JP2003297763A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーンエアを取り込みケミカルフィルタの
設置も可能にする。 【解決手段】 ＩＣ工場のクリーンルーム１に設置され
たＣＶＤ装置１０の筐体１１内の回転棚設置室１８の奥
には全面をカバーするクリーンユニット４０が建て込ま
れ、クリーンユニット４０のパーティクルフィルタ４１
は設置室１８に露出しファン４２群、ダクト部４３の下
流側に配置されている。筐体１１の回転棚設置室１８の
天井の上に敷設されたダクト４４の吸込口４５は筐体１
１の正面側で開口され、吹出口４６はダクト部４３に接
続され、ダクト４４の吸込口４５に設置されたファン４
７の下流側にはケミカルフィルタ４８が設置されてい
る。 【効果】 ＣＶＤ装置のバッチ処理中、回転棚設置室や
ポッド移載装置設置室を流下するクリーンエア５０でパ
ーティクルをグレーチング２の下方に排出でき、取り込
まれたガス状汚染化学物質はケミカルフィルタ４８によ
り捕集できる。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、塵埃や金属等による汚染防止技術に係り、
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の
製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作
り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶
縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散し
たりするバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置に利用して有効
なものに関する。 【０００２】 【従来の技術】ＩＣの製造方法においてウエハに絶縁膜
や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したり
する工程には、バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、
単にＣＶＤ装置という。）が広く使用されている。従来
のこの種のＣＶＤ装置においては、ウエハの表面を汚染
しＩＣの製造方法の歩留りに悪影響を及ぼすパーティク
ル（塵埃）を抑えるために、筐体の内部にクリーンエア
を吹き出すクリーンユニットが設置されており、クリー
ンユニットから筐体の内部に吹き出されたクリーンエア
は、例えば、ダウンブローに流れるように設定されてい
る。一般に、クリーンユニットの吸込口は筐体の上面に
配置されており、ＣＶＤ装置が設置されたクリーンルー
ムの天井の直下のクリーンエアを取り込むようになって
いる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、背丈が
高いＣＶＤ装置においては、ＣＶＤ装置が据え付けられ
るＩＣ製造工場のクリーンルームの天井面とＣＶＤ装置
の上面との間のスペースを充分に確保し得ないことによ
り、筐体の上面に配置された吸込口からクリーンエアを
充分に取り込むことができないために、クリーンユニッ
トを介して筐体の内部に吹き出されるクリーンエアを充
分に供給することができない場合がある。ＣＶＤ装置の
背丈がクリーンルームの天井の高さよりも高くなる最悪
の条件の場合（図５を参照）には、クリーンルーム自体
にクリーンエアを吹き出すためにクリーンルームの天井
裏に埋め込まれたクリーンユニットが撤去され、ＣＶＤ
装置がクリーンルームに据え付けられる場合がある。こ
の場合には、ＣＶＤ装置のクリーンユニットはクリーン
ルームのクリーンユニットを通っていないエアを取り込
むことになるため、パーティクルがフィルタに詰まる速
度が速くなり、フィルタの寿命が短縮されてしまう。 【０００４】近年、反応性の高いガス状汚染化学物質で
ある酸性ガスやアルカリ性ガスおよび有機ガスもウエハ
を汚染することが解明されており、それらのガスを分解
して除去するためのフィルタ（以下、ケミカルフィルタ
という。）のＣＶＤ装置への設置が要求されて来てい
