JP2001521285A - 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置 - Google Patents
銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、銅フィルムを化学機械研磨した後に半導体基板を洗浄するための洗浄液と、洗浄方法と、洗浄装置とに関する。
【解決手段】 本発明は、研磨された銅層を有した半導体基板を洗浄するために、脱イオン水と、有機化合物と、フッ化化合物とを、酸性ｐＨ環境下で混合して得られる洗浄液を使用する。このような洗浄方法を使用することにより、ブラシローディング、ならびに基板表面およびサブサーフェスの汚染に関連した問題を、軽減することができる
Description
【０００１】
この発明は、基板を処理および洗浄するための方法に関し、特に、銅フィルム
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置に関する。
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置に関する。
【０００２】
高性能半導体デバイスの製造では、アルミニウム（Ａｌ）に替わるメタライゼ
ーション用の材料として、銅（Ｃｕ）が使用されはじめている。Ｃｕが望ましい
のは、Ａｌに比べて抵抗率が低く、エレクトロマイグレーションのライフタイム
が相当に改善されているためである。
ーション用の材料として、銅（Ｃｕ）が使用されはじめている。Ｃｕが望ましい
のは、Ａｌに比べて抵抗率が低く、エレクトロマイグレーションのライフタイム
が相当に改善されているためである。
【０００３】 Ｃｕをメタライゼーションする方法の１つに、デュアルダマシン的なアプロー
チ法がある。先ず、図１ａに示されるように、誘電体層１１０を基板１００上に
堆積させる。誘電体層１２０は、例えば二酸化ケイ素のような材料で構成される
。ついで、図１ｂに示されるように、誘電体層１１０内にバイアおよび／または
トレンチ１２０を形成する。バイア／トレンチ１２０は、例えばドライエッチン
グのような技術を使用して形成される。次に、図１ｃに示されるように、例えば
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる障壁
材料の薄膜（障壁層）１３０を堆積させる。障壁層１３０が堆積すると、図１ｄ
に示されるように、バイアス／トレンチ１２０が銅（Ｃｕ）層１４０で満たされ
る。Ｃｕ層１４０は、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、ま
たは電気めっき法などの周知の堆積技術により、堆積させることができる。ここ
で、図１ｅに示されるように銅による相互配線を隔離するためには、余分な銅層
１４０および障壁層１３０を取り除く必要がある。
チ法がある。先ず、図１ａに示されるように、誘電体層１１０を基板１００上に
堆積させる。誘電体層１２０は、例えば二酸化ケイ素のような材料で構成される
。ついで、図１ｂに示されるように、誘電体層１１０内にバイアおよび／または
トレンチ１２０を形成する。バイア／トレンチ１２０は、例えばドライエッチン
グのような技術を使用して形成される。次に、図１ｃに示されるように、例えば
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる障壁
材料の薄膜（障壁層）１３０を堆積させる。障壁層１３０が堆積すると、図１ｄ
に示されるように、バイアス／トレンチ１２０が銅（Ｃｕ）層１４０で満たされ
る。Ｃｕ層１４０は、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、ま
たは電気めっき法などの周知の堆積技術により、堆積させることができる。ここ
で、図１ｅに示されるように銅による相互配線を隔離するためには、余分な銅層
１４０および障壁層１３０を取り除く必要がある。
【０００４】 余分な銅層１４０および障壁層１３０を取り除く方法の１つに、例えば化学機
械研磨（ＣＭＰ）などの技術を使用して、基板の表面を研磨する方法がある。Ｃ
ＭＰ工程において、半導体基板は、アルミニウム粒子などの研磨材と、過酸化水
素などの酸化剤と、を含有したスラリを使用して研磨される。このとき、パーテ
ィクルおよび／または金属汚染を含む汚染物が、銅層１５０上と、誘電体層１６
０上と、誘電体のサブサーフェス１６５内とに導入される。
械研磨（ＣＭＰ）などの技術を使用して、基板の表面を研磨する方法がある。Ｃ
ＭＰ工程において、半導体基板は、アルミニウム粒子などの研磨材と、過酸化水
素などの酸化剤と、を含有したスラリを使用して研磨される。このとき、パーテ
ィクルおよび／または金属汚染を含む汚染物が、銅層１５０上と、誘電体層１６
０上と、誘電体のサブサーフェス１６５内とに導入される。
【０００５】 ＣＭＰ工程がどのように実施されるかにかかわらず、半導体基板の表面からは
、汚染物を取り除く必要がある。さもないと、これらの汚染物がデバイスの性能
特性に影響し、デバイスが通常より早く故障する恐れが生じる。銅を化学機械研
磨した後に行う半導体基板の洗浄は、銅層および誘電体層からこれらの汚染物を
取り除くために、必要である。
、汚染物を取り除く必要がある。さもないと、これらの汚染物がデバイスの性能
特性に影響し、デバイスが通常より早く故障する恐れが生じる。銅を化学機械研
磨した後に行う半導体基板の洗浄は、銅層および誘電体層からこれらの汚染物を
取り除くために、必要である。
【０００６】 銅層を研磨した後に半導体基板を洗浄する方法の１つに、ブラシスクラビング
がある。片面のみであれ両面同時処理であれ、ブラシスクラビングは、ＣＭＰの
適用時に酸化物やタングステンを洗浄するさいの業界標準である。しかしながら
、銅層のＣＭＰ後の洗浄にブラシスクラビングを適用するにあたって、いくつか
の問題点が生じる。
がある。片面のみであれ両面同時処理であれ、ブラシスクラビングは、ＣＭＰの
適用時に酸化物やタングステンを洗浄するさいの業界標準である。しかしながら
、銅層のＣＭＰ後の洗浄にブラシスクラビングを適用するにあたって、いくつか
