KR100437455B1 - 반도체 장치 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100437455B1 KR100437455B1 KR10-2001-0077809A KR20010077809A KR100437455B1 KR 100437455 B1 KR100437455 B1 KR 100437455B1 KR 20010077809 A KR20010077809 A KR 20010077809A KR 100437455 B1 KR100437455 B1 KR 100437455B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tungsten
- cleaning
- hydrogen peroxide
- substrate
- hydrofluoric acid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 43
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
반도체 장치 제조 방법에 있어서, 텅스텐 패턴 분리 후 기판을 세정하는 방법이 개시된다. 이 세정 방법에서는 세정액을 불산 함량 0.1wt% 내지 0.4wt%, 과산화수소 함량 0.5wt% 내지 2wt%의 수용액으로 하여 분리된 텅스텐 패턴의 손상없이 분리 과정에서 발생한 금속성 폴리머나 산화성 슬러리를 제거할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 텅스텐 패턴 분리 후 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 소자 고집적화에 따라 디자인 룰이 작아진다. 디자인 룰 축소는 반도체 장치 배선 폭의 축소를 의미하며 이로 인한 배선 저항 증가가 문제된다. 특히, 게이트 라인이나 비트라인 같이 반도체 장치 내에서 길게 형성되는 배선은배선 폭 감소에 따른 저항 증가로 인하여 종래의 폴리실리콘이나 폴리사이드(Polycide) 구조로는 반도체 장치가 요구하는 특성을 맞추기 어렵게 된다.
배선 저항의 문제를 해결하기 위해 고집적 반도체 장치의 반도체 배선으로 저항이 낮은 금속을 사용하는 경우가 많다. 배선 금속으로는 종래 알미늄이 사용되었으나, 비트라인 등의 배선에는 고온에 강한 텅스텐이 많이 사용되고 있다. 또한, 비트라인을 텅스텐으로 형성함에 따라 비트라인 콘택 플러그도 갭 필 능력이 우수하고 비트라인과 계면 저항의 문제가 없는 텅스텐을 이용하여 많이 형성하게 된다.
반도체 장치에 텅스텐 플러그를 형성하기 위해, 먼저 층간 절연막에 하부 도전역 일부가 드러나도록 콘택 홀을 형성한다. 콘택 홀이 형성된 반도체 기판 위에 CVD 방법으로 텅스텐을 충분히 적층하면 콘택 홀은 텅스텐으로 채워지게 된다. 콘택 플러그 사이의 분리를 위해 층간 절연막이 드러날 때까지 텅스텐 CMP나 에치 백을 실시한다. 이 밖에, 다마신 공정을 통해 텅스텐 배선 패턴을 형성하는 경우에도 절연막이 드러날 때까지 텅스텐 CMP를 실시하게 된다.
그런데, 텅스텐 패턴 분리를 실시하기 위해 에치 백 공정을 실시할 경우, 텅스텐을 포함하는 금속성 폴리머들이 다량 발생하여 기판 등에 부착된다. 따라서, 소자 분리를 위해 이들을 후속 세정 공정을 통해 완전히 제거해야 한다. 한편, 텅스텐 패턴 분리를 위해 텅스텐 CMP를 실시할 경우, CMP에 사용되는 산화성 슬러리 물질 및 텅스텐 쇄설물이 잔류하기 쉽다. 잔류 슬러리 물질도 후속 공정에서 심각한 공정 불량을 유발시킬 수 있으므로 반드시 제거되어야 한다.
