JP2003051481A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003051481A5 JP2003051481A5 JP2001238945A JP2001238945A JP2003051481A5 JP 2003051481 A5 JP2003051481 A5 JP 2003051481A5 JP 2001238945 A JP2001238945 A JP 2001238945A JP 2001238945 A JP2001238945 A JP 2001238945A JP 2003051481 A5 JP2003051481 A5 JP 2003051481A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- circuit device
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 26
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
Claims (38)
- 以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、(b)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(c)前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に2以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して並列的に乾燥処理を施す工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第2洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、(b)前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、(c)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(d)前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に2以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して並列的に乾燥処理を施す工程。 - 請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項9記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(b)工程は、前記ウエハを純水中に浸漬または前記ウエハに対して純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項11記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(b)工程は、前記洗浄処理の前段に設けられたローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項11記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(b)工程は、前記化学機械研磨処理の後段に設けられたアンローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項11記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)工程の洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有し、前記(b)工程は、前記第1洗浄処理と第2洗浄処理との間に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項15記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第2洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、(b)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(c)前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、(d)前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に1台の枚葉式の乾燥室を設け、その乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して乾燥処理を施す工程。 - 請求項19記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項20記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項19記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項22記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第2洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項19記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)工程は、前記ウエハを純水中に浸漬させた状態またはウエハに純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項24記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)工程は、前記洗浄処理の前段に設けられたローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項24記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)工程は、前記化学機械研磨処理の後段に設けられたアンローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項24記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(b)工程の洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有し、前記(c)工程は、前記第1洗浄処理と第2洗浄処理との間に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項19記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)工程は、前記洗浄処理を行う洗浄室内において、前記ウエハに対してブラシによる機械的な洗浄を施すことなく、水洗処理を施すことで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- (a)ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、(b)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(c)前記洗浄処理後のウエハに対して乾燥処理を施す工程を有し、
前記洗浄処理と乾燥処理とを同一の枚葉式の洗浄乾燥室内で行い、その洗浄乾燥室を2以上設けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - (a)ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、(b)前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、(c)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(d)前記洗浄処理後のウエハに対して乾燥処理を施す工程を有し、
前記洗浄処理と乾燥処理とを同一の枚葉式の洗浄乾燥室内で行い、その洗浄乾燥室を2以上設けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;
(a)ウエハの主面上に絶縁膜を堆積する工程、(b)前記絶縁膜に配線形成用の開口部を形成する工程、(c)前記絶縁膜上に、前記配線形成用の開口部を埋め込むように、導体膜を堆積する工程、(d)前記ウエハに対して化学機械研磨処理を施すことにより、前記配線形成用の開口部内に前記導体膜からなる埋込み配線を形成する工程、(e)前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、(f)前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、(g)前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に2以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において並列的にウエハに対して乾燥処理を施す工程。 - 請求項31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(c)は、導電性バリア膜を堆積した後、その上に銅からなる主導体膜を堆積することで導体膜を堆積する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項32記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(d)工程は、前記銅からなる主導体膜を研磨することを主目的とした砥粒フリー研磨処理の後、前記導電性バリア膜を研磨することを主目的とした有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記(e)工程は、前記ウエハを純水中に浸漬させた状態またはウエハに純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第1、第2洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項35記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第2洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項31記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001238945A JP2003051481A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US10/198,143 US20030032292A1 (en) | 2001-08-07 | 2002-07-19 | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
KR1020020046258A KR20030014123A (ko) | 2001-08-07 | 2002-08-06 | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001238945A JP2003051481A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003051481A JP2003051481A (ja) | 2003-02-21 |
JP2003051481A5 true JP2003051481A5 (ja) | 2005-04-14 |
Family
ID=19069782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001238945A Pending JP2003051481A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030032292A1 (ja) |
JP (1) | JP2003051481A (ja) |
KR (1) | KR20030014123A (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4057803B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2008-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6825120B1 (en) * | 2002-06-21 | 2004-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Metal surface and film protection method to prolong Q-time after metal deposition |
US6746971B1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper sulfide for memory cell |
JP2004266212A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Tadahiro Omi | 基板の処理システム |
US7129167B1 (en) * | 2003-03-14 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Methods and systems for a stress-free cleaning a surface of a substrate |
US20050048768A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Hiroaki Inoue | Apparatus and method for forming interconnects |
JP2005142369A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20050124151A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Novel method to deposit carbon doped SiO2 films with improved film quality |
US7700477B2 (en) | 2004-02-24 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Method for fabricating semiconductor device |
TWI306276B (en) | 2004-06-28 | 2009-02-11 | Lam Res Corp | Methods and systems for a stress-free buff |
JP4493444B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-06-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US20060081965A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Ju-Ai Ruan | Plasma treatment of an etch stop layer |
US7919391B2 (en) * | 2004-12-24 | 2011-04-05 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for preparing a bonding surface of a semiconductor wafer |
