KR100648035B1 - 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서에 있어서,상기의 마이크로파 센서는 직렬 궤환 자가 발진 혼합기를 적용한 것으로 하나의 트랜지스터 소자(110)가 적용되며,상기 트랜지스터 소자(110)의 소스(S:source)단에 직렬 궤환을 위한 마이크로스트립라인으로 이루어진 제1수동소자(120)와, 바이어스를 위한 사분의 일 람다선 및 저항, 바이패스 축전기 등으로 이루어진 소스단 바이어스회로부(130)가 연결되고,게이트(G:gate)단에는 공진주파수를 결정하기 위한 절연체 공진기(140)와, 상기 절연체 공진기(140)를 게이트단과 커플링하기 위한 수동소자로 직렬 마이크로스트립라인으로 이루어진 제2수동소자(150)가 연결되며,드레인(D:drain)단에는 출력단 정합회로(160)와, 드레인단 바이어스회로부(170)가 연결되며, 각 회로부에 동작전원을 인가하는 전원공급단자(180)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 1항에 있어서,상기의 게이트단에서 연장된 소정의 위치에는 발진 신호의 송신과 수신이 가능한 단일 송ㆍ수신부연결단(210)을 포함하며, 마이크로파 발진 신호의 출력과 반 송파의 수신기능을 겸하는 송ㆍ수신 안테나가 연결되는 것을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서에 있어서,상기의 마이크로파 센서는 병렬 궤환 자가 발진 혼합기를 적용한 것으로, 하나의 트랜지스터 소자(310)를 적용하며 상기 트랜지스터 소자(310)의 게이트(G:gate)단과 드레인(D:drain)단의 병렬 궤환으로 발진신호를 얻는 것으로,발진주파수를 결정하기 위한 절연체 공진기(320)가 게이트(G:gate)단과 드레인(D:drain)단 사이에 위치하고, 게이트단과 드레인단과의 궤환을 주기 위해 마이크로스트립라인으로 이루어진 제1수동소자(330)가 게이트단에 직렬로 연결되고, 마이크로스트립라인으로 이루어진 제2수동소자(340)가 드레인단에 병렬로 연결되며,드레인(D:drain)단에는 출력단 정합회로(350)와, 드레인단 바이어스회로부(360)가 연결되며, 각 회로부에 동작전원을 인가하는 전원공급단자(370)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 3항에 있어서,발진 신호의 단일 송ㆍ수신이 가능한 위치는 게이트단 또는 드레인단이 가능하며, 마이크로파 발진 신호의 출력과 반송파의 수신기능을 겸하는 송ㆍ수신 안테 나가 게이트단 또는 드레인단 중 어느 한 위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 4항에 있어서,송신 신호와 수신된 반송파가 주파수 혼합에 의해 주파수 하향 변환된 신호의 출력단은 송ㆍ수신 안테나의 위치와 상관없이 게이트단 또는 드레인단 중 어느 한 위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기에서 적용된 트랜지스터 소자는 FET(Field Effect Transistor)가 적용됨을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기에서 적용된 트랜지스터 소자는 BJT(Bipolar Junction Transistor)가 적용됨을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기에서 적용된 트랜지스터 소자는 HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)가 적용됨을 특징으로 하는 간략한 구조를 갖는 마이크로파 센서.
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KR101604171B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2016-03-16 | 강원대학교산학협력단 | 공진기와 안테나 필터를 이용한 som 방식 도플러 레이더 |
CN110176941A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-08-27 | 电子科技大学 | 一种无线无直流电传感信息传输电路 |
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JPH05256930A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 発振器・ミキサ兼用回路および逓倍器・ミキサ兼用回路 |
KR20050009477A (ko) * | 2003-07-16 | 2005-01-25 | 한국전자통신연구원 | 초고주파 송수신 장치 |
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