JP2003078040A5 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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- (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
(c)前記複数のメモリセルを囲むように形成された導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記素子形成領域は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
(c)前記半導体基板上に形成され、前記複数のメモリセルを囲むように形成された導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数のメモリセルはそれぞれ、
(b1)前記素子形成領域上に第1絶縁膜を介して形成された第1導電性膜と、
(b2)前記第1導電性膜上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第2方向に延在する第2導電性膜と、
を有し、
前記導電性膜と前記第2導電性膜とは同層で形成されており、
前記素子形成領域は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数の不揮発性メモリセルと、
(c)前記半導体基板上に形成され、前記複数の不揮発性メモリセルを囲むように形成された導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の不揮発性メモリセルはそれぞれ、
(b1)前記素子形成領域上に第1絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートと、
(b2)前記フローティングゲート上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第2方向に延在するコントロールゲートと、
(b3)前記フローティングゲートの両側の前記素子形成領域に形成された半導体領域と、を有し、
前記素子形成領域は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記素子形成領域の端部は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
(c)前記半導体基板上に形成された導電性膜であって、前記第2方向に延在している導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記素子形成領域の端部は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
(c)前記半導体基板上に形成され、前記第2方向に延在している導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数のメモリセルはそれぞれ、
(b1 ) 前記素子形成領域上に第1絶縁膜を介して形成された第1導電性膜と、
(b2)前記第1導電性膜上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第2方向に延在する第2導電性膜と、
を有し、
前記導電性膜と前記第2導電性膜とは同層で形成されており、
前記素子形成領域の端部は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板表面に形成された素子形成領域であって、絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する前記素子形成領域を、前記第1方向と垂直な第2方向に2以上有し、
(b)前記2以上の素子形成領域の主表面に形成された複数の不揮発性メモリセルと、
(c)前記半導体基板上に形成された導電性膜であって、前記第2方向に延在している導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の不揮発性メモリセルはそれぞれ、
(b1)前記素子形成領域上に第1絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートと、
(b2)前記フローティングゲート上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第2方向に延在するコントロールゲートと、
(b3)前記フローティングゲートの両側の前記素子形成領域に形成された半導体領域と、を有し、
前記素子形成領域の端部は、前記第2方向に延在する前記導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記導電性膜は、フローティング状態であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝内に埋め込まれて形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (a)半導体基板に形成された溝内に埋め込まれた絶縁膜と、
(b)前記半導体基板に前記絶縁膜によって区画され、第1方向に延在する素子形成領域と、
(c)前記素子形成領域の主表面に形成された複数の不揮発性メモリセルと、
(d)前記半導体基板上に形成され、前記第1方向と垂直な第2方向に延在しているダミー導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の不揮発性メモリセルはそれぞれ、
(c1)前記素子形成領域上に第1絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートと、
(c2)前記フローティングゲート上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第2方向に延在するコントロールゲートと、
を有し、
前記素子形成領域は、前記第2方向に2以上形成されており、
前記フローティングゲートおよび前記コントロールゲートはそれぞれ第1および第2導電性膜で形成され、
前記ダミー導電性膜は、前記第1および前記第2導電性膜を含んで形成され、
前記ダミー導電性膜の前記第1および前記第2導電性膜はフローティング状態であり、
前記素子形成領域の端部は、前記第2方向に延在する前記ダミー導電性膜の下まで延在していることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項10に記載の半導体集積回路装置において、
前記ダミー導電性膜の前記第2導電性膜は、前記複数の不揮発性メモリセルを囲むように形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記2以上の素子形成領域のうち最外の素子形成領域に形成されたメモリセルは、メモリセルとしての動作を行わないことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置は、
前記メモリセルが形成される前記素子形成領域の周囲に、周辺回路が形成される他の素子形成領域を有し、
前記素子形成領域と前記他の素子形成領域との間には、前記絶縁膜が存在することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記メモリセルは、フラッシュメモリセルであることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001263736A JP3597495B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体集積回路装置 |
US10/196,166 US7095074B2 (en) | 2001-08-31 | 2002-07-17 | Semiconductor device with reduced memory leakage current |
TW91117011A TW573363B (en) | 2001-08-31 | 2002-07-30 | Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of the same |
KR1020020048872A KR100630407B1 (ko) | 2001-08-31 | 2002-08-19 | 반도체 집적 회로 장치 |
US10/786,334 US7001808B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-02-26 | Semiconductor integrated circuit device having a dummy conductive film and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001263736A JP3597495B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体集積回路装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004179692A Division JP4939735B2 (ja) | 2004-06-17 | 2004-06-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003078040A JP2003078040A (ja) | 2003-03-14 |
JP3597495B2 JP3597495B2 (ja) | 2004-12-08 |
JP2003078040A5 true JP2003078040A5 (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=19090446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001263736A Expired - Lifetime JP3597495B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7095074B2 (ja) |
JP (1) | JP3597495B2 (ja) |
KR (1) | KR100630407B1 (ja) |
TW (1) | TW573363B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6649472B1 (en) * | 2002-08-02 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of manufacturing a flash memory cell with high programming efficiency by coupling from floating gate to sidewall |
JP4233381B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2009-03-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置とその製造方法 |
JP2005038884A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4171695B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2008-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4577680B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-11-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4947931B2 (ja) | 2004-08-12 | 2012-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR100650369B1 (ko) * | 2004-10-01 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 폴리실리콘부유측벽을 갖는 비휘발성메모리장치 및 그제조 방법 |
KR101030101B1 (ko) | 2006-06-30 | 2011-04-20 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치와 반도체 장치의 제조 방법 |
KR100827666B1 (ko) * | 2007-05-08 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치들 및 그의 형성방법들 |
KR101353346B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-02-17 | 삼성전자주식회사 | 주변 회로 영역의 불순물 영역들에 대한 열적 부담을완화시키는 반도체 소자의 제조 방법 |
US8264891B2 (en) * | 2008-08-06 | 2012-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Erase method and non-volatile semiconductor memory |
KR20100071211A (ko) * | 2008-12-19 | 2010-06-29 | 삼성전자주식회사 | 셀 어레이로 인가되는 리키지 커런트를 막는 더미 셀 비트 라인 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
KR102530757B1 (ko) | 2016-01-18 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 |
US10796969B2 (en) * | 2018-09-07 | 2020-10-06 | Kla-Tencor Corporation | System and method for fabricating semiconductor wafer features having controlled dimensions |
US11385187B1 (en) | 2020-03-19 | 2022-07-12 | Kla Corporation | Method of fabricating particle size standards on substrates |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02111075A (ja) | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US5251168A (en) | 1991-07-31 | 1993-10-05 | Texas Instruments Incorporated | Boundary cells for improving retention time in memory devices |
EP0528564A2 (en) | 1991-08-20 | 1993-02-24 | National Semiconductor Corporation | Self-aligned stacked gate EPROM cell using tantalum oxide control gate dielectric |
DE69527633T2 (de) | 1995-10-23 | 2003-04-03 | Nokia Corp | Verfahren zur Paketdatenübertragung mit hybridem FEC/ARQ-Type-II-Verfahren |
JPH1154730A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP3519583B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2004-04-19 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JPH11284134A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sony Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JPH11265891A (ja) | 1999-01-28 | 1999-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001332708A (ja) | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263736A patent/JP3597495B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-17 US US10/196,166 patent/US7095074B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-30 TW TW91117011A patent/TW573363B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-19 KR KR1020020048872A patent/KR100630407B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-26 US US10/786,334 patent/US7001808B2/en not_active Expired - Lifetime
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