JP2003124310A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 デュアルダマシン法において、配線溝形成用
のレジストを形成する絶縁膜の表面を疎水化して、密着
力を高めてレジスト剥離を防止する。 【解決手段】 半導体基板１上の下層用絶縁膜２に設け
られた下層配線溝３内にバリアメタル層４及び金属配線
層５からなる下層配線層６を形成する。その後、基板上
に保護絶縁膜７及び上層用絶縁膜８を形成した後、上層
用絶縁膜８にコンタクトホール８ａを形成する。その
後、アミン系薬液を用いて上層用絶縁膜８の表面洗浄を
する。その後、脱イオン水を用いて水洗浄を１０分以上
行って、アミン系薬液を除去する。その後、コンタクト
ホール８ａを含む開口部１２ａを有するレジスト１２を
マスクにして、上層用絶縁膜８のエッチングを行い、コ
ンタクトホール８ａと接続する上層配線溝８ｂを形成す
る。その後、バリアメタル層１３及び金属配線層１４か
らなる上層配線層１５を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、絶縁膜にコンタクトホール及び配線
溝を形成した後、金属膜を埋め込んでコンタクト及び金
属配線を同時に形成する、いわゆるデュアルダマシン法
を用いた配線の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法について図
面を参照しながら説明する。

【０００３】図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）、
図８（ｂ）は、従来のデュアルダマシン法を用いた半導
体装置の製造工程を示す断面図である。

【０００４】まず、図７（ａ）に示す工程で、トランジ
スタ等の半導体素子を形成した半導体基板１０１上に下
層用絶縁膜１０２を堆積した後、堆積した下層用絶縁膜
１０２に下層配線溝１０３を形成する。次に、下層配線
溝１０３を含む下層用絶縁膜１０２上の全面に下層用バ
リアメタル膜及び下層用金属膜を順次形成する。例え
ば、下層用バリアメタル膜としてＴｉＮ膜、下層用金属
膜として銅膜を形成する。その後、化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）法により下層用絶縁膜１０２上の不要な下層用金属
膜及び下層用バリアメタル膜を研磨除去して、下層用配
線溝１０３内にバリアメタル層１０４及び金属配線層１
０５からなる下層配線１０６を形成する。

【０００５】次に、図７（ｂ）に示す工程で、下層用絶
縁膜１０２及び下層配線１０６上に、金属配線層１０５
を保護するためのシリコン窒化膜からなる保護絶縁膜１
０７を形成した後、保護絶縁膜１０７上にシリコン酸化
膜からなる上層用絶縁膜１０８を形成する。その後、上
層用絶縁膜１０８上にコンタクト形成用の開口部１０９
ａを有するレジスト１０９を形成した後、レジスト１０
９をマスクにして、上層用絶縁膜１０８に対してエッチ
ングを行って、保護絶縁膜１０７に到達するコンタクト
ホール１０８ａを形成する。このとき、下層配線１０６
の金属配線層１０５は、保護絶縁膜１０７がエッチング
ストッパ層となるためエッチングされない。

【０００６】次に、図７（ｃ）に示す工程で、アッシン
グによりレジスト１０９を除去した後、薬液１１０を用
いてコンタクトホール１０８ａ内を含む上層用絶縁膜１
０８の表面を洗浄してエッチング残さ等を除去する。そ
の後、コンタクトホール１０８ａを含む上層用絶縁膜１
０８の表面の水洗浄を５分間することにより、薬液１１
０の残液を除去する。

【０００７】次に、図８（ａ）に示す工程で、上層用絶
縁膜１０８上に、コンタクトホール１０８ａを含む開口
部１１２ａを有する上層配線溝形成用のレジスト１１２
を形成する。その後、レジスト１１２をマスクとして、
上層用絶縁膜１０８に対して所定の深さ（上層配線の厚
さとして必要な厚さ分）までエッチングを行って、上層
用絶縁膜１０８にコンタクトホール１０８ａと接続する
上層配線溝１０８ｂを形成する。

【０００８】次に、図８（ｂ）に示す工程で、レジスト
１１２を除去した後、基板上全面にエッチバックを行っ
てコンタクトホール１０８ａ内に露出している保護絶縁
膜１０７をエッチングして、コンタクトホール１０８ａ
を下層配線１０６まで貫通させる。その後、コンタクト
ホール１０８ａ及び上層配線溝１０８ｂを含む上層用絶
縁膜１０８上の全面に上層用バリアメタル膜及び上層用
金属膜を順次形成する。例えば、上層用バリアメタル膜
としてＴｉＮ膜、上層用金属膜として銅膜を形成する。
その後、ＣＭＰ法により上層用絶縁膜１０８上の不要な
上層用金属膜及び上層用バリアメタル膜を研磨除去し
て、コンタクトホール１０８ａ及び上層配線溝１０８ｂ
内に一体的に埋め込まれたバリアメタル層１１３及び金
属配線層１１４からなる上層配線１１５を形成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の半導体装置の製造方法では、上層用絶縁膜
１０８上にフォトリソグラフィー技術によりレジスト１
１２を形成する時に、レジスト１１２が剥離しやすく、
レジスト１１２のパターン形成が困難であるという問題
がある。

【００１０】本発明者は、種々の検討の結果、コンタク
トホール形成後に薬液を用いて洗浄を行い、その後水洗
浄を行った場合、水洗浄が不十分であると、絶縁膜の表
面が撥水性となりやすく、絶縁膜の表面が撥水性の状態
で配線溝形成用のレジストを形成すると、レジストの絶
縁膜に対する密着力が低下して剥がれやすいことを突き
止めた。

【００１１】そこで、本発明の目的は、デュアルダマシ
ン法において、配線溝形成用のレジストを形成する絶縁
膜の表面を疎水化することによって、レジストの密着力
を高めてレジスト剥離を防止し、配線の形成歩留まりを
向上することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、絶
縁膜にコンタクトホールを形成する工程（ｂ）と、工程
（ｂ）の後に、絶縁膜の表面を薬液を用いて洗浄する工
程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、基板表面を水洗浄する
工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、絶縁膜の表面を疎水
化する表面疎水化処理をする工程（ｅ）と、工程（ｅ）
の後に、絶縁膜上にコンタクトホールを含む開口部を有
する配線溝形成用のレジストを形成する工程（ｆ）と、
レジストをマスクにして、絶縁膜を所定の深さまでエッ
チングすることにより、絶縁膜の上部に前記コンタクト
ホールと接続する配線溝を形成する工程（ｇ）とを備え
ている。

【００１３】この構成によれば、薬液洗浄後に水洗浄及
び表面疎水化処理を十分行うことにより、配線溝形成用
のレジスト剥離を低減することができ、配線の形成歩留
まりを向上することができる。

【００１４】上記半導体装置の製造方法において、薬液
は、アミン系薬液である。

【００１５】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、水洗浄は、脱イオン水を用いて１０分以上行うこと
によって、欠陥数を低減することができる。

【００１６】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、表面疎水化処理は、絶縁膜上に有機薄膜を形成する
ことによって行う。

【００１７】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、有機薄膜は、ヘキサメチルジシラザンからなる。

【００１８】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、有機薄膜の形成は、処理温度９０℃で９０秒以上の
処理時間で行うことによって、欠陥数を低減することが
できる。

【００１９】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、有機薄膜の形成は、処理温度１１０℃以上で行うこ
とによって、欠陥数を低減することができる。

【００２０】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、レジストは、ネガ型レジストであるときにより顕著
な効果がある。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００２２】図１（ａ）〜図１（ｃ）及び図２（ａ）〜
図２（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係るデュアル
ダマシン法を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図
である。

【００２３】まず、図１（ａ）に示す工程で、トランジ
スタ等の半導体素子を形成した半導体基板１上に下層用
絶縁膜２を堆積した後、堆積した下層用絶縁膜２に下層
配線溝３を形成する。次に、下層配線溝３を含む下層用
絶縁膜２上の全面に下層用バリアメタル膜及び下層用金
属膜を順次形成する。例えば、下層用バリアメタル膜と
してＴｉＮ膜あるいはＴｉ／ＴｉＮ膜、下層用金属膜と
して銅膜を形成する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）
法により下層用絶縁膜２上の不要な下層用金属膜及び下
層用バリアメタル膜を研磨除去して、下層用配線溝３内
にバリアメタル層４及び金属配線層５からなる下層配線
６を形成する。

【００２４】次に、図１（ｂ）に示す工程で、下層用絶
縁膜２及び下層配線６上に、金属配線層５を保護するた
めのシリコン窒化膜からなる保護絶縁膜７を形成した
後、保護絶縁膜７上にシリコン酸化膜からなる上層用絶
縁膜８を形成する。その後、上層用絶縁膜８上にコンタ
クト形成用の開口部９ａを有するレジスト９を形成した
後、レジスト９をマスクにして、上層用絶縁膜８に対し
てエッチングを行って、保護絶縁膜７に到達するコンタ
クトホール８ａを形成する。このとき、下層配線６の金
属配線層５は、保護絶縁膜７がエッチングストッパ層と
なるためエッチングされない。

【００２５】次に、図１（ｃ）に示す工程で、アッシン
グによりレジスト９を除去した後、アミン系薬液１０で
コンタクトホール８ａ内を含む上層用絶縁膜８の表面を
洗浄してエッチング残さ等を除去する。このとき、アミ
ン系薬液１０としては、例えば、５０％水酸化コリン水
溶液とプロピレングリコールとの混合液（混合比１：
１）を用いて洗浄する。

【００２６】その後、脱イオン水を用いてコンタクトホ
ール８ａを含む上層用絶縁膜８の表面を１０分以上洗浄
することにより、アミン系洗浄液１０の残液を除去す
る。図３は、水洗浄時間とレジスト剥離による欠陥数と
の相関を示す関係図である。これは、絶縁膜の表面をア
ミン系薬液で洗浄した後、脱イオン水を用いた水洗浄の
洗浄時間を変えて行い、その後ヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）で表面処理（処理温度９０℃、処理時間３
０秒）をしてからレジストパターンを形成したときのレ
ジスト剥離による欠陥数を調べたものである。この図か
ら明らかなように、脱イオン水洗浄を１０分以上行え
ば、欠陥数を低減することができる。

【００２７】次に、図２（ａ）に示す工程で、上層用絶
縁膜８の表面に、表面を疎水性にできる有機薄膜形成物
質１１、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を
噴霧することにより表面疎水化処理を行う。このとき、
上層用絶縁膜８の表面には、分子レベルの膜厚を有する
有機薄膜（図示せず）が形成される。

【００２８】次に、図２（ｂ）に示す工程で、上層用絶
縁膜８上に、コンタクトホール８ａを含む開口部１２ａ
を有する上層配線溝形成用のレジスト１２を形成する。
その後、レジスト１２をマスクとして、上層用絶縁膜８
に対して所定の深さ（上層配線の厚さとして必要な厚さ
分）までエッチングを行って、上層用絶縁膜８にコンタ
クトホール８ａと接続する上層配線溝８ｂを形成する。

【００２９】次に、図２（ｃ）に示す工程で、レジスト
１２を除去した後、基板上全面にエッチバックを行って
コンタクトホール８ａ内に露出している保護絶縁膜７を
エッチングして、コンタクトホール８ａを下層配線６ま
で貫通させる。その後、コンタクトホール８ａ及び上層
配線溝８ｂを含む上層用絶縁膜８上の全面に上層用バリ
アメタル膜及び上層用金属膜を順次形成する。例えば、
上層用バリアメタル膜としてＴｉＮ膜あるいはＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜、上層用金属膜として銅膜を形成する。その後、
化学機械研磨（ＣＭＰ）法により上層用絶縁膜８上の不
要な上層用金属膜及び上層用バリアメタル膜を研磨除去
して、コンタクトホール８ａ及び上層配線溝８ｂ内に一
体的に埋め込まれたバリアメタル層１３及び金属配線層
１４からなる上層配線１５を形成する。

【００３０】この実施形態によれば、アミン系薬液で洗
浄した後、脱イオン水を用いて１０分以上洗浄すること
によって、アミン系薬液を除去することができるため、
欠陥数を低減することができる。特に、レジスト１２が
化学増幅型のネガレジストである場合に顕著な効果があ
る。これは、アミン液が残存したままレジストを塗布し
てマスク露光を行うと、増幅のためのプロトンを残存す
るアミン系薬液が消費するため、レジスト底部が失活し
逆テーパー形状となることから、レジストがより剥離し
やすくなる。しかしながら、脱イオン水で１０分以上洗
浄することにより、アミン系薬液が除去されるため、上
記要因によるレジスト剥離を低減することができる。

【００３１】なお、上記実施形態では、ＨＭＤＳを用い
て表面疎水化処理を行ったが、絶縁膜の疎水化ができれ
ば、他の有機薄膜物質、あるいは、他の方法によって絶
縁膜の表面疎水化を行っても良い。

【００３２】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態について図面を参照しながら説明する。

【００３３】図４（ａ）〜図４（ｃ）及び図５（ａ）〜
図５（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係るデュアル
ダマシン法を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図
である。

【００３４】まず、図４（ａ）に示す工程で、トランジ
スタ等の半導体素子を形成した半導体基板１上に下層用
絶縁膜２を堆積した後、堆積した下層用絶縁膜２に下層
配線溝３を形成する。次に、下層配線溝３を含む下層用
絶縁膜２上の全面に下層用バリアメタル膜及び下層用金
属膜を順次形成する。例えば、下層用バリアメタル膜と
してＴｉＮ膜あるいはＴｉ／ＴｉＮ膜、下層用金属膜と
して銅膜を形成する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）
法により下層用絶縁膜２上の不要な下層用金属膜及び下
層用バリアメタル膜を研磨除去して、下層用配線溝３内
にバリアメタル層４及び金属配線層５からなる下層配線
６を形成する。

【００３５】次に、図４（ｂ）に示す工程で、下層用絶
縁膜２及び下層配線６上に、金属配線層５を保護するた
めのシリコン窒化膜からなる保護絶縁膜７を形成した
後、保護絶縁膜７上にシリコン酸化膜からなる上層用絶
縁膜８を形成する。その後、上層用絶縁膜８上にコンタ
クト形成用の開口部９ａを有するレジスト９を形成した
後、レジスト９をマスクにして、上層用絶縁膜８に対し
てエッチングを行って、保護絶縁膜７に到達するコンタ
クトホール８ａを形成する。このとき、下層配線６の金
属配線層５は、保護絶縁膜７がエッチングストッパ層と
なるためエッチングされない。

【００３６】次に、図４（ｃ）に示す工程で、アッシン
グによりレジスト９を除去した後、アミン系薬液１０で
コンタクトホール８ａ内を含む上層用絶縁膜８の表面を
洗浄してエッチング残さ等を除去する。このとき、アミ
ン系薬液１０としては、例えば、５０％水酸化コリン水
溶液とプロピレングリコールとの混合液（混合比１：
１）を用いて洗浄する。その後、脱イオン水を用いてコ
ンタクトホール８ａを含む上層用絶縁膜８の表面を５分
間洗浄する。

【００３７】次に、図５（ａ）に示す工程で、上層用絶
縁膜８の表面に、表面を疎水性にできる有機薄膜形成物
質１１、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を
噴霧することにより表面疎水化処理を行い、上層用絶縁
膜８の表面に有機薄膜を形成する。このとき、ＨＭＤＳ
による表面疎水化処理は、処理温度を１１０℃以上、あ
るいは、処理温度９０℃で処理時間を９０秒以上にする
ことによって、レジスト剥離を防止することができる。
図６は、ＨＭＤＳ処理条件とレジスト剥離による欠陥数
との相関を示す関係図である。これは、絶縁膜の表面を
アミン系薬液で洗浄した後、脱イオン水を用いた水洗浄
（洗浄時間５分）を行い、その後ＨＭＤＳの処理条件を
変えて表面処理を行ってからレジストパターンを形成し
たときのレジスト剥離による欠陥数を調べたものであ
る。この図から明らかなように、ＨＭＤＳの処理温度が
９０℃の場合、処理時間３０秒で４３０個程度あった欠
陥数を、処理時間を９０秒にすれば欠陥数を１０個以下
に低減することができる。また、処理温度を１１０℃に
すれば、処理時間が３０秒でも欠陥数を０個にすること
ができる。

【００３８】次に、図５（ｂ）に示す工程で、上層用絶
縁膜８上に、コンタクトホール８ａを含む開口部１２ａ
を有する上層配線溝形成用のレジスト１２を形成する。
その後、レジスト１２をマスクとして、上層用絶縁膜８
に対して所定の深さ（上層配線の厚さとして必要な厚さ
分）までエッチングを行って、上層用絶縁膜８にコンタ
クトホール８ａと接続する上層配線溝８ｂを形成する。

【００３９】次に、図５（ｃ）に示す工程で、レジスト
１２を除去した後、基板上全面にエッチバックを行って
コンタクトホール８ａ内に露出している保護絶縁膜７を
エッチングして、コンタクトホール８ａを下層配線６ま
で貫通させる。その後、コンタクトホール８ａ及び上層
配線溝８ｂを含む上層用絶縁膜８上の全面に上層用バリ
アメタル膜及び上層用金属膜を順次形成する。例えば、
上層用バリアメタル膜としてＴｉＮ膜あるいはＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜、上層用金属膜として銅膜を形成する。その後、
化学機械研磨（ＣＭＰ）法により上層用絶縁膜８上の不
要な上層用金属膜及び上層用バリアメタル膜を研磨除去
して、コンタクトホール８ａ及び上層配線溝８ｂ内に一
体的に埋め込まれたバリアメタル層１３及び金属配線層
１４からなる上層配線１５を形成する。

