JP2003315438A5 - - Google Patents

Claims (30)

1. ＭＭＩＣを含んで成る能動回路と、
   前記能動回路に接続され、前記能動回路と一体的に形成されたアンテナと、
   前記能動回路と前記アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと
   を具備して成ることを特徴とするレーダセンサ。
2. 請求項１において、
   前記アンテナ近傍の前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
3. 請求項２において、
   前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
4. 請求項２において、
   前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
5. 請求項２ないし４のいずれかにおいて、
   前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が３から６の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
6. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記能動回路は発振器とミキサとを備え、
   前記能動回路と前記アンテナとがモノリシックに形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
7. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   送信信号の周波数は２０ＧＨｚないし１００ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とするレーダセンサ。
8. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記能動回路は、前記能動回路の出力を処理する信号処理回路を更に含んで成ることを特徴とするレーダセンサ。
9. 送信信号を送信する送信回路と、
   前記送信信号に基づく反射信号を受信する受信回路と
   前記送信回路で生成された前記送信信号を放射し、前記送信回路と電気的に接続された送信アンテナと、
   前記反射信号を受信し、前記反射信号を前記受信回路に供給する、前記受信回路と電気的に接続された受信アンテナと、
   前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと
   を具備して成り、
   前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとは、単一のＭＭＩＣチップ上に一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
10. 送信信号を送信する送信回路と、
    前記送信信号に基く反射信号を受信する受信回路と、
    前記送信回路で生成された前記送信信号を放射し、前記送信回路と電気的に接続された送信アンテナと、
    前記反射信号を受信し、前記反射信号を前記受信回路に供給する、前記受信回路と電気的に接続された受信アンテナと、
    前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと
    を具備して成り、
    前記送信回路と前記送信アンテナとは、第１のＭＭＩＣチップ上に一体的に形成され、
    前記受信回路と前記受信アンテナとは、前記第１のＭＭＩＣチップとは異なる第２のＭＭＩＣチップ上に一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
11. 請求項９において、
    前記送信回路および前記受信回路の少なくともどちらか一方からの出力を処理する信号処理回路を更に含んで成ることを特徴とするレーダセンサ。
12. 請求項１１において、
    前記信号処理回路は、前記ＭＭＩＣ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
13. 請求項１１において、
    前記信号処理回路は、前記ＭＭＩＣとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
14. 請求項１０において、
    前記送信回路および前記受信回路の少なくともどちらか一方からの出力を処理する信号処理回路を更に含み、
    前記信号処理回路は、前記第１および前記第２のＭＭＩＣチップとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
15. 請求項９ないし１４のいずれかにおいて、
    前記送信アンテナと前記受信アンテナとを覆うように、前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
16. 請求項１５において、
    前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
17. 請求項１５において、
    前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
18. 請求項１５ないし１７のいずれかにおいて、
    前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が３から６の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
19. 請求項９ないし１８のいずれかにおいて、
    前記送信アンテナと前記受信アンテナとは、前記送信回路および前記受信回路を中心に略対称になるように配置されていることを特徴とするレーダセンサ。
20. 請求項９ないし１８のいずれかにおいて、
    前記送信信号の周波数は２０ＧＨｚないし１００ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とするレーダセンサ。
21. 送信信号を送信し、前記送信信号に基く反射信号を受信する能動回路部と、
    前記能動回路部で生成された前記送信信号を放射し、前記能動回路部と電気的に接続された送信アンテナと、
    前記反射信号を受信して前記能動回路部に供給し、前記能動回路部と電気的に接続された受信アンテナと、
    前記能動回路部と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと
    を具備して成り、
    前記能動回路部と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとは、単一のＭＭＩＣチップ上に一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
22. 請求項２１において、
    前記能動回路からの出力を処理する信号処理回路を更に含んで成ることを特徴とするレーダセンサ。
23. 請求項２２において、
    前記信号処理回路は、前記ＭＭＩＣ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
24. 請求項２２において、
    前記信号処理回路は、前記ＭＭＩＣとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
25. 請求項２１ないし２４のいずれかにおいて、
    前記送信アンテナと前記受信アンテナとを覆うように、前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
26. 請求項２５において、
    前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
27. 請求項２５において、
    前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
28. 請求項２５ないし２７のいずれかにおいて、
    前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が３から６の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
29. 請求項２１ないし２８のいずれかにおいて、
    前記送信アンテナと前記受信アンテナとは、前記能動回路を中心に略対称になるように配置されていることを特徴とするレーダセンサ。
30. 請求項２１ないし２８のいずれかにおいて、
    前記送信信号の周波数は２０ＧＨｚないし１００ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とするレーダセンサ。