종래에는 텅스텐 패턴 분리 후 금속성 폴리머나 슬러리 잔류물을 제거하기 위해 세정 공정을 진행하면서 묽은 수산화 암모늄, 묽은 불산 등의 혼합액을 사용하였다. 또한, 기계적인 제거 방법으로서 기판에 대한 단면 혹은 양면 스크러빙(Scrubbing) 공정을 실시한다. 그러나, 이들 방법만으로는 세정의 효율이 충분하지 않아 산화성 잔류 슬러리 물질이나 금속성 폴리머를 충분히 제거할 수 없었다. 그 결과, 이들 물질이 기판에 잔류되어 후속 공정에서 도1의 전자 현미경 사진과 같은 캐퍼시터 콘택 플러그(13)와 비트라인(11) 사이의 단락(21)에 의한 싱글 비트 불량(Single bit fail), 비트라인들 사이의 브리지(bridge) 기타 불량을 유발시키는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 종래의 텅스텐 패턴 분리 이후의 세정의 한계를 해결하기 위한 것으로, 반도체 장치 제조시 텅스텐 패턴 분리 이후 기판에 부착된 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 텅스텐 패턴 분리 이후 기판 잔류물을 효과적으로 제거하는 동시에 분리된 텅스텐 패턴에 대한 손상을 억제할 수 있는 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도1은 종래의 텅스텐 패턴 분리 상의 문제로 비트라인과 스토리지 노드 콘택이 단락된 것을 나타내는 전자현미경 사진,
도2는 본 발명의 세정액 사용에 따른 각 물질막의 식각 두께를 나타내는 결과 그래프,
도3 및 도4는 본 발명의 세정액 사용 전후의 효과를 나타내는 전자현미경 사진,
도5는 본 발명의 세정액 사용 후의 텅스텐 패턴 프로파일을 나타내는 전자현미경 사진.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 장치 제조에 있어서, 텅스텐 소자 분리 공정에 이어 기판에 대한 세정을 실시할 때 이용되는 세정액을 불산 함량 0.1wt% 내지 0.4wt%, 과산화수소 함량 0.5wt% 내지 2wt%의 수용액으로 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 가장 바람직한 세정액의 수용액 내에서의 불산 함량은 0.29wt%, 과산화 수소 1wt%이다. 이때, 20 내지 30도씨 상온에서 세정 시간은 통상 60 내지 200초 범위로 사용 한다.
본 발명에서 세정을 통해 제거하려는 타겟이 되는 것은 종래의 CMP나 건식 식각 같은 텅스텐 패턴 분리 과정에서 발생한 산화성 잔류 슬러리 물질이나 금속성 폴리머이다. 이들 모두에 대한 제거 능력을 가지기 위해서는 금속성 폴리머에 대한 제거능력이 있는 산화제 및 산화성 슬러리 및 금속 산화물에 대한 제거 능력이 있는 물질로 요구된다. 이런 면에서 본 발명의 과산화수소 및 불산의 혼합물이 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 세정액 내에서 과산화 수소 및 불산과 금속 폴리머 및 산화성 잔류 슬러리 사이에 이루어지는 반응은 다음 반응식들을 통해 설명될 수 있다. 반응식들에 의하면, 텅스텐은 세정액 내에서 과산화 수소에 의해 산화된 후 산화 이온으로 용해되거나, 불산과 반응하여 불화 텅스텐 가스로 제거된다. 산화성 슬러리의 경우, 산성 용액에서 화학식4와 같은 반응이 이루어진 뒤 최종적으로 SiF4형태로 제거될 수 있다.
이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 좀 더 설명하기로 한다.
본 발명에서 세정을 통해 제거하려는 타겟이 되는 것은 종래의 CMP나 건식 식각 같은 텅스텐 패턴 분리 과정에서 발생한 산화성 잔류 슬러리 물질이나 금속성 폴리머이다. 산화성 잔류 물질에 대한 지표를 PE TEOS막질로 하여 두께 200 옹스트롬 제거를 목표로 삼고, 금속성 폴리머에 대한 지표를 텅스텐 막질로 하여 두께 50 옹스트롬 제거를 목표로 하였다. 따라서, 이를 위해 과산화 수소 0.1wt% 내지 4wt% 범위에서, 불산 0.01wt% 내지 0.4wt% 범위에서 세정액을 제조하고 기판에 작용시켜 제거되는 PE TEOS막질과 텅스텐 막질의 평균적 두께를 측정한다.
결과에 따르면, 세정액을 불산 함량 0.1wt% 내지 0.4wt%, 과산화수소 함량 0.5wt% 내지 2wt%의 수용액으로 할 때 그 시간에 따라 텅스텐 두께 50 옹스트롬과 PE TEOS막 200 옹스트롬에 대한 식각을 동시에 수행할 수 있었다.
이들 불산 및 과산화수소 함량 범위내의 수용액으로 이루어진 세정액으로 세정을 실시할 때 원하는 두께의 텅스텐 및 PE TEOS막에 대한 식각이 이루어지는 것은 온도 및 세정 시간의 조절에 의해 가능하다. 그런데, 본 발명의 세정액을 사용함에 있어서도 식각 온도 및 세정 시간에 따라서 기판에 형성된 텅스텐 패턴이 침해를 당하는 문제가 발생할 수 있다.
