晶圓17的濕度的裝置，且晶圓載盤16固定於卸載模組14上。設備前端模組12包括整合於機構以控制濕度的各種元件。特別是，設備前端模組12包括進氣口18與排氣口19，其中進氣口18耦接於氣體供應源以提供氣體23，且排氣口19能夠使氣體23以適當的氣流方向、壓力及分配直接排出晶圓濕度控制裝置20，據以形成氣幕(或氣牆)21來隔離並保護儲存於晶圓載盤16內的半導體晶圓17免於受到環境濕度的影響。氣體23可包括極度潔淨乾燥空氣、氮氣、其他合適的氣體或其組合。晶圓濕度控制裝置20於圖2A與圖2B中進一步描述。
圖2A與圖2B是根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置20的示意圖。圖2C是圖2B根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置20的透視圖。圖2D是圖2A或圖2B根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置20的剖視圖。
在本實施例中，晶圓濕度控制裝置20包括具有進氣口18的進氣層30，以將氣體23引入晶圓濕度控制裝置20。進氣口18可包括一或多個氣體噴嘴34，設置用於分配氣體，例如朝向飽和壓力層36。在本實施例中，進氣口18可包括一個氣體噴嘴34，如圖2A所示。可替換地，進氣口18包括多個氣體噴嘴34，例如三個氣體噴嘴34，如圖2B所示。進氣層30也作為晶圓濕度控制裝置20的帽或蓋。進氣層30是由一或多種金屬材料(例如不鏽鋼或鋁合金)、其他合適的材料(例如玻璃、石英或氧化鋁)、其他合適的材料或其組合製成。
請繼續參考圖2A，晶圓濕度控制裝置20包括飽和壓力層36，且具有多個孔洞38形成於其上。飽和壓力層36設計用於透過孔洞38維持或甚至增加氣體壓力，並控制氣體分布。特別是，孔洞38不均勻分布於飽和壓力層36，且具有不同的孔洞尺寸與不同的孔洞密度。在揭露的實施例中，孔洞38形成在兩個區域內，其中第一區域36A靠近進氣口18，且第二區域36B遠離進氣口18。舉例而言，第一區域36A與進氣口18相距第一距離，且第二區域36B與進氣口18相距大於第一距離K的第二距離。在更進一步的示例中，第一區域36A與進氣口18之間的最大距離小於第二區域36B與進氣口18之間的最短距離。在此情況下，進氣口18在進氣層30中配置更靠近單一側，如圖2D所示。在揭露的晶圓濕度控制裝置20的結構中，進氣口18配置在單一側，且飽和壓力層36劃分為靠近進氣口18的第一區域36A與遠離進氣口18的第二區域36B。
孔洞38包括在第一區域36A內的第一組孔洞38A與在第二區域36B內的第二組孔洞38B。第一組孔洞38A具有第一孔洞尺寸與第一孔洞密度，且第二組孔洞38B具有大於第一孔洞尺寸的第二孔洞尺寸與大於第一孔洞密度的第二孔洞密度。孔洞38的設計有助於實現均勻的氣流。在飽和壓力層36上的孔洞38的設計參照圖3進一步描述。圖3是飽和壓力層的俯視圖，其包括配置於第一區域36A的第一組孔洞38A與配置於第二區域36B內的第二組孔洞38B，界定如上。飽和壓力層36更可包括形成在飽和壓力層36的四個角落的第三組孔洞38C。
在揭露的實施例中，每一組孔洞沿著定向在Y方向的線配置。特別是，第一組孔洞38A設計為具有第一孔徑h1及第一孔距W1(從一個孔洞到相鄰的另一個孔洞的尺寸)。第二組孔洞38B設計為具有第二孔徑h2及第二孔距W2。第三組孔洞38C設計為具有第三孔徑h3及第三孔距W3。W1＞W2＞W3，且h1＜h2＜h3=。在一些實施例中，W1介於1毫米至50毫米之間，且第三孔徑h3介於0.1毫米至3毫米之間。在一些實施例中，孔徑比為h2/h1=h3/h2，且介於1.2至1.6之間。孔距比為W1/W2=W2/W3，且介於1.3至1.8之間。因靠近進氣口18的壓力是比較高的，此配置設計用於減少較高壓力的區域並分配氣體，使得壓力保持均勻。
在一些實施例中，在角落區域中的孔洞38C包括適當數量的孔洞38C，例如每一個角落具有四個或大於四個孔洞38C。在一些實施例中，孔洞38設計為具有漸變結構，孔洞尺寸與孔洞密度隨著孔洞38與進氣口18之間的距離的增加而逐漸加大。此配置對於分配氣流與保持均勻壓力提供了更大的自由度。
