JP2003332072A - 有機ｅｌ発光表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ発光表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＴＦＴ駆動の画質の劣化とスメアの発生を防止
し、コントラストの向上及び発光領域を増加させ信頼性
の高い有機ＥＬ発光表示装置を得ることである。 【解決手段】基板上に配置された複数の走査信号線ＧＬ
と、複数のデータ信号線ＤＬと、電流供給線ＰＬと、表
示内容に応じて発光する複数の画素であって、それぞれ
が走査信号線上の電圧に応じてデータ信号を保持するデ
ータ保持素子ＣＳｉ−Ｃ１と、保持されたデータ信号に
応じて発光する有機ＥＬ発光素子ＯＣＴと、データ保持
素子へのデータ信号書込み、または有機ＥＬ発光素子へ
の電流供給を制御するアクティブ素子（ＳＷ１、ＳＷ
２、ＳＷ３、ＤＴ）とからなる画素と、各画素の有機Ｅ
Ｌ発光素子から各画素あるいは隣接する画素のアクティ
ブ素子への光をシールドするような位置に配置された光
シールド部材（ＧＬＳ、Ｃ１（ＡＬ）、Ｃ２）を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、その各画素にエレ
クトロルミネセンス現象により発光する有機材料からな
る領域が設けられた有機ＥＬ発光表示装置に係り、各画
素に設けられたスイッチング素子によるアクティブ・マ
トリクス駆動で画像を表示する有機ＥＬ発光表示装置に
好適な画素構造を提供する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式で駆動され
る（ＴＦＴ型ともよばれる）有機エレクトロルミネセン
ス発光表示装置（以下、有機ＥＬ発光表示装置と記す）
は、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラットパネル
・ディスプレイとして期待されている。
【０００３】従来の有機ＥＬの画素構成及び画素回路
は、例えば下記特許文献１乃至４に開示されている。ま
た、下記特許文献５は、アクティブ・マトリクス方式で
駆動される表示装置の画素における遮光構造を、液晶表
示装置を例に挙げて開示する。
【０００４】
【特許文献１】日本国：特開平11-329715号
【特許文献２】日本国：特表平11-503868号公報
【特許文献３】日本国：特表平11-503869号公報
【特許文献４】米国：特許6,157,356号公報
【特許文献５】米国：特許5,561,440号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ発光表示装置
は、高輝度で明るい画像表示が行える利点を持つ一方
で、その画素毎に設けられた有機ＥＬ素子の発光層から
の光が画素毎に設けられたスイッチング素子の半導体チ
ャネルを照射し、スイッチング素子による電荷保持特性
（その半導体チャネルの導通状態）を変調する問題も孕
む。アクティブ・マトリクス方式で駆動される有機ＥＬ
発光表示装置では、その画素の各々に多結晶シリコン膜
（Ｐｏｌｙ−Ｓｉとも記す）で形成された半導体チャネ
ル（以下、単に「チャネル」とも呼ぶ）を有するスイッ
チング素子が設けられる。しかしながら、多結晶シリコ
ン膜（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）は光伝導度（Photoconductivit
y）が大きく、光に照射された多結晶シリコン膜には、
これに印加された電界に応じた光伝導（Photoconductio
n）が顕著に生じる。従って、多結晶シリコン膜からな
るチャネルを備え且つこのチャネルを通過する電荷量を
制御するスイッチング素子（例えば、薄膜トランジス
タ）は、これがターン・オフ（Turn-OFF）されても、そ
のチャネルを相当量の電荷が通過する問題（所謂オフ電
流）が生じる。例えば、２０００ルクス（lux，単位：l
x）程度の白色光でターン・オフ状態にある斯様な薄膜
トランジスタ（ＴＦＴとも記す）が照射されるとき、こ
の薄膜トランジスタに生じるオフ電流が急激に増加す
る。
【０００６】スイッチング素子（例えば、上記ＴＦＴ）
を備えた複数の画素が配置された画像表示領域を有し且
つこの複数の画素をアクティブ・マトリクス方式（ＴＦ
Ｔ方式ともいう）で駆動して画像表示を行う表示装置に
おいて、このスイッチング素子の少なくとも一つに上記
オフ電流が生じると、その表示画像の画質は劣化する。
有機ＥＬ素子が画素毎に設けられた有機ＥＬ発光表示装
置においては、有機ＥＬ素子に含まれる発光部が、有機
ＥＬ素子を駆動し又は制御するスイッチング素子に近接
しているため、このスイッチング素子は数十万ルクスと
いう光に曝される。このため、アクティブ・マトリクス
方式で駆動される液晶表示装置（以下、ＴＦＴ型液晶表
示装置）の画素領域に用いられる従来の遮光構造を有機
ＥＬ発光表示装置のそれに適用しても、斯様に強力な光
から画素領域をシールドすることは不可能である。とり
わけ、有機ＥＬ素子からの光をスイッチング素子が形成
された主面を有するＴＦＴ基板に輻射させるボトム・エ
ミッション型（Bottom Emission-type）の有機ＥＬ発
光表示装置では、これによる表示画像の画質の劣化が生
じ易い。
【０００７】上述した有機ＥＬ素子からの光で生じる不
測の問題（以下、「光漏れ」とも記す）は、有機ＥＬ発
光表示装置の発光領域（有機材料層）を画素間で隔てる
絶縁膜（所謂バンク層）を通して、或る画素で生じた光
が、これに隣接する他の画素に漏れることにも起因する
と考えられる。斯様に生じる光漏れは、スメア（Smea
r）やコントラスト不良として有機ＥＬ発光表示装置の
ユーザに知覚される。
【０００８】有機ＥＬ発光表示装置に表示される画像の
コントラストという観点では、非発光状態にある画素の
黒色度を上げることが非常に重要になる。有機ＥＬ発光
表示装置では、基板内で光の反射等による光漏れが黒表
示に与える影響は、液晶表示装置におけるそれより大き
くなる。従って、白表示状態の画素の高い輝度も、この
画素が黒表示状態にあるときに生じる光漏れにより相殺
され、表示画像のコントラストは依然低いレベルに留ま
る。その結果、この表示画像の画質は、液晶表示装置の
表示画像に比べて劣らざるを得ない。
【０００９】さらに、有機ＥＬ発光表示装置では、各画
素における発光領域の拡大も重要である。有機ＥＬ発光
表示装置の製造工程において、所謂高分子系の有機ＥＬ
材料（Organic Electroluminescent Polymeric Materia
l）が溶液状態で各画素に供給される場合、有機ＥＬ材
料の溶液を一時的に蓄えられる深さの開口を上記バンク
に設けねばならない。このため、ＴＦＴ基板側に光を放
つボトム・エミッション型の有機ＥＬ発光表示装置で
は、このバンクの開口がＴＦＴ基板側で狭まることによ
る発光領域の縮小も考慮せねばならない。従って、バン
ク上面にて開口形成に宛がわれる領域は、あまり小さく
することができない。その一方、各画素には、これに設
けられた有機ＥＬ素子を制御する画素回路も形成され
る。従って、各画素においては、画素回路に含まれるス
イッチング素子や容量素子に提供される領域を確保する
ことが必要とされる。このような事情において、各画素
には、その内部に上記２つの領域を平面的に巧く配置す
ることが要請される。
【００１０】一方、上記高分子系の有機ＥＬ材料よりも
分子量が低い他の種類の有機ＥＬ材料を有機ＥＬ素子の
形成に用いることもできる。この他の種類の有機ＥＬ材
料は、この種の有機ＥＬ材料が昇華された状態で各画素
（有機ＥＬ素子を有する）に供給できるほど低い分子量
を有することに因んで、低分子量の有機ＥＬ材料とも呼
ばれる。従って、低分子量の有機ＥＬ材料の画素形成へ
の適用は、上記バンク開口が高分子系の有機ＥＬ材料に
対するそれよりも浅く形成されることを許容する。しか
し、低分子量の有機ＥＬ材料からなる有機ＥＬ素子を備
えた有機ＥＬ発光表示装置においても、上述の如く、各
画素に発光領域と画素回路領域とを平面的に配置するこ
とが要請される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような背景
で、上述の問題点を解決するためになされたものであ
る。本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の代表的な
例を、以下に記す。
【００１２】（１）本発明による有機ＥＬ発光表示装置
の第１例は、主面を有する基板、前記基板主面上に二次
元的に配置された複数の画素、前記基板主面上に第１の
方向に沿って並設された複数の走査信号線、前記基板主
面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並
設された複数のデータ信号線、及び前記基板主面上に配
置された複数の電流供給線を備える。この複数の画素の
各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送され
るデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加
される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と
前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記
データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含
む複数のアクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取
り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子、
並びに、前記第２アクティブ素子で調整された電流の供
給により発光する有機エレクトロルミネセンス素子とを
有する。また、前記複数の画素の少なくとも一つは、こ
れ又はこれに隣接する前記複数の画素の他の一つに設け
られた前記複数のアクティブ素子をこれに設けられた前
記有機エレクトロルミネセンス素子の発光からシールド
する光シールド部材を含む。
【００１３】（２）本発明による有機ＥＬ発光表示装置
の第２例は、主面を有する基板、前記基板主面上に第１
の方向に沿って並設された複数の走査信号線、前記基板
主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って
並設された複数のデータ信号線、前記基板主面上に配置
された複数の電流供給線、及び前記基板主面上に二次元
的に配置された複数の画素を備える。この複数の画素の
各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送され
るデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加
される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と
前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記
データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含
む複数のアクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取
り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子、
並びに、前記第２アクティブ素子で調整された電流の供
給により発光する有機エレクトロルミネセンス素子とを
含む。また、この有機ＥＬ発光表示装置の第２例は、前
記複数の画素の一つに配置された前記有機エレクトロル
ミネセンス素子からの複数の画素の一つ又はこれに隣接
する前記複数の画素の他の一つに配置された前記複数の
アクティブ素子へ向けて放射される光を遮る位置に配置
された第１の光シールド部材、及び前記複数の画素の互
いに隣接する一対の境界に配置され且つ複数の画素の一
対間での光漏れを境界にて遮る第２の光シールド部材を
も備える。
【００１４】上述した本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の前記第１例及び前記第２例のいずれにおいても、前
記複数のアクティブ素子は、例えば半導体の多結晶又は
擬似単結晶からなるチャネル層を有する薄膜トランジス
タ等のスイッチング素子として設けられる。前記有機Ｅ
Ｌ発光表示装置の前記第１例及び前記第２例の各々に設
けられる前記有機エレクトロルミネセンス素子の一例
は、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受け
る透明電極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電
極の上面の一部を露出する開口を有する絶縁膜（「バン
ク」とも呼ばれる）、及び、前記透明電極の前記上面の
一部上に形成された有機材料層を含む。前記絶縁膜は、
暗色（黒色）の材料や無機材料で形成される。前記絶縁
膜は、ポリイミド系材料で形成してもよい。また、前記
絶縁膜の前記開口の断面は、前記透明電極の上面に向け
てテーパ状に形成してもよい。
【００１５】上述した本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の前記第１例の更に具体的な構成例の夫々は、以下の
ように記述される。 （１ａ）前記有機エレクトロルミネセンス素子が、前記
第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透明電
極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電極の上面
の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記絶縁
膜の前記開口及びこの絶縁膜の開口に沿う部分を覆い且
つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が供
給される有機材料層を含む場合、前記絶縁膜の前記部分
と前記有機材料層との間に形成される境界は、前記基板
主面から見て前記光シールド部材で覆われる。 （１ｂ）前記光シールド部材として、前記走査信号線の
一部及び前記データ保持素子の電極の一方として形成さ
れた導体層の少なくとも一つが提供される。 （１ｃ）前記光シールド部材として、前記走査信号線と
同層で形成され且つ前記基板主面から見て前記有機エレ
クトロルミネセンス素子の発光領域の周辺にリング状、
Ｌ字状、又はＵ字状に成形された導体層が提供される。 （１ｄ）前記光シールド部材は、前記データ信号線及び
前記電流供給線の少なくとも一方と同層に形成され且つ
前記有機エレクトロルミネセンス素子に電流を供給する
配線の一部であり、例えば、前記第２アクティブ素子か
ら供給される電流を受ける有機エレクトロルミネセンス
素子の前記透明電極に電気的に接続される。 （１ｅ）前記光シールド部材は、アルミニウム層を含
む。 （１ｆ）前記光シールド部材は前記複数の画素の各々に
配置され、この複数の画素の各々にて前記複数のアクテ
ィブ素子と前記有機エレクトロルミネセンス素子とはこ
の光シールド部材により前記基板主面沿いに分離され
る。
【００１６】上述した本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の前記第２例の更に具体的な構成例の夫々は、以下の
ように記述される。 （２ａ）前記有機エレクトロルミネセンス素子は、前記
第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透明電
極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電極の上面
の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記絶縁
膜の前記開口及びこの絶縁膜の開口に沿う部分を覆い且
つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が供
給される有機材料層を含む場合、（２ａ-2）前記第１の
光シールド部材及び前記第２の光シールド部材は前記基
板主面と前記透明電極との間に形成され、且つ（２ａ-
2）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シール
ド部材の少なくとも一つは前記絶縁膜の下側から前記絶
縁膜の開口の下側へ延在する。 （２ｂ）前記第１の光シールド部材は前記走査信号線の
一部及び前記データ保持素子の電極の一方として形成さ
れた導体層の少なくとも一つで成形され、前記第２の光
シールド部材はこのデータ保持素子の一方の電極として
形成された導体層及び前記電流供給線に接続された導体
層の少なくとも一つである。 （２ｃ）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シ
ールド部材の一方は、前記走査信号線の一部であり、そ
の他方はこの走査信号線と同層で形成され且つ前記基板
主面から見て前記有機エレクトロルミネセンス素子の発
光領域の周辺にリング状、Ｌ字状、又はＵ字状に成形さ
れた導体層である。 （２ｄ）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シ
ールド部材の少なくとも一方は、（２ｄ-1）前記データ
信号線並びに前記電流供給線の少なくとも一方の一部、
又は（２ｄ-2）このデータ信号線並びにこの電流供給線
の少なくとも一方と同層で形成され且つ前記有機エレク
トロルミネセンス素子に電流を供給する配線の一部（例
えば、例えば、前記第２アクティブ素子から供給される
電流を受ける有機エレクトロルミネセンス素子の前記透
明電極に電気的に接続される）である。 （２ｅ）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シ
ールド部材は、アルミニウム層を含む。 （２ｆ）前記複数の画素の各々は、前記基板主面沿いに
前記複数のアクティブ素子が形成される領域と前記有機
エレクトロルミネセンス素子が形成される他の領域とに
分かれている。
【００１７】尚、本発明は上記の構成に限定されるもの
ではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の
変更が可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は、本発明を適用した
有機ＥＬ発光表示装置の一例における一つの画素を示す
平面図である。図１（Ｂ）は、この一つの画素（画素素
子）の等価回路を図１（Ａ）に示すスイッチング素子Ｓ
Ｗ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ、容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，
ＣＳｉ-Ｃ２、及び後述のコンタクトホール（Contact
Hole，図１（Ａ）にて二重の四角形状で示される）Ｃｏ
ｎｔ-ＤＬ，Ｃｏｎｔ-ＰＬ，ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３と