の問題点が生じる。
【０００７】 第１の問題点は、ブラシローディング（brush loading）である。ＣＭＰ工程 の実施中、銅層の表面が酸化され、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ又はＣｕＯ）などの酸化物 や、水酸化銅（Ｃｕ（ＯＨ）2）が形成される。ｐＨが塩基性または中性の洗浄 環境では、酸化銅や水酸化銅は溶解せずにブラシに移着して、ブラシをローディ
ングする。汚染された（すなわちローディングされた）ブラシは、洗浄の工程中
、続いて処理される基板上に、酸化銅や水酸化銅の汚染物を移着させる恐れがあ
る。
ングする。汚染された（すなわちローディングされた）ブラシは、洗浄の工程中
、続いて処理される基板上に、酸化銅や水酸化銅の汚染物を移着させる恐れがあ
る。
【０００８】 タングステンやその他の酸化物に適用する場合は、希釈水酸化アンモニウム（
ＮＨ4ＯＨ）を加えることにより、ブラシローディングを低減することができる 。ＮＨ4ＯＨの存在下では、酸化銅の一部は錯体Ｃｕ（ＮＨ3）2+を形成して溶解
する。しかしながら、ｐＨが大きい環境のため、希釈水酸化アンモニウムでは、
酸化銅によるブラシのローディングを防止するのに不十分である。また、希釈水
酸化アルミニウムでスクラブすると、銅層もエッチングされるため、表面が激し
く粗面化される恐れが生じる。
ＮＨ4ＯＨ）を加えることにより、ブラシローディングを低減することができる 。ＮＨ4ＯＨの存在下では、酸化銅の一部は錯体Ｃｕ（ＮＨ3）2+を形成して溶解
する。しかしながら、ｐＨが大きい環境のため、希釈水酸化アンモニウムでは、
酸化銅によるブラシのローディングを防止するのに不十分である。また、希釈水
酸化アルミニウムでスクラブすると、銅層もエッチングされるため、表面が激し
く粗面化される恐れが生じる。
【０００９】 銅のＣＭＰ工程にアルミニウム粒子を使用した場合にも、ブラシローディング
が発生する。中性酸または無機酸（例えばＨＣｌ）で洗浄する環境では、アルミ
ニウム粒子と二酸化シリコンとの間に静電力が働くため、アルミニウム粒子を誘
電材料の表面から取り除くのが困難になる。この静電力が原因でアルミニウム粒
子がブラシに付着し、上述したのと同様な効果の、新たなブラシローディングの
問題が生じる。
が発生する。中性酸または無機酸（例えばＨＣｌ）で洗浄する環境では、アルミ
ニウム粒子と二酸化シリコンとの間に静電力が働くため、アルミニウム粒子を誘
電材料の表面から取り除くのが困難になる。この静電力が原因でアルミニウム粒
子がブラシに付着し、上述したのと同様な効果の、新たなブラシローディングの
問題が生じる。
【００１０】 ＣＭＰ工程で生じる第２の問題点は、研磨の工程中、誘電体層の表面およびサ
ブサーフェスが、スラリからの汚染物に加えて、銅層および障壁層からの金属に
も汚染されることである。汚染物のなかでも特に金属汚染物は、ＣＭＰ工程中に
、誘電体層をその表面からほぼ１００オングストロームの深さまで貫通する。繰
り返すが、これらの汚染物は、デバイスの性能特性に影響し、デバイスを通常よ
り早く故障させる恐れがある。
ブサーフェスが、スラリからの汚染物に加えて、銅層および障壁層からの金属に
も汚染されることである。汚染物のなかでも特に金属汚染物は、ＣＭＰ工程中に
、誘電体層をその表面からほぼ１００オングストロームの深さまで貫通する。繰
り返すが、これらの汚染物は、デバイスの性能特性に影響し、デバイスを通常よ
り早く故障させる恐れがある。
【００１１】
上記のことから、銅層および誘電体層の質に影響することなく、上述したブラ
シローディングの問題点を緩和することができるような、銅のＣＭＰを経た基板
を洗浄するための環境および方法が、望まれている。
シローディングの問題点を緩和することができるような、銅のＣＭＰを経た基板
を洗浄するための環境および方法が、望まれている。
【００１２】 さらにまた、銅層および誘電体層から表面およびサブサーフェスの汚染物を取
り除くことができるような、銅のＣＭＰを経た基板を洗浄するための環境および
方法が、望まれている。
り除くことができるような、銅のＣＭＰを経た基板を洗浄するための環境および
方法が、望まれている。
【００１３】
銅層の化学機械研磨を経た半導体基板を洗浄するための洗浄液と、洗浄方法と
、洗浄装置とが、開示されている。本発明は、脱イオン水と、有機化合物と、フ
ッ化化合物とを、酸性ｐＨ環境下で混合して得られる、銅の研磨後に半導体基板
の表面を洗浄するための洗浄液に関する。
、洗浄装置とが、開示されている。本発明は、脱イオン水と、有機化合物と、フ
ッ化化合物とを、酸性ｐＨ環境下で混合して得られる、銅の研磨後に半導体基板
の表面を洗浄するための洗浄液に関する。
【００１４】 本発明の特徴および効果は、以下の詳細な説明と種々の図面により明らかにな
る。
る。
【００１５】
ここでは、銅フィルムを研磨した後に半導体基板を洗浄するための方法および
装置を開示する。以下では、本発明の詳細な理解のため、材料、プロセス、パラ
メータ、ディメンション等の多くの項目を特定する。しかしながら、当業者なら
ば誰もが明らかなように、これらの特定された項目は、本発明の内容を限定する
ものではない。また、本発明の内容を不必要に不明瞭化するのを避けるため、周
知の材料または方法の詳細な説明は省略した。
装置を開示する。以下では、本発明の詳細な理解のため、材料、プロセス、パラ
メータ、ディメンション等の多くの項目を特定する。しかしながら、当業者なら
ば誰もが明らかなように、これらの特定された項目は、本発明の内容を限定する
ものではない。また、本発明の内容を不必要に不明瞭化するのを避けるため、周
知の材料または方法の詳細な説明は省略した。
【００１６】 以下では、銅による相互配線の形成、およびその銅による相互配線の化学機械
研磨（ＣＭＰ）／プラナリゼーションの後に、半導体基板を洗浄するための、洗
浄液、洗浄方法、および洗浄装置について説明する。半導体デバイスの製造にお
いて、銅による相互配線を形成する工程は周知であるため、ここでは詳述しない
。
研磨（ＣＭＰ）／プラナリゼーションの後に、半導体基板を洗浄するための、洗