飽和壓力層36是由任何合適的材料製成，其包括塑料、聚合物、金屬、玻璃、石英、陶瓷或其組合。在一些實施例中，形成飽和壓力層36的塑料或聚合物包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、超高分子量聚乙烯(UPE)、聚乙烯(PE)或其組合。在一些實施例中，形成飽和壓力層36的金屬包括鋁合金、不鏽鋼、鈦合金、其他合適的金屬或其組合。在一些實施例中，形成飽和壓力層36的陶瓷包括氧化鋁、氧化鋯、其他合適的陶瓷或其組合。
請繼續參考圖2A，晶圓濕度控制裝置20包括配置在飽和壓力層36的兩側的二個O形環44，使得飽和壓力層36無縫地整合於晶圓濕度控制裝置20中的其他元件以減少洩漏。O形環44是由軟性材料製成，例如橡膠、其他合適的聚合材料或其組合。O形環44將通過晶圓濕度控制裝置20的說明與其他元件進一步描述。
請繼續參考圖2A，晶圓濕度控制裝置20包括均勻層40。均勻層40設計為進一步控制氣體23的流速、分配、密度或壓力、流向或其組合的機構。特別是，均勻層40成形有不平坦表面，以提升對氣體23的控制。具有此設計外型的均勻層40能夠有效地壓縮氣體23以增加氣體壓力，也能夠均勻地分配氣體23。在揭露的實施例中，均勻層40包括具有高度H與間距P的皺褶42。此進一步繪示於圖4的均勻層40中被放大的部分40A，並繪示於圖4的左側。在一些示例中，H/P的比大於20被配置更靠近進氣口18。在一些示例中，高度H介於2毫米至40毫米之間。間距P介於0.1毫米至2毫米之間。在又一些示例中，均勻層40的長度大於400毫米，且皺褶42的數量大於400個。均勻層40的不平坦表面提供氣流與均勻層40之間更多的交互作用，據此更能控制氣體流速與流向。均勻層40的上述設計與其有效性通過理論分析、實現及模組所確定。
均勻層40是由任何合適的材料製成，其包括塑料或聚合物，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、超高分子量聚乙烯(UPE)、聚乙烯(PE)或其組合。均勻層40固定於導流層46中，詳述如下文。
請繼續參考圖2，晶圓濕度控制裝置20包括整合於晶圓濕度控制裝置20中的其他元件的導流層46。導流層46作用於容納均勻層40，且進一步作為濕度控制裝置20的基礎框架。導流層46進一步為氣體23流經均勻層40提供了更多空間，使得氣體23可在離開晶圓濕度控制裝置20之前被更均勻地分配。導流層46包括鋁合金、不鏽鋼、鈦合金、其他合適的金屬、其他合適的合金或其組合。
導流層46並非一體式特徵，反而是包括組裝在一起的多個部件。此多件式設計的導流層46對於調整導流層46的配置及均勻層40的安裝提供了更大的自由度，消除或減少應力與變形，進一步確保晶圓濕度控制裝置20的密封結構以改善晶圓濕度控制裝置20的過濾性能。因此，導流層46也作為導流結構46。實驗、模擬及分析顯示出若導流層46為一體的，則均勻層40不易安裝於導流層46中，且可能造成均勻層40產生應力及變形。若均勻層40過小，則導流層46的內壁與均勻層40之間可能留有間隙。若均勻層40過大，則均勻層40可能變形，例如導流層46的矩形框架彎曲與凸出。特別是，在導流層46中的均勻層40的安裝時間拉長，並且可能因工程師的不同而產生安裝差異，不符成本效益，並且產生品質管控的疑慮。藉由所揭露的多件式的導流結構46，均勻層40的安裝可由具有良好的品質管控、降低的應力及成本效益的良好定義的程序施行。
在一些實施例中，導流層46包括二個端部特徵48與二個側部特徵50，並藉由例如螺絲或其他合適的治具等機構將各個部件與固定在其中的均勻層40組裝在一起。因導流層46包括多個部件，相鄰部件之間的間距可調，以減少應力與變形，從而優化配置。
在一些實施例中，導流結構46中的各個部件可包括一些凹部46A，其設計且配置用於固定均勻層40。此將參照圖5、圖6A及圖6B進一步說明。圖5是根據一些實施例所建構的導流結構46的各個部件的透視圖。圖6A與圖6B是根據一些實施例所建構的導流結構46與均勻層40的透視圖。在揭露的實施例中，導流結構46包括二個端部特徵48與二個側部特徵50。端部特徵48與側部特徵50包括凹部46A，其配置為當組裝在一起時用於保持均勻層40的空間，如圖6A與圖6B所示。在一些實施例中，凹部46A具有圖5示出的高度H1。根據一些實施例，高度H1介於5毫米至20毫米之間。
