JP2003046134A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003046134A JP2003046134A JP2001226697A JP2001226697A JP2003046134A JP 2003046134 A JP2003046134 A JP 2003046134A JP 2001226697 A JP2001226697 A JP 2001226697A JP 2001226697 A JP2001226697 A JP 2001226697A JP 2003046134 A JP2003046134 A JP 2003046134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light emitting
- light
- compound semiconductor
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 441
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 441
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 145
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 139
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 13
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
できる発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 実装基板1に搭載された発光素子2と、
発光素子2の発光によって励起され励起波長と異なる波
長の光を放射する波長変換物質及び、発光素子2の発光
あるいは波長変換物質の発光の一部を吸収する光吸収物
質のうち少なくとも一方を含む樹脂部4とを備えた発光
装置に関する。発光装置の少なくとも一部を形成する基
材3に印刷手法を用いて樹脂5を印刷することによっ
て、樹脂部4を基材3の必要箇所に形成する。
Description
素子を用いた発光装置の製造方法に関するものである。
子として例えばLEDチップを用いる場合、LEDの発
光は半値幅が短く、単波長に近い特性がある。このため
LEDを発光素子として用いて照射をする場合、発光の
色純度は高いが演色性は著しく低いものとなる。この演
色性を改善するには、LEDの発光に別波長の成分を加
えるなどする必要がある。
いると考えた場合、単一種類のLEDチップを発光素子
として用いて白色光を得るためには、LEDからの発光
によって励起され、LEDの発光色に対して補色にあた
る波長の光を発する蛍光体をLEDの近傍に配置するこ
とが方法の一つとして存在する。このようにするとLE
D自身の発光と蛍光体からの発光の混色によって白色光
を得ることができるのである。
実装基板1に搭載して形成した白色LED発光装置の一
例を示すものであり、反射枠を兼ねたカップ状の実装凹
部15の底面に例えば青色発光のLEDチップからなる
発光素子2が搭載して実装してある。17はLEDから
なる発光素子2と実装基板1とを電気的に接続するワイ
ヤーである。そして図10(a)に示すように、実装凹
部15にはディスペンサノズル16から蛍光体を分散さ
せた透明な樹脂5を滴下して、樹脂部4が充填してあ
り、発光素子2の周囲を樹脂部4で覆うようにしてあ
る。ここで樹脂部4に含有されている蛍光体は発光素子
2からの青色発光によって励起して、青色に対して補色
である黄色の蛍光を発する種類のものである。
2を発光させると、発光のうち一部は樹脂部4を通過す
る際に蛍光体によって黄色光に変換されたのちに外部へ
と取り出され、一部はそのまま外部へと取り出される。
青色光と黄色光は補色関係にあるので、両者の光が混色
することによって白色光が得られるのである。
蛍光体を含む樹脂5を実装凹部15に充填し、実装凹部
15に充填した樹脂部4で発光素子2を囲むという方法
では、次のような問題があった。
填量を正確に制御することが困難であり、発光装置間に
おいて樹脂部4の充填量がばらつくと、発光装置間で蛍
光体の量がばらついて発光色がばらつくことになる。例
えば上記の例でいえば、樹脂部4の充填量が多いと蛍光