る。 【０００５】本発明の目的は、クリーンエアを取り込む
ことができるとともに、ケミカルフィルタの設置も容易
に可能な半導体製造装置を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、クリーンルームに設置される半導体製造装置で
あって、筐体の内部にクリーンエアを吹き出すクリーン
ユニットを備えている半導体製造装置において、前記ク
リーンエアを吸い込んで前記クリーンユニットに供給す
るダクトの吸込口が前記クリーンルームの天井の下方に
配されているとともに、その吹出口が前記筐体の上面に
配されていることを特徴とする。 【０００７】前記した手段によれば、ダクトは常にクリ
ーンエアが供給されるクリーンルームの天井よりも下側
に位置する筐体の側方からクリーンエアを吸い込むこと
ができるため、クリーンユニットはクリーンエアを筐体
内部に吹き出すことができる。また、ケミカルフィルタ
はダクトの吸込口からクリーンユニットの間に所望に応
じて介設することができる。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【０００９】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、図１〜図４に示されているように、ＣＶ
Ｄ装置（バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置）として構成さ
れている。ＣＶＤ装置１０はＩＣの製造工場のクリーン
ルーム１に設置されている。ＣＶＤ装置１０は気密室構
造に構築された筐体１１を備えており、筐体１１のベー
ス１２はクリーンルーム１のグレーチング２の上に設置
されている。一般に、クリーンルームにはＣＶＤ装置等
の半導体製造装置の正面側と背面側とを隔離するパーテ
ィション（図５の符号８を参照）が装置の正面に合わせ
て敷設されている。これは、装置の正面側は製品となる
ウエハが搬送される雰囲気であって高い清浄度が必要な
エリアであり、それに比べて背面側は低い清浄度で足り
るエリアであるという理由による。そこで、本実施の形
態に係るＣＶＤ装置１０の筐体１１の正面壁側はクリー
ンルーム１における清浄度の高い通路側に配置されてお
り、正面壁側は常に高い清浄度を維持するようになって
いる。 【００１０】ところで、ウエハを収容して搬送するため
のキャリア（搬送治具）としては、互いに対向する一対
の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているカ
セットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形
成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているＦ
ＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドと
いう。）とがある。ウエハのキャリアとしてポッドが使
用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送され
ることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存
在していたとしてもウエハの清浄度は維持することがで
きる。したがって、昨今はウエハに作り込まれる集積回
路の微細化が進むにつれ、ポッドが使用される場合が増
加して来ている。本実施の形態に係るＣＶＤ装置１０に
おいては、ウエハ３のキャリアとしてはポッド４が使用
されている。 【００１１】図１および図４に示されているように、筐
体１１の正面の下部にはポッド４を筐体１１内に搬入搬
出するためのポッド搬入搬出ポート（以下、ポッドポー
トという。）１３が構築されており、ポッドポート１３
に対応する筐体１１の正面壁にはフロントシャッタ（図
示せず）によって開閉されるポッド搬入搬出口１４が開
設されている。ポッドポート１３に対してはポッド４が
工程内搬送装置（図示せず）によって搬入搬出されるよ
うになっている。筐体１１の内部の正面壁のポッドポー
ト１３の上方には複数個のポッド４を保管するバッファ
棚１５が、左右方向に一杯に水平に敷設されている。 【００１２】筐体１１内の最前部にはポッド移載装置設
