|
US7756584B2
(en)
*
|
2000-07-13 |
2010-07-13 |
Advanced Neuromodulation Systems, Inc. |
Methods and apparatus for effectuating a lasting change in a neural-function of a patient
|
|
WO2004049449A1
(ja)
*
|
2002-11-25 |
2004-06-10 |
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology |
半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器
|
|
US6940110B2
(en)
*
|
2002-11-29 |
2005-09-06 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
SiC-MISFET and method for fabricating the same
|
|
US7723242B2
(en)
*
|
2004-03-15 |
2010-05-25 |
Sharp Laboratories Of America, Inc. |
Enhanced thin-film oxidation process
|
|
US8133789B1
(en)
|
2003-04-11 |
2012-03-13 |
Purdue Research Foundation |
Short-channel silicon carbide power mosfet
|
|
FR2871936B1
(fr)
*
|
2004-06-21 |
2006-10-06 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de metallisation de la surface prealablement passivee d'un materiau semi conducteur et materiau obtenu par ce procede
|
|
US7723155B2
(en)
*
|
2004-06-30 |
2010-05-25 |
Xycarb Ceramics B.V. |
Method for the treatment of a surface of a metal-carbide substrate for use in semiconductor manufacturing processes as well as such a metal-carbide substrate
|
|
WO2007003576A1
(fr)
*
|
2005-06-30 |
2007-01-11 |
Commissariat A L'energie Atomique |
Nanostructures a resistance differentielle negative et leur procede de fabrication
|
|
FR2888398B1
(fr)
*
|
2005-07-05 |
2007-12-21 |
Commissariat Energie Atomique |
Couche de silicium tres sensible a l'oxygene et procede d'obtention de cette couche
|
|
JP5033316B2
(ja)
*
|
2005-07-05 |
2012-09-26 |
日産自動車株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
FR2888399B1
(fr)
*
|
2005-07-05 |
2008-03-14 |
Commissariat Energie Atomique |
Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stoechiometrique, pour la fabrication de composants electroniques, et procede d'obtention d'une telle couche
|
|
US7253481B2
(en)
*
|
2005-07-14 |
2007-08-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
High performance MOS device with graded silicide
|
|
JP2007096263A
(ja)
*
|
2005-08-31 |
2007-04-12 |
Denso Corp |
炭化珪素半導体装置およびその製造方法。
|
|
CA2636776A1
(en)
*
|
2006-01-30 |
2007-08-02 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
|
|
US8222649B2
(en)
|
2006-02-07 |
2012-07-17 |
Mitsubishi Electric Corporation |
Semiconductor device and method of manufacturing the same
|
|
US7569896B2
(en)
*
|
2006-05-22 |
2009-08-04 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Transistors with stressed channels
|
|
US7364957B2
(en)
*
|
2006-07-20 |
2008-04-29 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Method and apparatus for semiconductor device with improved source/drain junctions
|
|
JP5098294B2
(ja)
*
|
2006-10-30 |
2012-12-12 |
株式会社デンソー |
炭化珪素半導体装置の製造方法
|
|
JP4046140B1
(ja)
*
|
2006-11-29 |
2008-02-13 |
住友電気工業株式会社 |
炭化珪素半導体装置の製造方法
|
|
JP5283147B2
(ja)
*
|
2006-12-08 |
2013-09-04 |
国立大学法人東北大学 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP5303839B2
(ja)
*
|
2007-01-29 |
2013-10-02 |
富士電機株式会社 |
絶縁ゲート炭化珪素半導体装置とその製造方法
|
|
JP2008244456A
(ja)
*
|
2007-02-28 |
2008-10-09 |
Denso Corp |
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
|
|
JP5519901B2
(ja)
*
|
2007-07-04 |
2014-06-11 |
三菱電機株式会社 |
炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
US8035112B1
(en)
*
|
2008-04-23 |
2011-10-11 |
Purdue Research Foundation |
SIC power DMOSFET with self-aligned source contact
|
|
JP5266996B2
(ja)
*
|
2008-09-12 |
2013-08-21 |
住友電気工業株式会社 |