体の量が多くなって発光色は黄色っぽくなり、逆に樹脂
部4の充填量が少ないと蛍光体の量が少なくなって発光
色は青色っぽくなるというように、発光色がばらつき易
いという問題がある。
子2の正面方向に出る発光が通過する樹脂部4内の長さ
に比べて、発光素子2の斜め方向に出る発光が通過する
樹脂部4内の長さのほうが長くなる。従って発光装置の
正面方向の発光は青色っぽくなり、斜め方向の発光は黄
色っぽくなるものであり、個々の発光装置において角度
によって発光の色むらが発生するという問題がある。
させた透明な樹脂5をディスペンサノズル16から滴下
して実装凹部15に樹脂部4を充填させるにあたって、
実装凹部15内の樹脂が硬化するまでの間に、蛍光体粒
子が沈降していき、実装凹部15内において上部は蛍光
体の濃度が小さく、下部は蛍光体の濃度が大きいとい
う、濃度ばらつきが樹脂部4に生じるおそれがある。そ
してこのように蛍光体が沈降して樹脂部4内の蛍光体の
濃度にばらつきが生じると、樹脂部4への蛍光体含有の
量の制御が困難となり、また、蛍光体の濃度むらのため
に角度による発光の色むらが著しくなるという問題があ
る。
度ばらつきが大きく、同一ロットの同一ウエハーから切
り出されたLEDチップ同士であっても、50%近くの
発光強度の差が存在する。このような発光強度ばらつき
が存在するLEDチップを発光素子2として用いて、実
装凹部15内に蛍光体含有樹脂部4を充填して白色発光
装置の製造を行なう場合、仮に同一条件で蛍光体含有樹
脂部4の充填ができたとしても、発光素子2を形成する
LEDチップ間の発光強度ばらつきによって、発光装置
間で発光色ばらつきが生じることになるという問題があ
る。
あり、発光色のばらつきや色むらを低減することができ
る発光装置の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
発光装置は、実装基板1に搭載された発光素子2と、発
光素子2の発光によって励起され励起波長と異なる波長
の光を放射する波長変換物質及び、発光素子2の発光あ
るいは波長変換物質の発光の一部を吸収する光吸収物質
のうち少なくとも一方を含む樹脂部4とを備えた発光装
置において、発光装置の少なくとも一部を形成する基材
3に印刷手法を用いて樹脂5を印刷することによって、
樹脂部4を基材3の必要箇所に形成することを特徴とす
るものである。
て、スクリーン印刷の手法を用いて樹脂5を塗布するこ
とによって、樹脂部4を基材3の必要箇所に形成するこ
とを特徴とするものである。
て、ドット印刷の手法を用いて樹脂5を滴下することに
よって、樹脂部4を基材3の必要箇所に形成することを
特徴とするものである。
いずれかにおいて、多色印刷の手法を用いて、樹脂5の
印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物質の種類が
異なる樹脂5、含有する波長変換物質や光吸収物質の濃
度が異なる樹脂の少なくとも一つを変化させて樹脂5の
印刷を行なうことを特徴とするものである。
いずれかにおいて、発光素子2を搭載した実装基板1を
基材3とし、実装基板1に樹脂5を印刷して樹脂部4を
形成することを特徴とするものである。
いずれかにおいて、透光性基板6に化合物半導体発光素
子7を積層して形成される化合物半導体ウエハー8を基
材3とし、化合物半導体ウエハー8の透光性基板6に樹
脂5を印刷して樹脂部4を形成した後、化合物半導体ウ
エハー8を切断して個々の発光素子2を形成するチップ
に分離し、この発光素子2を実装基板1に搭載すること
を特徴とするものである。
いずれかにおいて、透光性樹脂で形成される樹脂シート
9を基材3とし、樹脂シート9に樹脂5を印刷して樹脂
部4を形成した後、樹脂シート9を実装基板1に固定す
ることを特徴とするものである。
いずれかにおいて、透光性樹脂で形成される樹脂シート
9を基材3とし、樹脂シート9に樹脂5を印刷して樹脂
部4を形成した後、透光性基板6に化合物半導体発光素
子7を積層して形成される化合物半導体ウエハー8の透
光性基板6にこの樹脂シート9を接着し、次いで化合物
半導体ウエハー8を切断して個々の発光素子2を形成す
るチップに分離した後、この発光素子2を実装基板1に
搭載することを特徴とするものである。
て、実装基板1に搭載した発光素子2の配向分布を計測
し、この計測結果に基づいて、発光素子2ごとの色むら
や光量むらが最小になるように、樹脂5の印刷厚み、含