して形成されるノード（Node）に対応させて示す。この
容量素子の各々は、絶縁材料層（誘電体層）を挟む一対
の電極として設けられた半導体層ＣＳｉとその上部に横
たわる導体層Ｃ１又はＣ２との対で記された参照符号に
て特定される。画素毎に設けられる有機ＥＬ素子（発光
素子）ＬＥＤもこの等価回路に含まれるが、図１（Ａ）
には完全に図示されてはいない。図１（Ａ）において、
有機ＥＬ素子ＬＥＤは透明電極ＩＴＯ（その輪郭が一点
鎖線で示される）とその上面に順次積層される有機材料
層及び電極層（ともに図１（Ａ）には示されない）とか
らなる。
【００１９】本発明の有機ＥＬ発光表示装置の画像表示
領域には、複数個の図１に示す画素を図２に示す如く２
次元的に配置した所謂アクティブ・マトリクスの画素ア
レイが設けられる。図１（Ｂ）に示す１画素分の等価回
路に含まれる各部材（半導体層ＣＳｉや電極層Ｃ１，Ｃ
２）は、図２の画素領域ＰＩＸに対応する破線枠内に概
ね囲まれる。
【００２０】図１（Ａ）にて参照符号（Reference Cha
racter）ＯＰＮが付された八角形の輪郭は、バンクＢＭ
Ｐの開口部を示す。バンクＢＭＰは、透明電極ＩＴＯの
上面の周縁に形成される絶縁材料層であり、その開口か
ら露出される透明電極ＩＴＯの上面に上述の有機材料層
（部材ＯＣＴとして後述される）が接する。バンクＢＭ
Ｐは透明電極ＩＴＯ上に形成される有機材料層を画素毎
に電気的に分離し、その開口部ＯＰＮは画素毎に設けら
れる有機ＥＬ素子ＬＥＤ（図１（Ｂ）参照）の発光領域
とほぼ一致する。
【００２１】一方、本実施の形態にて、透明電極ＩＴＯ
とともに有機材料層を挟んで有機ＥＬ素子ＬＥＤをなす
上述の電極層（部材ＣＭとして後述される）は複数の画
素に跨り、ツイステッド・ネマティック型（Twisted N
ematic-type，所謂ＴＮ型）の液晶表示装置における対
向電極（共通電極）の如く形成される。図１（Ａ）にて
バンクＢＭＰの開口ＯＰＮとして示される有機ＥＬ素子
ＬＥＤには、電流供給線ＰＬの分岐線からノードＣＨ
３，スイッチング素子ＤＴ，ノードＣＨ２，スイッチン
グ素子ＳＷ２が順次設けられた電流パス（Current Pat
h）を通過した電流（電荷）が、この電流パスにコンタ
クトホールＣｏｎｔ-ＩＴＯを通して電気的に接続され
る透明電極ＩＴＯを通して供給される。スイッチング素
子ＤＴ及びスイッチング素子ＳＷ２の各々（図１（Ａ）
にて円で囲まれる）にて、この電流パスは半導体層（濃
い色で表示）として形成され、その上部には金属又は合
金からなる電極層（淡い色で表示）が絶縁層を介して形
成される。換言すれば、上記電流パスにおける電荷の流
れは、これに設けられたスイッチング素子ＤＴ及びスイ
ッチング素子ＳＷ２（これらに対応する半導体層に印加
される電界）により制御される。例えば、スイッチング
素子ＳＷ２を通過する電流パスの電荷は、コントロール
信号線（Control Signal Line）ＣＬ１に印加される
電界により制御される。
【００２２】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す本実施の
形態の各画素における有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流注入
は、ドレイン線（映像信号線）ＤＬから画素毎に供給さ
れる映像信号（電圧信号）に応じて制御される。換言す
れば、有機ＥＬ素子ＬＥＤには、このドレイン線ＤＬで
伝送される映像信号に応じた電流が印加される。スイッ
チング素子ＳＷ１はコントロール・トランジスタ（Cont
rol Transistor）とも呼ばれ、この領域を示す円内
で、ノードＣｏｎｔ-ＤＬにてドレイン線ＤＬと電気的
に接続された半導体層を２回跨ぐように走査信号線ＧＬ
が形成される。図１（Ａ）に示されるスイッチング素子
ＳＷ１のように、そのチャネル層（半導体層）と２回交
差するゲート電極（ここでは走査信号線ＧＬ）は、デュ
アル・ゲート（Dual Gates）とも呼ばれる。スイッチ
ング素子ＳＷ１から出力された映像信号は、２つのコン
トロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２を跨ぐ導体層を経て、容
量素子Ｃ１-ＣＳｉをなす一対の電極の一方たる導体層
Ｃ１に到達する。従って、ドレイン線沿いに並設される
画素行（ドレイン線の延伸方向に交差する方向に並ぶ画
素群）の各々に属する各画素には、この画素行に対応し
た走査信号線ＧＬで伝送される走査信号に応じて、ドレ
イン線ＤＬから映像信号が入力され、その電圧は各画素
に次の映像信号が入力されるまで容量素子Ｃ１-ＣＳｉ
に保持される。この容量素子Ｃ１-ＣＳｉは、ＴＮ型の
液晶表示装置にて液晶層を挟む一対の電極からなる容量
の如く機能する。
【００２３】一方、有機ＥＬ素子ＬＥＤの輝度は、これ
に電流を供給する電流パスに設けられたスイッチング素
子ＤＴで制御される。このため、スイッチング素子ＤＴ
は、ドライブ・トランジスタ（Drive Transistor）と
も呼ばれる。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるよう
に、本実施の形態では、スイッチング素子ＤＴを示す円
内で、ノードＣＨ１にて容量素子Ｃ１-ＣＳｉをなす一
対の電極の他方たる半導体層ＣＳｉと電気的に接続され
た導体層が、上記電流パスの半導体層の上部に形成され
る。従って、ドレイン線ＤＬから入力された映像信号に
応じて容量素子Ｃ１-ＣＳｉに保持された電圧に応じた
電流が、電流供給線ＰＬからスイッチング素子ＤＴを通
して、有機ＥＬ素子の発光領域（上述のバンクの開口Ｏ
ＰＮに対応）に書き込まれる。
【００２４】なお、走査信号線ＧＬは上述のノードＣｏ
ｎｔ-ＤＬ等をなすコンタクトホール（二重の四角形状
として図１（Ａ）に示される）を避けるジグザク形状に
形成されるが、画像表示領域全体においては図２に例示
されるようにドレイン線ＤＬや電流供給線ＰＬの延伸方
向に交差する方向に延びる。走査信号線ＧＬは、画素内
にてこれに隣接する画素（図１（Ａ）では上側）の発光
領域（開口ＯＰＮ）に沿い、上記電流供給線ＰＬの分岐
線にオーバラップされる。このように形成された走査信
号線ＧＬは、当該画素に設けられる上記スイッチング素
子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴの各々のチャネル層
（濃い色で示される半導体層）よりもその上側（隣の画
素側）に横たわる。従って、走査信号線ＧＬを金属，合
金等の光を吸収し易い又は光を反射し易い材料で形成す
ることにより、これらのチャネル層をドレイン線ＤＬ又
は電流供給線ＰＬ沿いに隣接する他の画素（図１（Ａ）
では上隣の画素）で生じた光から隠すことができる。特
に、電流供給線ＰＬの分岐線が光を吸収又は反射し易い
材料で形成されると、これにオーバラップされる走査信
号線ＧＬの部分は上記チャネル層の各々を効率よく遮光
する（この走査信号線ＧＬの一部分は、図２にて遮光層
ＧＬＳを示す円に囲まれる）。このような走査信号線Ｇ
Ｌは、本発明による遮光構造を特徴付ける一つであり、
走査信号線ＧＬに代えて、ドレイン線ＤＬや電流供給線
ＰＬの延伸方向に交差する方向に延びるコントロール信
号線ＣＬ１，ＣＬ２で上述の遮光構造を形成してもよ
い。
【００２５】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す如く、本
実施の形態に示す画素の夫々には、２本のコントロール
信号線ＣＬ１，ＣＬ２とそのいずれかにより制御される
スイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３が設けられる。有機Ｅ
Ｌ素子ＬＥＤへの電流供給量でその輝度を制御する所謂
電流駆動型の有機ＥＬ発光表示装置では、その動作原理
からして、斯様なコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２や
スイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３の配置を必ずしも要し
ない。例えば、図１７に示される有機ＥＬ発光表示装置
や図１８に示されるその画素構造では、これらのコント
ロール信号線やスイッチング素子が設けられない。夫々
の画素に配置されるドライブ・トランジスタＤＴの特性
（特に「閾電圧値」）にバラツキがなく又はそれが無視
できる限り、図１８に示される画素構造の有機ＥＬ発光
表示装置を実用に供することができる。また、図１８の
画素構造を有する有機ＥＬ発光表示装置は、図１８中の
ドライブ・トランジスタＤＴのチャネルに印加する電圧
をこれに対してドライブ・トランジスタＤＴが線形に応
答する範囲で振りながら、画素の輝度を時間軸に沿って
変調することによっても実用に供することができる。し
かし、ドライブ・トランジスタＤＴのチャネル層をシリ
コン等の半導体材料の多結晶や擬似単結晶で形成する場
合、その結晶化工程（例えば、レーザ照射によるアニー
リング（Annealing））の条件が画素間で異なる可能性
は否めない。このような結晶化工程の条件の相違は、一
つの有機ＥＬ発光表示装置の画像表示領域内にドライブ
・トランジスタＤＴの特性が互いに異なる画素を共存さ
せ、その結果、例えば画面全体を同じ階調で表示する画
像データが入力された有機ＥＬ発光表示装置の画像表示
領域内に輝度の相違（輝度ムラ）を生成する。
【００２６】本実施の形態において、図１（Ａ）及び図
１（Ｂ）に示す２本のコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ
２とその夫々により制御されるスイッチング素子ＳＷ
２，ＳＷ３とを設けた動機の一つは、画像表示領域内に
て斯様に不均一となるドライブ・トランジスタＤＴの特
性を概ね一様にすることにあり、これらの機能は、次の
ように説明される。コントロール信号線ＣＬ１とＣＬ２
とには、それぞれタイミングが異なる制御信号が、図１
（Ａ）及び図１（Ｂ）には示されないコントロール信号
供給回路から供給される。
【００２７】具体的には、まず、コントロール信号線Ｃ
Ｌ１を通して伝送された制御信号がスイッチング素子
（第１の入力スイッチ）ＳＷ２をターン・オン（Turn-O
N）させる。このとき、ドライブ・トランジスタＤＴは
ターン・オンされないものの、そのノードＣＨ２側はフ
ローティング状態（Floating State）から有機ＥＬ素
子ＬＥＤを通して基準電位に接続され、その電位は所定
の値に上がる。次にコントロール信号線ＣＬ２を通して
伝送された制御信号が、これに対応するスイッチング素
子（第２の入力スイッチ）ＳＷ３をターン・オンさせ
る。これにより、フローティング状態にあった容量素子
ＣＳｉ-Ｃ２の一方の電極ＣＳｉは、スイッチング素子
ＳＷ３を通してドライブ・トランジスタＤＴのノードＣ
Ｈ２側と接続され、その電位は上記所定の値に上がる。
このとき、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位
（ノードＣＨ１の電位）はその出力側（ノードＣＨ２
側）と同じため、ドライブ・トランジスタＤＴのチャネ
ル層は電荷の流れを遮断する。電流供給線ＰＬには、ド
レイン線ＤＬで伝送される映像信号に関係なく所定の電
流が流れるため、その電位も概ね一定である。従って、
２つのスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３を順次ターン・
オンする（夫々のチャネル層を順次導通状態にする）こ
とにより、いずれの画素の容量素子ＣＳｉ-Ｃ２にも概
ね同じ量の電荷が蓄えられる。この状態で、ＳＷ３のチ
ャネル層を閉ざし、次にスイッチング素子（コントロー
ル・トランジスタ）ＳＷ１がターン・オンされると、容
量素子Ｃ１-ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に印加される電圧
（映像信号）に応じて、容量素子Ｃ１-ＣＳｉの容量も
変わり、これに応じてノードＣＨ１の電位（ドライブ・
トランジスタＤＴのゲート電位）とその出力側（ノード
ＣＨ２側）の電位との間に差が生じる。この電位差によ
り本実施の形態に示す画素においては、ドライブ・トラ
ンジスタＤＴをターン・オンし、またターン・オンされ
たチャネルに流れる電荷量を制御して有機ＥＬ素子ＬＥ
Ｄを所望の輝度で光らせる。
【００２８】ドライブ・トランジスタＤＴのチャネル層
は、通常所定のゲート電位（閾電圧）Ｖｔｈに対してタ
ーン・オンされるが、このチャネル層が例えば半導体材
料の多結晶層又は擬似単結晶層として形成される場合、
上述の如く、画素に応じてその閾電圧Ｖｔｈが相違す
る。本実施の形態では、斯様な閾電圧Ｖｔｈに依存する
ドライブ・トランジスタＤＴの動作点を容量素子ＣＳｉ
-Ｃ２で与えられるノードＣＨ１の電位を基準に設定
し、そのオン・オフを容量素子ＣＳｉ-Ｃ２と容量素子
Ｃ１-ＣＳｉとの容量バランスにより制御することによ
り閾電圧Ｖｔｈを安定化させて、画素間に生じたＶｔｈ
のばらつき補正を行う。スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ
２，ＳＷ３，ＤＴの各々の動作の詳細は以下の通りであ
る。
【００２９】コントロール・トランジスタとも呼ばれる
スイッチング素子ＳＷ１は、画素毎に映像信号電圧を入
力するスイッチで、本実施の形態のみならず、ドライブ
・トランジスタＤＴのチャネル層の導通状態をその閾電
圧Ｖｔｈで制御する有機ＥＬ発光表示装置の画素にも設
けられる。スイッチング素子ＳＷ１は、そのチャネル層
（半導体層）と交差する走査信号線ＧＬに伝送される走
査信号に応じてオン／オフされ、ドレイン線ＤＬから入
力された映像信号電圧を画素毎に設けられた所謂画素回
路の容量素子（コンデンサ）に、書き込む。
【００３０】各画素に設けられた有機ＥＬ素子を電流注
入により駆動する有機ＥＬ発光表示装置の画像表示領域
に、例えば、画像データをフレーム期間（垂直走査期
間）毎に１回書き込むとき、各画素に設けられたスイッ
チング素子ＳＷ１がターン・オンされる期間は走査信号
線ＧＬ毎に宛がわれた水平走査期間に限られる。このた
め、夫々の走査信号線ＧＬに対応した画素行に含まれる
有機ＥＬ素子への電流注入量（電荷注入量）も制限され
る。このような電流駆動型の有機ＥＬ発光表示装置で
は、ＴＮ型液晶表示装置のような電圧駆動型の表示装置
と異なり、画像データ（映像信号）を取り込むスイッチ
ング素子ＳＷ１で所定の期間に亘り画素の輝度を維持す
ることは困難である。このため、上述したようにドライ
ブ・トランジスタＤＴとも呼ばれる別のスイッチング素
子と電流供給線ＰＬとを画素毎に設け、そのチャネル層
の導通状態を所定の期間に亘り維持することで、各画素
の輝度を確保する。スイッチング素子（コントロール・
トランジスタ）ＳＷ１の出力側に接続される容量素子
は、上記ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位を所
定の期間に亘り所望の値に維持し、有機ＥＬ素子ＬＥＤ
への電流注入を持続させる。従って、ドライブ・トラン
ジスタＤＴの導通状態をその閾電圧Ｖｔｈを基準に制御
する場合も、本実施の形態に準じて制御する場合も、ス
イッチング素子ＳＷ１の出力側に容量素子を設けること
が推奨される。
【００３１】本実施の形態のスイッチング素子ＳＷ１
は、そのチャネル層が、図１（Ａ）に示す如く、２個所
の部分で、上記走査信号線ＧＬと交差するデュアル・ゲ
ート構造を有する。この２個所の部分の制御で、ドレイ
ン線ＤＬから供給される信号電圧を容量素子Ｃ１-ＣＳ
ｉの一方の電極Ｃ１に書き込む動作を安定化させてい
る。また、このデュアル・ゲート構造により容量素子の
スイッチング素子ＳＷ１側（ドレイン線ＤＬ側）の電極
（本実施の形態では、導体層Ｃ１）に蓄積された電荷の
漏洩を押え、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位
を所定の期間に亘り安定させる。
【００３２】スイッチング素子ＳＷ２は、上述の如き容
量素子ＣＳｉ-Ｃ２の一方の電極（半導体層）ＣＳｉへ
の電荷蓄積を制御するのみならず、ドライブ・トランジ
スタＤＴから有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流供給スイッチ
としても機能する。後者の機能は、電流供給線ＰＬから
供給され且つドライブ・トランジスタＤＴでドレイン線
から入力された映像信号に応じて調整された電流を、ス
イッチング素子ＳＷ２のオンで、有機ＥＬ素子ＬＥＤに
書き込むもので、本実施の形態のみならず、ドライブ・
トランジスタＤＴの導通状態をその閾電圧Ｖｔｈを基準
に制御する場合にも利用される。このようなスイッチン
グ素子（電流供給スイッチＳＷ２）は、コントロール信
号線ＣＬ１のタイミングで、オン／オフ制御される。
【００３３】スイッチング素子ＳＷ３は、ドライブ・ト
ランジスタＤＴの閾電圧ＶｔｈをコンデンサＣＳｉ−Ｃ
２に記憶させるための制御をするスイッチであり、図１
（Ｂ）に示す本実施の形態の画素回路に特有なスイッチ
ング素子である。
【００３４】ドライブ・トランジスタＤＴは、図１
（Ａ）に示すように、他のスイッチング素子ＳＷ１，Ｓ
Ｗ２，ＳＷ３に比べて、そのチャネル層（半導体層）を
覆う導体層がチャネル層の延伸方向沿いに長く延びた比
較的大きなゲート長を有する。本実施の形態のドライブ
・トランジスタＤＴは上記スイッチング素子（タイミン
グ・スイッチ）ＳＷ３を通して容量素子ＣＳｉ-Ｃ２に
蓄積された電荷と上記スイッチング素子（コントロール
・トランジスタ）ＳＷ１を通して容量素子Ｃ１-ＣＳｉ
に蓄積された電荷とのバランスに応じてターン・オンさ
れる。これにより、ドレイン線ＤＬから供給される映像
信号に応じた電流が電流供給線ＰＬの分岐線に設けられ
たコンタクトホールＣＨ３を通して、上記スイッチング
素子（電流供給スイッチ）ＳＷ２の手前まで流れる。さ
らに、電流供給スイッチＳＷ２のオンにより、有機ＥＬ
素子ＬＥＤに、電流供給線ＰＬの電流が書き込まれるの
である。
【００３５】図２は、上記図１（Ａ）の画素をマトリク
ス状に配置した平面図である。図１（Ａ）に示される一
つの画素は、図２において太い破線で囲まれた画素領域
ＰＩＸに対応する。本発明による有機ＥＬ発光表示装置
は、図１（Ａ）に示す画素が図２に示す如く２次元的に
配置されたアクティブ・マトリクス構造の画像表示領域
を備える。
【００３６】図１（Ｂ）に示す一画素の等価回路に含ま
れる容量素子（コンデンサ）Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２
の夫々に備えられた一方の電極（半導体層）ＣＳｉは、
図２に示す画素領域ＰＩＸのバンク開口ＯＰＮ（有機材
料層ＯＣＴを備えた発光領域）の上側から右側に掛けて
延在する濃い色の領域として記される。容量素子Ｃ１-
ＣＳｉの他方の電極Ｃ１もバンク開口ＯＰＮの上側から
右側に掛けて延在し且つ上記半導体層ＣＳｉの上部に絶
縁材料層（誘電体層）を介して形成される。容量素子Ｃ
Ｓｉ-Ｃ２の他方の電極Ｃ２はバンク開口ＯＰＮの右下
側に延びた半導体層ＣＳｉの上部に絶縁材料層（誘電体
層）を介して形成され、画素領域の右下の隅に設けられ
たコンタクトホールＣｏｎｔ-ＰＬにて、その上部に形
成される電流供給線ＰＬと電気的に接続する。
【００３７】容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の夫々
