JP6507007B2 - Ledモジュールおよびledモジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
前記封止樹脂と前記リフレクターとの境界、前記封止樹脂と前記LEDチップとの境界、及び前記封止樹脂と前記パッケージ基板の電極との境界に、同種の無機絶縁膜が一体的に成膜されており、
前記リフレクターはセラミックからなり、
前記無機絶縁膜は密着層と当該密着層よりも密度が高い浸入防止層とが積層された構造であり、前記リフレクターは前記密着層に接することを特徴とするLEDモジュールを提供するものである。
前記無機絶縁膜が成膜された前記LEDチップ、前記リフレクターの内周面、及び前記パッケージ基板の電極に封止樹脂を充填して、前記LEDチップ、前記ワイヤー、及び前記リフレクターの内周面を前記封止樹脂で封止する封止工程を備え、
前記リフレクターはセラミックからなり、
前記無機絶縁膜は密着層と当該密着層よりも密度が高い浸入防止層とが積層された構造であり、前記リフレクターは前記密着層に接することを特徴とするLEDモジュールの製造方法を提供するものである。
図1を用いて、本発明の実施例1について説明する。図1は、LEDモジュールの断面を示す図である。パッケージ基板1の電極5上にLEDチップ2が搭載され、そのLEDチップ2の電極とパッケージ基板1の電極5とがワイヤー6で電気的に接続されている。また、LEDチップ2の周囲には、セラミック等からなるリフレクター4が配置されてLEDチップ2が発光した光の一部が反射して大気に向かうことにより、より多くの光がLEDモジュールから放出されるようにされている。
次に、本発明の実施例1におけるLEDモジュールの製造方法について説明する。図1のようにリフレクター4を備えたパッケージ基板1の電極5上にLEDチップ2が搭載され、LEDチップ2の電極とパッケージ基板1の電極5とがワイヤー6で電気的に接続されたモジュールに対して、プラズマCVD装置によりこのモジュールの内周面の凹部空間に無機絶縁膜7を成膜する成膜工程を実施する。
本発明の実施例2におけるLEDモジュールは、無機絶縁膜7が積層構造となっている点で実施例1と異なっている。すなわち、図1に示すようにリフレクター4の内周面、LEDチップ2の表面、及びパッケージ基板1の電極5が同種の無機絶縁膜7で一体的に覆われている。そして、無機絶縁膜7は無機物からなるバッファ層と、さらにその表面に無機物からなるバリア層とからなる積層構造とされている。つまり、同種の無機物からなるバッファ層と同種の無機物からなるバリア層の2層により、無機絶縁膜7が構成されている。
次に、本発明の実施例2におけるLEDモジュールの製造方法について説明する。図1のようにリフレクター4を備えたパッケージ基板1の電極5上にLEDチップ2が搭載され、LEDチップ2の電極とパッケージ基板1の電極5とがワイヤー6で電気的に接続されたモジュールに対して、プラズマCVD装置によりこのモジュールの内周面の凹部空間に同種の無機物からなるバッファ層を成膜するバッファ層成膜工程を実施する。無機物からなるバッファ層は、具体的には、SiCNで成膜することができる。
2 LEDチップ
3 封止樹脂
4 リフレクター
5 電極
6 ワイヤー
7 無機絶縁膜
Claims (6)
- パッケージ基板の電極上にLEDチップが搭載され、前記LEDチップの電極と前記パッケージ基板の電極間がワイヤーで電気的に接続され、前記LEDチップの周囲にリフレクターが配置され、前記LEDチップ、前記リフレクターの内周面、前記パッケージ基板の電極、及び前記ワイヤーが封止樹脂で充填されたLEDモジュールであって、
前記封止樹脂と前記リフレクターとの境界、前記封止樹脂と前記LEDチップとの境界、及び前記封止樹脂と前記パッケージ基板の電極との境界に、同種の無機絶縁膜が一体的に成膜されており、
前記リフレクターはセラミックからなり、
前記無機絶縁膜は密着層と当該密着層よりも密度が高い浸入防止層とが積層された構造であり、前記リフレクターは前記密着層に接することを特徴とするLEDモジュール。 - 前記無機絶縁膜は、前記密着層と前記浸入防止層とが交互に複数積層された構成であることを特徴とする請求項1に記載のLEDモジュール。
- 前記密着層はSiCNからなり、前記浸入防止層はSiO 2 又はAl 2 O 3 からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のLEDモジュール。
- パッケージ基板の電極上にLEDチップが搭載され、前記LEDチップの電極と前記パッケージ基板の電極間がワイヤーで電気的に接続され、前記LEDチップの周囲にリフレクターが配置されたモジュールの前記LEDチップ、前記リフレクターの内周面、及び前記パッケージ基板の電極に同種の無機絶縁膜を一体的に成膜する成膜工程と、
前記無機絶縁膜が成膜された前記LEDチップ、前記リフレクターの内周面、及び前記パッケージ基板の電極に封止樹脂を充填して、前記LEDチップ、前記ワイヤー、及び前記リフレクターの内周面を前記封止樹脂で封止する封止工程を備え、
前記リフレクターはセラミックからなり、
前記無機絶縁膜は密着層と当該密着層よりも密度が高い浸入防止層とが積層された構造であり、前記リフレクターは前記密着層に接することを特徴とするLEDモジュールの製造方法。 - 前記無機絶縁膜は、前記密着層と前記浸入防止層とが交互に複数積層された構成であることを特徴とする請求項4に記載のLEDモジュールの製造方法。
- 前記密着層はSiCNからなり、前記浸入防止層はSiO 2 又はAl 2 O 3 からなることを特徴とする請求項4又は5に記載のLEDモジュールの製造方法。
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