置室１６が設定されており、この設置室１６にはスカラ
形ロボット（selective compliance assembly robot ar
m 。ＳＣＡＲＡ）によって構成されたポッド移載装置１
７が設置されている。ポッド移載装置１７はポッドポー
ト１３、バッファ棚１５、後記する回転棚１９およびウ
エハローディングポート２５間でポッド４を搬送するよ
うに構成されている。 【００１３】図１および図３に示されているように、筐
体１１の内部空間におけるポッド移載装置設置室１６の
後方の上部には回転棚設置室１８が設定されており、こ
の設置室１８には回転棚１９が設置されている。回転棚
１９は複数個（本実施の形態においては八個）のポッド
４を保管するように構成されている。すなわち、回転棚
１９は棚板２０が複数段（本実施の形態においては四
段）、モータ等の間欠回転駆動装置（図示せず）によっ
て一方向にピッチ送り回転される回転軸２１に上下方向
に配されて水平に固定されており、棚板２０に保管され
たポッド４が正面の位置に回転軸２１のピッチ送り回転
によって順次送られるようになっている。 【００１４】図１および図４に示されているように、筐
体１１の内部空間におけるポッド移載装置設置室１６の
後方の下部には、ポッド移載装置設置室１６の後方空間
を上下および前後に仕切る水平壁部２３と垂直壁部２４
とからなる隔壁２２が構築されており、隔壁２２の水平
壁部２３の上には回転棚１９が設置されている。 【００１５】隔壁２２の垂直壁部２４における筐体１１
内の回転棚１９の下側には、ウエハ３をローディングお
よびアンローディングするためのポート（以下、ウエハ
ポートという。）２５が一対、垂直方向上下で対向する
ようにそれぞれ設定されている。垂直壁部２４の上下の
ウエハポート２５、２５に対応する位置にはウエハ３を
出し入れするためのウエハ搬入搬出口２６、２６がそれ
ぞれ開設されており、両ウエハ搬入搬出口２６、２６に
はポッド４のキャップを着脱してポッド４を開閉する一
対のポッドオープナ２７、２７がそれぞれ設置されてい
る。 【００１６】図１および図４に示されているように、隔
壁２２の後方の空間にはボート３２がプロセスチューブ
３５への搬入搬出に対して待機する待機室２８が設定さ
れており、待機室２８の前側の空間にはウエハ移載装置
２９が設置されている。ウエハ移載装置２９はウエハポ
ート２５とボート３２との間でウエハ３を搬送してポッ
ド４およびボート３２に受け渡すように構成されてい
る。 【００１７】待機室２８の後側の空間にはボートエレベ
ータ３０が垂直に設置されており、ボートエレベータ３
０はボート３２を支持したシールキャップ３１を垂直方
向に昇降させるように構成されている。すなわち、シー
ルキャップ３１はマニホールド３６を介してプロセスチ
ューブ３５をシール可能な円盤形状に形成されており、
シールキャップ３１の上にはボート３２が垂直に立脚さ
れている。ボート３２は被処理基板としてのウエハ３を
多数枚、中心を揃えて水平に配置した状態で保持するよ
うに構成されており、シールキャップ３１のボートエレ
ベータ３０による昇降によってプロセスチューブ３５の
処理室３４に対して搬入搬出されるようになっている。 【００１８】図１および図３に示されているように、筐
体１１の後端部における上部にはプロセスチューブ設置
室３３が設定されており、プロセスチューブ設置室３３
には処理室３４を形成するプロセスチューブ３５がマニ
ホールド３６を介して垂直に立脚され待機室２８の上に
設置されている。マニホールド３６には処理室３４に原
料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管３７
と、処理室３４を真空排気するための排気管３８が接続
されている。プロセスチューブ３５の外側にはヒータユ
ニット３９が同心円に配されて筐体１１に支持されてお
り、ヒータユニット３９は処理室３４を全体にわたって
均一または所定の温度分布を維持するように加熱するよ
うに構成されている。 【００１９】図１および図３に示されているように、回
転棚設置室１８の回転棚１９の後方にはクリーンユニッ
ト４０が垂直に配置されて、全面をカバーするように建
て込まれている。クリーンユニット４０はパーティクル