にて上記一方の電極となる半導体層ＣＳｉには、スイッ
チング素子ＳＷ２，ＳＷ３を通して電荷が供給される。
容量素子Ｃ１-ＣＳｉの他方の電極Ｃ１（半導体層ＣＳ
ｉより薄い色で示される）には、画素領域ＰＩＸの左端
に設けられたドレイン線ＤＬからコンタクトホールＣｏ
ｎｔ-ＤＬ及びスイッチング素子ＳＷ１を通して電荷が
供給される。容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の他方の電極Ｃ２
（半導体層ＣＳｉより薄い色で示される）には、画素領
域ＰＩＸの右端に設けられた電流供給線ＰＬからコンタ
クトホールＣｏｎｔ-ＰＬを通して電荷が供給される。
【００３８】厳密に記すと、図２の画素領域ＰＩＸに対
応した半導体層ＣＳｉ及び導体層Ｃ１，Ｃ２の夫々の一
部は、この画素領域ＰＩＸを示す太い破線の枠の右端か
ら外側へ突き出し、この画素領域ＰＩＸの左隣の画素領
域に対応する半導体層ＣＳｉ及び導体層Ｃ１，Ｃ２の夫
々の一部が画素領域ＰＩＸを示す太い破線の枠の左端か
らその内部に入る。
【００３９】上述のとおり、本実施の形態に記す有機Ｅ
Ｌ発光表示装置では、画素領域ＰＩＸに対応して設けら
れた２つの容量素子（コンデンサ）をなす半導体層ＣＳ
ｉと導体層Ｃ１、Ｃ２の夫々に蓄えられた電荷が、画素
領域ＰＩＸの上端に延びる電流供給線ＰＬの分岐線から
コンタクトホールＣＨ３、ドライブ・トランジスタとい
うスイッチング素子ＤＴ、及びコンタクトホールＣｏｎ
ｔ-ＩＴＯを通して有機ＥＬ素子の発光領域（バンク開
口ＯＰＮに形成される有機材料層ＯＣＴ）に書き込まれ
る電流量を決める。なお、図２の画素領域ＰＩＸでは、
図１（Ａ）に示した透明電極層ＩＴＯは省略されてい
る。
【００４０】本実施の形態における有機ＥＬ発光表示装
置では、画素毎に設けられるスイッチング素子ＳＷ１，
ＳＷ２，ＳＷ３、およびドライブ・トランジスタＤＴと
して、多結晶シリコン（Poly-crystalline Silicon，
Ｐｏｌｙ−Ｓｉとも記される）からなるチャネル層を有
する電界効果型トランジスタ（薄膜トランジスタ又はＰ
ｏｌｙ−ＳｉＴＦＴとも記される）を用いる。この種の
スイッチング素子（Ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ）で画像表示
領域に配置される複数の画素の各々を駆動する表示装置
では、画素毎に設けられたスイッチング素子のチャネル
層（多結晶シリコン層）に光が照射されて現れる光起電
力効果（Photovoltaic Effect）により当該チャネル層
の導通状態が変動し易いため、このスイッチング素子
（ＴＦＴ）で駆動される画素の輝度が所望の値から外れ
て画像表示領域の画質の劣化を招くことがある。とりわ
け、アクティブ・マトリクス型の有機ＥＬ発光表示装置
の画素においては、有機ＥＬ素子（発光部）とこれを制
御するアクティブ素子（スイッチング素子）が近接して
いるため、数十万ルックスに到る強度の光がスイッチン
グ素子のチャネル層に向けてその斜め方向から照射され
る。例えば、米国特許第5,561,440号公報に記載される
従来のＴＦＴ型液晶表示装置と同様な遮光構造を有機Ｅ
Ｌ発光表示装置の画素に適用しても、この強力な光から
スイッチング素子のチャネル層をシールドすることは不
可能である。そのため、本発明では、本実施の形態に例
示した如く画素毎に形成される回路（画素回路）の容量
素子（コンデンサ）の電極層を遮光材として多結晶シリ
コン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなるスイッチング素子のチ
ャネル層と有機ＥＬ素子ＬＥＤの発光部との間に配置し
て、有機ＥＬ発光表示装置に表示される画像の劣化を防
いでいる。
【００４１】図２に太い破線で囲まれて示される一つの
画素領域ＰＩＸにおいては、有機ＥＬ発光表示装置の画
素毎に設けられる容量素子Ｃ１-ＣＳｉの一方の電極と
なる導体層Ｃ１が、光透過率の低い材料（例えば、モリ
ブデン・タングステン（ＭｏＷ）やチタン・タングステ
ン（ＴｉＷ）等の高融点金属、その合金、又はそのシリ
サイド）で、発光部（有機材料層ＯＣＴ）が設けられる
バンク開口部ＯＰＮとスイッチング素子群（ＳＷ１，Ｓ
Ｗ２，ＳＷ３，ＤＴ）との間に形成される。一方、本実
施の形態では、上記容量素子Ｃ１-ＣＳｉの電極の他方
が上述のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，Ｄ
Ｔのチャネル層とともに多結晶シリコン層ＣＳｉで形成
される。多結晶シリコン層ＣＳｉは、これに入射する光
を最大９０％まで吸収するため、その上部に設けた当該
容量素子の上記一方の電極（導体層Ｃ１）とともに、こ
の画素領域ＰＩＸ内にて上記発光部（有機材料層ＯＣ
Ｔ）からの光が上記スイッチング素子群の各チャネル層
に照射されることを防ぐ。
【００４２】図１（Ａ）や図２に示す如く、本実施の形
態における有機ＥＬ発光表示装置の各画素において、夫
々に設けられる２つの容量素子（コンデンサ）Ｃ１-Ｃ
Ｓｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の電極となる導体層ＣＳｉ，Ｃ１，
Ｃ２は、電流供給線ＰＬとドレイン線ＤＬの下にも形成
される。このように導体層ＣＳｉ，Ｃ１，Ｃ２を、画素
領域間に配置される電流供給線ＰＬとこれに隣接して並
設されるドレイン線ＤＬとに沿い延伸させることによ
り、容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２のコンデンサ領
域（一対の電極が対向しあう面積）を最大限に拡げ且つ
画素領域ＰＩＸにおける発光領域も最大限に拡げる。上
述のように有機ＥＬ発光表示装置は各画素の発光部を電
流駆動させるため、上記容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-
Ｃ２の電極Ｃ１，Ｃ２を、電流供給線ＰＬとドレイン線
ＤＬと対向させても、クロストークが発生し難い。
【００４３】なお、本実施の形態における容量素子Ｃ１
-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２は、隣接し合う画素間に並設され
た電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの両方にオーバラ
ップされる構造に限られず、夫々に求められる容量に応
じたコンデンサ領域の広さに即して、これを当該電流供
給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬのいずれか一方にオーバラ
ップさせてもよい。いずれの場合も、電流供給線ＰＬや
ドレイン線ＤＬ沿いに延びる容量素子Ｃ１-ＣＳｉ（一
部）及び容量素子ＣＳｉ-Ｃ２は、走査信号線ＧＬの延
伸方向沿いに隣接し合う画素間に生じる光の漏洩を遮断
する。有機ＥＬ発光表示装置において、画素毎に設けら
れる容量素子Ｃ１-ＣＳｉはドレイン線ＤＬからの信号
電圧（映像信号）を保持するために必要であるが、これ
を電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの少なくとも一方
の下部に延在させて上述の画素間を遮光するためのシー
ルド部材を兼ねさせる必要はない。換言すれば、走査信
号線ＧＬ沿いに隣接する画素間の光漏れは、容量素子Ｃ
１-ＣＳｉ及び容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の少なくとも一方で
抑えられる。なお、容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の一方の電極
Ｃ２は、図１（Ａ）や図２に示す如くコンタクトホール
Ｃｏｎｔ-ＰＬで電流供給線ＰＬと接続されている必要
はなく、その電位は例えばフローティング状態でも構わ
ない。
【００４４】図２に示す本実施の形態では、画素領域Ｐ
ＩＸの長手方向の中心近傍で、上記２つの導体層Ｃ１と
Ｃ２との境界が現れる。上述した画素間の光漏れに対す
るシールド機能の観点では、このようなシールド部材
（遮光部材）の不連続部分を発光部（有機材料層ＯＣ
Ｔ）の中心付近に形成しないほうが望ましく、例えば、
容量素子Ｃ１-ＣＳｉで当該画素間のシールド部材全て
を形成したほうがよい。また、上述の容量素子Ｃ１-Ｃ
Ｓｉや容量素子ＣＳｉ-Ｃ２に代えて、画素回路とは電
気的に独立したリング状、Ｌ字状、コの字形状のシール
ド部材を新たに設けてもよい。さらに、画素領域ＰＩＸ
を囲むリング状のシールド部材は、発光部（有機材料層
ＯＣＴ）の中心から充分離れた位置（例えば、画素領域
ＰＩＸの隅部）では不連続となってもよいため、その一
部を図２に示す走走査信号線ＧＬの一部ＧＬＳに置き換
えてもよい。また、走査信号線ＧＬと同層（Same Leve
l）に、走査信号線とは電気的に分離されたリング状の
導電層をシールド部材として新たに設けてもよい。
【００４５】図２に示す如く、画素領域ＰＩＸにおい
て、容量素子Ｃ１-ＣＳｉを走査信号線ＧＬやコントロ
ール信号線ＣＬ１，ＣＬ２とバンクの開口部ＯＰＮ（有
機材料層ＯＣＴからなる発光部）との間に設け、且つ走
査信号線ＧＬの一部ＧＬＳを画像領域ＰＩＸの端部に配
置することで、バンクの開口部ＯＣＴからの光が、画素
領域ＰＩＸ内に設けられたスイッチング素子群（ＳＷ
１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）の各チャネル層に照射され
難くなる。また、容量素子Ｃ１-ＣＳｉや容量素子ＣＳ
ｉ-Ｃ２を画素領域ＰＩＸの端部に沿う電流供給線ＰＬ
やドレイン線ＤＬと重ねて配置することで、隣接し合う
２つの画素からの光が混じり難くなる。これにより、本
実施の形態の有機ＥＬ発光表示装置においては、画像表
示領域に配置される有機ＥＬ素子の各々から所望の発光
量（輝度）が得られ、きれいで鮮やかな画像が表示でき
る。
【００４６】上述の如く、有機ＥＬ発光表示装置におい
ては、画素領域ＰＩＸ毎に配置された有機ＥＬ素子で強
い光が発生し得る。多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）
からなるチャネルを備えたスイッチング素子（本実施の
形態では、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）は斯様な強
度の光に照射されると、そのチャネルをなすシリコン層
（Ｓｉ層）は、これに印加された電界強度に応じた光起
電力効果を示す。これに因りチャネル（Ｓｉ層）に生じ
た電界は、例えばスイッチング素子がターン・オフ状態
の電界をそのチャネルに印加しているにもかかわらず、
その内部に正孔電子対を生成させるため、スイッチング
素子としての、電荷保持特性が悪化してしまう。例え
ば、容量素子Ｃ１-ＣＳｉに蓄積された電荷（ドライブ
・トランジスタＤＴの制御電圧を決める）がターン・オ
フ状態にあるスイッチング素子（コントロール・トラン
ジスタ）ＳＷ１のチャネルを通してドレイン線ＤＬに漏
れ、その結果、ドライブ・トランジスタＤＴを通して有
機ＥＬ素子に供給される電流を減らす。このような問題
は、従来のＴＦＴ型液晶表示装置では顕在化しなかった
ため、これに採用されてきた遮光構造では、有機ＥＬ素
子からの強力な光をスイッチング素子に対してシールド
することは不可能である。とりわけ、本実施の形態の如
く基板主面側（ＴＦＴ基板側）から透明電極ＩＴＯ，有
機材料層ＯＣＴ，電極層を順次積層して有機ＥＬ素子Ｌ
ＥＤを形成し、有機材料層ＯＣＴで生じた光をＴＦＴ基
板側に放出するボトム・エミッション方式（Bottom Em
issionScheme）の有機ＥＬ発光表示装置では、画素領域
ＰＩＸから放たれた光がこれに設けられたスイッチング
素子のチャネルを照射し易く、このスイッチング素子の
制御（所謂ＴＦＴ駆動）による表示画像の画質が劣化し
やすい。
【００４７】そのため、本実施の形態による有機ＥＬ発
光表示装置では、上記容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ
２の夫々の電極（導体層）Ｃ１、Ｃ２が、遮光層として
も機能するように設計されている。具体的には、図２に
示す通り、バンクの開口部ＯＰＮの電流供給線ＰＬ又は
ドレイン線ＤＬに沿う両端に容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，Ｃ
Ｓｉ-Ｃ２を配置し、走査信号線ＧＬの延伸方向（電流
供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬの延伸方向と交差する方
向）沿いに夫々の電極Ｃ１、Ｃ２の幅を広げる。これに
よって、図２における走査信号線ＧＬの延伸方向に漏れ
る光を電極Ｃ１、Ｃ２で遮る。電極Ｃ１、Ｃ２の面積が
容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２に所望される容量で
制限される場合は、電流供給線ＰＬからの電流を最終的
に透明電極に供給する配線Ｍ１（図１（Ａ）参照，その
詳細は後述され、参照符号ＡＬＳとしても記される）を
延長させ、または電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの
少なくとも一方の幅を広げて、電極Ｃ１、Ｃ２に代わる
遮光層を形成してもよい。
【００４８】さらに、図２に示す通り、容量素子Ｃ１-
ＣＳｉの電極（導体層）Ｃ１の一部は、発光領域（バン
ク開口ＯＰＮ）とスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，Ｓ
Ｗ３の間に形成され、画素領域ＰＩＸ内部（その発光領
域の上側）の遮光も図っている。バンクの開口ＯＰＮの
上端に隣接する電極Ｃ１の一部は、その遮光効果を高め
るために、電流供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬ沿いに幅
を広げられ、その上部に図１（Ａ）に示すように配線Ｍ
１と上記透明電極ＩＴＯとを電気的に接続するコンタク
トホールＣｏｎｔ-ＩＴＯが形成される。
【００４９】また、本実施の形態では、画素領域ＰＩＸ
の下側（当該画素領域ＰＩＸの電流供給線ＰＬ又はドレ
イン線ＤＬ沿いに別の画素領域に隣接する端部）の遮光
のために、この別の画素領域の上端にその駆動に関与す
る走査信号線の一部ＧＬＳが遮光層として配置される。
画素領域ＰＩＸ内でみると、上記走査信号線の一部ＧＬ
Ｓは、その下側に配置されたスイッチング素子ＳＷ１
を、この画素領域ＰＩＸの上側に隣接する別の画素領域
の発光領域から遮光する。
【００５０】以上に説明されるように、本実施の形態に
例示される本発明による有機ＥＬ発光表示装置は、画素
領域毎に設けられた容量素子（コンデンサ）及び走査信
号線を、発光領域（有機材料層ＯＣＴ）の上側、下側、
左側、及び右側のそれぞれに配置して、有機材料層ＯＣ
Ｔからの光が、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ
３に、照射されるのを防ぐ構造となっている。上述した
スイッチング素子のチャネル層に現れる光起電力効果
は、ドライブ・トランジスタＤＴの機能（発光領域の発
光期間内にターン・オンする）において、スイッチング
素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３の夫々の機能に与えるほど
の影響を及ぼさない。従って、画素領域ＰＩＸに配置さ
れる４つのスイッチング素子において、ドライブ・トラ
ンジスタＤＴは他の３つに比べて発光領域の近くに配置
できるが、図２に示す如く、発光領域（画素領域ＰＩＸ
の上側の発光領域ＯＰＮ’）と遮光部材（走査信号線の
一部ＧＬＳ）を隔てて配置するのが望ましい。また、容
量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の電極（導体層）Ｃ
１、Ｃ２の上部に重なり形成される電流供給線ＰＬも、
これらの電極Ｃ１、Ｃ２と同様に光の漏れを遮光するこ
とができる。
【００５１】図２に示した本実施の形態の有機ＥＬ発光
表示装置に備えられる画素アレイ（画像表示領域の一
部）は、図３乃至図７に示す６種類のフォトパターンを
有するマスクを用いたフォトリソグラフィにより形成さ
れる。図３乃至図７の各々に示されるフォトパターンに
は、図２に示す画素アレイ構造との対応を取り易くする
ため、図２に例示された画素領域ＰＩＸに対応する領域
が太い破線枠ＰＩＸで囲まれる。
【００５２】図３，図４，及び図６には、画素領域ＰＩ
Ｘに限り、図５に示すコンタクトホール（例えば、Ｃｏ
ｎｔ-ＤＬ，ＣＨ３）の矩形パターンのうちの、各フォ
トパターンで成形される半導体層や導体層への電気的な
結線に関わる群のみが描かれる。また、図３，図４，及
び図６には、画素領域ＰＩＸ及びその上側に隣接する他
の画素領域のバンク開口ＯＰＮ，ＯＰＮ’が細い破線枠
で示される。さらに、図６，及び図７には、画素領域Ｐ
ＩＸに限り、図１（Ａ）に示す配線Ｍ１と有機ＥＬ素子
の一部である透明電極ＩＴＯとを電気的に接続する矩形
のコンタクトホールＣｏｎｔ-ＩＴＯが示される。これ
らの構成要件は、画素領域ＰＩＸ外のフォトパターンか
ら明らかなように、夫々の図に対応するフォトパターン
には含まれず、図３，図４，図６，及び図６においてこ
れらを識別する参照符号はイタリック体で記される。
【００５３】図３は、図２に示される複数の画素がマト
リクス状に配置された画素アレイの形成に用いられる第
１フォトパターンを示す。上述のＴＦＴ基板として石英
基板を用いる場合はその主面上に、ソーダガラスを用い
る場合はその主面に形成された絶縁膜ＩＡ上に、以下に
説明する第１フォトパターンから第７フォトパターンの
夫々が描かれた７枚のマスクを用いたフォトリソグラフ
ィにより、画素アレイをなす薄膜や開口を順次形成す
る。なお、第１フォトパターンから第６フォトパターン
に至るフォトリソグラフィで、画素領域の各々にて有機
ＥＬ素子を駆動する画素回路が完成する。本実施の形態
では、画素回路に含まれるスイッチング素子のチャネル
を非晶質シリコン層で成形し、この非晶質シリコン層を
レーザ照射等による比較的低い温度のプロセスで多結晶
シリコン層に変えてチャネルにおける電子の移動度を高
める。このため、第１フォトパターンから第６フォトパ
ターンに至る一連の工程は、低温ポリシリコン工程（Lo
w Temperature Poly-Silicon process）又はＬＴＰ
Ｓ工程とも呼ばれる。これに対し、第７フォトパターン
を用いたフォトリソグラフィでは、有機ＥＬ素子の発光
部となるバンク開口ＯＰＮが形成される。従って、第７
フォトパターンを用いた工程は、有機発光ダイオード工
程（Organic Light-Emitting Diode process）又は
ＯＬＥＤ工程と呼ばれる。これらのＬＴＰＳ工程とＯＬ
ＥＤ工程とにより、図２に示す画素アレイを備えた有機
ＥＬ発光表示装置は完成される。
【００５４】図３に示す第１フォトパターンでは、画素
回路に含まれるスイッチング素子（本実施の形態ではＴ
ＦＴ）のチャネル領域、及び容量素子（コンデンサ）Ｃ
１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の基板側（下側）電極となるシ
リコン層（Ｓｉ層）が着色されたパターンのように形成
される。具体的には、多結晶シリコン層からなるスイッ