半導体装置の製造方法および半導体装置
|
|
US20100123140A1
(en)
*
|
2008-11-20 |
2010-05-20 |
General Electric Company |
SiC SUBSTRATES, SEMICONDUCTOR DEVICES BASED UPON THE SAME AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE
|
|
JP5852863B2
(ja)
*
|
2011-11-28 |
2016-02-03 |
株式会社日立製作所 |
４ｈ−ＳｉＣ半導体素子及び半導体装置
|
|
JP5757223B2
(ja)
*
|
2011-12-02 |
2015-07-29 |
住友電気工業株式会社 |
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
|
|
US9530844B2
(en)
*
|
2012-12-28 |
2016-12-27 |
Cree, Inc. |
Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same
|
|
US10115815B2
(en)
|
2012-12-28 |
2018-10-30 |
Cree, Inc. |
Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
|
|
JP6099981B2
(ja)
*
|
2013-01-09 |
2017-03-22 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
DE112013006715B4
(de)
*
|
2013-03-29 |
2022-10-13 |
Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. |
Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
|
|
US9024328B2
(en)
|
2013-07-02 |
2015-05-05 |
General Electric Company |
Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery and methods of manufacture
|
|
US9748341B2
(en)
|
2013-07-02 |
2017-08-29 |
General Electric Company |
Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery
|
|
US9373691B2
(en)
*
|
2013-08-07 |
2016-06-21 |
GlobalFoundries, Inc. |
Transistor with bonded gate dielectric
|
|
US9748393B2
(en)
*
|
2013-10-17 |
2017-08-29 |
Mitsubishi Electric Corporation |
Silicon carbide semiconductor device with a trench
|
|
JP2014078737A
(ja)
*
|
2013-12-12 |
2014-05-01 |
Hitachi Ltd |
半導体装置およびその製造方法
|
|
WO2016143126A1
(ja)
*
|
2015-03-12 |
2016-09-15 |
株式会社日立製作所 |
半導体装置および電力変換装置
|
|
JP6133939B2
(ja)
*
|
2015-07-23 |
2017-05-24 |
株式会社日立製作所 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
CN105280503B
(zh)
*
|
2015-08-07 |
2017-12-01 |
西安电子科技大学 |
提高横向导电结构 SiC MOSFET 沟道迁移率的方法
|
|
CN105161526B
(zh)
*
|
2015-08-07 |
2017-12-01 |
西安电子科技大学 |
提高垂直导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法
|
|
CN105097937B
(zh)
*
|
2015-08-07 |
2018-04-17 |
西安电子科技大学 |
一种横向导电结构 SiC MOSFET 功率器件
|
|
CN105140285B
(zh)
*
|
2015-08-07 |
2018-07-31 |
西安电子科技大学 |
一种垂直导电结构SiC MOSFET功率器件
|
|
JP6523887B2
(ja)
*
|
2015-09-11 |
2019-06-05 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
US20180233574A1
(en)
*
|
2017-02-10 |
2018-08-16 |
Purdue Research Foundation |
Silicon carbide power transistor apparatus and method of producing same
|
|
JP6776204B2
(ja)
*
|
2017-08-25 |
2020-10-28 |
株式会社東芝 |
半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
|
|
US10615274B2
(en)
|
2017-12-21 |
2020-04-07 |
Cree, Inc. |
Vertical semiconductor device with improved ruggedness
|
|
US11489069B2
(en)
|
2017-12-21 |
2022-11-01 |
Wolfspeed, Inc. |
Vertical semiconductor device with improved ruggedness
|
|
IT201900007217A1
(it)
|
2019-05-24 |
2020-11-24 |
Consiglio Nazionale Ricerche |
Dispositivo elettronico basato su sic di tipo migliorato e metodo di fabbricazione dello stesso
|
|
CN113451119A
(zh)
*
|
2020-03-25 |
2021-09-28 |
和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 |
一种改善栅极氧化层均匀度的方法
|
|
CN116569310A
(zh)
*
|
2020-12-18 |
2023-08-08 |
国立大学法人京都大学 |
SiC半导体元件的制造方法及SiC金属氧化物半导体场效应晶体管
|
|
CN112967930B
(zh)
*
|
2021-02-07 |
2023-05-12 |
西安微电子技术研究所 |
一种SiC晶圆的金属化层剥离方法
|
|
CN115036222B
(zh)
*
|
2022-05-20 |
2025-10-14 |
浙江超晶晟锐光电有限公司 |
SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法
|
|
CN115588612B
(zh)
*
|
2022-11-29 |
2023-04-14 |
浙江大学杭州国际科创中心 |
一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件
|