|
JP2003017520A
(ja)
*
|
2001-06-28 |
2003-01-17 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体装置とその製造方法
|
|
JP2003017521A
(ja)
*
|
2001-06-28 |
2003-01-17 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体装置とその製造方法
|
|
JP2004063672A
(ja)
*
|
2002-07-26 |
2004-02-26 |
Oki Electric Ind Co Ltd |
有機絶縁膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法
|
|
FR2854731B1
(fr)
*
|
2003-05-05 |
2005-08-12 |
St Microelectronics Sa |
Circuit integre et procede de test associe
|
|
JP3866710B2
(ja)
*
|
2003-12-24 |
2007-01-10 |
エルピーダメモリ株式会社 |
半導体ウェーハ及びそのダイシング方法
|
|
JP4415747B2
(ja)
*
|
2004-04-30 |
2010-02-17 |
ソニー株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
JP4609983B2
(ja)
|
2004-04-30 |
2011-01-12 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
電極パッドを備える素子
|
|
US7405108B2
(en)
*
|
2004-11-20 |
2008-07-29 |
International Business Machines Corporation |
Methods for forming co-planar wafer-scale chip packages
|
|
KR100602131B1
(ko)
*
|
2004-12-30 |
2006-07-19 |
동부일렉트로닉스 주식회사 |
반도체 소자 및 그의 제조방법
|
|
JP4843229B2
(ja)
*
|
2005-02-23 |
2011-12-21 |
株式会社東芝 |
半導体装置の製造方法
|
|
TWI268564B
(en)
*
|
2005-04-11 |
2006-12-11 |
Siliconware Precision Industries Co Ltd |
Semiconductor device and fabrication method thereof
|
|
KR100653715B1
(ko)
*
|
2005-06-17 |
2006-12-05 |
삼성전자주식회사 |
적어도 하나의 개구부를 갖는 최상부 금속층을 구비하는반도체 소자들 및 그 제조방법들
|
|
WO2007004535A1
(ja)
|
2005-07-05 |
2007-01-11 |
Renesas Technology Corp. |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2007073681A
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Renesas Technology Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP4745007B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2011-08-10 |
三洋電機株式会社 |
半導体装置及びその製造方法
|
|
EP1952435B1
(en)
*
|
2005-11-24 |
2014-04-30 |
Ricoh Company, Ltd. |
Process of dicing a semiconductor wafer including semiconductor chips separated by scribe line and process-monitor electrode pads formed on scribe line
|
|
WO2007066400A1
(ja)
*
|
2005-12-08 |
2007-06-14 |
Fujitsu Limited |
半導体装置
|
|
JP2007294899A
(ja)
*
|
2006-03-31 |
2007-11-08 |
Dowa Electronics Materials Co Ltd |
半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板並びに電子デバイス接合用サブマウント
|
|
JP2007299968A
(ja)
*
|
2006-05-01 |
2007-11-15 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体装置
|
|
JP5162851B2
(ja)
*
|
2006-07-14 |
2013-03-13 |
富士通セミコンダクター株式会社 |
半導体装置及びその製造方法
|
|
JP2008124437A
(ja)
|
2006-10-19 |
2008-05-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体ウェハ、その製造方法、および半導体チップの製造方法
|
|
US7834449B2
(en)
*
|
2007-04-30 |
2010-11-16 |
Broadcom Corporation |
Highly reliable low cost structure for wafer-level ball grid array packaging
|
|
US7872347B2
(en)
*
|
2007-08-09 |
2011-01-18 |
Broadcom Corporation |
Larger than die size wafer-level redistribution packaging process
|
|
US8030775B2
(en)
*
|
2007-08-27 |
2011-10-04 |
Megica Corporation |
Wirebond over post passivation thick metal
|
|
JP5064157B2
(ja)
*
|
2007-09-18 |
2012-10-31 |
新光電気工業株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US8872329B1
(en)
*
|
2009-01-09 |
2014-10-28 |
Amkor Technology, Inc. |
Extended landing pad substrate package structure and method
|
|
JP2010192867A
(ja)
|
2009-01-20 |
2010-09-02 |
Renesas Electronics Corp |
半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
|
|
KR20100104377A
(ko)
*
|
2009-03-17 |
2010-09-29 |
삼성전자주식회사 |
내부 스트레스를 줄일 수 있는 반도체 패키지
|
|
JP2010287592A
(ja)
*
|
2009-06-09 |
2010-12-24 |
Renesas Electronics Corp |
半導体装置、半導体ウェハおよびその製造方法
|
|
US8643164B2
(en)
*
|
2009-06-11 |
2014-02-04 |
Broadcom Corporation |
Package-on-package technology for fan-out wafer-level packaging
|
|
JP5559599B2
(ja)
*
|
2010-05-25 |
2014-07-23 |
ローム株式会社 |
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体ウエハ
|
|
JP5607994B2
(ja)
|
2010-06-15 |
2014-10-15 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体集積回路装置およびその製造方法
|
|
US9773744B2
(en)
*
|
2011-07-12 |
2017-09-26 |
Globalfoundries Inc. |