チング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴのチャネル領
域ＦＧ（ＳＷ１），ＦＧ（ＳＷ２），ＦＧ（ＳＷ３），
ＦＧ（ＤＴ）と、上述の導体層Ｃ１、Ｃ２の下面に対向
するシリコン領域ＣＳｉである。なお、シリコン領域Ｃ
Ｓｉは、その上面に形成される第１の絶縁膜（図８や図
９に示すスイッチング素子のゲート絶縁膜ＧＩ）の段差
を緩和し、この絶縁膜上に形成される上記導体層の破断
を防ぐ。第１フォトパターンが形成されたマスクを用い
たフォトリソグラフィ工程で成形される半導体層のう
ち、スイッチング素子の夫々のチャネルに用いられるも
のは、以下の説明にて、参照符号ＦＧで総称されること
もある。
【００５５】図４は、図２に示される画素アレイの形成
に用いられる第２フォトパターンを示す。第２フォトパ
ターンにより、上述の第１の絶縁膜上に、走査信号線Ｇ
Ｌ（スイッチング素子ＳＷ１の制御電極ＳＧ（ＳＷ１）
も兼ねる）、コントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２、容量
素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の上側電極となる導体層
Ｃ１，Ｃ２、及びドライブ・トランジスタの制御電極Ｓ
Ｇ（ＤＴ）が、図４に示す着色されたパターンとして一
括して形成される。コントロール信号線ＣＬ１は、図１
（Ｂ）に示す有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流供給を制御し
且つドライブ・トランジスタＤＴの駆動条件を調整する
スイッチング素子ＳＷ２の制御電極ＳＧ（ＳＷ２）に制
御信号を印加する。また、ドライブ・トランジスタＤＴ
の駆動条件調整のために容量素子ＣＳｉ-Ｃ２を画素回
路に設けた本実施の形態では、これに所定の電荷を供給
して、有機ＥＬ素子ＬＥＤに供給される電流を映像信号
に応じて調整するスイッチング素子ＳＷ３を備える。こ
のため、本実施の形態では、このスイッチング素子ＳＷ
３の制御電極ＳＧ（ＳＷ２）に制御信号を印加するコン
トロール信号線ＣＬ２も設けられる。第２フォトパター
ンが形成されたマスクを用いたフォトリソグラフィ工程
で成形される導体層のうち、スイッチング素子（ドライ
ブ・トランジスタＤＴを含む）の夫々の制御電極に用い
られるものは、以下の説明にて、参照符号ＳＧで総称さ
れることもある。
【００５６】上述のように、走査信号線ＧＬは、スイッ
チング素子ＳＷ１のチャネル領域における映像信号の画
素領域への取り込みを制御する働きと、この画素領域に
隣接した別の画素領域からこの画素領域のスイッチング
素子群に向けて漏れ出す光を遮る働きとを併せ持つ。そ
のため、走査信号線ＧＬは、図４に示す如く、その延伸
方向（図４の横方向）に対して、屈曲を繰り返すステッ
プ状に形成される。走査信号線ＧＬの遮光特性の観点か
らすると、その遮光機能を兼ねる部分ＧＬＳをできるだ
け画素領域の端（換言すれば、この画素領域に隣接する
別の画素領域の発光部ＯＣＴに近づけたほうがよい。ま
た、走査信号線ＧＬとともに形成される容量素子Ｃ１-
ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２の上側電極（導体層）Ｃ１，Ｃ２
にも既に説明したように遮光機能が要請される。このた
め、第２フォトパターンで形成される導体層は、その光
透過率を抑えるに適した材料と厚さで形成される。導体
層の材料としては、その吸光度や反射率に着眼し、例え
ば前者の観点でモリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）として例示さ
れる高融点金属（Refractory Metal）やその合金並び
にシリサイドが推奨される。また、後者の観点では、ア
ルミニウム（Ａｌ）やその合金が推奨され、これらの材
料を複数層積層させてもよい。
【００５７】なお、図４では、遮光部材としても機能す
る走査信号線の一部ＧＬＳがスイッチング素子ＳＷ１の
制御電極ＳＧ（ＳＷ１）となる部分と同じ幅に形成され
ているが、この走査信号線の一部ＧＬＳの幅を走査信号
線ＧＬの他の部分に比べて太くして、その遮光性能を上
げてもよい。これにより、次段の走査信号線に接続され
る画素領域（図４では、例えば画素領域ＰＩＸの上側に
示される）に対する遮光特性が向上する。さらに、本実
施の形態において、走査信号線ＧＬは、ステップ状に形
成されているが、従来のアクティブ・マトリクス方式で
駆動されるＴＦＴ型液晶表示素子のように、直線状であ
っても良い。走査信号線ＧＬの形状は、画素領域毎に形
成されるスイッチング素子の個数及び配置に応じて適宜
変更される。
【００５８】図５は、図２に示される画素アレイの形成
に用いられる第３フォトパターンを示す。第３フォトパ
ターンは、第２フォトパターンにより成形された走査信
号線ＧＬ等の導体層を覆う第２の絶縁膜（例えば、図８
や図９に示される絶縁膜ＩＢ）の上面から基板主面（Ｔ
ＦＴ基板）に向けて掘られるコンタクトホールのパター
ンである。これらのパターンで形成されるコンタクトホ
ールの各々は、図６に示される第４フォトパターンを参
照して後述される導体層（上記第２の絶縁膜上に形成さ
れる）と、第１フォトパターンで成形された半導体層及
び第２フォトパターンで成形された導体層のいずれか一
方とを電気的に接続する。従って、図５の画素領域ＰＩ
Ｘ内に示される１２個のコンタクトホールの９個（コン
タクトホールＣｏｎｔ-ＤＬ，ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３
を含む）は、図３の画素領域ＰＩＸ内の半導体層（ＣＳ
ｉ，ＦＧ）上面にも示される。また、図５の画素領域Ｐ
ＩＸ内に示される１２個のコンタクトホールの残り３個
（コンタクトホールＣｏｎｔ-ＰＬを含む）は、図４の
画素領域ＰＩＸ内の導体層（Ｃ１，Ｃ２，ＳＧ（Ｄ
Ｔ））上面にも示される。
【００５９】図５に示されるコンタクトホールの機能
を、コンタクトホールＣｏｎｔ-ＰＬ，Ｃｏｎｔ-ＤＬを
例のついて図１（Ｂ）及び図２を参照して簡単に説明す
る。コンタクトホールＣｏｎｔ-ＰＬは、上述の第１の
絶縁膜上に第２フォトパターンで形成された容量素子Ｃ
Ｓｉ-Ｃ２の上側電極（導体層）Ｃ２と上述の第２の絶
縁膜上に図６に示す第４フォトパターンで形成される電
流供給線ＰＬとを第２の絶縁膜を通して接続する。走査
信号線ＧＬからスイッチング素子ＳＷ１に制御信号（走
査信号）が印加されるタイミングで変動する容量素子Ｃ
Ｓｉ-Ｃ２の下側電極（半導体層）ＣＳｉにおける電荷
の蓄積量に応じて、その上側電極（導体層）Ｃ２にはコ
ンタクトホールＣｏｎｔ-ＰＬを介して、電流供給線Ｐ
Ｌから電荷が、が供給される。
【００６０】一方、コンタクトホールＣｏｎｔ-ＤＬ
は、第１フォトパターンで形成され且つ上述の第１の絶
縁膜に覆われたスイッチング素子（コントロール・トラ
ンジスタ）ＳＷ１のチャネル層ＦＧ（ＳＷ１）の一端
（ドレイン領域とも呼ばれる）と、第４フォトパターン
で上述の第２の絶縁膜上に形成されるドレイン線ＤＬと
を、第１及び第２の絶縁膜を通して接続する。スイッチ
ング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ１のチャ
ネル層ＦＧ（ＳＷ１）が走査信号線ＧＬからの制御信号
の印加によりターン・オンされると、ドレイン線ＤＬか
ら映像信号（電圧信号）がコンタクトホールＣｏｎｔ-
ＤＬ及びチャネル層ＦＧ（ＳＷ１）を通して容量素子Ｃ
１-ＣＳｉの上側電極Ｃ１に印加される。この容量素子
Ｃ１-ＣＳｉに蓄積される電荷量は、容量素子ＣＳｉ-Ｃ
２に蓄積される電荷量とともにドライブ・トランジスタ
ＤＴの制御電極ＳＧ（ＤＴ）に印加される電圧を制御す
る。従って、スイッチング素子ＳＷ１がターン・オンさ
れるタイミングに応じて、ドライブ・トランジスタＤＴ
のチャネルＦＧ（ＤＴ）に映像信号に応じた電流が流れ
る。この映像信号に応じた電流は、スイッチング素子Ｓ
Ｗ２、配線Ｍ１、及びコンタクトホールＣｏｎｔ-ＩＴ
Ｏを通して透明電極ＩＴＯに書き込まれる。この透明電
極ＩＴＯに書き込まれた映像信号に応じた電流が、透明
電極ＩＴＯ上に形成された有機材料層ＯＣＴを通して、
これらとともに有機ＥＬ素子ＬＥＤに含まれるもう一方
の電極ＣＭ（図８及び図９を参照して後述される）に流
れて、有機材料層ＯＣＴ（これに含まれるエレクトロル
ミネセンス材料層）を発光させる。
【００６１】図６は、図２に示される画素アレイの形成
に用いられる第４フォトパターンを示す。第４フォトパ
ターンにより、電流供給線ＰＬ並びにその分岐線ＰＬ
Ｂ、ドレイン線ＤＬ、及び上述したドライブ・トランジ
スタを含むスイッチング素子群（ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ
３，ＤＴ）の少なくとも一つに接続される配線Ｍ１，Ｍ
２，Ｍ３，Ｍ４の各々が、図６に示す着色されたパター
ンとして上述の第２の絶縁膜上に形成される。
【００６２】配線Ｍ１は、スイッチング素子ＳＷ２の出
力側と有機ＥＬ素子ＬＥＤの透明電極ＩＴＯに接続され
るノード（コンタクトホール）Ｃｏｎｔ-ＩＴＯとの間
に設けられる電流路（Current Path）として形成され
る。配線Ｍ２は、ドライブ・トランジスタＤＴの一端と
スイッチング素子ＳＷ３の一端との間に設けられる電荷
路（Charge Path）として形成される。配線Ｍ３は、ス
イッチング素子ＳＷ３の他端、容量素子Ｃ１-ＣＳｉ並
びに容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の下側電極となる半導体層Ｃ
Ｓｉ、及びドライブ・トランジスタＤＴの制御電極ＳＧ
（ＤＴ）を互いに電気的に接続し、スイッチング素子Ｓ
Ｗ３の他端から半導体層ＣＳｉに到る電荷路及びノード
（コンタクトホール）ＣＨ１からドライブ・トランジス
タの制御電極ＳＧ（ＤＴ）に到る電圧信号路（Voltage
Signal Path）として機能する。配線Ｍ４は、スイッ
チング素子ＳＷ１の出力側（ソースとも呼ばれる）と容
量素子Ｃ１-ＣＳｉの上側電極Ｃ１との間に設けられる
電圧信号路として形成される。
【００６３】第４フォトパターンで成形される導体層に
は電流供給線ＰＬも含まれるため、このマスクを用いた
フォトリソグラフィ工程で成形される導電性材料は、第
２フォトパターンのマスクを用いたフォトリソグラフィ
工程で成形されるそれに比べて抵抗を低くすることが望
ましい。例えば、アルミニウム、又はこれを含む合金又
はシリサイドが、第４フォトパターンで成形される導電
性材料として推奨される。
【００６４】本実施の形態では、この導電性材料として
用いられたアルミニウムにより電流供給線ＰＬ並びにそ
の分岐線ＰＬＢ、ドレイン線ＤＬ、及び配線群Ｍ１，Ｍ
２，Ｍ３，Ｍ４が第２の絶縁膜上に形成される。また、
このアルミニウムにより第３フォトパターンで成形され
たコンタクトホールを通して、第２の絶縁膜の下側に横
たわる半導体層ＣＳｉ，ＦＧ及び導体層Ｃ１，Ｃ２，Ｓ
Ｇ（ＤＴ）のいずれかに到る電流路、電荷路、及び電圧
信号路の各々も形成される。このため、以下に記す本実
施の形態の説明では、第４フォトパターンが形成された
マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形される上
記導体層ＰＬ，ＰＬＢ，ＤＬ，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４
は、参照符号ＡＬ，ＡＬＳで示されることもある。
【００６５】図７は、図２に示される画素アレイの形成
に用いられる第５フォトパターン及び第６フォトパター
ンを併せて示す。なお、第５フォトパターンを有するマ
スクを用いたフォトリソグラフィ工程の前に、第４フォ
トパターンにより形成された電流供給線ＰＬ，配線Ｍ１
等の導体層ＡＬ上に第３の絶縁膜（図８及び図９に示さ
れる絶縁膜ＩＣ）を形成し、その配線Ｍ１上に位置する
領域にコンタクトホールＣｏｎｔ-ＩＴＯを形成する。
この工程に関する図は、本明細書において割愛される。
【００６６】第５フォトパターンは図７に矩形の枠ＩＴ
Ｏで示されたパターンのみを有し、これにより、上述の
第３の絶縁膜上に透明電極ＩＴＯを短冊状に形成し、ま
たその一部はコンタクトホールＣｏｎｔ-ＩＴＯを通し
て配線Ｍ１に電気的に接続される。第５フォトパターン
を有するマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で形成
される透明電極ＩＴＯは、インジウム・錫・酸化物（In
dium-Tin-Oxide，ＩＴＯとも略される）やインジウム・
亜鉛・酸化物（Indium-Zinc-Oxide，ＩＺＯとも略され
る）に代表される光を透過する導電性酸化物の非晶質層
又は多結晶層として形成される。有機ＥＬ発光表示装置
では、発光部となるエレクトロルミネセンス材料層（有
機材料層ＯＣＴに含まれる）を一様な厚さで且つ平坦に
形成することが要請される。また、有機材料層ＯＣＴを
分解させる高温プロセスは、製造工程上排除しなければ
ならない。斯様な事情の下、上記インジウム・錫・酸化
物等の導電性酸化物は、その熱処理の温度を低く抑えて
も、表面の粗さが少ない膜が得られるので、本実施の形
態に示す有機ＥＬ発光表示装置には適している。第５フ
ォトパターンを有するマスクを用いたフォトリソグラフ
ィ工程で画素領域ごとに透明電極ＩＴＯを形成した後、
透明電極ＩＴＯの上面とこれが形成されない上記第３の
絶縁膜の上面に、後述のバンクＢＭＰに成形される第４
の絶縁膜が形成される。
【００６７】第６フォトパターンは図７に八角形の枠Ｂ
ＭＰで示されたパターンのみを有し、これにより、上述
した透明電極ＩＴＯ及び第３の絶縁膜の上面を覆う第４
の絶縁膜に八角形の開口が形成されてバンクＢＭＰが完
成する。バンクＢＭＰ（第４の絶縁膜）は、ポリイミド
などの有機膜またはＳｉＯ２などの無機膜で形成され
る。有機ＥＬ素子の発光領域は、有機材料を昇華した状
態（Sublimed State）又は液滴として透明電極ＩＴＯ
上に供給して形成されるため、有機材料層ＯＣＴ（これ
に含まれるエレクトロルミネセンス材料層）に流れる電
流を画素毎に分離する窪みを設けることが推奨される。
このために、透明電極ＩＴＯ上に画素毎に発光領域を分
離する絶縁膜のバンクＢＭＰが形成される。本実施の形
態の有機ＥＬ発光表示装置では、八角形の開口部（図２
に参照符号ＯＰＮとして示される）を有するバンクＢＭ
Ｐが透明電極ＩＴＯの周縁にオーバラップされ、透明電
極ＩＴＯの中央部（発光領域に対応する）がバンクＢＭ
Ｐの開口から露出される。
【００６８】本発明による有機ＥＬ発光表示装置では、
バンクＢＭＰとなる上述の第４の絶縁膜を、ＳｉＯ２や
ＳｉＮｘ等の無機材料、及び黒色材料のいずれかを用い
て形成する。後者の材料で形成されたバンクＢＭＰは、
以下、ブラックバンクと呼ぶ。このブラックバンクＢＭ
Ｐは、例えば、ポジ型の感光性ブラックポリイミドによ
り形成される。この種の材料として、本実施の形態で
は、株式会社日東電工製の商品ＪＲ ３１２０Ｐを例示
する。上述のようにバンクＢＭＰの開口には有機材料層
ＯＣＴが形成されるため、これに含まれる発光領域とバ
ンクＢＭＰとは光学的に結合される。従って、有機材料
層ＯＣＴからの光に対してバンクＢＭＰが透明または半
透明であると、或る画素に設けられた有機ＥＬ素子ＬＥ
Ｄからの光がバンクＢＭＰ内を伝播し、この画素に隣接
する他の画素に漏れることもある。この画素間に亘る光
の漏れは、スメア（Smear）として観察者に認識され
る。バンク（バンク層）ＢＭＰは発光領域に流れる電流
を画素毎に確実に分離して有機ＥＬ発光表示装置の表示
画像の精細度を高めるが、その内部を伝播する発光領域
からの光で表示画像の画質を極端に劣化させる可能性も
孕む。また、有機ＥＬ発光表示装置の各画素に設けられ
た発光領域からは数十万ルックスに到る強度の光が輻射
される。
【００６９】このような従来のＴＦＴ型液晶表示装置と
同様な遮光構造では防ぎきれない有機ＥＬ発光表示装置
における光漏れの問題に対して、本願発明では、平面図
で示される画素領域において、画素回路に含まれる部材
を遮光性材料で形成し、本実施の形態に示す有機ＥＬ発
光表示装置の如く、容量素子Ｃ１-ＣＳｉ，ＣＳｉ-Ｃ２
の夫々の上側電極Ｃ１、Ｃ２及び走査信号線の一部ＧＬ
Ｓを、発光領域の周囲に配置して画素間の光漏れを遮
る。また、本願発明では、断面図（図８及び図９参照）
で示される画素領域において、ブラックバンクＢＭＰを
発光領域に隣接させて、発光領域の側面からスイッチン
グ素子群を経て基板（図８のＳＧＰや図９のＱＧＰ）の
主面へ伝播する光を遮る。なお、本明細書は上述のブラ
ックバンクＢＭＰの遮光構造を有機ＥＬ発光表示装置に
おける新規な構造として、既に記した画素回路に含まれ
る部材を用いる遮光構造とは別の発明として開示する
が、両者を併用した遮光構造も新規な構造となる。
【００７０】図８は、ソーダガラスからなる基板ＳＧＰ
上に形成された本発明による有機ＥＬ発光表示装置の画
素領域の断面図である。ＴＦＴ基板としてソーダガラス
基板ＳＧＰを用いる場合は、基板ＳＧＰ上に窒化シリコ
ン層ＳｉＮ及び酸化シリコン層ＳｉＯ２が順次積層され
て絶縁膜ＩＡが形成される。絶縁膜ＩＡ上面のスイッチ
ング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴが設けられる部
分には、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）で半導体チ
ャネルＦＧが形成される。半導体チャネルＦＧは、上述
した第１フォトパターンを有するマスクを用いたフォト
リソグラフィ工程で成形される。
【００７１】半導体チャネルＦＧの上面はこれが形成さ
れない絶縁膜ＩＡの上面とともに、酸化シリコンＳｉＯ
２からなる絶縁膜ＧＩで覆われる。絶縁膜ＧＩは、スイ
ッチング素子のチャネルとその導通状態を制御する制御
電極とを絶縁し、ゲート絶縁膜とも呼ばれる。この絶縁
膜ＧＩは、窒化シリコンＳｉＮｘで形成してもよい。絶
縁膜ＧＩ上面のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ
３，ＤＴが設けられる部分には、夫々の制御電極（導体
層）ＳＧが上述した第２フォトパターンを有するマスク
を用いたフォトリソグラフィ工程により形成される。ま
た、図８には示されないが、上述の容量素子Ｃ１-ＣＳ
ｉ，ＣＳｉ-Ｃ２も、絶縁膜ＧＩを半導体チャネルＦＧ
とともに形成される下側電極ＣＳｉと制御電極ＳＧとと
もに形成される上側電極Ｃ１，Ｃ２とで挟んで形成され
る。
【００７２】制御電極ＳＧの上面はこれが形成されない
絶縁膜ＧＩの上面とともに、酸化シリコンＳｉＯ２から
なる絶縁膜ＩＢで覆われる。絶縁膜ＩＢの上面には、ス
イッチング素子に接続する配線（導体層）ＡＬ，ＡＬＳ
が上述した第４フォトパターンを有するマスクを用いた
フォトリソグラフィ工程で成形される。図８に示す２つ
のスイッチング素子は、図２に示すドライブ・トランジ
スタＤＴとスイッチング素子ＳＷ２とに夫々対応する
が、作図の便宜上、デフォルメされて描かれる。図８に
示す如く、導体層ＡＬ，ＡＬＳは絶縁膜ＧＩ，ＩＢを貫
くコンタクトホールＣｏｎｔを通して半導体チャネルＦ
Ｇの上面に接続される。
【００７３】導体層ＡＬ，ＡＬＳ及び絶縁膜ＩＢの上面
には、酸化シリコンＳｉＯ２や窒化シリコンＳｉＮｘか
らなる絶縁膜ＩＣが形成され、この絶縁膜ＩＣ上には上