【００４０】この実施形態によれば、ＨＭＤＳによる表
面疎水化処理を、処理温度を１１０℃以上、あるいは、
処理温度９０℃で処理時間を９０秒以上にすることによ
って、レジスト剥離を防止することができる。これは、
上記表面疎水化処理によって、絶縁膜の表面が疎水化さ
れ、ＨＭＤＳからなる有機薄膜形成物質の吸着反応がよ
り進行し、レジストの絶縁膜に対する密着力が向上する
ため、レジスト剥離を低減することができる。

【００４１】また、第１の実施形態と同様に、この第２
の実施形態においても、薬液がアミン系薬液で、レジス
トが化学増幅型のネガレストの場合に顕著な効果があ
る。

【００４２】なお、上記実施形態では、ＨＭＤＳを用い
て表面疎水化処理を行ったが、他の有機薄膜物質を用い
て行っても良く、同様な効果を得ることができる。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、薬液洗
浄後の水洗浄、または、表面疎水化処理を十分行うこと
により、配線溝形成用のレジスト剥離を低減することが
でき、配線の形成歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図

【図３】水洗浄時間とレジスト剥離による欠陥数との相
関を示す関係図

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図

【図６】ＨＭＤＳ処理条件とレジスト剥離による欠陥数
との相関を示す関係図

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造工
程を示す断面図

【図８】（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体装置の製造工
程を示す断面図

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 下層用絶縁膜 ３ 下層配線溝 ４ バリアメタル層 ５ 金属配線層 ６ 下層配線 ７ 保護絶縁膜 ８ 上層用絶縁膜 ８ａ コンタクトホール ８ｂ 上層配線溝 ９ レジスト ９ａ 開口部 １０ アミン系薬液 １１ 有機薄膜形成物質 １２ レジスト １２ａ 開口部 １３ バリアメタル層 １４ 金属配線層 １５ 上層配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６３ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA01 EA04 4D075 AE03 BB26Z BB65Y BB66Y BB68Y BB79Y BB93Z BB95Y BB95Z CA13 CA23 CA36 DA06 DB14 DC22 EA07 EA45 EB42 5F033 HH11 HH18 HH33 JJ01 JJ11 JJ18 JJ33 KK11 KK18 KK33 MM02 MM12 MM13 NN06 NN07 QQ09 QQ10 QQ25 QQ31 QQ37 QQ48 QQ91 QQ93 RR04 RR06 TT02 WW00 WW03 XX12 5F043 BB27 GG10 5F046 HA01 HA03 HA07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に絶縁膜を形成する工程（ａ）
   と、 前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程（ｂ）
   と、 前記工程（ｂ）の後に、前記絶縁膜の表面を薬液を用い
   て洗浄する工程（ｃ）と、 前記工程（ｃ）の後に、前記基板表面を水洗浄する工程
   （ｄ）と、 前記工程（ｄ）の後に、前記絶縁膜の表面を疎水化する
   表面疎水化処理をする工程（ｅ）と、 前記工程（ｅ）の後に、前記絶縁膜上に前記コンタクト
   ホールを含む開口部を有する配線溝形成用のレジストを
   形成する工程（ｆ）と、 前記レジストをマスクにして、前記絶縁膜を所定の深さ
   までエッチングすることにより、前記絶縁膜の上部に前
   記コンタクトホールと接続する配線溝を形成する工程
   （ｇ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記薬液は、アミン系薬液であることを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の製造
   方法において、 前記水洗浄は、脱イオン水を用いて１０分以上行うこと
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１項に記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記表面疎水化処理は、前記絶縁膜上に有機薄膜を形成
   することによって行うことを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記有機薄膜は、ヘキサメチルジシラザンからなること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記有機薄膜の形成は、処理温度９０℃で９０秒以上の
   処理時間で行うことを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記有機薄膜の形成は、処理温度１１０℃以上で行うこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のうちいずれか１項に記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記レジストは、ネガ型レジストであることを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。