有する波長変換物質や光吸収物質の種類が異なる樹脂
5、含有する波長変換物質や光吸収物質の濃度が異なる
樹脂5の少なくとも一つを変化させる制御をしながら実
装基板1に樹脂5を印刷して、樹脂部4を形成すること
を特徴とするものである。
て、透光性基板6に化合物半導体発光素子7を積層して
形成される化合物半導体ウエハー8の化合物半導体発光
素子7の微小領域毎の発光を計測し、この計測結果に基
づいて、化合物半導体ウエハー8を切断して得られる発
光素子2ごとの色むらや光量むらが最小になるように、
樹脂5の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物質
の種類が異なる樹脂5、含有する波長変換物質や光吸収
物質の濃度が異なる樹脂5の少なくとも一つを変化させ
る制御をしながら化合物半導体ウエハー8の透光性基板
6に樹脂5を印刷して、樹脂部4を形成することを特徴
とするものである。
て、透光性基板6に化合物半導体発光素子7を積層して
形成される化合物半導体ウエハー8の化合物半導体発光
素子7の微小領域毎の発光を計測し、この計測結果に基
づいて、化合物半導体ウエハー8を切断して得られる発
光素子2ごとの色むらや光量むらが最小になるように、
樹脂5の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物質
の種類が異なる樹脂5、含有する波長変換物質や光吸収
物質の濃度が異なる樹脂5の少なくとも一つを変化させ
る制御をしながら樹脂シート9に樹脂5を印刷して樹脂
部4を形成し、化合物半導体ウエハー8の透光性基板6
にこの樹脂シート9を接着することを特徴とするもので
ある。
する。
して実装すると共に波長変換物質や光吸収物質を含有さ
せた樹脂部4を設けることによって形成される発光装置
に関するものである。波長変換物質としては、発光素子
2の発光によって励起され励起波長と異なる波長の光を
放射する蛍光体などを用いることができるものであり、
このような能力を有するものであれば特に制限されな
い。また光吸収物質としては発光素子2の発光の一部あ
るいは、発光素子2の発光で励起される波長変換物質の
発光の一部を吸収する顔料や染料などを用いることがで
きるものであり、このような能力を有するものであれば
特に制限されない。波長変換物質と光吸収物質はいずれ
か一方のみを樹脂部4に含有させるようにしても、両方
を樹脂部4に含有させるようにしても、いずれでもよ
い。
の一部は樹脂部4を通過する際に波長変換物質を励起さ
せて発光させたり、あるいは光吸収物質に吸収されたの
ちに外部へと取り出され、一部はそのまま外部へと取り
出されるものであり、発光素子2の発光に別波長の成分
を加えた発光を行なわせるなどの発光素子2からの発光
を制御することができ、例えば発光素子2の発光波長と
補色関係にある波長の成分を加えることによって、白色
発光するように発光装置を形成することができるもので
ある。
を形成する基材3に上記のような樹脂部4を形成するに
あたって、波長変換物質と光吸収物質の少なくとも一方
を含有する樹脂5を印刷手法で基材3に印刷することに
よって、樹脂部4を基材3の表面の必要箇所に形成する
ようにしたものである。
ことによって、樹脂部4の厚みを均一にまた薄く形成す
ることができるものであり、樹脂部4への波長変換物質
や光吸収物質の充填量のばらつきを小さくすることがで
きると共に沈降を少なくすることができ、発光のばらつ
きや色むらを小さくすることができるものである。
施の形態の一例を示すものであり、スクリーン印刷の手
法で樹脂5を印刷して樹脂部4の形成を行ない、且つ樹
脂部4を形成する基材3として実装基板1を用いるよう
にしてある。
凹設してあり、実装凹部15の底面にLEDチップなど
で形成される発光素子2を搭載して実装してある。発光
素子2は実装基板1と金線等のワイヤー(図示は省略)
で電気的に接続してある。また実装凹部15には透明封
止樹脂19を充填して発光素子2を封止してあり、透明
封止樹脂19によって実装基板1の表面を面一にして、
後述のようにこの透明封止樹脂19の表面に樹脂部4を
形成することができるようにしてある。
で樹脂部4を形成するにあたっては、まず図1(a)の
ようにメタルマスクなどのマスク20を実装基板1の透
明封止樹脂19の表面に重ね、波長変換物質と光吸収物
質の少なくとも一方を含有する樹脂5をマスク20の上
から塗布して、余分な樹脂5をスキージ21で除去する
ことによって、必要な箇所にのみマスク20を通して樹
脂5を塗布することができるものであり、この樹脂5を
固化乃至硬化させることによって、図1(b)のように
基材3としての実装基板1の透明封止樹脂19の表面の
必要箇所に樹脂部4を形成することができるものであ
る。
成することによって、実装凹部15に樹脂5を充填する
方法に比べて波長変換物質や光吸収物質の量を精度良く
制御することができるものである。またマスク20の微
細なパターンによって、樹脂部4を微細なパターンで形
成することができ、発光素子2からの発光を細かく制御
することが可能になるものである。
プを用い、黄色蛍光体を含有する樹脂部4を図1(c)
のようにストライプ状のパターンとしてスクリーン印刷
して形成する場合、発光素子2の直上位置の部分におい
てストライプを太く、発光素子2の斜め上方位置の部分
においてストライプを細く形成すると、発光素子2の正
面方向に出る発光が通過する樹脂部4のストライプは太
く、発光素子2の斜め方向に出る発光が通過する樹脂部
4のストライプは細くなる。従って図10(b)の場合
とは逆に、発光装置の正面方向に照射される光は黄色み
がかかり、斜め方向に照射される光は青みがかかるよう
に発光を制御して、発光装置のどの角度からも白色発光
をさせることができ、角度によって発光の色むらが発生
することを防ぐことができるものである。また、発光素
子2からの発光の配光を予め測定しておき、この配光に
対応したパターンで印刷して樹脂部4を形成しておくこ
とによっても、角度による発光の色むらや強度むらを低
減することができるものである。
パターンニングをメタルマスク20を用いて行なった
が、メタルマスク20の代りにフォトレジストを用いる
こともできるものであり、フォトレジストを用いること
によってさらに細かいパターンニングで樹脂部4を形成
することが可能になるものである。またパターンニング
せずに全面ベタに樹脂部4を形成するようにしても、均
一で精度の良い樹脂部4を形成するという目的を達する
ことはできるものである。また、上記の実施の形態で
は、青色LEDチップの発光素子2と、黄色蛍光体含有
樹脂部4との組み合わせで、白色発光の発光装置を形成
するようにしたが、黄色蛍光体の代りに青色発光を吸収
する顔料を含有させた樹脂部4を形成するようにする
と、樹脂部4は青色LEDの発光素子2の発光遮蔽層と
して機能し、光強度むらを低減することができるもので
ある。
施の形態の一例を示すものであり、インクジェット印刷
によるドット印刷の手法で樹脂5を印刷して樹脂部4の
形成を行ない、且つ樹脂部4を形成する基材3として実
装基板1を用いるようにしてある。
印刷の手法で樹脂部4を形成するにあたっては、図2
(a)のように、インクジェット印刷装置のノズル24
から、波長変換物質と光吸収物質の少なくとも一方を含
有する樹脂5の帯電させた液滴を噴射し、電場によって
偏向させて実装基板1の表面の必要な箇所に滴下させ、
この樹脂5を固化乃至硬化させることによって、図2
(b)のように基材3としての実装基板1の透明封止樹
脂19の表面の必要箇所にドットパターンとして樹脂部
4を形成することができるものである。
パターンとして形成することによって、実装凹部15に
樹脂5を充填する方法に比べて波長変換物質や光吸収物
質の量を精度良く制御することができるものである。ま
たドットを微細に形成することによって、樹脂部4を微
細なドットパターンで形成することができ、発光素子2
からの発光を細かく制御することが可能になるものであ
る。
プを用い、黄色蛍光体を含有する樹脂部4を図2(b)
のようにドット状のパターンとして形成する場合、発光
素子2の直上位置の部分においてドット密度を高く、発
光素子2の斜め上方位置の部分においてドット密度を低
く形成すると、発光素子2の正面方向に出る発光が通過
する樹脂部4のドット数は多く、発光素子2の斜め方向
に出る発光が通過する樹脂部4のドット数は少なくな
る。従って図10(b)の場合とは逆に、発光装置の正
面方向に照射される光は黄色みがかかり、斜め方向に照
射される光は青みがかかるように発光を制御して、発光
装置のどの角度からも白色発光をさせることができ、角
度によって発光の色むらが発生することを防ぐことがで
きるものである。また、発光素子2からの発光の配光を
予め測定しておき、この配光に対応したドットパターン
で印刷して樹脂部4を形成しておくことによっても、角
度による発光の色むらや強度むらを低減することができ
るものである。
施の形態の一例を示すものであり、スクリーン印刷やイ
ンクジェットのドット印刷などで印刷を行なうにあたっ
て、印刷を複数回繰り返して行なう多色印刷の手法で樹
脂5を印刷して樹脂部4の形成を行ない、且つ樹脂部4
を形成する基材3として実装基板1を用いるようにして
ある。そしてこのように多色印刷をすることによって、
樹脂5の重ね印刷の回数を変えて印刷厚みを変化させ
て、基材3の表面に形成される樹脂部4に厚みの変化を
持たせたり、含有する波長変換物質や光吸収物質の種類
が異なる複数種の樹脂5を印刷して、波長変換物質や光
吸収物質の種類が異なる複数種の樹脂部4を基材3の表
面に形成したり、含有する波長変換物質や光吸収物質の
濃度が異なる複数種の樹脂5を印刷して、波長変換物質
や光吸収物質の濃度が異なる複数種の樹脂部4を基材3
の表面に形成したりすることができるものである。
よって多色印刷を行なうようにしてあり、図3(a)に
示すように第一のマスク20aを実装基板1の透明封止
樹脂19の表面に重ね、波長変換物質と光吸収物質の少
なくとも一方を含有する樹脂5を第一のマスク20aの
上から塗布して、余分な樹脂5をスキージ21で除去す
ることによって、必要な箇所にのみ第一のマスク20a
を通して樹脂5を塗布する。次にこの樹脂5を固化乃至
硬化させて樹脂部4を形成した後、図3(b)に示すよ
うに、塗布した樹脂部4の上に第二のマスク20bを重
ね、上記と同様な樹脂5を第二のマスク20bの上から
塗布して、余分な樹脂5をスキージ21で除去すること
によって、既に形成した樹脂部4の上の必要な箇所にの
み第二のマスク20bを通して樹脂5を塗布する。そし
てこの塗布した樹脂5を固化乃至硬化させることによっ
て、図3(c)のように基材3としての実装基板1の透
明封止樹脂19の表面の必要箇所に樹脂部4を形成する
ことができるものであり、樹脂5の重ね印刷の層数の違
いによって厚みを変化させた樹脂部4を形成することが
できるものである。
プを用い、黄色蛍光体を含有する樹脂部4を図3(b)
のように多色印刷して形成する場合、発光素子2の直上
位置の部分において重ね印刷の回数を多くして厚みが厚
く、発光素子2の斜め上方位置の部分において重ね印刷
の回数を少なくして厚みが薄くなるように樹脂部4を形
成すると、発光素子2の正面方向に出る発光が通過する
樹脂部4の厚みは厚く、発光素子2の斜め方向に出る発
光が通過する樹脂部4の厚みは薄くなる。従って図10
(b)の場合とは逆に、発光装置の正面方向に照射され
る光は黄色みがかかり、斜め方向に照射される光は青み
がかかるように発光を制御して、発光装置のどの角度か
らも白色発光をさせることができ、角度によって発光の
色むらが発生することを防ぐことができるものである。
また、発光素子2からの発光の配光を予め測定してお
き、この配光に対応した厚みになるように多色印刷して
樹脂部4を形成しておくことによっても、角度による発
光の色むらや強度むらを低減することができるものであ
る。
るようにしたが、一層目の樹脂5として黄色蛍光体を含
有させたものを、二層目の樹脂5として赤色蛍光体を含
有ささせたものを用いると、発光装置の正面方向に照射
される光は赤みがかかり、斜め方向に照射される光は白
色になるように発光を制御することが可能になるもので
ある。また多色印刷の手法としてスクリーン印刷を用い
ているが、インクジェット印刷によっても多色印刷を行
なうことができるものである。
Dチップを用い、多色印刷して黄色の蛍光体を含有する
樹脂部4と赤色の蛍光体を含有する樹脂部4をそれぞれ
別のパターンで形成する場合、発光素子2の直上位置の
部分において黄色蛍光体を含有する樹脂部4のパターン
を多く配置し、発光素子2の斜め上方位置の部分におい
て赤色蛍光体を含有する樹脂部4のパターンを多く配置
すると、発光装置の正面方向に照射される光は黄色みが
かかり、斜め方向に照射される光は赤みがかかるように
発光を制御することができるものである。
例を示すものであり、上記のようにスクリーン印刷やド
ット印刷などの印刷手法で樹脂5を印刷して樹脂部4を
形成するにあたって、樹脂部4を形成する基材3として
化合物半導体ウエハー8を用いるようにしてある。
板などの透光性基板6の片面に化合物半導体発光素子7
を積層して形成されるものであり、この化合物半導体ウ
エハー8の透光性基板6の化合物半導体発光素子7と反
対側の表面の必要な箇所に、図1〜図3の場合と同様に
して樹脂5を印刷して、図4(a)のように樹脂部4を
形成するようにしてある。そしてこの化合物半導体ウエ
ハー8を切断して図4(b)のようにチップに分離する
ことによって、個々の発光素子2を作製することができ
るものであり、この発光素子2を実装基板1に搭載して
実装することによって、図4(c)のような発光装置を
作製することができるものである。実装基板1の表面に
は配線22が設けてあり、発光素子2は化合物半導体素
子7の層を金バンプ23で配線22に接続することによ
って実装基板1の実装凹部15内に実装するようにして
ある。
の少なくとも一方を含有する樹脂部4は発光素子2の上
に直接形成されるので、発光素子2からの発光は直接樹
脂部4を通過して発光制御されることになり、角度によ
る発光の色むらや強度むらをきわめて小さくすることが
可能になるものである。そして個々の発光素子2は小さ
いので、発光素子2の上に印刷で樹脂部4を形成するこ
とは困難であるが、切断前の化合物半導体ウエハー8は
所定の大きさがあり、しかも個々の発光素子2が規則正
しく配列しているので、印刷手法によって樹脂部4を容
易に形成することができるものである。また、発光素子
2のサイズとして数mm程度と比較的大きなサイズに化
合物半導体ウエハー8を切断して作製する場合、発光素
子2の中央部と周辺部とで樹脂部4の厚みや波長変換物
質と光吸収物質の濃度を変化させるようにすれば、角度
によって発光色が異なるように制御することも可能にな
るものである。
部4が形成してあるので、透光性基板6を光の取り出し
側に向け、化合物半導体発光素子7に形成される電極側
を実装基板1の側に向けたフェースダウン実装にするほ
うが、樹脂部4による発光の制御の効果をより大きく得
ることができるものである。
例を示すものであり、上記のようにスクリーン印刷やド
ット印刷などの印刷手法で樹脂5を印刷して樹脂部4を
形成するにあたって、樹脂部4を形成する基材3として
透光性樹脂で形成した樹脂シート9を用い、樹脂シート
9を実装基板1に貼り付けるようにしてある。
クリーン印刷などの手法で透光性の樹脂シート9に樹脂
5を印刷して、図5(b)のように樹脂シート9の表面
に波長変換物質と光吸収物質の少なくとも一方を含有す
る樹脂部4を形成する。そして実装基板1に適合した大
きさや形状に樹脂シート9を図5(c)のように切断し
た後、発光素子2を実装した実装基板1の実装凹部15
の透明封止樹脂19の表面に樹脂シート9を図5(d)
のように貼ることによって、実装基板1に樹脂部4を形
成するようにしてある。
る樹脂部4を発光素子2からの発光の配光に応じてパタ
ーンニングすることによって、角度によって発光むらが
生じないように制御したり、あるいは角度によって発光
色が異なるように制御したりすることが可能になるもの
である。また樹脂部4は実装基板1や発光素子2とは別
体の透明の樹脂シート9に形成してあるので、樹脂部4
が劣化しても、樹脂シート9を実装基板1に貼り替える
ことによって、樹脂部4のみを交換することができるも
のである。
例を示すものであり、上記のようにスクリーン印刷やド
ット印刷などの印刷手法で樹脂5を印刷して樹脂部4を
形成するにあたって、樹脂部4を形成する基材3として
透光性樹脂で形成した樹脂シート9を用い、樹脂シート
9を化合物半導体ウエハー8に貼り付けるようにしてあ
る。
クリーン印刷などの手法で透光性の樹脂シート9に樹脂
5を印刷して、図6(b)のように樹脂シート9の表面
に波長変換物質と光吸収物質の少なくとも一方を含有す
る樹脂部4を形成する。次に、透光性基板6に化合物半
導体発光素子7を積層して形成される化合物半導体ウエ
ハー8の透光性基板6の上に、樹脂シート9を図6
(c)のように貼り付けることによって、透光性基板6
の表面に樹脂シート9を介して樹脂部4を設ける。あと
は既述の図4の場合と同様に、化合物半導体ウエハー8
を切断して図6(d)のようにチップに分離することに
よって、個々の発光素子2を作製することができるもの
であり、この発光素子2を実装基板1に搭載して実装す
ることによって、図6(e)のような発光装置を作製す
ることができるものである。
の少なくとも一方を含有する樹脂部4は発光素子2の上
に直接形成されるので、発光素子2からの発光は直接樹
脂部4を通過して発光制御されることになり、角度によ
る発光の色むらや強度むらをきわめて小さくすることが
可能になるものである。そして個々の発光素子2は小さ
いので印刷で樹脂部4を形成することは困難であるが、