述した第５フォトパターンを有するマスクを用いたフォ
トリソグラフィ工程で有機ＥＬ素子の透明電極ＩＴＯが
形成される。透明電極ＩＴＯは、絶縁膜ＩＣを貫いて形
成されたコンタクトホールＣｏｎｔ-ＩＴＯを通して導
体層ＡＬＳに接続される。ブラックバンクＢＭＰは、絶
縁膜ＩＣ及び透明電極ＩＴＯの一部分を覆って形成され
る。ＢＭＰの開口部には、有機ＥＬ素子の発光領域を含
む有機材料層ＯＣＴが形成される。有機材料層ＯＣＴ
は、透明電極ＩＴＯと電極ＣＭの間に形成され、発光部
とともに電子輸送層や正孔輸送層を含むこともある。有
機ＥＬ素子の電極ＩＴＯ，ＣＭ間に流れる電流によっ
て、有機材料層ＯＣＴの発光領域から光が輻射される。
本実施の形態に示される有機ＥＬ表示素子は、その電極
ＣＭ側を封止ガラス又は封止缶等の部材ＣＧで覆い、こ
の封止部材ＣＧと電極ＣＭとの間の空間ＢＧには、窒素
などの不活性ガスが封入されている。この空間ＢＧは、
半導体プロセスで用いられているモールドなどで封止し
てもよい。また、封止部材ＢＧに代えて電極ＣＭの上面
を絶縁膜で覆ってもよい。
【００７４】バンクの開口部に配置された有機材料層Ｏ
ＣＴからの光は、図８に２つの矢印で示されるように、
下側（基板ＳＧＰ側）に出射される。従って、有機ＥＬ
発光表示装置で表示される画像は基板ＳＧＰの下面とな
る。有機材料層ＯＣＴから横側へ逸れて輻射された光
が、直接スイッチング素子の半導体チャネルＦＧに照射
されると、これにより駆動される有機ＥＬ発光表示装置
に表示される画像の画質が劣化する。この問題に対し
て、図８に示す画素領域の断面構造ではスイッチング素
子に接続される配線ＡＬの一部ＡＬＳが、バンクの開口
部側まで延ばされている。図８に示した配線ＡＬの一部
ＡＬＳを遮光部材に用いる構造では、図１（Ａ）や図６
に示される配線Ｍ１や電流供給線の分岐線ＰＬＢのデフ
ォルメにより形成される。この配線の一部ＡＬＳによっ
て、有機材料層ＯＣＴからの光の輻射角度は図８に細い
矢印で示すように制限され、半導体チャネルＦＧは有機
材料層ＯＣＴからの光で照射されない。図８に示すよう
にバンクＢＭＰの開口部はテーパ状に形成されるため、
有機材料層ＯＣＴの端部は、バンクＢＭＰの開口を縁取
る斜面に重なる。このように基板ＳＧＰの主面に対して
傾斜する有機材料層ＯＣＴの一部は、予期しない方向へ
光を伝搬させる。このような、予期しない光をシールド
するために、配線の一部ＡＬＳがバンクＢＭＰの開口部
へ延在して形成されている。本発明は、いわゆるボトム
・エミッション型の有機ＥＬ発光表示装置において効果
を発揮する。
【００７５】図９は、石英基板ＱＧＰ上に形成された本
発明による有機ＥＬ発光表示装置の画素領域の断面図で
ある。図８と図９とに示す断面構造で異なる点は、後者
において絶縁膜ＩＡでが形成されていないことである。
ソーダガラス基板ＳＧＰの場合は、半導体チャネルＦＧ
をソーダガラス基板ＳＧＰの不純物から保護するために
絶縁膜ＩＡを設けた。しかしながら、石英基板ＱＧＰか
ら半導体チャネルＦＧに不純物が拡散する確率は非常に
低いため、その主面上に形成される有機ＥＬ発光表示装
置では絶縁膜ＩＡは必要とされない。なお、絶縁膜ＩＡ
以外を除けば、図９に示す断面構造は図８に示すそれと
同様である。図９に示す断面構造でも、図８に示すそれ
と同様に、バンク開口の端部と配線の一部ＡＬＳとはオ
ーバラップされ、バンクの端部で反射した光の半導体チ
ャネルＦＧに向けた伝播が防がれる。従って、図８及び
図９に示すいずれの断面構造においても、バンク材料の
光透過率に関係なく（例えば、透明なバンクでも）、ス
メアの低減やコントラストの向上に大きな効果が得られ
る。
【００７６】図１０（ａ）乃至図１０（ｃ）は、図２に
示した画素アレイに配置された複数の画素の１つである
画素領域ＰＩＸの断面構造を示す。図１０（ａ）は、画
素領域ＰＩＸの一点鎖線Ａ−Ａに沿う部分の断面を示
し、この部分ではドレイン線ＤＬの導体層ＡＬＳと容量
素子ＣＳｉ-Ｃ２とがオーバラップし、且つバンクＢＭ
Ｐと有機ＥＬ素子の発光領域ＯＣＴとが接する。図１０
（ａ）にて、透明電極ＩＴＯとその上に形成されるバン
クＢＭＰの開口端部（斜面）とがなすテーパ角ａは５０
度以内に留まる。なお、バンクＢＭＰの開口端部にてシ
ールドとして機能する容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の上側電極
Ｃ２は、有機材料層ＯＣＴからの光が画素領域ＰＩＸに
左側に隣接する他の画素領域に回り込まない程度にバン
クＢＭＰの開口の端部から離れている。
【００７７】図１０（ｂ）は、画素領域ＰＩＸの一点鎖
線Ｂ−Ｂに沿う部分の断面を示し、この部分にはコンタ
クトホールＣｏｎｔ-ＰＬが形成される。図１０（ｂ）
には、このコンタクトホールにて容量素子ＣＳｉ-Ｃ２
の上側電極となる導体層Ｃ２（容量素子ＣＳｉ-Ｃ２か
らはみ出た部分）の上面に接合する電流供給線ＰＬの導
体層ＡＬＳが示される。図１０（ｂ）にて、透明電極Ｉ
ＴＯとその上に形成されるバンクＢＭＰの開口端部（斜
面）とがなすテーパ角ｂはおよそ５７度である。なお、
バンクＢＭＰの開口端部にてシールドとして機能する導
体層Ｃ２（容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の上側電極）は、バン
クＢＭＰの開口と有機材料層ＯＣＴとの境界から画素領
域ＰＩＸに隣接する画素のスイッチング素子（ＳＷ１，
ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）のチャネル領域へ直接光が伝播
しない程度に、バンクＢＭＰの開口の端部から離れてい
る。
【００７８】図１０（ｃ）は、画素領域ＰＩＸの一点鎖
線Ｃ−Ｃに沿う部分の断面を示し、発光領域（有機材料
層ＯＣＴ）とスイッチング素子群ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ
３，ＤＴとの間に配置される容量素子Ｃ１-ＣＳｉとそ
の上部で透明電極ＩＴＯと接合する配線Ｍ１の導体層Ａ
ＬＳとを示す。容量素子Ｃ１-ＣＳｉの上部電極Ｃ１
は、バンクＢＭＰの開口端部と有機ＥＬ素子の発光領域
（有機材料層ＯＣＴ）との境界に近接して、スイッチン
グ素子ＳＷ３等を有機材料層ＯＣＴからの光からシール
ドする。図１０（ｃ）において、上部電極Ｃ１は左側に
延在して有機材料層ＯＣＴとスイッチング素子群との間
に広がり、これによる有機材料層ＯＣＴからの光に対す
るスイッチング素子群の各チャネルのシールド機能を十
分にする。図１０（ｃ）にて、透明電極ＩＴＯとその上
に形成されるバンクＢＭＰの開口端部（斜面）とがなす
テーパ角ｃは５０°以内に留まる。
【００７９】図１０（ａ）乃至図１０（ｃ）を参照して
述べたように、バンクＢＭＰの開口の斜面と透明電極Ｉ
ＴＯの主面とがなすテーパ角は、バンクＢＭＰの端部
（透明電極ＩＴＯに接する部分）と容量素子Ｃ１-ＣＳ
ｉや容量素子ＣＳｉ-Ｃ２の上部電極Ｃ１，Ｃ２として
例示されるシールド層（光シールド部材）との配置に依
存する。バンクＢＭＰの端部とシールド層の端部との位
置関係は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すモデル
により説明される。
【００８０】図１１（ａ）は、シールド層の端部の外側
に突き出したバンクを示し、その端部の位置は、シール
ド層の端部を０点（基点）とする座標軸Ｘにて規定され
る。シールド層の外側に形成されるバンクの端部の位置
Ｘは、プラス（＋）の値で記される。換言すれば、バン
クの端部の位置はＸ＞０の領域にある。また、バンクが
シールド層の端部からその外側にはみ出す（バンクの端
部が図１１（ａ）の右側に延びる）ほど、Ｘの値は大き
くなる。
【００８１】図１１（ｂ）は、シールド層の端部からそ
の内側に引っ込んだバンクを示し、その端部はシールド
層上に位置する。図１１（ｂ）においても、バンクの端
部の位置は、シールド層端部を０点（基点）とする上記
座標軸Ｘにて規定され、その位置Ｘにはマイナス（−）
の値が宛がわれる。換言すれば、図１１（ｂ）に示され
るバンクの端部の位置は、Ｘ＜０の領域にある。また、
図１１（ｂ）において、バンクの端部が左側に移るほ
ど、Ｘの値は小さくなる。
【００８２】本発明者らは、上記座標Ｘ沿いに規定され
るシールド層の端部とバンクの端部との距離Ｘ（μｍ）
に対するバンク開口の斜面と透明電極の主面（基板主
面）とがなすテーパ角の変動と画素アレイに表示される
画像のコントラストの変動とを調べ、図１２に纏めた。
図１２において、黒丸は上記テーパ角を、白丸は画素ア
レイの表示コントラストを夫々表す。バンクのテーパ角
θは、バンクの端部がシールド層端部に重なるＸ＝０付
近で大きくなる。バンクのテーパ角θが９０°に近づく
と、バンク上面からバンクの開口内部へ延びて形成され
る電極（図８や図９に記される電極ＣＭ）がバンク開口
の端部に生じる段差で切れ易くなる。
【００８３】このように画素内に生じた段差で電極が切
れると、その切れ目を通して水分や酸素などの不純物が
外部から有機膜に入り込みやすくなり、素子の信頼性が
損なわれる。図１２が示すように、上述の距離Ｘが約±
1μｍの範囲にあると、バンクのテーパ角度θは約６５
度を超え、電極の段差が生じやすくなる。このようなバ
ンクのテーパ角度θに応じて電極が段差を形成する傾向
は、無機材料で形成されたバンクについても基本的に共
通する。
【００８４】一方、画質を評価する１つの指針であるコ
ントラスト比は、Ｘが大きくなると一般的には悪化する
傾向を示す。この傾向は、Ｘが大きくなるとスイッチン
グ素子のチャネル領域の遮光が不十分になることに因
る。現実的には発光層とシールド層とトランジスタのチ
ャネル領域との位置関係がコントラスト比の改善にとっ
て重要であり、上述した実施の形態のように、少なくと
もバンク層端部近傍の発光層からの光が直接チャネル領
域を照射しないような位置にシールド層を配置すればよ
い。また、Ｘを小さくするとコントラスト比が大幅に改
善される要因は、バンク端部のテーパ角に関係なく、む
しろバンク端部の反射光が遮光され、画素アレイから出
射されなくなることにある。
【００８５】上述の原理を整理すると、本発明は、次の
事項の単独構成あるいは組合せの集合体と捉えることが
できる。 （１）シールド層は、これが設けられる画素の発光層か
らの光により当該画素又はこの画素に隣接する画素を制
御するスイッチング素子のチャネル領域が直接照射され
ないような位置に配置する。 （２）互いに隣接する画素の間に配置される走査信号
線、データ信号線（ドレイン線）、及び電流供給線の少
なくとも一つを、夫々の画素の発光層からの光が反射さ
れて隣接する画素に漏れないような幅に形成し、又はそ
の配置や間隔を調整して、シールド層としても機能させ
る。 （３）画素の平面図において、バンク層端部と発光層と
の境界が、シールド層の端部より突き出ている場合（上
述したＸ＞０の場合）には、隣接する画素の発光層から
の光漏れを低減するため、上記構成（１）又は上記構成
（２）に加えて、バンク層自体を黒色化するか、または
膜厚を薄くできる無機膜（ＳｉＮxやＳｉＯ２）等で形
成する。後者のバンク層は、その上部に形成される電極
層の破断を防ぐために薄く形成することが望ましく、そ
の層厚は例えば数十ｎｍ〜数百ｎｍの範囲の値にすると
よい。 （４）画素の平面構造におけるシールド層の端部を、バ
ンク層端部と発光層の境界よりも当該発光層側に突き出
させる（上述したＸ＜０の状態）。この場合にはバンク
層は透明でも、黒色でもよく、又は無機膜で形成しても
よい。
【００８６】図１３は、本発明を適用した有機ＥＬ発光
表示装置の画素の断面構造を示す。この断面図に示され
る各薄膜の材料及び膜厚は、適宜変更され得る。図１２
に示したシールド層の端部とバンクの端部との距離Ｘ
（μｍ）と、バンク開口のテーパ角及び画像のコントラ
ストとの関係は、図１３の断面構造を有する有機ＥＬ発
光表示装置において、スイッチング素子のチャネルＦＧ
から出力される電流を透明電極ＩＴＯに供給する配線と
バンクＢＭＰの開口との形状を夫々変えて得られた。図
１３に示す断面構造では、バンクＢＭＰの膜厚を２００
０ｎｍとしているが、バンク材料に応じて、従ってその
膜厚は異なる。なお、図１３の断面構造においては、石
英基板ＱＧＰの主面上に、多結晶シリコンからなるチャ
ネルＦＧ、絶縁膜ＧＩ、チタン・タングステン合金（Ｔ
ｉＷ）の制御電極（ゲート）ＳＧ、絶縁膜ＩＢ、チタン
・タングステン合金（ＴｉＷ）のキャップ層／アルミニ
ウム（Ａｌ）／チタン・タングステン合金（ＴｉＷ）の
バリア層からなる３層構造の上記配線（導体層）、絶縁
層ＩＳ，ＳｉＮ、透明電極ＩＴＯ、バンクＢＭＰ、発光
領域を含む有機材料膜ＯＬ、及び電極層ＣＭが、順次形
成される。
【００８７】図１４は、本発明を適用した有機ＥＬ発光
表示装置のコントラストと従来の有機ＥＬ発光表示装置
のコントラストとを比較する実験における表示画像を示
す。実験では、本発明を適用した画素アレイと適用しな
い画素アレイの各々の表示画面（画素アレイ）を９分割
し黒と白を互い違いに表示したときのＡＮＳＩ（Americ
an National Standard Institute）規格によるコン
トラストの比較（以下、第１の比較）と、各々の表示画
面全体を黒及び白に夫々表示したときのコントラストの
比較（以下、第２の比較）とが行われた。
【００８８】第１の比較では、画素アレイの中心を白く
表示したときの画素アレイ中心の輝度Ａ（ＡＮＳＩ白）
と、画素アレイの中心を黒く表示したときの画素アレイ
の中心の輝度Ｂ（ＡＮＳＩ黒）とを測定して、その輝度
の比をコントラスト比として算出する。本発明を適用し
ない従来の画素アレイでは、輝度Ａが１８０ｃｄ／ｍ ２
であり、輝度Ｂが２．０ｃｄ／ｍ２であり、その画素ア
レイの中心部のコントラスト比は９０：１と算出され
た。これに対して、本発明を適用した画素アレイでは、
輝度Ａが２００ｃｄ／ｍ２であり、輝度Ｂが０．１ｃｄ
／ｍ２であり、その画素アレイの中心部のコントラスト
比は２０００：１と算出された。
【００８９】第２の比較では、画素アレイ全体を白く表
示したときの画素アレイ中心の輝度Ｃと、画素アレイ全
体を黒く表示したときの画素アレイ中心の輝度Ｄとを測
定して、その輝度の比をコントラスト比として算出す
る。本発明を適用しない従来の画素アレイでは、輝度Ｃ
は１８０ｃｄ／ｍ２であり、輝度Ｄは０．１２ｃｄ／ｍ
２であり、その画素アレイの中心部のコントラスト比は
１５００：１と算出された。これに対して、本発明を適
用した画素アレイでは、輝度Ｃが２００ｃｄ／ｍ ２であ
り、輝度Ｄが０．１ｃｄ／ｍ２であり、その画素アレイ
の中心部のコントラスト比は２０００：１と算出され
た。
【００９０】このように、本発明による遮光構造が採用
されない従来の有機ＥＬ発光表示装置では、画面全体を
白に表示したときと黒に表示したときとで算出されるコ
ントラスト比が１５００：１に、画面に白黒の市松模様
（Checkered Pattern）を反転させて表示したときに算
出される所謂ＡＮＳＩのコントラスト比が９０：１にな
った。上述のように、白黒の市松模様を表示する画面に
おいて、黒く表示されるべき画素の輝度Ｂが充分に低下
しない。また、表示画像に応じてコントラスト比も表示
画像に影響される。
【００９１】これに対して、本発明による有機ＥＬ発光
表示装置では、いずれの場合のコントラスト比も２００
０：１と大幅に改善され、表示画像に影響されない。ま
た、白黒の市松模様を表示する画面において、黒く表示
されるべき画素の輝度Ｂが充分に低下し、表示される物
体の輪郭がシャープに表示される。従って、本発明によ
る有機ＥＬ発光表示装置では、従来のそれに比べて表示
画像の画質が格段に向上された。
【００９２】図１５は、本発明を適用した有機ＥＬ発光
表示装置の製造プロセスを、そのドライブ・トランジス
タが設けられる部分（ＴＦＴ部）を中心に示した工程図
である。本実施の形態では、ドライブ・トランジスタと
してチャネル上に制御電極を設ける所謂トップゲート構
造の薄膜トランジスタが用いられるが、これに代えてボ
トムゲート構造の薄膜トランジスタを用いても、その製
造プロセスは概ね同様である。以下、本工程を図１５に
示す断面図の番号に合わせて、（１）〜（１０）の順で
説明する。
【００９３】（１）ガラス基板ＳＵＢの上に非晶質シリ
コンの半導体層ＦＧをパターニングし、これにレーザア
ニールを施して多結晶シリコン層に変える。
【００９４】（２）多結晶シリコンからなる半導体層Ｆ
Ｇ上に第１の絶縁層ＩＡを形成する。
【００９５】（３）チタン（Ｔｉ）あるいはタングステ
ン（Ｗ）等の導電性薄膜を第１の絶縁層ＧＩ上に被着さ
せ、これを半導体層ＦＧの上部にテーパターニングして
ゲート電極ＧＬを形成する。
【００９６】（４）ゲート電極ＧＬ及び第１の絶縁層Ｇ
Ｉを覆うように第２の絶縁層ＩＢを形成し、必要な箇所
にコンタクトホールを開ける。
【００９７】（５）第２の絶縁層ＩＢ上にソース電極Ａ
Ｌとなるアルミニウム配線を形成する（必要に応じて、
このアルミニウム薄膜はチタン（Ｔｉ）あるいはタング
ステン（Ｗ）等でサンドイッチされる）。
【００９８】（６）上記アルミニウム配線ＡＬを覆う第
３の絶縁層ＩＣを形成する。
【００９９】（７）第３の絶縁層ＩＣ上に保護膜ＰＳＶ
を窒化シリコン（ＳｉＮ）等で形成し、この保護膜ＰＳ
Ｖと第３の絶縁層ＩＣを貫通してソース電極ＦＧに達す
るコンタクトホールを開ける。
【０１００】（８）保護膜ＰＳＶ上にインジウム・錫・
酸化物（ＩＴＯ）の薄膜を被着して電極ＩＴＯを形成す
る。これにより有機ＥＬ素子の第１の電極層ＩＴＯが形
成される。この第１の電極層ＩＴＯの一部は、コンタク
トホールを通してソース電極ＡＬに接続される。
【０１０１】（９）有機発光層を第１の電極ＩＴＯの端
部から絶縁するためのバンクＢＭＰを形成する。このバ
ンクＢＭＰには、発光領域に対応する箇所に開口が形成
される。バンクＢＭＰは、流動性のあるブラックポリイ
ミドで形成される。発光領域に設けられるバンクＢＭＰ
の開口の内壁は、そのパターン形成時に加わる熱で第１
の電極層ＩＴＯの上面に向けてテーパ状に形成される。
【０１０２】（１０）発光領域のバンクＢＭＰの開口に
有機発光層ＯＣＴを塗布する。この有機発光層ＯＣＴの
塗布は、マスク印刷、インクジェットなどの手法で行わ
れる。
【０１０３】（１１）有機発光層ＯＣＴを覆って金属層
を形成し、有機ＥＬ素子の第２の電極層ＣＭを設ける。
以上の工程の後、第２の電極層ＣＭ側を封止缶あるいは
ガラス、セラミックス等の適宜の部材で封止し、モジュ
ール化して表示装置を完成する。
【０１０４】図１６は、本発明を適用した有機ＥＬ発光
表示装置の配線群の配置を示す。本発明の有機ＥＬ発光
表示装置は、石英基板ＱＧＰ上に複数のドレイン線ＤＬ
と複数の走査信号線（ゲート線）ＧＬとのマトリクス配
列で形成した表示部ＤＩＰ（図１６にて点線で囲まれた
領域）の周囲にデータ駆動回路ＤＤＲ、走査駆動回路Ｄ
ＤＧ、電流供給回路ＰＷを配置して構成されている。
【０１０５】データ駆動回路ＤＤＲはＮ型チャネルを備
えたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とＰ型チャネルを備え
たＴＦＴを含む相補型回路、またはＮ型チャネルを備え
たＴＦＴのみ、またはＰ型チャネルを備えたＴＦＴのみ
からなるシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナ
ログスイッチ回路などを備える。なお、電流供給回路Ｐ