を捕集するフィルタ（以下、パーティクルフィルタとい
う。）４１と複数のファン４２とダクト部４３とを備え
ており、パーティクルフィルタ４１が回転棚設置室１８
に露出し、かつ、ファン４２群およびダクト部４３の下
流側になるように構成されている。図１および図２に示
されているように、筐体１１の上面における回転棚設置
室１８の真上にはダクト４４が前後方向に延在するよう
に敷設されており、このダクト４４の吸込口４５は筐体
１１の正面側において開口され、ダクト４４の吹出口４
６はクリーンユニット４０のダクト部４３における上端
に全面にわたって開口するように接続されている。ダク
ト４４の吸込口４５にはファン４７が設置されており、
ダクト４４のファン４７の下流側にはケミカルフィルタ
４８が設置されている。 【００２０】図１および図４に示されているように、筐
体１１のベース１２におけるポッド移載装置設置室１６
に接する領域には多数個の吹出口４９が、グレーチング
２の下方空間に連通するように開設されている。したが
って、クリーンユニット４０から回転棚設置室１８に吹
き出されたクリーンエア５０は、ポッド移載装置設置室
１６を下方に流れて吹出口４９群からグレーチング２の
下方空間へ排気されるようになっている。 【００２１】次に、前記構成に係るＣＶＤ装置の作用を
説明する。 【００２２】図１および図４に示されているように、ポ
ッドポート１３に供給されたポッド４はポッド搬入搬出
口１４からポッド移載装置設置室１６へポッド移載装置
１７によって搬入される。図１および図３に示されてい
るように、搬入されたポッド４は回転棚１９の指定され
た位置にポッド移載装置１７によって適宜に搬送されて
一時的に保管される。 【００２３】回転棚１９に保管されたポッド４はポッド
移載装置１９によって適宜にピックアップされて、上下
のうちの指定されたウエハポート２５に搬送され、図１
および図４に示されているように、載置台２５ａに移載
される。 【００２４】ウエハポート２５の載置台２５ａに移載さ
れたポッド４はポッドオープナ２７によってキャップを
外されて開放される。この一方のウエハポート２５にお
けるポッドオープナ２７による開放作業の間に、他方の
ウエハポート２５には別のポッド４がポッド移載装置１
９によって回転棚１９からピックアップされて移載され
る。したがって、ポッド移載装置１９は上下のウエハポ
ート２５と回転棚１９との間、並びに、回転棚１９とポ
ッドポート１３との間をきわめて効率よく移動して稼働
することになる。 【００２５】ウエハポート２５においてポッド４が開放
されると、ポッド４に収納された複数枚のウエハ３はウ
エハ移載装置２９によってボート３２に移載されて装填
（チャージング）される。この際、ボート３２がバッチ
処理するウエハ３の枚数（例えば、百枚〜百五十枚）は
一台のポッド４に収納されたウエハ３の枚数（例えば、
二十五枚）よりも何倍も多いため、複数台のポッド４が
上下のウエハポート２５、２５にポッド移載装置１７に
よって交互に繰り返し供給されることになる。 【００２６】予め指定された枚数のウエハ３が上下のウ
エハポート２５、２５からボート３２に移載されると、
ボート３２はボートエレベータ３０によって上昇されて
プロセスチューブ３５の処理室３４に搬入される。ボー
ト３２が上限に達すると、ボート３２を保持したシール
キャップ３１の上面の周辺部がプロセスチューブ３５を
シール状態に閉塞するため、処理室３４は気密に閉じら
れた状態になる。 【００２７】プロセスチューブ３５の処理室３４が気密
に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管３８によっ
て真空排気され、ヒータユニット３９によって所定の温
度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管３７によっ
て所定の流量だけ供給される。これにより、所定のＣＶ
Ｄ膜がウエハ３に形成される。ちなみに、取り扱う膜種
によって異なるが、例えば、処理時間は約１時間〜２時
間になる。 【００２８】そして、予め設定された処理時間が経過す
ると、ボート３２がボートエレベータ３０によって下降
されることにより、処理済みウエハ３を保持したボート