가령, CMP나 건식 식각을 통해 텅스텐 플러그만 층간 절연막에 남기는 텅스텐 플러그 분리 과정에서 플러그에 이미 보이드(void)나 심(seam)이 형성된 경우 세정 과정에서 세정액이 이들 구조에 침투하여 이들 약점이 확대되는 문제가 발생할 수 있다. 그리고, 이들 문제는 세정 시간이 길게되면서 더 높은 빈도로 발생할 수 있다. 따라서, 세정 시간의 조절이 필요하고 불산이나 과산화수소의 함량을 지나치게 낮추는 것은 제한된다.
한편, 불산이나 과산화 수소의 함량을 높이는 것은 이들이 함유된 세정액을 통한 시간 조절이나, 온도 조절을 통한 식각량 조절 신뢰성을 낮추며, 함량 조작상의 작은 차이가 큰 결과 차이를 가져올 수 있으므로 제한이 필요하다.
도2는 본 발명의 세정액에서 과산화 수소 및 불산의 적절한 함량을 찾기 위한 실험 결과 그래프 가운데 일부이다.
도2의 그래프와 같이 세정액으로 사용된 수용액 내에서의 불산 함량 0.29wt%, 과산화 수소 1wt%로 25도씨 상온에서 세정을 실시할 경우 5초 정도의 통제 가능하면서 짧은 시간에 원하는 두께로 텅스텐막과 PE TEOS막을 제거할 수 있었다.
도3 및 도4는 CMP를 통해 텅스텐 플러그를 분리한 뒤 불소 0.29wt%, 과산화 수소 1wt%를 순수(Deionized Water)에 함유시킨 세정액으로 25도씨 상온에서 150초세정 뒤의 기판 상 변화를 나타내는 전자 현미경 사진들이다. 결과를 보면, 도3 및 도4에서 나타나듯이, 기판 상에 형성된 플러그 사이의 심(seam)이 거의 확대되지 않음을 알 수 있다. 이와 함께, CMP 후에 기판에 남아있던 산화성 슬러리 들이 깨끗이 제거됨을 알 수 있다.
도5는 텅스텐 건식 식각을 통해 기판에 텅스텐 배선 패턴을 형성한 뒤에 불소 0.29wt%, 과산화 수소 1wt%를 순수(Deionized Water)에 함유시킨 세정액으로 25도씨 상온에서 150초 처리한 후의 패턴 프로파일을 나타내는 전자 현미경 사진이다. 상당한 시간동안 세정이 이루어짐에도 불구하고 텅스텐 패턴은 세정액에 의해 심각한 손상을 받지 않음을 알 수 있다.
본 발명에 따르면, 텅스텐에 대한 CMP나 건식 식각에 의한 패턴 분리에서 기판에 잔류하는 산화성 슬러리, 금속성 폴리머로 인한 후속 공정 불량의 가능성을 간단한 세정 과정을 통해 용이하고 충분하게 억제할 수 있다.