Ｗはバスラインのみ石英基板ＱＧＰ上に形成し、これに
外部電流源から電流を供給してもよい。
【０１０６】図１６に示される有機ＥＬ発光表示装置
は、その表示部ＤＩＰに、各画素のドライブ・トランジ
スタの動作を調整するコンデンサ（図示せず）が配置さ
れ、コンデンサの各々の一端が接続される電流供給線Ｐ
Ｌが画素列毎に設けられる。前記コンデンサの各々の他
端は、画素行毎に設けられる共通電流供給線ＰＬＣに接
続される。電流供給線ＰＬは共通電位バスラインＰＬＡ
の端子ＰＬＴを通して外部の共通電位源に接続される。
【０１０７】図１７は、本発明を適用した有機ＥＬ発光
表示装置の回路構成を示す。図１７に示したように、デ
ータ線ＤＬとゲート線ＧＬで囲まれた画素ＰＸには、ス
イッチング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ
１、電流供給トランジスタ（ドライブ・トランジスタ）
ＤＴ、コンデンサＣ、および有機ＥＬ素子ＬＥＤが配置
される。スイッチング素子ＳＷ１の制御電極（ゲート）
はゲート線ＧＬに、チャネルの一端（ドレイン）はデー
タ線ＤＬに接続されている。電流供給トランジスタＤＴ
のゲートはスイッチング素子ＳＷ１のチャネルの他端
（ソース）に接続され、この接続点にはコンデンサＣの
一方の電極（＋極）が接続されている。電流供給トラン
ジスタＤＴのチャネルの一端（ドレイン）は電流供給線
ＰＬに、その他端（ソース）は有機ＥＬ素子ＬＥＤの陽
極に接続されている。データ線ＤＬはデータ駆動回路Ｄ
ＤＲで駆動され、走査線（ゲート線）ＧＬは走査駆動回
路ＤＤＧで駆動される。また、電流供給線ＰＬは共通電
位供給バスラインＰＬＡを通して電流供給回路ＰＷに接
続される。
【０１０８】図１７において、１つの画素ＰＸが走査線
ＧＬで選択されて、そのスイッチング素子（コントロー
ル・トランジスタ）ＳＷ１がターン・オンすると、デー
タ線ＤＬから供給される画像信号がコンデンサＣに蓄積
される。その後、スイッチング素子ＳＷ１がターン・オ
フした時点で電流供給トランジスタＤＴがターン・オン
し、電流供給線ＰＬから有機ＥＬ素子ＬＥＤに、ほぼ１
フレーム期間に亘って電流が流れる。有機ＥＬ素子ＬＥ
Ｄに流れる電流は電流供給トランジスタＤＴにより調整
され、また、電流供給トランジスタＤＴのゲートには、
コンデンサＣに蓄積されている電荷に応じた電圧が印加
される。これにより、画素の発光が制御される。図１７
には示されないが、コンデンサＣの動作レベルを図１
（Ａ）に示すようにされるコントロール信号線ＣＬ１，
ＣＬ２の電位で制御してもよい。
【０１０９】図１（Ａ）の画素構造では、コントロール
信号線ＣＬ１，ＣＬ２を画素領域の一部を貫通して設け
るため、発光領域の面積が制限される。しかし、コント
ロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２により表示画面内に配置さ
れる複数の電流供給トランジスタＤＴの動作を調整する
ことにより、これらの特性のばらつきに影響されること
なく画像を表示画面に生成できる利点がある。
【０１１０】図１８は、上記図１７に示した複数の画素
ＰＸの一つに設けられる所謂画素回路を示す。図１８に
示される画素は、ドレイン線（データ線）ＤＬ、走査線
ＧＬ（ｎ＋１），ＧＬ（ｎ）、及び電流供給線ＰＬで囲
まれる。
【０１１１】図１８に示した画素回路において、スイッ
チング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ１のチ
ャネルの一端（ソース）と電流供給トランジスタＤＴの
制御電極（ゲート）との接続点に接続されるコンデンサ
Ｃの一方の端子は＋極であり、走査線ＧＬ（ｎ）に接続
される他方の端子は−極である。
【０１１２】有機ＥＬ素子（有機発光素子）ＬＥＤは、
第１の電極層ＩＴＯ（陽極）と第２の電極層（陰極）Ｃ
Ｍの間に有機発光層（図示せず）を配置した所謂ＰＩＮ
型のダイオード構造を有し、第１の電極層ＩＴＯは電流
供給トランジスタＤＴのチャネルの一端（ソース）に接
続し、第２の電極層ＣＭは図１８に示した画素のみなら
ず、これが複数個配置された図１７に示す画素アレイ全
域に亘り形成される。
【０１１３】なお、コンデンサＣには、ドレイン線ＤＬ
からスイッチング素子ＳＷ１を通して供給される画像信
号（映像信号、データ信号とも呼ばれる）に応じた量の
電荷が保持される。従って、コンデンサＣに保持される
電荷は、画素ＰＸにて表示すべき階調にも対応し、この
電荷量に応じた制御電圧で電流供給トランジスタ（ドラ
イブ・トランジスタ）ＤＴを制御することにより、階調
に応じた電流が有機発光素子ＬＥＤに流れる。
【０１１４】有機発光素子ＬＥＤは、これに供給される
電流量にほぼ比例した輝度で、かつ当該有機発光素子に
設けられた発光層を形成する有機発光材料（エレクトロ
ルミネセンス材料）に応じた色で発光する。カラー表示
を行う有機ＥＬ発光表示装置においては、赤、緑、青の
画素毎に発光層に用いる有機発光層材料を変えることが
多い。また、所謂白色光を輻射する有機発光層材料で各
画素の発光層を形成し、これに液晶表示装置に用いられ
るようなカラーフィルタを組合せた有機ＥＬ発光表示装
置でカラー画像を表示することもある。
【０１１５】なお、上述した有機ＥＬ発光表示装置のい
ずれにおいても、映像信号（データ信号）は、アナログ
量、及び時分割のデジタル量のいずれでも伝送できる。
また、有機ＥＬ発光表示装置の階調制御に、赤、緑、青
の各画素の発光面積を分割した面積階調方式を組合せて
もよい。
【０１１６】
【発明の効果】本発明によれば、アクティブ・マトリク
ス駆動（ＴＦＴ駆動）により画像表示を行う有機ＥＬ発
光表示装置において、その画質の劣化とスメアの発生が
防止され、また、表示画像のコントラスト比や輝度が向
上する。これにより、高品位の画像表示が行える有機Ｅ
Ｌ発光表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ），１（Ｂ）は、本発明による有機Ｅ
Ｌ発光表示装置に設けられる画素の一例を示し、図１
（Ａ）はその平面構造を、図１（Ｂ）はその等価回路を
夫々示す。
【図２】図２は、図１（Ａ）に示される画素が複数個マ
トリクス状に配置された画素アレイの平面図である。
【図３】図３は、図２に示される画素アレイを製造する
工程で用いられるフォトリソグラフィ用マスクに形成さ
れた第１フォトパターンを示す。
【図４】図４は、図２に示される画素アレイを製造する
工程で用いられるフォトリソグラフィ用マスクに形成さ
れた第２フォトパターンを示す。
【図５】図５は、図２に示される画素アレイを製造する
工程で用いられるフォトリソグラフィ用マスクに形成さ
れた第３フォトパターンを示す。
【図６】図６は、図２に示される画素アレイを製造する
工程で用いられるフォトリソグラフィ用マスクに形成さ
れた第４フォトパターンを示す。
【図７】図７は、図２に示される画素アレイを製造する
工程で用いられるフォトリソグラフィ用マスクに形成さ
れた第５フォトパターンと第６フォトパターンとを併せ
て示す。
【図８】図８は、ソーダガラスからなるガラス基板上に
形成された本発明による有機ＥＬ発光表示装置の画素の
断面構造を示す。
【図９】図９は、石英基板上に形成された本発明による
有機ＥＬ発光表示装置の画素の断面構造を示す。
【図１０】図１０（ａ）乃至１０（ｃ）は、図２に示さ
れる画素アレイに配置された複数の画素の一つ（画素領
域ＰＩＸ）の断面構造を示し、図１０（ａ）は図２に示
される画素領域ＰＩＸの一点鎖線Ａ−Ａに沿う部分の、
図１０（ｂ）は図２に示される画素領域ＰＩＸの一点鎖
線Ｂ−Ｂに沿う部分の、図１０（ｃ）は図２に示される
画素領域ＰＩＸの一点鎖線Ｃ−Ｃに沿う部分の、夫々の
断面を示す。
【図１１】図１１（ａ）及び１１（ｂ）は、図１０
（ａ）乃至図１０（ｃ）に示されたバンク端部とシール
ド端部との位置関係を模式的に示す図であり、図１１
（ａ）はシールド端部から突き出て形成されたバンクの
断面を、図１１（ｂ）はバンク端部がシールドの上部に
留まるように形成されたバンクの断面を、夫々示す。
【図１２】図１２は、バンクのテーパ先端とシールド層
端部の距離との距離に対するバンクのテーパ角度及びコ
ントラスト比の変化を示す。
【図１３】図１３は、本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の画素付近における断面構造の一例を示す。
【図１４】図１４は、本発明による有機ＥＬ発光表示装
置と従来の有機ＥＬ発光表示装置とのコントラスト比を
比較する実験にて、表示画面に生成されるパターン（画
像）を示す。
【図１５】図１５は、本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の製造プロセスを、ドライバ・トランジスタ（ＴＦＴ
部）を中心に示した工程図である。
【図１６】図１６は、本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の配線群の配置を説明した図である。
【図１７】図１７は、本発明による有機ＥＬ発光表示装
置の回路構成を説明した図である。
【図１８】図１８は、図１７に示された画素アレイに含
まれる画素の一つの等価回路を示す図である。
【符号の説明】
ＯＣＴ…有機材料層、ＰＬ…電流供給線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＳＷ１…スイッチング素子（コントロール・
トランジスタ）、ＳＷ２，ＳＷ３…スイッチング素子、
ＤＴ…スイッチング素子（ドライブ・トランジスタ）、
ＧＬ…走査信号線、ＣＬ１，ＣＬ２…コントロール信号
線、ＤＴ…ドライブ・トランジスタ、Ｃ１−ＣＳｉ，Ｃ
Ｓｉ−Ｃ２…コンデンサ、ＧＬＳ…遮光層として用いる
走査信号線、Ｃｏｎｔ−ＤＬ，Ｃｏｎｔ−ＰＬ，Ｃｏｎ
ｔ−ＩＴＯ，ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３…コンタクトホー
ル、ＩＴＯ…有機エレクトロルミネセンス素子の一方の
電極（陽極）、ＣＭ…有機エレクトロルミネセンス素子
の他方の電極（陰極）、ＢＭＰ…バンク、ＯＬ…有機
膜、ＳＧＰ…ソーダガラス基板、ＩＡ〜ＩＣ…絶縁膜、
ＦＧ…半導体チャネル、ＳＧ…ゲート電極、ＡＬ…スイ
ッチング素子間の配線、ＣＧ…封止部材、ＢＧ…空間、
ＡＬＳ…スイッチング素子間の配線（光シールドも兼ね
る部分）、ＱＧＰ…石英基板、Ｘ…バンクのテーパ先端
とシールド層端部の距離、ＤＩＰ…表示部、ＰＷ…電流
供給回路、ＤＤＲ…データ駆動回路、ＤＤＧ…走査駆動
回路、ＰＬ…電流供給線、ＰＬＡ…共通電位供給バスラ
イン、ＰＬＢ…共通電流供給線、ＰＬＴ…端子、ＰＸ…
画素。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ (72)発明者 足立 昌哉 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 河内 玄士朗 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 ディスプレイズ内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 BB06 CC01 DB03 FA01 5C094 AA02 AA16 BA03 BA27 CA19 DA09 DA13 DA15 DB01 ED15 FB01 FB16

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】主面を有する基板、 前記基板主面上に二次元的に配置された複数の画素、 前記基板主面上に第１の方向に沿って並設された複数の
    走査信号線、 前記基板主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向
    に沿って並設された複数のデータ信号線、及び前記基板
    主面上に配置された複数の電流供給線を備え、 前記複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一
    つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線
    の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１
    アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給
    される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アク
    ティブ素子とを含む複数のアクティブ素子、前記第１ア
    クティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持する
    データ保持素子、並びに、前記第２アクティブ素子で調
    整された電流の供給により発光する有機エレクトロルミ
    ネセンス素子とを有し、 前記複数の画素の少なくとも一つは、これ又はこれに隣
    接する前記複数の画素の他の一つに設けられた前記複数
    のアクティブ素子をこれに設けられた前記有機エレクト
    ロルミネセンス素子の発光からシールドする光シールド
    部材を含む有機ＥＬ発光表示装置。
  2. 【請求項２】主面を有する基板、 前記基板主面上に第１の方向に沿って並設された複数の
    走査信号線、 前記基板主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向
    に沿って並設された複数のデータ信号線、 前記基板主面上に配置された複数の電流供給線、 前記基板主面上に二次元的に配置され且つその各々は、
    前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ
    信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電
    圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数
    の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信
    号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数の
    アクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取り込まれ
    た前記データ信号を保持するデータ保持素子、並びに、
    前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により
    発光する有機エレクトロルミネセンス素子とを含む複数
    の画素、 前記複数の画素の一つに配置された前記有機エレクトロ
    ルミネセンス素子からの該複数の画素の一つ又はこれに
    隣接する前記複数の画素の他の一つに配置された前記複
    数のアクティブ素子へ向けて放射される光を遮る位置に
    配置された第１の光シールド部材、及び前記複数の画素
    の互いに隣接する一対の境界に配置され且つ該複数の画
    素の一対間での光漏れを該境界にて遮る第２の光シール
    ド部材、を有する有機ＥＬ発光表示装置。
  3. 【請求項３】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記透
    明電極の前記上面の一部上に形成された有機材料層を含
    み、 前記絶縁膜は、黒色の材料からなる請求項１に記載の有
    機ＥＬ発光表示装置。
  4. 【請求項４】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記透
    明電極の前記上面の一部上に形成された有機材料層を含
    み、 前記絶縁膜は、無機材料からなる請求項１に記載の有機
    ＥＬ発光表示装置。
  5. 【請求項５】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記絶
    縁膜の前記開口及び該絶縁膜の該開口に沿う部分を覆い
    且つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が
    供給される有機材料層を含み、 前記絶縁膜の前記部分と前記有機材料層との間に形成さ
    れる境界は前記基板主面から見て前記光シールド部材で
    覆われている請求項１に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  6. 【請求項６】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記透
    明電極の前記上面の一部上に形成された有機材料層を含
    み、 前記絶縁膜は、黒色の材料からなる請求項２に記載の有
    機ＥＬ発光表示装置。
  7. 【請求項７】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記透
    明電極の前記上面の一部上に形成された有機材料層を含
    み、 前記絶縁膜は、無機材料からなる請求項２に記載の有機
    ＥＬ発光表示装置。
  8. 【請求項８】前記有機エレクトロルミネセンス素子は、
    前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透
    明電極、前記透明電極上に形成され且つ該透明電極の上
    面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記絶
    縁膜の前記開口及び該絶縁膜の該開口に沿う部分を覆い
    且つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が
    供給される有機材料層を含み、 前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部
    材は前記基板主面と前記透明電極との間に形成され、且
    つ該第１の光シールド部材及び該第２の光シールド部材
    の少なくとも一つは前記絶縁膜の下側から前記絶縁膜の
    開口の下側へ延在している請求項２に記載の有機ＥＬ発
    光表示装置。
  9. 【請求項９】前記光シールド部材は、前記走査信号線の
    一部及び前記データ保持素子の電極の一方として形成さ
    れた導体層の少なくとも一つである請求項１に記載の有
    機ＥＬ発光表示装置。
  10. 【請求項１０】前記光シールド部材は前記走査信号線と
    同層で形成され、前記基板主面から見て前記有機エレク
    トロルミネセンス素子の発光領域の周辺にリング状、Ｌ
    字状、又はＵ字状に成形された導体層である請求項１に
    記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  11. 【請求項１１】前記光シールド部材は、前記データ信号
    線及び前記電流供給線の少なくとも一方と同層に形成さ
    れ且つ前記有機エレクトロルミネセンス素子に電流を供
    給する配線の一部である請求項１項に記載の有機ＥＬ発
    光表示装置。
  12. 【請求項１２】前記第１の光シールド部材及び前記第２