在一些實施例中，附加地或替代地，可採用其他特徵或材料將均勻層40固定在導流結構46中。在一些實施例中，導流結構46更包括插入端部特徵48與側部特徵50之間的間隔件52。隔件52是由合適的材料製成的軟墊，例如橡膠、其他合適的聚合材料或其組合。間隔件52與O形環44的功能與組成相似，設計用於提供減少洩漏的密封效果。間隔件52基於其柔軟性也可減少應力與變形。
在一些實施例中，進氣層30在進氣層30的底表面包括凹部(例如凹槽)，其具有使O形環44能夠配合的形狀和尺寸。類似地，導流結構46還包括位於頂面的凹部(例如凹槽)46B，其具有使O形環44能夠配合的形狀和尺寸。在此情況下，對應於O形環44的導流結構46的凹部46B形成在各個特徵上，例如導流結構46的端部特徵48與側部特徵50。如圖6A所示，凹部46B包括高度H2。根據一些實施例，高度H2介於在0.1毫米至5毫米之間。
導流結構46可以包括更多或更少數量的部件，且這些部件被設計和配置用於執行相同的功能。在一些實施例中，導流層46包括二個L形特徵54，如圖7的俯視角度所示。每一個L形特徵54作為一個端部特徵48和一個側部特徵50的組合。在進一步的實施例中，導流結構46可進一步包括插入在二個L形特徵54的界面之間的二個間隔件56。間隔件56與間隔件52的組成與功能相似。L形特徵54也包括在頂部上對應於O形環44的凹槽和內壁上的凹部，此凹部設計成具有容納均勻層40的空間。
本揭露提供一種嵌合於設備前端模組的晶圓濕度控制裝置的結構。晶圓濕度控制裝置設計為產生具有適當氣流、氣體壓力和氣體分布的氣幕的機構，以有效隔離並保護儲存於晶圓載盤內的半導體晶圓，其中，晶圓載盤定位於設備前端模組的卸載模組。晶圓濕度控制裝置包括整合在一起的進氣層、飽和壓力結構、均勻層以及導流結構。尤其是，導流結構包括組裝在一起的多個部件，使得均勻層可以容易地安裝在導流結構中並保持在其中。提供了晶圓濕度控制裝置的各個實施例，尤其是其中的導流結構。各個優點可呈現於各個實施例中。通過利用所揭露的晶圓濕度控制裝置的結構，均勻層40的安裝可由具有良好的品質管控的良好定義的程序施行。此外，當均勻層安裝在導流結構內部時，多件式的導流結構提供了更大的調整自由度，減少均勻層的應力與變形。
在一示例方面，本揭露提供一種半導體製造系統。半導體製造系統包括具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到設備前端模組；以及，晶圓濕度控制裝置，嵌合於設備前端模組，用於產生氣幕來保護半導體晶圓。晶圓濕度控制裝置包括進氣層，具有進氣口以接收氣體；均勻層，整合於進氣層，且設計用於重新分配氣體；以及，導流結構，具有組裝在一起的多個部件以保持均勻層，並與進氣層整合。
本揭露的另一方面涉及一種半導體製造系統。半導體製造系統包括具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到設備前端模組；以及，晶圓濕度控制裝置，嵌合於設備前端模組，用於產生氣幕來保護半導體晶圓。晶圓濕度控制裝置包括進氣層，具有進氣口以接收氣體；均勻層，整合於進氣層，且設計用於重新分配氣體；導流結構，具有組裝在一起的多個部件，並保持均勻層；以及，飽和壓力層，設計用於維持氣體的壓力，且配置在進氣層與導流結構之間。
本揭露的又一方面涉及一種半導體製造系統。半導體製造系統包括具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載傳送到設備前端模組；處理工具，耦接於設備前端模組，且設計用於對半導體晶圓施行製程；以及，晶圓濕度控制裝置，嵌合於設備前端模組，用於產生氣幕來保護半導體晶圓。晶圓濕度控制裝置包括進氣層，具有進氣口以接收氣體；均勻層，整合於進氣層，且設計用於重新分配氣體；導流結構，具有組裝在一起的二個L形特徵，並容納均勻層；以及，飽和壓力層，設計用於維持氣體的壓力，且固定在進氣層與導流結構之間。
前述內容概述了數個實施例的特徵樣。本領域技術人員應理解，他們可容易地使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或達成與本文中所介紹的實施例相同的優點。本領域技術人員也應認識到，此種等效構造並不背離本揭露的精神及範圍，而且他們可在不背離本揭露的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、代替及變更。
10:半導體系統
12:設備前端模組
14:卸載模組
16:晶圓載盤