３２が待機室２８における元の待機位置に搬出（ボート
アンローディング）される。ボート３２のプロセスチュ
ーブ３５の処理室３４への搬入搬出作業および処理作業
の間に、ポッドポート１３や回転棚１９においてはポッ
ド４の搬入搬出作業や移送作業が同時に進行される。 【００２９】待機室２８に搬出されたボート３２の処理
済みウエハ３はボート３２からウエハ移載装置２９によ
ってピックアップされてウエハポート２５に搬送され、
ウエハポート２５に予め搬送されてキャップを外されて
開放された空のポッド４に収納される。続いて、ポッド
４がポッドオープナ２７によって閉じられた後に、処理
済みのウエハ３が収納されたポッド４は回転棚１９の指
定された位置にポッド移載装置１７によって搬送されて
一時的に保管される。 【００３０】以上の処理済みウエハ３の移載（ウエハア
ンローディング）作業の際も、ボート３２がバッチ処理
したウエハ３の枚数は一台の空のポッド４に収納するウ
エハ３の枚数よりも何倍も多いため、複数台のポッド４
が上下のウエハポート２５、２５に交互にポッド移載装
置１７によって繰り返し供給されることになる。この場
合にも、一方（上段または下段）のウエハポート２５へ
のウエハ移載作業中に、他方（下段または上段）のウエ
ハポート２５への空のポッド４への搬送や準備作業が同
時進行されることにより、ウエハ移載装置２９はポッド
４の入替え作業についての待ち時間を浪費することなく
ウエハ移載作業を連続して実施することができるため、
ＣＶＤ装置１０のスループットを高めることができる。 【００３１】処理済みウエハ３を収納したポッド４は回
転棚１９からポッドポート１３へポッド移載装置１７に
よって搬送される。ポッドポート１３に移載されたポッ
ド４は次工程へ搬送される。 【００３２】そして、新規のウエハ３を収納したポッド
４がポッドポート１３に供給される。以降、前述した作
用が繰り返されてウエハ３がＣＶＤ装置１０によってバ
ッチ処理されて行く。 【００３３】以上のバッチ処理が実施されている際に
は、筐体１１の回転棚設置室１８へクリーンエア５０が
クリーンユニット４０から吹き出されて、ポッド移載装
置設置室１６にダウンブローに流される。このダウンブ
ローに流れるクリーンエア５０により、ポッド４の表面
に付着したパーティクルやポッド移載装置１７の稼働に
よって発生するパーティクル等がクリーンエア５０によ
って吹き落とされて、吹出口４９からクリーンルーム１
のグレーチング２の下方空間に排出される。 【００３４】すなわち、ＣＶＤ装置１０が設置されたク
リーンルーム１の清浄度の高い通路側エリアのクリーン
エア５０は、ＣＶＤ装置１０のダクト４４の最上流に配
置されたファン４７によってダクト４４に吸い込まれ
る。万一、ダクト４４に吸い込まれたクリーンエア５０
に反応性の高いガス状汚染化学物質である酸性ガスやア
ルカリ性ガスおよび有機ガスが含まれていたとしても、
吸い込まれたクリーンエア５０がケミカルフィルタ４８
を流通する際に捕集されるため、クリーンユニット４０
に流れ込むことは未然に防止することができる。 【００３５】ダクト４４のケミカルフィルタ４８を流通
したクリーンエア５０は吹出口４６からクリーンユニッ
ト４０のダクト部４３に流れ込んで、ダクト部４３にお
いて全体にわたって均等に拡散する。ダクト部４３にお
いて拡散したクリーンエア５０はクリーンユニット４０
のファン４２によって吸い込まれてパーティクルフィル
タ４１を通過して回転棚設置室１８に全体にわたって均
等に吹き出す。クリーンエア５０はパーティクルをパー
ティクルフィルタ４１によって充分に捕集された状態に
なる。 【００３６】回転棚設置室１８に吹き出したクリーンエ
ア５０は筐体１１の底面のベース１２に開設された吹出
口４９群によって相対的に吸い込まれる状態になるた
め、回転棚設置室１８およびこれに連通したポッド移載
装置設置室１６をダウンブローに流れることになる。こ
のようにクリーンエア５０は常にダウンブローに流下す
ることにより、クリーンエア５０はポッド４の表面に付
着したパーティクルやポッド移載装置１７の稼働によっ
て発生するパーティクル等を随伴して、回転棚設置室１
８およびポッド移載装置設置室１６から最終的には確実
に排出して行くことになる。 【００３７】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 【００３８】1) ダクトの吸込口をクリーンルームの天
井の下方に配するとともに、ダクトの吹出口を筐体の上
面に配することにより、クリーンルームの天井よりも下
側に位置するクリーンエアを筐体の上面の吹出口からク
リーンユニットの上端に供給することができるため、ク
リーンユニットは清浄度の高いクリーンエアを回転棚設
置室やポッド移載設置室に常に吹き出すことができる。 【００３９】2) クリーンユニットにクリーンルームの
天井の下側に位置するクリーンエアを常に供給すること
により、クリーンユニットのパーティクルフィルタにパ
ーティクルが堆積して行く時間を延長することができる
ため、パーティクルフィルタの寿命を延長することがで
きる。 【００４０】3) ダクトの吸込口をクリーンルームのう
ち清浄度の高い通路側エリアに面したＣＶＤ装置の正面
側に配することにより、製品になるウエハが搬送される
ことを考慮して高い清浄度が維持された通路側エリアの
クリーンエアを取り入れることができるため、清浄度よ
り一層高いクリーンエアをクリーンユニットに供給する
ことができる。 【００４１】4) ダクトにケミカルフィルタを設置する
ことにより、万一、ダクトに吸い込まれたクリーンエア
に反応性の高いガス状汚染化学物質である酸性ガスやア
ルカリ性ガスおよび有機ガスが含まれていたとしても、
ケミカルフィルタによって捕集することができるため、
これらのガスがクリーンユニットから筐体内部の回転棚
設置室やポッド移載設置室さらには待機室に流れ込むの
を未然に防止することができ、また、クリーンユニット
のパーティクルフィルタやファン等が酸性ガスやアルカ
リ性ガスおよび有機ガスによって汚染されるのを未然に
防止することができる。 【００４２】5) ケミカルフィルタの上流にクリーンユ
ニットと別にファンを配置することにより、ダクトに吸
い込むクリーンエアの流量を精密に調整することができ
るため、クリーンエアの吹出量を最適に制御することが
できる。 【００４３】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【００４４】例えば、ダクトは図５〜図８に示されてい
るように構成してもよい。 【００４５】図５に係る実施の形態においては、筐体１
１の上端部がクリーンルーム１の天井５から、建屋の天
井面６とクリーンルーム１の天井５との間の天井裏７に
突出しており、ダクト４４Ａの吸込口４５Ａがクリーン
ルーム１の天井５の下方に配されているとともに、その
吹出口４６Ａが筐体１１の上面に配されており、ダクト
４４Ａの中間部が筐体１１の側面を這うようにエルボ形
状に配管されている。ダクト４４Ａの吸込口４５Ａはク
リーンルーム１にＣＶＤ装置の正面側エリアと背面側エ
リアとを隔てるように敷設されたパーティション８のク
リーンルーム１の天井５の下方における清浄度の高い通
路側エリアに面する正面に配置されている。 【００４６】図６に係る実施の形態においては、筐体１
１の上端部がクリーンルーム１の天井５から天井裏７に
突出しており、ダクト４４Ｂの吸込口４５Ｂがクリーン
ルーム１の天井５の下方における清浄度の高い通路側エ
リアに面する正面に配されているとともに、その吹出口
４６Ｂが筐体１１の上面に配されており、ダクト４４Ｂ
の中間部が筐体１１の正面と上面とを這うように配管さ
れている。 【００４７】図７に係る実施の形態においては、筐体１
１の上端部がクリーンルーム１の天井５から天井裏７に
突出しており、ダクト４４Ｃの吸込口４５Ｃがクリーン
ルーム１の天井５の下方における清浄度の高い通路側エ
リアに面した正面に配されているとともに、その吹出口
４６Ｃが筐体１１の上面に配されており、ダクト４４Ｂ
の中間部が筐体１１の内部の前側部分および上面に沿っ
て配管されている。 【００４８】図８に係る実施の形態においては、ダクト
４４Ｄの吸込口４５Ｄがクリーンルーム１の天井５の下
方におけるパーティション８の後側エリアに配されてい
るとともに、その吹出口４６Ｄが筐体１１の上面に配さ
れており、ダクト４４Ｄの中間部が筐体１１の上面およ
び側面から浮くように配管されている。本実施の形態に
おいては、ダクト４４Ｄの吸込口４５Ｄがクリーンルー
ム１のパーティション８の後側エリアに配されている
が、このパーティション８の後側エリアのクリーンエア
もクリーンルーム１の天井５のクリーンユニット（図示
せず）を通ったクリーンエアであるため、クリーンユニ
ットを通過していない天井裏７のクリーンエアに比べる
と清浄度は遙に高いため、パーティクルフィルタ４１の
汚染は充分に防止することができる。つまり、ダクトの
吸込口はクリーンルームの清浄度の高い通路側エリアに
面する正面側に配置することが望ましいが、クリーンル
ームの天井の下方であれば、パーティションの前側エリ
アや後側エリアを問わずに任意に配置することができ
る。 【００４９】前記実施の形態ではバッチ式縦形ＣＶＤ装
置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、
バッチ式縦形拡散装置等の半導体製造装置全般に適用す
ることができる。 【００５０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
常にクリーンエアを取り込むことができるとともに、ケ
ミカルフィルタも容易に設置することができるため、筐
体の内部の汚染を確実に防止することができるととも
に、クリーンユニットの寿命を延長することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第一の実施の形態であるＣＶＤ装置を
示す一部省略側面断面図である。 【図２】ダクトを通る平面断面図である。 【図３】回転棚を通る平面断面図である。 【図４】ウエハポートを通る平面断面図である。 【図５】本発明の第二の実施の形態であるＣＶＤ装置を
示す斜視図である。 【図６】本発明の第三の実施の形態であるＣＶＤ装置を
示す斜視図である。 【図７】本発明の第四の実施の形態であるＣＶＤ装置を
示す斜視図である。 【図８】本発明の第五の実施の形態であるＣＶＤ装置を
示す斜視図である。 【符号の説明】 １…クリーンルーム、２…グレーチング、３…ウエハ
（基板）、４…ポッド（ウエハキャリア）、５…クリー
ンルームの天井、６…建屋の天井面、７…天井裏、８…
パーティション、１０…ＣＶＤ装置（半導体製造装
置）、１１…筐体、１２…ベース、１３…ポッドポート
（ポッド搬入搬出ポート）、１４…ポッド搬入搬出口、
１５…バッファ棚、１６…ポッド移載装置設置室、１７
…ポッド移載装置、１８…回転棚設置室、１９…回転
棚、２０…棚板、２１…回転軸、２２…隔壁、２３…水
平壁部、２４…垂直壁部、２５…ウエハポート、２６…
ウエハ搬入搬出口、２７…ポッドオープナ、２８…待機
室、２９…ウエハ移載装置、３０…ボートエレベータ、
３１…シールキャップ、３２…ボート、３３…プロセス
チューブ設置室、３４…処理室、３５…プロセスチュー
ブ、３６…マニホールド、３７…ガス導入管、３８…排
気管、３９…ヒータユニット、４０…クリーンユニッ
ト、４１…パーティクルフィルタ、４２…ファン、４３
…ダクト部、４４、４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４４Ｄ…
ダクト、４５、４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃ、４５Ｄ…吸込
口、４６、４６Ａ、４６Ｂ、４６Ｃ、４６Ｄ…吹出口、
４７…ファン、４８…ケミカルフィルタ、４９…吹出
口、５０…クリーンエア。

フロントページの続き (72)発明者 小竹 繁 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 5F045 AB31 BB14 EB02 EB05

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 クリーンルームに設置される半導体製造
   装置であって、筐体の内部にクリーンエアを吹き出すク
   リーンユニットを備えている半導体製造装置において、
   前記クリーンエアを吸い込んで前記クリーンユニットに
   供給するダクトの吸込口が前記クリーンルームの天井の
   下方に配されているとともに、その吹出口が前記筐体の
   上面に配されていることを特徴とする半導体製造装置。