    の光シールド部材の少なくとも一方は、前記データ信号
    線並びに前記電流供給線の少なくとも一方の一部、又は
    該データ信号線並びに該電流供給線の少なくとも一方と
    同層で形成され且つ前記有機エレクトロルミネセンス素
    子に電流を供給する配線の一部である請求項２項に記載
    の有機ＥＬ発光表示装置。
  13. 【請求項１３】前記光シールド部材は、前記データ信号
    線及び前記電流供給線の少なくとも一方と同層に形成さ
    れ且つ前記有機エレクトロルミネセンス素子に含まれる
    前記透明電極に接続される配線の一部である請求項３項
    に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  14. 【請求項１４】前記第１の光シールド部材及び前記第２
    の光シールド部材の少なくとも一方は、前記データ信号
    線並びに前記電流供給線の少なくとも一方の一部、又は
    該データ信号線並びに該電流供給線の少なくとも一方と
    同層で形成され且つ前記有機エレクトロルミネセンス素
    子に含まれる前記透明電極に接続される配線の一部であ
    ることを特徴とする請求項６項に記載の有機ＥＬ発光表
    示装置。
  15. 【請求項１５】前記第１の光シールド部材は前記走査信
    号線の一部及び前記データ保持素子の電極の一方として
    形成された導体層の少なくとも一つで成形され、前記第
    ２の光シールド部材は該データ保持素子の該一方の電極
    として形成された導体層及び前記電流供給線に接続され
    た導体層の少なくとも一つである請求項２に記載の有機
    ＥＬ発光表示装置。
  16. 【請求項１６】前記第１の光シールド部材及び前記第２
    の光シールド部材の一方は、前記走査信号線の一部であ
    り、その他方は該走査信号線と同層で形成され且つ前記
    基板主面から見て前記有機エレクトロルミネセンス素子
    の発光領域の周辺にリング状、Ｌ字状、又はＵ字状に成
    形された導体層である請求項２に記載の有機ＥＬ発光表
    示装置。
  17. 【請求項１７】前記絶縁膜の前記開口の断面は、前記透
    明電極の上面に向けてテーパ状に形成されている請求項
    ３に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  18. 【請求項１８】前記光シールド部材は、アルミニウム層
    を含む請求項１に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  19. 【請求項１９】前記第１の光シールド部材及び前記第２
    の光シールド部材は、アルミニウム層を含む請求項２に
    記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  20. 【請求項２０】前記絶縁膜は、ポリイミド系材料で形成
    されている請求項３に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  21. 【請求項２１】前記光シールド部材は前記複数の画素の
    各々に配置され、該複数の画素の各々にて前記複数のア
    クティブ素子と前記有機エレクトロルミネセンス素子と
    は該光シールド部材により前記基板主面沿いに分離され
    ている請求項１に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
  22. 【請求項２２】前記複数の画素の各々は、前記基板主面
    沿いに前記複数のアクティブ素子が形成される領域と前
    記有機エレクトロルミネセンス素子が形成される他の領
    域とに分かれている請求項２に記載の有機ＥＬ発光表示
    装置。
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CN (1) CN100541811C (ja)
TW (1) TWI222048B (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079397A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2005181422A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Nec Corp 発光型表示装置及びその製造方法
JP2006012768A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示素子及びその製造方法
KR100637431B1 (ko) 2004-04-29 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
JP2008107785A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2010049283A (ja) * 2006-09-29 2010-03-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2010145894A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2012226363A (ja) * 2004-04-28 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2013231963A (ja) * 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
JP2013254941A (ja) * 2012-05-09 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
JP2014067047A (ja) * 2013-11-08 2014-04-17 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
US8803768B2 (en) 2006-10-26 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same
JP2015166872A (ja) * 2015-04-07 2015-09-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR20170129337A (ko) * 2016-05-16 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018060600A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 パイオニア株式会社 発光装置
JP7505612B2 (ja) 2022-08-29 2024-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI283143B (en) * 2002-12-03 2007-06-21 Au Optronics Corp Structure and method for reducing the resistance of power line, suitable for use in a LED displayer
JP2004318093A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光ディスプレイ及びその駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示回路及びエレクトロルミネッセンスディスプレイ
GB0307789D0 (en) * 2003-04-04 2003-05-07 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP2005128476A (ja) * 2003-04-17 2005-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
TW587236B (en) * 2003-05-12 2004-05-11 Au Optronics Corp Active organic electroluminescent device structure
JP4467910B2 (ja) * 2003-05-16 2010-05-26 東芝モバイルディスプレイ株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP4168836B2 (ja) 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
JP4062179B2 (ja) * 2003-06-04 2008-03-19 ソニー株式会社 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
GB0313460D0 (en) * 2003-06-11 2003-07-16 Koninkl Philips Electronics Nv Colour electroluminescent display devices
US7557779B2 (en) 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示パネルの製造方法
KR100948623B1 (ko) * 2003-10-15 2010-03-24 삼성전자주식회사 유기전계발광 패널과, 이를 갖는 표시 장치
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4165478B2 (ja) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100611152B1 (ko) * 2003-11-27 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100557731B1 (ko) * 2003-12-27 2006-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100555598B1 (ko) * 2003-12-30 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
WO2005076756A2 (en) * 2004-02-12 2005-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel display apparatus
KR101007722B1 (ko) 2004-02-12 2011-01-13 삼성전자주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
TWI367686B (en) * 2004-04-07 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, electronic device, and television device
KR100755398B1 (ko) * 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR100578813B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
US7999458B2 (en) * 2004-08-26 2011-08-16 Lg Display Co., Ltd. Organic electro luminescence device and fabrication method thereof
US7312569B2 (en) * 2004-12-24 2007-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel display apparatus
JP2007034275A (ja) * 2005-06-21 2007-02-08 Canon Inc 電子部品およびその製造方法
JP2007109868A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101219046B1 (ko) 2005-11-17 2013-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 이의 제조방법
US8026669B2 (en) * 2006-03-31 2011-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Display device
US7679586B2 (en) * 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
KR100739334B1 (ko) * 2006-08-08 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 화소와 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그의구동방법
JP5150138B2 (ja) * 2007-05-23 2013-02-20 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
KR100893482B1 (ko) * 2007-08-23 2009-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
US20090058271A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Lg Electronics Inc. Organic light emitting device
US8927970B2 (en) * 2007-09-13 2015-01-06 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR101296657B1 (ko) * 2007-09-13 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100902238B1 (ko) * 2008-01-18 2009-06-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
US7786481B2 (en) * 2008-08-26 2010-08-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and fabricating method thereof
US8018399B2 (en) * 2009-11-18 2011-09-13 Century Display(ShenZhen) Co., Ltd. Pixel array
TWI469112B (zh) * 2010-01-20 2015-01-11 Century Display Shenzhen Co 畫素陣列以及顯示面板
CN102985876A (zh) * 2010-07-14 2013-03-20 株式会社Lg化学 正型光敏树脂组合物及包含其的有机发光装置遮屏
TWI431574B (zh) * 2010-08-06 2014-03-21 E Ink Holdings Inc 電子紙顯示裝置及其製造方法
JP5677435B2 (ja) * 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法
JP5682385B2 (ja) * 2011-03-10 2015-03-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101813192B1 (ko) * 2011-05-31 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9711110B2 (en) * 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
KR101411619B1 (ko) * 2012-09-27 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 화소 회로와 그 구동 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102028990B1 (ko) * 2012-12-26 2019-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9012900B2 (en) * 2012-12-26 2015-04-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR20140112605A (ko) * 2013-03-11 2014-09-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 패턴 검사 방법
US20140346468A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device having a channel in pixel defining layer
GB2515750B (en) * 2013-07-01 2017-11-15 Flexenable Ltd Supressing Leakage Currents in a Multi - TFT Device
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102139355B1 (ko) 2013-12-31 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2015158572A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、電子機器
US10115739B2 (en) 2014-05-07 2018-10-30 Sony Corporation Display unit and electronic apparatus
CN104021757A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
KR101640192B1 (ko) * 2014-08-05 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6459316B2 (ja) * 2014-09-03 2019-01-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR102287353B1 (ko) * 2015-01-27 2021-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 리페어 방법