17:半導體晶圓
18:進氣口
19:排氣口
20:晶圓濕度控制裝置
21:氣幕
22:界面
23:氣體
24:處理工具
26:晶圓平台
28:機械手
30:進氣層
34:氣體噴嘴
36:飽和壓力層
36A:第一區域
36B:第二區域
38、38A~38C:孔洞
40:均勻層
42:皺褶
44:O形環
46:導流層/導流結構
46A、46B:凹部
48:端部特徵
50:側部特徵
52、56:間隔件
54:L形特徵
H、H1、H2:高度
h1:第一孔徑
h2:第二孔徑
h3:第三孔徑
P:間距
W1:第一孔距
W2:第二孔距
W3:第三孔距
藉由結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為使論述清晰，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1是根據本揭露一實施例的各種態樣所建構的具有晶圓濕度控制裝置的半導體系統的方塊圖。
圖2A與圖2B是圖1根據本揭露一些實施例的各種態樣所建構的晶圓濕度控制裝置的示意圖。
圖2C是圖2B根據本揭露一些實施例的各種態樣所建構的晶圓濕度控制裝置的透視圖。
圖2D是根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置的剖視圖。
圖3是根據本揭露一實施例的各種態樣所建構的晶圓濕度控制裝置的飽和壓力層的俯視圖。
圖4是根據本揭露一實施例的各種態樣所建構的晶圓濕度控制裝置的均勻層的示意圖。
圖5是根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置的導流結構的各個部件的透視圖。
圖6A與圖6B是根據一些實施例所建構的晶圓濕度控制裝置的導流結構與均勻層的透視圖。
圖7是根據本揭露一實施例的各種態樣所建構的晶圓濕度控制裝置的導流結構的俯視圖。
10:半導體系統
12:設備前端模組
14:卸載模組
16:晶圓載盤
17:半導體晶圓
18:進氣口
19:排氣口
20:晶圓濕度控制裝置
21:氣幕
22:界面
23:氣體
24:處理工具
26:晶圓平台
28:機械手
Claims (20)
- 一種半導體製造系統，包括： 具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到所述設備前端模組；以及 晶圓濕度控制裝置，嵌合於所述設備前端模組，且配置用於產生氣幕來保護所述半導體晶圓，其中所述晶圓濕度控制裝置包括： 進氣層，具有進氣口以接收氣體； 均勻層，整合於所述進氣層，且設計用於重新分配所述氣體；以及 導流結構，具有組裝在一起的多個部件以保持所述均勻層，並與所述進氣層整合。
- 如請求項1所述的半導體製造系統，其中所述進氣口耦接於氣體供應源，以接收包括氮氣與極度潔淨乾燥空氣中的一者的所述氣體。
- 如請求項2所述的半導體製造系統，更包括飽和壓力層，整合於所述進氣層與所述導流結構，所述飽和壓力層設計用於維持所述氣體的壓力。
- 如請求項3所述的半導體製造系統，其中所述導流結構包括組裝在一起的二個端部特徵與二個側部特徵，且保持所述均勻層。
- 如請求4所述的半導體製造系統，其中所述導流結構更包括多個間隔件，且每一個所述間隔件插入一個所述端部特徵與一個所述側部特徵之間的界面。
- 如請求項3所述的半導體製造系統，其中所述導流結構更包括組裝在一起的二個L形特徵，並保持所述均勻層。
- 如請求項3所述的半導體製造系統，更包括配置在所述飽和壓力層的相對側的二個O形環，使得所述飽和壓力層的一側透過一個所述O形環貼附於所述導流結構，並使所述飽和壓力層的另一側透過另一個所述O形環貼附於所述進氣層。
- 如請求項7所述的半導體製造系統，其中所述均勻層包括塑料與聚合材料的組合，且所述均勻層造型為具有高度H與間距P的多個皺褶，H/P的比大於20。
- 如請求項7所述的半導體製造系統，其中所述飽和壓力層具有多個孔洞，且所述多個孔洞包括靠近所述進氣口的第一組孔洞與遠離所述進氣口的的第二組孔洞，所述第一組孔洞具有第一孔洞尺寸與第一孔洞密度，且所述第二組孔洞具有大於所述第一孔洞尺寸的第二孔洞尺寸與大於所述第一孔洞密度的第二孔洞密度。
- 如請求項8所述的半導體製造系統，其中所述飽和壓力層的材料選自由金屬、玻璃、石英、陶瓷材料、聚合物或其組合組成的群組。