Solder bump cleaning before reflow
|
|
JP5503626B2
(ja)
*
|
2011-11-24 |
2014-05-28 |
ラピスセミコンダクタ株式会社 |
半導体ウェハおよびそれにより形成した半導体装置
|
|
US9401308B2
(en)
|
2013-03-12 |
2016-07-26 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Packaging devices, methods of manufacture thereof, and packaging methods
|
|
US9589862B2
(en)
|
2013-03-11 |
2017-03-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Interconnect structures and methods of forming same
|
|
US9257333B2
(en)
|
2013-03-11 |
2016-02-09 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Interconnect structures and methods of forming same
|
|
US10015888B2
(en)
|
2013-02-15 |
2018-07-03 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Interconnect joint protective layer apparatus and method
|
|
US9368398B2
(en)
|
2012-01-12 |
2016-06-14 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Interconnect structure and method of fabricating same
|
|
US9607921B2
(en)
*
|
2012-01-12 |
2017-03-28 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Package on package interconnect structure
|
|
US9263839B2
(en)
|
2012-12-28 |
2016-02-16 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
System and method for an improved fine pitch joint
|
|
US9082776B2
(en)
|
2012-08-24 |
2015-07-14 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Semiconductor package having protective layer with curved surface and method of manufacturing same
|
|
US9472515B2
(en)
*
|
2014-03-11 |
2016-10-18 |
Intel Corporation |
Integrated circuit package
|
|
CN105225944A
(zh)
*
|
2014-06-06 |
2016-01-06 |
北大方正集团有限公司 |
一种金属层去除方法
|
|
CN105793964A
(zh)
|
2014-11-13 |
2016-07-20 |
瑞萨电子株式会社 |
半导体器件及其制造方法
|
|
JP6507007B2
(ja)
*
|
2015-03-27 |
2019-04-24 |
東レエンジニアリング株式会社 |
Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの製造方法
|
|
JP6552040B2
(ja)
*
|
2015-07-14 |
2019-07-31 |
Ｊｘ金属株式会社 |
半導体用ウェハの処理液、および半導体用ウェハの処理方法
|
|
JP6639141B2
(ja)
*
|
2015-08-05 |
2020-02-05 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置の製造方法および半導体装置
|
|
KR102372349B1
(ko)
*
|
2015-08-26 |
2022-03-11 |
삼성전자주식회사 |
반도체 칩, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
|
|
KR102357937B1
(ko)
|
2015-08-26 |
2022-02-04 |
삼성전자주식회사 |
반도체 칩, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
|
|
JP2017045900A
(ja)
*
|
2015-08-27 |
2017-03-02 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置の製造方法および半導体装置
|
|
KR102450326B1
(ko)
*
|
2015-10-06 |
2022-10-05 |
삼성전자주식회사 |
반도체 칩, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
|
|
US9892962B2
(en)
|
2015-11-30 |
2018-02-13 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Wafer level chip scale package interconnects and methods of manufacture thereof
|
|
US9865516B2
(en)
*
|
2016-01-10 |
2018-01-09 |
Micron Technology, Inc. |
Wafers having a die region and a scribe-line region adjacent to the die region
|
|
JP6846117B2
(ja)
*
|
2016-04-12 |
2021-03-24 |
ローム株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
CN108277349A
(zh)
*
|
2018-02-01 |
2018-07-13 |
燕山大学 |
一种钛铝层状复合材料的选择性反应分离及回收方法
|
|
US10651100B2
(en)
*
|
2018-05-16 |
2020-05-12 |
Micron Technology, Inc. |
Substrates, structures within a scribe-line area of a substrate, and methods of forming a conductive line of a redistribution layer of a substrate and of forming a structure within a scribe-line area of the substrate
|
|
US10847482B2
(en)
|
2018-05-16 |
2020-11-24 |
Micron Technology, Inc. |
Integrated circuit structures and methods of forming an opening in a material
|
|
JP6937283B2
(ja)
*
|
2018-09-19 |
2021-09-22 |
株式会社東芝 |
半導体装置の製造方法
|
|
US10522488B1
(en)
|
2018-10-31 |
2019-12-31 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Patterning polymer layer to reduce stress
|
|
JP7332304B2
(ja)
|
2019-02-14 |
2023-08-23 |
キオクシア株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP7613029B2
(ja)
*
|
2020-09-09 |
2025-01-15 |
株式会社ソシオネクスト |
半導体装置
|
|
CN112888154B
(zh)
*
|
2021-01-14 |
2023-05-16 |
京东方科技集团股份有限公司 |
柔性线路板及制备方法、显示装置
|