US9634048B2 (en) * 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102285398B1 (ko) * 2015-04-29 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102457536B1 (ko) * 2015-06-30 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP6577344B2 (ja) * 2015-11-18 2019-09-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US11081057B2 (en) * 2016-04-22 2021-08-03 Sony Corporation Display apparatus and electronic device
KR20180017280A (ko) * 2016-08-08 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101992917B1 (ko) * 2016-11-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과, 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20180323239A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Innolux Corporation Display device
TWI648720B (zh) 2017-10-25 2019-01-21 元太科技工業股份有限公司 顯示裝置
CN109712572A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 元太科技工业股份有限公司 显示装置
WO2019230050A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109272935B (zh) * 2018-11-23 2021-04-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的驱动方法、驱动芯片及显示装置
US11423840B2 (en) 2019-07-31 2022-08-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
CN112673474B (zh) 2019-07-31 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示面板及显示装置
CN111029370A (zh) * 2019-10-28 2020-04-17 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
US20220367579A1 (en) * 2021-05-08 2022-11-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000148087A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示装置、及び表示装置の駆動方法
JP2000172198A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000223279A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001100655A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001318628A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電気器具
JP2002014628A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2002083689A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002108250A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
JP2002132186A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Nec Corp アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2002352955A (ja) * 2001-03-19 2002-12-06 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2875363B2 (ja) 1990-08-08 1999-03-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6067062A (en) * 1990-09-05 2000-05-23 Seiko Instruments Inc. Light valve device
KR940004237B1 (ko) * 1991-09-10 1994-05-19 삼성전자 주식회사 액정표시 장치 및 그 제조방법
US6313889B1 (en) * 1993-03-04 2001-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit
JPH10240162A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Sony Corp アクティブマトリクス表示装置
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP4013293B2 (ja) * 1997-09-01 2007-11-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置兼用型イメージセンサ装置及びアクティブマトリクス型表示装置
EP0950917B1 (en) * 1997-10-31 2003-12-03 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
GB2335884A (en) 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
JP2000039624A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Hitachi Ltd 画像表示装置及びその製造方法
JP3661443B2 (ja) * 1998-10-27 2005-06-15 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス液晶表示装置
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
KR100549154B1 (ko) * 1999-07-30 2006-02-06 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 화상 표시 장치
KR100351874B1 (ko) * 1999-09-14 2002-09-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 액정표시소자
JP2001228457A (ja) * 1999-12-08 2001-08-24 Sharp Corp 液晶表示装置
TW511298B (en) * 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
TW521303B (en) 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
TW554637B (en) 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Display device and light emitting device
JP2002032037A (ja) * 2000-05-12 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
GB0014962D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array display devices with light sensing elements and associated storage capacitors
JP2002108248A (ja) * 2000-07-26 2002-04-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置用基板及び投射型表示装置
JP4368515B2 (ja) * 2000-10-31 2009-11-18 シャープ株式会社 液晶表示パネル
US6744198B2 (en) * 2001-03-19 2004-06-01 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus
TW575777B (en) * 2001-03-30 2004-02-11 Sanyo Electric Co Active matrix type display device
KR100620847B1 (ko) * 2001-06-05 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어레이기판 및 그의 제조방법
JP2003092183A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Pioneer Electronic Corp エレクトロルミネセンス表示ユニット
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
JP3870897B2 (ja) * 2002-01-07 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN1297012C (zh) * 2002-02-06 2007-01-24 株式会社东芝 平面检测型固体摄像装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000148087A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示装置、及び表示装置の駆動方法
JP2000172198A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000223279A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001100655A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001318628A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電気器具
JP2002014628A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2002083689A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002108250A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
JP2002132186A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Nec Corp アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2002352955A (ja) * 2001-03-19 2002-12-06 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079397A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2005181422A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Nec Corp 発光型表示装置及びその製造方法
JP4736013B2 (ja) * 2003-12-16 2011-07-27 日本電気株式会社 発光表示装置の製造方法
JP2014026290A (ja) * 2004-04-28 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2012226363A (ja) * 2004-04-28 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100637431B1 (ko) 2004-04-29 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
JP2006012768A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示素子及びその製造方法
US7626204B2 (en) 2004-06-28 2009-12-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP4637568B2 (ja) * 2004-06-28 2011-02-23 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP2008107785A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2010049283A (ja) * 2006-09-29 2010-03-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
US8159420B2 (en) 2006-09-29 2012-04-17 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8803768B2 (en) 2006-10-26 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same
US10546529B2 (en) 2006-10-26 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same
US11887535B2 (en) 2006-10-26 2024-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same
US9653528B2 (en) 2008-12-22 2017-05-16 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US10490576B2 (en) 2008-12-22 2019-11-26 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US8593441B2 (en) 2008-12-22 2013-11-26 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
JP2010145894A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Sony Corp 表示装置および電子機器
US8896642B2 (en) 2008-12-22 2014-11-25 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US8922538B2 (en) 2008-12-22 2014-12-30 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US9129928B2 (en) 2008-12-22 2015-09-08 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US8451258B2 (en) 2008-12-22 2013-05-28 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US10347668B2 (en) 2008-12-22 2019-07-09 Sony Corporation Display apparatus and electronic apparatus
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2018041106A (ja) * 2012-04-06 2018-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2013231963A (ja) * 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
US10042174B2 (en) 2012-05-09 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10416466B2 (en) 2012-05-09 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2013254941A (ja) * 2012-05-09 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
JP2014067047A (ja) * 2013-11-08 2014-04-17 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
JP2015166872A (ja) * 2015-04-07 2015-09-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR20170129337A (ko) * 2016-05-16 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102638298B1 (ko) 2016-05-16 2024-02-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018060600A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 パイオニア株式会社 発光装置
JP7505612B2 (ja) 2022-08-29 2024-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器

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