浄液、洗浄方法、および洗浄装置について説明する。半導体デバイスの製造にお
いて、銅による相互配線を形成する工程は周知であるため、ここでは詳述しない
。
【００１７】 この明細書および請求項の範囲では、半導体基板という用語を一貫して使用す
るが、半導体基板とは、デバイス層がすでに形成されているかまたはこれから形
成されるシリコン基板の、全部またはその一部（例えばガリウムヒ素）を意味す
る。また、基板とは、上に半導体材料が載っており、完全もしくは部分的に処理
されているか、または未処理の基板を含んだ概念であり、それのみに限定されな
い。
るが、半導体基板とは、デバイス層がすでに形成されているかまたはこれから形
成されるシリコン基板の、全部またはその一部（例えばガリウムヒ素）を意味す
る。また、基板とは、上に半導体材料が載っており、完全もしくは部分的に処理
されているか、または未処理の基板を含んだ概念であり、それのみに限定されな
い。
【００１８】 また、本発明は、半導体基板またはウェーハのスクラビングと関連させて説明
を行うが、類似した形状すなわち一般的に見て平らな基板ならどのようなもので
も、本発明による方法および装置により処理することが可能である。さらにまた
、半導体基板またはウェハは、ドーピングの有無によらずベアすなわち純粋な半
導体基板と、エピタキシャル層を有した半導体基板と、工程のどこかの段階で１
層またはそれ以上のデバイス層が組み込まれた半導体基板と、１層またはそれ以
上の半導体層が組み込まれたその他の基板（絶縁膜上半導体（ＳＩＯ）デバイス
を有した基板、フラットパネルディスプレイやマルチチップモジュールなどのよ
うなその他の装置やデバイスを加工するための基板など）と、を含む。
を行うが、類似した形状すなわち一般的に見て平らな基板ならどのようなもので
も、本発明による方法および装置により処理することが可能である。さらにまた
、半導体基板またはウェハは、ドーピングの有無によらずベアすなわち純粋な半
導体基板と、エピタキシャル層を有した半導体基板と、工程のどこかの段階で１
層またはそれ以上のデバイス層が組み込まれた半導体基板と、１層またはそれ以
上の半導体層が組み込まれたその他の基板（絶縁膜上半導体（ＳＩＯ）デバイス
を有した基板、フラットパネルディスプレイやマルチチップモジュールなどのよ
うなその他の装置やデバイスを加工するための基板など）と、を含む。
【００１９】 従来の技術で説明したように、半導体基板上に形成された銅による相互配線を
、ＣＭＰ技術を使用して平坦化した後には、半導体基板を洗浄し、基板の表面上
およびサブサーフェス内の汚染物を、全て取り除く必要がある。半導体基板から
汚染物を取り除く技術の１つに、半導体基板（基板）をスクラブする方法がある
。
、ＣＭＰ技術を使用して平坦化した後には、半導体基板を洗浄し、基板の表面上
およびサブサーフェス内の汚染物を、全て取り除く必要がある。半導体基板から
汚染物を取り除く技術の１つに、半導体基板（基板）をスクラブする方法がある
。
【００２０】 本発明は、例示的且つ非限定的に、スクラビングプロセス、特にウェハの両面
を同時にスクラブするスクラビングプロセスと関連させて、説明を行う。スクラ
バは、いくらかのステーションを備えていてもよい。各ステーションは、基板の
洗浄工程のうちの１つまたは２つ以上の工程を表す。汚染された基板はスクラビ
ングシステムの一端にロードされ、洗浄・乾燥を経た基板は同システムのもう一
端からアンロードされる。この種のスクラビングシステムの例として、アメリカ
・カリフォルニアのミルピタスにあるOnTrak Systems,Inc.製造の、DSS-200 Scr
ubber（商標）およびSynergy Scrubber（商標）が挙げられる。
を同時にスクラブするスクラビングプロセスと関連させて、説明を行う。スクラ
バは、いくらかのステーションを備えていてもよい。各ステーションは、基板の
洗浄工程のうちの１つまたは２つ以上の工程を表す。汚染された基板はスクラビ
ングシステムの一端にロードされ、洗浄・乾燥を経た基板は同システムのもう一
端からアンロードされる。この種のスクラビングシステムの例として、アメリカ
・カリフォルニアのミルピタスにあるOnTrak Systems,Inc.製造の、DSS-200 Scr
ubber（商標）およびSynergy Scrubber（商標）が挙げられる。
【００２１】 図２は、Synergy（商標） の構造（洗浄システム）を示す断面図である。汚染
された基板は一般に、化学機械プラナリゼーション（ＣＭＰ）の後にウェットベ
ンチから、または結果として汚染が生じたその他の工程から、洗浄システムに送
られる。洗浄工程のスタート時には、汚染された基板がウェハカセット２８０（
カセット）にロードされ、ついでカセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置される。カセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置されると、基板は自動的にカセット２８０から取り外さ
れ、一枚ずつ外部ブラシステーション２２０に配置される。
された基板は一般に、化学機械プラナリゼーション（ＣＭＰ）の後にウェットベ
ンチから、または結果として汚染が生じたその他の工程から、洗浄システムに送
られる。洗浄工程のスタート時には、汚染された基板がウェハカセット２８０（
カセット）にロードされ、ついでカセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置される。カセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置されると、基板は自動的にカセット２８０から取り外さ
れ、一枚ずつ外部ブラシステーション２２０に配置される。
【００２２】 外部ブラシステーション２２０において、基板は第１回目のスクラビングを施
される。第１回目のスクラビングにおいて、洗浄液は複数の異なる方法で基板上
に施される。例えばある実施形態では、洗浄液は基板上に吹き付けられる。別の
実施形態では、洗浄液はブラシ２２１を通じて基板上に施される。さらに別の実