Claims (5)
- 기판에 텅스텐층을 형성하는 단계,상기 텅스텐층에 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 수행하여 텅스텐 패턴 분리를 실시하는 단계, 및분리된 상기 텅스텐 패턴을 가지는 기판에 대해 불산 함량 0.1wt% 내지 0.4wt%, 과산화수소 함량 0.5wt% 내지 2wt%의 수용액을 세정액으로 이용한 세정을 실시하여 금속성 폴리머 및 산화성 잔류 슬러리 물질을 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 반도체 장치 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 텅스텐층 패턴은 층간 절연막층에 형성되는 텅스텐 플러그인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세정액의 수용액 내에서의 불산 함량은 0.29wt%, 과산화 수소 함량은 1wt%인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 세정을 실시하는 단계는 20 내지 30도씨 온도 범위에서 60초 내지 200초 범위로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
- 삭제
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0077809A KR100437455B1 (ko) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 반도체 장치 형성 방법 |
| US10/294,683 US7026246B2 (en) | 2001-12-10 | 2002-11-15 | Method of cleaning semiconductor substrates after forming tungsten patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0077809A KR100437455B1 (ko) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 반도체 장치 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030047340A KR20030047340A (ko) | 2003-06-18 |
| KR100437455B1 true KR100437455B1 (ko) | 2004-06-23 |
Family
ID=19716843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0077809A KR100437455B1 (ko) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 반도체 장치 형성 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7026246B2 (ko) |
| KR (1) | KR100437455B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100734669B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2007-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그 장치 |
| US20050159085A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-07-21 | Scott Brandon S. | Method of chemically mechanically polishing substrates |
| US20080153282A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Texas Instruments, Incorporated | Method for preparing a metal feature surface |
| US8129270B1 (en) * | 2008-12-10 | 2012-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing tungsten film having low resistivity, low roughness and high reflectivity |
| US10256142B2 (en) | 2009-08-04 | 2019-04-09 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| US9548228B2 (en) | 2009-08-04 | 2017-01-17 | Lam Research Corporation | Void free tungsten fill in different sized features |
| US8629063B2 (en) * | 2011-06-08 | 2014-01-14 | International Business Machines Corporation | Forming features on a substrate having varying feature densities |
| KR102131581B1 (ko) | 2012-03-27 | 2020-07-08 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 텅스텐 피처 충진 |
| US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
| US9978610B2 (en) | 2015-08-21 | 2018-05-22 | Lam Research Corporation | Pulsing RF power in etch process to enhance tungsten gapfill performance |
| US10566211B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Continuous and pulsed RF plasma for etching metals |
| CN112652518B (zh) * | 2019-10-11 | 2023-04-28 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体器件的形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010098862A (ko) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | 가나이 쓰토무 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165956A (en) * | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film |
| JP3111979B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | ウエハの洗浄方法 |
| JP3003684B1 (ja) * | 1998-09-07 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄液 |
| US6277753B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| JP3206654B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6664196B1 (en) * | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
| TW480619B (en) * | 2001-04-17 | 2002-03-21 | United Microelectronics Corp | Cleaning method for dual damascene manufacture process |
| US7468105B2 (en) * | 2001-10-16 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | CMP cleaning composition with microbial inhibitor |
-
2001
- 2001-12-10 KR KR10-2001-0077809A patent/KR100437455B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-11-15 US US10/294,683 patent/US7026246B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010098862A (ko) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | 가나이 쓰토무 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030047340A (ko) | 2003-06-18 |
| US20030109145A1 (en) | 2003-06-12 |
| US7026246B2 (en) | 2006-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9012322B2 (en) | Selective etching of copper and copper-barrier materials by an aqueous base solution with fluoride addition | |
| US6177353B1 (en) | Metallization etching techniques for reducing post-etch corrosion of metal lines | |
| US7232768B2 (en) | Hydrogen plasma photoresist strip and polymeric residue cleanup process for low dielectric constant materials | |
| KR101082993B1 (ko) | 레지스트용 박리제조성물 및 반도체장치의 제조방법 | |
| US6838330B2 (en) | Method of forming a contact hole of a semiconductor device | |
| KR100437455B1 (ko) | 반도체 장치 형성 방법 | |
| JP2005142369A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100505450B1 (ko) | 다마신 공정을 이용한 반도체소자 제조 방법 | |
| JP2006165189A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100677768B1 (ko) | 반도체소자의 리페어 식각 방법 | |
| US6534415B2 (en) | Method of removing polymer residues after tungsten etch back | |
| KR20040038049A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| KR100844935B1 (ko) | 랜딩 플러그 콘택 구조를 가진 반도체 소자 제조방법 | |
| JP2000353703A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100539446B1 (ko) | 반도체 소자의 듀얼 다마신 패턴 형성방법 | |
| KR100310172B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 | |
| KR100824892B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR100606538B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| JP2006339479A (ja) | 多層配線の製造方法および多層配線 | |
| KR20010027392A (ko) | 반도체 장치의 금속 콘택 형성 방법 | |
| KR20050116487A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR19980068464A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR19980038845A (ko) | 반도체 장치의 금속 콘택방법 | |
| KR20080015253A (ko) | 펀치 방지를 위한 반도체소자의 제조 방법 | |
| KR20060059019A (ko) | 반도체 소자의 메탈 콘택 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120531 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |