JPH0672710B2 - 半導体ウェハー処理装置 - Google Patents
半導体ウェハー処理装置Info
- Publication number
- JPH0672710B2 JPH0672710B2 JP63222812A JP22281288A JPH0672710B2 JP H0672710 B2 JPH0672710 B2 JP H0672710B2 JP 63222812 A JP63222812 A JP 63222812A JP 22281288 A JP22281288 A JP 22281288A JP H0672710 B2 JPH0672710 B2 JP H0672710B2
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- JP
- Japan
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- room
- reaction chamber
- cleanliness
- clean
- chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程に用いられる半導体ウェ
ハーの処理装置に関するものである。
ハーの処理装置に関するものである。
近年、半導体装置、特に超LSIと呼ばれる1M DRAM等を
製造する量産装置においては、装置内外からの塵埃を如
何にしてウェハー上に付着させないようにするか、換言
すれば如何に清浄な雰囲気でウェハーを処理するかがLS
Iの歩留を向上させる重要な要素となっている。このた
め、一般的には天井にHEPAフィルターを設置し、送風機
を用いて空気をこのフィルターに通し、クリーンルーム
を施工してこの中に生産設備を設置してウェハー処理を
行っている。しかしながら、クリーンルームの建造費が
高価であり、加えてランニングコストが膨大なものとな
るため、最近では場所に応じてクリーン度をかえ、ウェ
ハーのパスラインだけを高いクリーン度にし、他の場所
は壁で仕切ってクリーン度を下げることにより、LSI製
造ライン全体での建造費、ランニングコストを削減して
いる。このようなクリーンルームレイアウトを採用する
事により、ウェハーの処理装置についても、作業者もし
くは作業ロボットがウェハーを処理装置にセットする場
所だけが高いクリーン度の部屋に面し、壁を隔てて反対
側は、低いクリーン度の部屋に設置される、いわゆるス
ルーザウォール型の処理装置が主流になってきた。第４
図は、従来のスルーザウォール型の処理装置を示す斜視
図を表している。クリーン度の高い部屋１とクリーン度
の低い部屋２を隔てる壁３を貫いて処理装置４が設置さ
れている。クリーン度の高い部屋１側には、ウェハーを
セットする台５だけが置かれ、実際にウェハーを処理す
る反応室６（金属スパッタリング，ドライエッチング，
プラズマCVD処理を行う）や、ロードロック室7,真空ポ
ンプ8,その他の付帯設備はクリーン度の低い部屋２に設
置されている。このような処理装置４の場合、反応室６
や、ロードロック室７内部のメインテナンスの為に、定
期的に開ける開口部９が有り、ここを開放して内部の清
掃や修理を行うことが一般的である。第５図は、従来の
スルーザウォール型の処理装置の他の例を示す斜視図を
表しており、縦型CVD装置を例にとっている。クリーン
度の高い部屋１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁３
を貫いて処理装置４が設置されている。クリーン度の高
い部屋１側には、ウェハーをセットする台５だけが置か
れ、実際にウェハーを処理する反応室６（ここでは石英
炉芯管10），真空ポンプ8,その他の付帯設備はクリーン
度の低い部屋２に設置されている。このような処理装置
４の場合、石英炉芯管10を交換する際に、定期的に開け
る開口部９が有り、ここを解放して石英炉芯管10を交換
するのが一般的である。
製造する量産装置においては、装置内外からの塵埃を如
何にしてウェハー上に付着させないようにするか、換言
すれば如何に清浄な雰囲気でウェハーを処理するかがLS
Iの歩留を向上させる重要な要素となっている。このた
め、一般的には天井にHEPAフィルターを設置し、送風機
を用いて空気をこのフィルターに通し、クリーンルーム
を施工してこの中に生産設備を設置してウェハー処理を
行っている。しかしながら、クリーンルームの建造費が
高価であり、加えてランニングコストが膨大なものとな
るため、最近では場所に応じてクリーン度をかえ、ウェ
ハーのパスラインだけを高いクリーン度にし、他の場所
は壁で仕切ってクリーン度を下げることにより、LSI製
造ライン全体での建造費、ランニングコストを削減して
いる。このようなクリーンルームレイアウトを採用する
事により、ウェハーの処理装置についても、作業者もし
くは作業ロボットがウェハーを処理装置にセットする場
所だけが高いクリーン度の部屋に面し、壁を隔てて反対
側は、低いクリーン度の部屋に設置される、いわゆるス
ルーザウォール型の処理装置が主流になってきた。第４
図は、従来のスルーザウォール型の処理装置を示す斜視
図を表している。クリーン度の高い部屋１とクリーン度
の低い部屋２を隔てる壁３を貫いて処理装置４が設置さ
れている。クリーン度の高い部屋１側には、ウェハーを
セットする台５だけが置かれ、実際にウェハーを処理す
る反応室６（金属スパッタリング，ドライエッチング，
プラズマCVD処理を行う）や、ロードロック室7,真空ポ
ンプ8,その他の付帯設備はクリーン度の低い部屋２に設
置されている。このような処理装置４の場合、反応室６
や、ロードロック室７内部のメインテナンスの為に、定
期的に開ける開口部９が有り、ここを開放して内部の清
掃や修理を行うことが一般的である。第５図は、従来の
スルーザウォール型の処理装置の他の例を示す斜視図を
表しており、縦型CVD装置を例にとっている。クリーン
度の高い部屋１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁３
を貫いて処理装置４が設置されている。クリーン度の高
い部屋１側には、ウェハーをセットする台５だけが置か
れ、実際にウェハーを処理する反応室６（ここでは石英
炉芯管10），真空ポンプ8,その他の付帯設備はクリーン
度の低い部屋２に設置されている。このような処理装置
４の場合、石英炉芯管10を交換する際に、定期的に開け
る開口部９が有り、ここを解放して石英炉芯管10を交換
するのが一般的である。
上述した従来の半導体ウェハー処理装置は、反応室や、
ロードロック室，石英炉芯管のメインテナンスを行う場
合には、クリーン度の低い部屋で、メインテナンス用の
開口部を開放して清掃，修理，炉芯管交換を行うため、
塵埃を反応室又は石英炉芯管内部に導入してしまう。こ
のため、反応室、又は石英炉芯管内部を汚染してしま
い、間接的にウェハーを汚染する。このため、LSIの歩
留を低下させるといった欠点を有していた。
ロードロック室，石英炉芯管のメインテナンスを行う場
合には、クリーン度の低い部屋で、メインテナンス用の
開口部を開放して清掃，修理，炉芯管交換を行うため、
塵埃を反応室又は石英炉芯管内部に導入してしまう。こ
のため、反応室、又は石英炉芯管内部を汚染してしま
い、間接的にウェハーを汚染する。このため、LSIの歩
留を低下させるといった欠点を有していた。
本発明の半導体ウェハー処理装置は、外部雰囲気に対し
て、開閉可能な少なくとも１つの開口部を有する反応室
を持つ半導体ウェハー処理装置において、反応室開口部
に清浄空気を供給すべく設置させたフィルター及び送風
機を具備する事を特徴とする。
て、開閉可能な少なくとも１つの開口部を有する反応室
を持つ半導体ウェハー処理装置において、反応室開口部
に清浄空気を供給すべく設置させたフィルター及び送風
機を具備する事を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。クリー
ン度の高い部屋１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁
３を貫いて処理装置４が設置されている。クリーン度の
高い部屋１側には、ウェハーをセットする台５だけが置
かれ、実際にウェハーを処理する反応室６（金属スパッ
タリング，ドライエッチング，プラズマCVD処理を行
う）や、ロードロック室7,真空ポンプ8,その他の付帯設
備はクリーン度の低い部屋２に設置されている。このよ
うな処理装置４の場合、反応室６や、ロードロック室７
内部のメチルインテナンスの為に、定期的に開ける開口
部９が有り、この開口部９に清浄空気を供給するべく設
置させたフィルター11及び送風機12を具備している。こ
のフィルター11及び送風機12は、一体化したクリーンユ
ニットを用いることでよりコンパクトに設置できること
は言うまでもない。第２図は、本発明の他の実施例の石
英炉芯管を反応室に持つ処理装置を示す斜視図であり、
縦型CVD装置を例にとっている。クリーン度の高い部屋
１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁３を貫いて処理
装置４が設置されている。クリーン度の高い部屋１側に
は、ウェハーをセットする台５だけが置かれ、実際にウ
ェハーを処理する反応室（ここでは石英炉芯管10），真
空ポンプ8,その他の付帯設備はクリーン度の低い部屋２
に設置されている。このような処理装置４の場合、石英
炉芯管10を交換する際に、定期的に開ける開口部９が有
り、この開口部９に清浄空気を供給するべく設置させた
フィルター11及び送風機12を具備している。このフィル
ター11及び送風機12は、前述したクリーンユニットを用
いることで同等の効果がえられる。
ン度の高い部屋１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁
３を貫いて処理装置４が設置されている。クリーン度の
高い部屋１側には、ウェハーをセットする台５だけが置
かれ、実際にウェハーを処理する反応室６（金属スパッ
タリング，ドライエッチング，プラズマCVD処理を行
う）や、ロードロック室7,真空ポンプ8,その他の付帯設
備はクリーン度の低い部屋２に設置されている。このよ
うな処理装置４の場合、反応室６や、ロードロック室７
内部のメチルインテナンスの為に、定期的に開ける開口
部９が有り、この開口部９に清浄空気を供給するべく設
置させたフィルター11及び送風機12を具備している。こ
のフィルター11及び送風機12は、一体化したクリーンユ
ニットを用いることでよりコンパクトに設置できること
は言うまでもない。第２図は、本発明の他の実施例の石
英炉芯管を反応室に持つ処理装置を示す斜視図であり、
縦型CVD装置を例にとっている。クリーン度の高い部屋
１とクリーン度の低い部屋２を隔てる壁３を貫いて処理
装置４が設置されている。クリーン度の高い部屋１側に
は、ウェハーをセットする台５だけが置かれ、実際にウ
ェハーを処理する反応室（ここでは石英炉芯管10），真
空ポンプ8,その他の付帯設備はクリーン度の低い部屋２
に設置されている。このような処理装置４の場合、石英
炉芯管10を交換する際に、定期的に開ける開口部９が有
り、この開口部９に清浄空気を供給するべく設置させた
フィルター11及び送風機12を具備している。このフィル
ター11及び送風機12は、前述したクリーンユニットを用
いることで同等の効果がえられる。
第３図は、本発明の更に他の実施例を示す斜視図を表し
ている。処理装置４のクリーン度の低い部屋２側の反応
室６上に前述したクリーンユニット13aを設置させる。
このクリーンユニット13aは、移動可能なように処理装
置４に取り付けられ、反応室６のメインテナンス時のみ
反応室６上に移動させて運転し、反応室６に清浄な空気
を供給するもので、通常時は、13bの位置に逃がしてお
き、反応室６外側周辺のメインテナンスを容易にさせる
物である。
ている。処理装置４のクリーン度の低い部屋２側の反応
室６上に前述したクリーンユニット13aを設置させる。
このクリーンユニット13aは、移動可能なように処理装
置４に取り付けられ、反応室６のメインテナンス時のみ
反応室６上に移動させて運転し、反応室６に清浄な空気
を供給するもので、通常時は、13bの位置に逃がしてお
き、反応室６外側周辺のメインテナンスを容易にさせる
物である。
以上説明したように、本発明は反応室開口部に清浄空気
を供給すべく設置させたフィルター及び送風機を具備
し、開口部を解放する際にも、反応室や石英炉芯管がク
リーン度の低い雰囲気に曝されないような構造を設ける
ことにより、メインテナンスや、石英炉芯管交換時に反
応室や石英炉芯管内部が汚染されないため、常に清浄な
状態でウェハーを処理することが出来、LSIの歩留を高
めるという重要な効果をもたらすものである。
を供給すべく設置させたフィルター及び送風機を具備
し、開口部を解放する際にも、反応室や石英炉芯管がク
リーン度の低い雰囲気に曝されないような構造を設ける
ことにより、メインテナンスや、石英炉芯管交換時に反
応室や石英炉芯管内部が汚染されないため、常に清浄な
状態でウェハーを処理することが出来、LSIの歩留を高
めるという重要な効果をもたらすものである。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の他の実施例を示す斜視図、第３図は本発明の更に他
の実施例を示す斜視図、第４図は従来のスルーザウォー
ル型の処理装置の斜視図、第５図は従来のスルーザウォ
ール型の処理装置の他の例を示す斜視図である。 １……クリーン度の高い部屋、２……クリーン度の低い
部屋、３……壁、４……処理装置、５……台、６……反
応室、７……ロードロック室、８……真空ポンプ、９…
…開口部、10……石英炉芯管、11……フィルター、12…
…送風機、13a、13b……クリーンユニット。
明の他の実施例を示す斜視図、第３図は本発明の更に他
の実施例を示す斜視図、第４図は従来のスルーザウォー
ル型の処理装置の斜視図、第５図は従来のスルーザウォ
ール型の処理装置の他の例を示す斜視図である。 １……クリーン度の高い部屋、２……クリーン度の低い
部屋、３……壁、４……処理装置、５……台、６……反
応室、７……ロードロック室、８……真空ポンプ、９…
…開口部、10……石英炉芯管、11……フィルター、12…
…送風機、13a、13b……クリーンユニット。
Claims (1)
- 【請求項１】クリーン度の低い室に本体が設置され、前
記クリーン度の低い室の雰囲気に対して、開閉可能な少
なくとも１つの開口部を有する反応室を持ち、壁により
前記クリーン度の低い室と隔てられたクリーン度の高い
室から前記反応室にウェハーをセットする半導体ウェハ
ー処理装置において、前記開口部に清浄空気を供給すべ
く設置されたフィルター及び送風機を具備する事を特徴
とする半導体ウェハー処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222812A JPH0672710B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体ウェハー処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222812A JPH0672710B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体ウェハー処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271034A JPH0271034A (ja) | 1990-03-09 |
| JPH0672710B2 true JPH0672710B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16788290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63222812A Expired - Lifetime JPH0672710B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体ウェハー処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672710B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2539743A1 (de) * | 1975-09-06 | 1977-03-10 | Draegerwerk Ag | Bewegliches filtergeraet zur asepsis von patienten |
| JPS5751590Y2 (ja) * | 1977-07-07 | 1982-11-10 | ||
| JPS6077948U (ja) * | 1983-11-02 | 1985-05-31 | 高砂熱学工業株式会社 | 移動式エンバイロメンタルチヤンバ− |
| JPS60245533A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-05 | Shinwa Tec Kk | プラスチツク射出成形機用クリ−ンブ−ス |
| JPH0797563B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1995-10-18 | 株式会社日立製作所 | 熱処理装置 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63222812A patent/JPH0672710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0271034A (ja) | 1990-03-09 |
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