施形態では、洗浄液を基板上に滴下させる。
される。第１回目のスクラビングにおいて、洗浄液は複数の異なる方法で基板上
に施される。例えばある実施形態では、洗浄液は基板上に吹き付けられる。別の
実施形態では、洗浄液はブラシ２２１を通じて基板上に施される。さらに別の実
施形態では、洗浄液を基板上に滴下させる。
【００２３】 スクラブされた基板は、ついで、自動的に外部ブラシステーション２２０から
取り外され、内部ブラシステーション２３０に配置される。内部ブラシステーシ
ョン２３０において、基板は第２回目のスクラビングを施される。内部ブラシス
テーション２３０において、洗浄液は、外部ブラシステーション２２０における
場合と同様な方法で、基板上に施される。
取り外され、内部ブラシステーション２３０に配置される。内部ブラシステーシ
ョン２３０において、基板は第２回目のスクラビングを施される。内部ブラシス
テーション２３０において、洗浄液は、外部ブラシステーション２２０における
場合と同様な方法で、基板上に施される。
【００２４】 第２回目のスクラビングの後、基板は自動的に内部ブラシステーション２３０
から取り外され、リンス・スピン・乾燥ステーション２４０に配置される。リン
ス・スピン・乾燥ステーション２４０では、基板をリンスし、スピンさせ、そし
て乾燥させる。この時点において、ウェハの洗浄が完了する。
から取り外され、リンス・スピン・乾燥ステーション２４０に配置される。リン
ス・スピン・乾燥ステーション２４０では、基板をリンスし、スピンさせ、そし
て乾燥させる。この時点において、ウェハの洗浄が完了する。
【００２５】 リンス、スピン、および乾燥の工程が完了すると、基板は、リンス・スピン・
乾燥ステーション２４０からアウトプットステーション２５０に移され、カセッ
ト２８１に配置される。この移動は通常、ロボットアームによってなされる。ロ
ボットアームは、端部によってリンス・スピン・乾燥ステーション２４０から基
板を持ち上げて移動させ、カセット２８１に配置する。するとカセット２８１は
、保存に移されるか、または別の洗浄システムもしくは加工システムに移される
。
乾燥ステーション２４０からアウトプットステーション２５０に移され、カセッ
ト２８１に配置される。この移動は通常、ロボットアームによってなされる。ロ
ボットアームは、端部によってリンス・スピン・乾燥ステーション２４０から基
板を持ち上げて移動させ、カセット２８１に配置する。するとカセット２８１は
、保存に移されるか、または別の洗浄システムもしくは加工システムに移される
。
【００２６】 当業者には明らかなように、上述した洗浄システムの工程は、洗浄される基板
または基板層の種類によって、異なる順序および／または各種の洗浄液でおこな
われ得るものである。例えば、２つのブラシステーションの一つにおいて、水、
クエン酸、水酸化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、およびフッ化水素酸溶
液（またはこれら溶液の混合物）などのような、異なる洗浄液を使用してもよい
。また、他のシステムでは、１つのブラシステーションまたは２つより多くのブ
ラシステーションを備えるようにしてもよい。さらにまた、その他のシステムで
は、上記ステーション／工程のうち１つまたは２つ以上を省くようにしてもよく
、また、ＣＭＰステーションなど追加の処理ステーションを備えるようにしても
よい。
または基板層の種類によって、異なる順序および／または各種の洗浄液でおこな
われ得るものである。例えば、２つのブラシステーションの一つにおいて、水、
クエン酸、水酸化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、およびフッ化水素酸溶
液（またはこれら溶液の混合物）などのような、異なる洗浄液を使用してもよい
。また、他のシステムでは、１つのブラシステーションまたは２つより多くのブ
ラシステーションを備えるようにしてもよい。さらにまた、その他のシステムで
は、上記ステーション／工程のうち１つまたは２つ以上を省くようにしてもよく
、また、ＣＭＰステーションなど追加の処理ステーションを備えるようにしても
よい。
【００２７】 以下では、基板の両面を同時にスクラブする洗浄システムを取り上げて、本発
明の使用に関して説明するが、本発明は、その他の洗浄システムおよび処理にお
いて使用してもよい。例えば、基板の片面のみをスクラブするような洗浄システ
ム、または基板を薬剤散布により洗浄するような洗浄システムなどに、使用して
もよい。
明の使用に関して説明するが、本発明は、その他の洗浄システムおよび処理にお
いて使用してもよい。例えば、基板の片面のみをスクラブするような洗浄システ
ム、または基板を薬剤散布により洗浄するような洗浄システムなどに、使用して
もよい。
【００２８】 図３は、本発明による洗浄プロセスの一実施形態を示す図である。工程３１０
では、化学機械研磨を使用して銅層を平坦化する。銅層の平坦化には、その他の
プラナリゼーション技術を使用することも可能であり、そのようなプラナリゼー
ションの実施後でもなお、基板の表面および／またはサブサーフェスから汚染物
を取り除く目的で、本発明を使用して半導体基板を洗浄することが望まれる。
では、化学機械研磨を使用して銅層を平坦化する。銅層の平坦化には、その他の
プラナリゼーション技術を使用することも可能であり、そのようなプラナリゼー
ションの実施後でもなお、基板の表面および／またはサブサーフェスから汚染物
を取り除く目的で、本発明を使用して半導体基板を洗浄することが望まれる。
【００２９】 工程３２０では、研磨後の半導体基板をスクラバに配置する。すると、半導体
基板は工程３３０でスクラブされ、研磨の工程で生じた汚染物が取り除かれる。
スクラビングの途中で、汚染物の除去を促進するおよび／または実現する目的で
、基板に洗浄液が施される（工程３４０）。洗浄液は、図２のスクラバにおける
外部ブラシステーション２２０と内部ブラシステーション２３０のどちらか一方
において、または必要であればその両方において、使用してもよい。
基板は工程３３０でスクラブされ、研磨の工程で生じた汚染物が取り除かれる。