US20060201532A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
CN100482585C (zh) * | 2005-10-24 | 2009-04-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 碳纳米管制备装置 |
CN100539005C (zh) * | 2006-09-30 | 2009-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械抛光后晶圆表面的清洗方法 |
US8048717B2 (en) * | 2007-04-25 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for bonding 3D semiconductor devices |
JP2009238896A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2009290040A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP5744382B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2015-07-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101958874B1 (ko) | 2008-06-04 | 2019-03-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법 |
KR101029104B1 (ko) * | 2008-08-12 | 2011-04-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
US20110052797A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | International Business Machines Corporation | Low Temperature Plasma-Free Method for the Nitridation of Copper |
JP5159738B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-03-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
GB2495256B (en) | 2010-06-25 | 2014-07-23 | Anastasios J Tousimis | Integrated processing and critical point drying systems for semiconductor and mems devices |
US8758638B2 (en) * | 2011-05-10 | 2014-06-24 | Applied Materials, Inc. | Copper oxide removal techniques |
US20140230170A1 (en) * | 2011-09-26 | 2014-08-21 | Entegris, Inc. | Post-cmp cleaning apparatus and method |
US9570311B2 (en) * | 2012-02-10 | 2017-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Modular grinding apparatuses and methods for wafer thinning |
US20130255721A1 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-03 | Illinois Tool Works Inc. | Concave nodule sponge brush |
US8778087B2 (en) * | 2012-04-03 | 2014-07-15 | Illinois Tool Works Inc. | Conical sponge brush for cleaning semiconductor wafers |
KR101529788B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-06-29 | 성균관대학교산학협력단 | 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법 |
CN108203074B (zh) * | 2016-12-19 | 2020-07-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制备方法 |
US11427731B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-08-30 | Teledyne Micralyne, Inc. | Adhesive silicon oxynitride film |
JP2020017668A (ja) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN112151669B (zh) * | 2019-06-27 | 2024-04-09 | 联华电子股份有限公司 | 存储器元件的制作方法 |
US11694910B2 (en) * | 2019-09-10 | 2023-07-04 | Illinois Tool Works Inc. | Brush with non-constant nodule density |
US11948811B2 (en) * | 2019-12-26 | 2024-04-02 | Ebara Corporation | Cleaning apparatus and polishing apparatus |
JP2022178486A (ja) * | 2021-05-20 | 2022-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3326642B2 (ja) * | 1993-11-09 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置 |
JP3150095B2 (ja) * | 1996-12-12 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 多層配線構造の製造方法 |
US6048789A (en) * | 1997-02-27 | 2000-04-11 | Vlsi Technology, Inc. | IC interconnect formation with chemical-mechanical polishing and silica etching with solution of nitric and hydrofluoric acids |
US6191007B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
US6171957B1 (en) * | 1997-07-16 | 2001-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor device having high pressure reflow process |
JP3371775B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
KR100524054B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2005-10-26 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱 장치와 이에 사용되는 대상물 홀더 및 폴리싱 방법 및 웨이퍼제조방법 |
US6181012B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Copper interconnection structure incorporating a metal seed layer |
JP3003684B1 (ja) * | 1998-09-07 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄液 |
JP4095731B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US6355571B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device |
US6153523A (en) * | 1998-12-09 | 2000-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming high density capping layers for copper interconnects with improved adhesion |
US6242349B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration |
KR100665745B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2007-01-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리도금방법 및 그 장치 |
JP3974284B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3664605B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2005-06-29 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法、洗浄方法及び処理方法 |
US6159857A (en) * | 1999-07-08 | 2000-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Robust post Cu-CMP IMD process |
US6274478B1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-08-14 | Motorola, Inc. | Method for forming a copper interconnect using a multi-platen chemical mechanical polishing (CMP) process |
US6521532B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-02-18 | James A. Cunningham | Method for making integrated circuit including interconnects with enhanced electromigration resistance |
US6656842B2 (en) * | 1999-09-22 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer buffing after Cu CMP |
US6136680A (en) * | 2000-01-21 | 2000-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Methods to improve copper-fluorinated silica glass interconnects |
US20010043989A1 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Masami Akimoto | Film forming apparatus and film forming method |
-
2001
- 2001-08-07 JP JP2001238945A patent/JP2003051481A/ja active Pending
-
2002
- 2002-07-19 US US10/198,143 patent/US20030032292A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-06 KR KR1020020046258A patent/KR20030014123A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003051481A5 (ja) | ||
US11855064B2 (en) | Techniques for processing devices | |
US6099662A (en) | Process for cleaning a semiconductor substrate after chemical-mechanical polishing | |
US6627550B2 (en) | Post-planarization clean-up | |
JP2002110679A5 (ja) | ||
JP2000040679A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2002110679A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2001521285A (ja) | 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置 | |
JP2007509499A (ja) | 低k誘電体を半導体製造プロセスにおいて形成する方法 | |
US20090011600A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
JP4334844B2 (ja) | デバイス用溝構造体の製造方法 | |
TW476984B (en) | A method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing | |
TW518685B (en) | CMP process for a damascene pattern | |
CN1832117A (zh) | 半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法 | |
US6881590B2 (en) | Re-performable spin-on process | |
KR20090106512A (ko) | 손상된 로우-k 유전체 필름층 제거 방법 | |
CN102371525A (zh) | 抛光装置 | |
US20050247675A1 (en) | Treatment of dies prior to nickel silicide formation | |
KR100677034B1 (ko) | 반도체 소자의 세정방법 및 그 장치 | |
KR0176195B1 (ko) | 반도체 장치의 배선 형성 방법 | |
KR100713345B1 (ko) | 반도체 소자의 샐로우 트렌치 분리 구조 제조방법 | |
KR100600530B1 (ko) | 반도체 소자의 세정 방법 | |
JP2003124310A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004356387A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20010057677A (ko) | 웨이퍼 세정 방법 |