- 如請求項1所述的半導體製造系統，包括處理工具，整合於所述設備前端模組，且設計用於對所述半導體晶圓施行製程。
- 如請求項11所述的半導體製造系統，其中所述處理工具設計為對所述半導體晶圓施行製程、測量及測試中的至少一者。
- 如請求項12所述的半導體製造系統，其中所述製程包括沉積、蝕刻、離子植入、化學機械研磨、微影製程或其組合。
- 一種半導體製造系統，包括： 具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到所述設備前端模組；以及 晶圓濕度控制裝置，嵌合於所述設備前端模組，且配置用於產生氣幕來保護所述半導體晶圓，其中所述晶圓濕度控制裝置包括： 進氣層，具有進氣口以接收氣體； 均勻層，整合於所述進氣層，且設計用於重新分配所述氣體； 導流結構，具有組裝在一起的多個部件，並保持所述均勻層；以及 飽和壓力層，設計用於維持所述氣體的壓力，且配置在所述進氣層與所述導流結構之間。
- 如請求項14所述的半導體製造系統，其中所述導流結構包括： 組裝在一起的二個端部特徵與二個側部特徵，且保持所述均勻層；以及 四個間隔件，每一個所述間隔件插入一個所述端部特徵與一個所述側部特徵之間的界面。
- 如請求項14所述的半導體製造系統，其中所述導流結構包括： 組裝在一起的二個L形特徵，且保持所述均勻層；以及 二個間隔件，每一個所述間隔件插入所述二個L形特徵之間的界面。
- 如請求項14所述的半導體製造系統，其中所述均勻層包括塑料與聚合材料的組合，且所述均勻層造型為具有高度H與間距P的多個皺褶，H/P的比大於20。
- 如請求項14所述的半導體製造系統，其中所述飽和壓力層具有形成於其上的多個孔洞，且所述多個孔洞包括靠近所述進氣口的第一組孔洞與遠離所述進氣口的的第二組孔洞，所述第一組孔洞具有第一孔洞尺寸與第一孔洞密度，且所述第二組孔洞具有大於所述第一孔洞尺寸的第二孔洞尺寸與大於所述第一孔洞密度的第二孔洞密度。
- 一種半導體製造系統，包括： 具有卸載模組的設備前端模組，以將半導體晶圓從晶圓載盤傳送到所述設備前端模組； 處理工具，耦接於所述設備前端模組，且設計用於對所述半導體晶圓施行製程；以及 晶圓濕度控制裝置，嵌合於所述設備前端模組，且配置用於產生氣幕來保護所述半導體晶圓，其中所述晶圓濕度控制裝置包括： 進氣層，具有進氣口以接收氣體； 均勻層，整合於所述進氣層，且設計用於重新分配所述氣體； 導流結構，具有組裝在一起的二個L形特徵，並容納所述均勻層；以及 飽和壓力層，設計用於維持所述氣體的壓力，且固定在所述進氣層與所述導流結構之間。
- 如請求項19所述的半導體製造系統，其中所述均勻層造型為具有高度H與間距P的多個皺褶，H/P的比大於20，所述飽和壓力層具有形成於其上的多個孔洞，且以不同的孔洞尺寸與不同的孔洞密度不均勻分布。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202263329977P | 2022-04-12 | 2022-04-12 | |
| US63/329,977 | 2022-04-12 | ||
| US202263340243P | 2022-05-10 | 2022-05-10 | |
| US63/340,243 | 2022-05-10 | ||
| US17/885,199 | 2022-08-10 | ||
| US17/885,199 US20230369082A1 (en) | 2022-05-10 | 2022-08-10 | Semiconductor System with an Integrated Wafer Humidity Control Device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202347438A true TW202347438A (zh) | 2023-12-01 |
| TWI855555B TWI855555B (zh) | 2024-09-11 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230146462A (ko) | 2023-10-19 |
| DE102023104881A1 (de) | 2023-10-12 |
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