スクラビングの途中で、汚染物の除去を促進するおよび／または実現する目的で
、基板に洗浄液が施される（工程３４０）。洗浄液は、図２のスクラバにおける
外部ブラシステーション２２０と内部ブラシステーション２３０のどちらか一方
において、または必要であればその両方において、使用してもよい。
【００３０】 本発明のある実施形態では、銅層の研磨後に半導体基板の表面を洗浄するため
に、脱イオン水と、有機化合物と、フッ化化合物とを含み、これらが酸性ｐＨ環
境下で混合された、洗浄液を使用する。酸性ｐＨ環境を使用することにより、銅
酸化物の溶解を促進し、従来の技術で論じたブラシローディングの問題を、いく
らか緩和することができる。ただし、酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約１〜６の範囲
内に維持することが望ましい。本発明のある実施形態では、酸性ｐＨ環境は、ｐ
Ｈ値が約２〜４の範囲内にある。
に、脱イオン水と、有機化合物と、フッ化化合物とを含み、これらが酸性ｐＨ環
境下で混合された、洗浄液を使用する。酸性ｐＨ環境を使用することにより、銅
酸化物の溶解を促進し、従来の技術で論じたブラシローディングの問題を、いく
らか緩和することができる。ただし、酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約１〜６の範囲
内に維持することが望ましい。本発明のある実施形態では、酸性ｐＨ環境は、ｐ
Ｈ値が約２〜４の範囲内にある。
【００３１】 有機化合物を使用することにより、汚染パーティクルと、ブラシおよび基板の
表面との間に働く静電力を変化させ、両者間の反発を促進することができる。こ
のため、汚染パーティクルはブラシおよび基板に反発し、基板およびブラシは汚
染パーティクルに反発して、汚染パーティクルの除去に有利な状態が提供される
。有機化合物としては、有機酸、有機酸のアンモニウム塩、または陰イオン表面
活性剤を使用することができる。使用可能な有機酸の例としては、クエン酸、リ
ンゴ酸、マロン酸、コハク酸、またはこれら有機酸の任意の化合物が挙げられる
。
表面との間に働く静電力を変化させ、両者間の反発を促進することができる。こ
のため、汚染パーティクルはブラシおよび基板に反発し、基板およびブラシは汚
染パーティクルに反発して、汚染パーティクルの除去に有利な状態が提供される
。有機化合物としては、有機酸、有機酸のアンモニウム塩、または陰イオン表面
活性剤を使用することができる。使用可能な有機酸の例としては、クエン酸、リ
ンゴ酸、マロン酸、コハク酸、またはこれら有機酸の任意の化合物が挙げられる
。
【００３２】 有機化合物は、その重量パーセントが約１００ｐｐｍ〜２％の範囲になるよう
に、脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。本発明のある実施形態
では、有機化合物を、その重量パーセントが約２００ｐｐｍ〜０．２％になるよ
うに、ＤＩＷに溶解させる。
に、脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。本発明のある実施形態
では、有機化合物を、その重量パーセントが約２００ｐｐｍ〜０．２％になるよ
うに、ＤＩＷに溶解させる。
【００３３】 フッ化化合物を使用することにより、誘電体層の表面およびサブサーフェスか
らの、汚染物の除去が促進される。本発明では、フッ化水素酸（ＨＦ）またはフ
ッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）などのフッ化化合物を、洗浄液に使用する。ＨＦ または緩衝ＨＦ（ＨＦと混合したフッ化アンモニウム）は、二酸化シリコンをエ
ッチングする作用を有する。このため、スクラビング工程では二酸化シリコンも
エッチングされる。例えばブラシスクラビング工程では、概して１０〜１００オ
ングストロームの酸化物層が取り除かれ、基板上にはクリーンで汚れていない誘
電体の表面が残される。
らの、汚染物の除去が促進される。本発明では、フッ化水素酸（ＨＦ）またはフ
ッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）などのフッ化化合物を、洗浄液に使用する。ＨＦ または緩衝ＨＦ（ＨＦと混合したフッ化アンモニウム）は、二酸化シリコンをエ
ッチングする作用を有する。このため、スクラビング工程では二酸化シリコンも
エッチングされる。例えばブラシスクラビング工程では、概して１０〜１００オ
ングストロームの酸化物層が取り除かれ、基板上にはクリーンで汚れていない誘
電体の表面が残される。
【００３４】 フッ化化合物は、その重量パーセントが約０．１〜５％の範囲内になるように
、脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。本発明のある実施形態で
は、フッ化化合物を、その重量パーセントが約０．２〜１％になるように、ＤＩ
Ｗに溶解させる。
、脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。本発明のある実施形態で
は、フッ化化合物を、その重量パーセントが約０．２〜１％になるように、ＤＩ
Ｗに溶解させる。
【００３５】 本発明による洗浄液は、ＨＦまたはＮＨ4Ｆなどのフッ化化合物と、有機酸、 有機酸のアンモニウム塩、または陰イオン表面活性剤と、を含むＤＩＷ中の薬剤
を、酸性ｐＨ環境で混合させたものである。ただし、この溶液にさらに塩酸（Ｈ
Ｃｌ）を加えてｐＨを調整し、銅酸化物の溶解を促進するようにしてもよい。ま
た、本発明による薬剤は、同一の洗浄液に予め混合することにより、銅のＣＭＰ
工程に続くブラシスクラビング工程に関連して生じる幾つかの問題点を、同時に
解決することができる。このような簡単なアプローチにより、基板から基板、お
よび同一基板内におけるクロス汚染をかなり減少させ、ひいては防止することが
できる。
を、酸性ｐＨ環境で混合させたものである。ただし、この溶液にさらに塩酸（Ｈ
Ｃｌ）を加えてｐＨを調整し、銅酸化物の溶解を促進するようにしてもよい。ま
た、本発明による薬剤は、同一の洗浄液に予め混合することにより、銅のＣＭＰ
工程に続くブラシスクラビング工程に関連して生じる幾つかの問題点を、同時に
解決することができる。このような簡単なアプローチにより、基板から基板、お
よび同一基板内におけるクロス汚染をかなり減少させ、ひいては防止することが
できる。
【００３６】 洗浄液の様々な調製方法の一例として、重量パーセントが０．５％のＨＦと、
０．１％のクエン酸と、０．４％のＮＨ4ＯＨとを、ＤＩＷのなかで混合させる 方法が挙げられる。この例では、溶液のｐＨ値は約３である。しかしながら、本
発明の範囲は、洗浄液の様々な調製方法をカバーする。また、溶液中の各成分は
、同様な特性を有した異なる薬剤で置き換えることが可能である。以上、銅薄膜
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置を説明した。
０．１％のクエン酸と、０．４％のＮＨ4ＯＨとを、ＤＩＷのなかで混合させる 方法が挙げられる。この例では、溶液のｐＨ値は約３である。しかしながら、本
発明の範囲は、洗浄液の様々な調製方法をカバーする。また、溶液中の各成分は
、同様な特性を有した異なる薬剤で置き換えることが可能である。以上、銅薄膜
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置を説明した。
【００３７】 上記の実施形態では、装置、パラメータ、方法、および材料を特定しているが
、当業者ならば誰でも、本発明で開示した実施形態に、様々な改良を加えること
が可能である。したがって、これらの実施形態は単に説明のためのものであって
、本発明を制限するためのものではなく、本発明は上記の実施形態に限られない
。
、当業者ならば誰でも、本発明で開示した実施形態に、様々な改良を加えること
が可能である。したがって、これらの実施形態は単に説明のためのものであって
、本発明を制限するためのものではなく、本発明は上記の実施形態に限られない
。
【図１ａ】 上に誘電体層が堆積した半導体基板を示す図である。
【図１ｂ】 図１ａの半導体基板にバイア／トレンチが形成された様子を示す図である。
【図１ｃ】 図１ｂの半導体基板に薄い障壁層が形成された様子を示す図である。
【図１ｄ】 図１ｄは、図１ｃの半導体基板に銅材料よりなる層が堆積された様子を示す図
である。
である。
【図１ｅ】 図１ｄの半導体基板の、余分な銅層及び障壁層を化学機械研磨した後の様子を
示す図である。
示す図である。
【図２】 スクラビングシステムの一実施形態を示す図である。
【図３】 本発明による洗浄工程の一実施形態を示す流れ図である。
１００ 基板 １１０ 誘電体層 １２０ バイア／トレンチ １３０ 障壁層 １４０ 銅層 １５０ 銅層 １６０ 誘電体層 １６５ 誘電体のサブサーフェース ２１０ ウェットセンドインデクサステーション ２２０ 外部ブラシステーション ２２１ ブラシ ２３０ 内部ブラシステーション ２３１ ブラシ ２４０ リンス・スピン・乾燥ステーション ２５０ アウトプットステーション ２８０ カセット ２８１ カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｇ 21/3205 21/88 Ｋ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ザオ・ユエクシング アメリカ合衆国 カリフォルニア州95051 サンタ・クララ，ハルフォード・アベニ ュー，1901，アパートメント ＃９ (72)発明者 ハイムス・ダイアン・ジェイ． アメリカ合衆国 カリフォルニア州95136 サン・ホセ，ルウィストン・ドライブ， 887 (72)発明者 クラッセル・ウィルバー・シー． アメリカ合衆国 カリフォルニア州94303 パロ・アルト，ルイス・ロード，2742 Ｆターム(参考） 4H003 AB01 BA12 DA15 DB01 EA05 EA07 EB07 EB08 ED02 FA28 5F033 HH11 HH18 HH21 HH33 JJ11 JJ18 JJ21 JJ33 MM01 MM12 MM13 NN06 NN07 PP06 PP14 PP27 QQ09 QQ11 QQ37 QQ48 QQ91 RR04 WW00 WW04 5F043 AA26 BB27 BB28 DD12 DD16 DD30 FF07
Claims (48)
- 【請求項１】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって、 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の有機酸と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含み、前記脱イオン水と、前記有機酸と、前記フッ化化合物とが、酸性ｐＨ環
境下で混合されたものである、洗浄液。 - 【請求項２】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項３】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約１〜６のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項４】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項５】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約１００
ｐｐｍ〜２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項６】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約２００
ｐｐｍ〜０．２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄
液。 - 【請求項７】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．１〜５％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗
浄液。 - 【請求項８】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第１の量の脱イオン水に、前記第３の量
のフッ化化合物が重量パーセントで約０．２〜１％の濃度で溶解される、洗浄液
。 - 【請求項９】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、および
これらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の洗浄液であって 前記第３の量のフッ化化合物は、フッ化水素酸（ＨＦ）、フッ化アンモニウム
（ＮＨ4Ｆ）、緩衝フッ化水素酸（フッ化水素酸と混合したフッ化アンモニウム ）、およびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液
。 - 【請求項１１】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の、有機酸のアンモニウム塩と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含み、前記脱イオン水と、前記アンモニウム塩と、前記フッ化化合物とが、酸
性ｐＨ環境下で混合されたものである、洗浄液。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項１３】 請求項１１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項１４】 請求項１１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約２００
ｐｐｍ〜０．２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄
液。 - 【請求項１５】 請求項１１に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．２〜１％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗
浄液。 - 【請求項１６】 請求項１１に記載の洗浄液であって 前記第３の量のフッ化化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、緩衝フ
ッ化水素酸、およびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである
、洗浄液。 - 【請求項１７】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の陰イオン表面活性剤と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含み、前記脱イオン水と、前記陰イオン表面活性剤と、前記フッ化化合物とが
、酸性ｐＨ環境下で混合されたものである、洗浄液。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項１９】 請求項１７に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項２０】 請求項１７に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約２００
ｐｐｍ〜０．２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄
液。 - 【請求項２１】 請求項１７に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．２〜１％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗
浄液。 - 【請求項２２】 請求項１７に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、緩衝フ
ッ化水素酸、およびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである
、洗浄液。 - 【請求項２３】 半導体基板から汚染物を取り除く方法であって、 研磨された銅層を有した前記半導体基板を、スクラブ装置内に配置する工程と
、 前記半導体基板を酸性の洗浄液でスクラブする工程と、 を備える、方法。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の有機酸と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含む、方法。
- 【請求項２５】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、方法。
- 【請求項２６】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約１〜６のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項２７】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項２８】 請求項２４に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約１００
ｐｐｍ〜２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項２９】 請求項２４に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約２００
ｐｐｍ〜０．２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方法
。 - 【請求項３０】 請求項２４に記載の方法であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．１〜５％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方
法。 - 【請求項３１】 請求項２４に記載の方法であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．２〜１％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方
法。 - 【請求項３２】 請求項２４に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、および
これらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項３３】 請求項２４に記載の方法であって 前記第３の量のフッ化化合物は、フッ化水素酸（ＨＦ）、フッ化アンモニウム
（ＮＨ4Ｆ）、緩衝フッ化水素酸（フッ化水素酸と混合したフッ化アンモニウム ）、およびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項３４】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、 第１の量の脱イオン水と、 第２の量のアンモニウム塩と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含む、方法。
- 【請求項３５】 請求項２３に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の陰イオン表面活性剤と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含む、方法。
- 【請求項３６】 半導体基板から汚染物を取り除く方法であって、 研磨された銅層を有した前記半導体基板を、スクラブ装置内に配置する工程と
、 前記半導体基板を酸性の洗浄液でスクラブする工程と、 を備え、 前記酸性の洗浄液は、 第１の量の脱イオン水と、 第２の量の有機酸と、 第３の量のフッ化化合物と、 を含む、方法。 - 【請求項３７】 請求項３６に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、方法。
- 【請求項３８】 請求項３６に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約１〜６のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項３９】 請求項３６に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項４０】 請求項３６に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約１００
ｐｐｍ〜２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項４１】 請求項３６に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、前記第２の量の有機酸の重量パーセントが約２００
ｐｐｍ〜０．２％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方法
。 - 【請求項４２】 請求項３６に記載の方法であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．１〜５％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方
法。 - 【請求項４３】 請求項３６に記載の方法であって、 前記第３の量のフッ化化合物は、前記第３の量のフッ化化合物の重量パーセン
トが約０．２〜１％になるように、前記第１の量の脱イオン水に溶解される、方
法。 - 【請求項４４】 請求項３６に記載の方法であって、 前記第２の量の有機酸は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、および
これらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項４５】 請求項３６に記載の方法であって 前記第３の量のフッ化化合物は、フッ化水素酸（ＨＦ）、フッ化アンモニウム
（ＮＨ4Ｆ）、緩衝フッ化水素酸（フッ化水素酸と混合したフッ化アンモニウム ）、およびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項４６】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、有機酸と、フッ化化合物とを含む洗浄液を供給するための、洗
浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境下で予め混合された前記洗浄液を、
研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。 - 【請求項４７】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、アンモニウム塩と、フッ化化合物とを含む洗浄液を供給するた
めの、洗浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境下で予め混合された前記洗浄液を、
研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。 - 【請求項４８】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、陰イオン表面活性剤と、フッ化化合物とを含む洗浄液を供給す
るための、洗浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境下で予め混合された前記洗浄液を、
研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。
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