切断前の化合物半導体ウエハー8は所定の大きさがある
ので、この化合物半導体ウエハー8の大きさに適合する
樹脂シート9には印刷手法によって樹脂部4を容易に形
成することができるものである。また、発光素子2のサ
イズとして数mm程度と比較的大きなサイズに化合物半
導体ウエハー8を切断して作製する場合、発光素子2の
中央部と周辺部とで樹脂部4の厚みや波長変換物質と光
吸収物質の濃度を変化させるようにすれば、角度によっ
て発光色が異なるように制御することも可能になるもの
である。
例を示すものであり、発光素子2を実装した実装基板1
を基材3として樹脂5を印刷することによって、波長変
換物質と光吸収物質の少なくとも一方を含有する樹脂部
4を実装基板1に形成するようにしたものである。
て透明封止樹脂19で封止した実装基板1を用い、まず
図7(a)のように発光素子2を点灯させて発光させ
る。この発光素子2の発光の配光分布をCCDのような
二次元光検出器25などを用いて計測し、コンピュータ
などの情報処理システム26を用いて計測結果を解析す
る。そしてこの解析結果に基づいたパターンで実装基板
1に樹脂部4を印刷するものである。例えば図7(b)
のように、インクジェット印刷装置27のノズル24か
ら波長変換物質と光吸収物質の少なくとも一方を含有す
る樹脂5の帯電させた液滴を噴射し、コンピュータなど
の制御システム28からの指令で制御される電場によっ
て偏向させて実装基板1の表面の必要な箇所に付着させ
ることによって、発光素子2ごとの色むらや光量むらが
最小になるように、樹脂5の印刷厚みを変化させ、発光
素子2の発光の配光に応じて厚みを変化させた樹脂部4
を形成することができるものである。またこのような樹
脂部4の厚みを変化させる他に、含有する波長変換物質
や光吸収物質の種類が異なる複数種の樹脂5を印刷する
ことによって、発光素子2の発光の配光に応じたパター
ンニングで波長変換物質や光吸収物質の種類が異なる複
数種の樹脂部4を形成したり、含有する波長変換物質や
光吸収物質の濃度が異なる複数種の樹脂5を印刷するこ
とによって、発光素子2の発光の配光に応じたパターン
ニングで波長変換物質や光吸収物質の濃度が異なる複数
種の樹脂部4を形成したりすることができるものであ
り、発光素子2ごとの色むらや光量むらが最小になるよ
うにすることができるものである。
2の発光の配光を計測しておき、個々の発光素子2の発
光の配光に応じた樹脂部4を形成することができるの
で、発光の色むらや強度むらを極めて小さくすることが
できると共に、各発光素子2間においても均一性の高い
発光を行なわせることができるものである。
一例を示すものであり、化合物半導体ウエハー8を基材
3として樹脂5を印刷することによって、波長変換物質
と光吸収物質の少なくとも一方を含有する樹脂部4を化
合物半導体ウエハー8に形成するようにしたものであ
る。
に化合物半導体発光素子7を積層して形成される化合物
半導体ウエハー8の化合物半導体発光素子7を発光さ
せ、図8(a)のように、この化合物半導体ウエハー8
の発光をレンズ30を通して分光器や光検知器などの光
検出器31で計測し、コンピュータなどの情報処理シス
テム26を用いて計測結果を解析する。化合物半導体ウ
エハー8を発光させる方法は、特に限定されるものでは
ないが、例えば化合物半導体ウエハー8の化合物半導体
発光素子7の電極にプローブを接触させて、該当する発
光素子2の部分を発光させる方法や、化合物半導体ウエ
ハー8に短波長の光を照射し、化合物半導体発光素子7
をフォトルミネッセンスの手法で発光させる方法などが
ある。
化合物半導体ウエハー8の透光性基板6に樹脂部4を印
刷する。例えば図8(b)のように、インクジェット印
刷装置27のノズル24から波長変換物質と光吸収物質
の少なくとも一方を含有する樹脂5の帯電させた液滴を
噴射し、コンピュータなどの制御システム28からの指
令で制御される電場によって偏向させて実装基板1の表
面の必要な箇所に付着させることによって、化合物半導
体ウエハー8の発光の色むらや光量むらが最小になるよ
うに、樹脂5の印刷厚みを変化させ、化合物半導体ウエ
ハー8の発光特性に応じて厚みを変化させた樹脂部4を
形成することができるものである。またこのような樹脂
部4の厚みを変化させる他に、含有する波長変換物質や
光吸収物質の種類が異なる複数種の樹脂5を印刷するこ
とによって、化合物半導体ウエハー8の発光特性に応じ
たパターンニングで波長変換物質や光吸収物質の種類が
異なる複数種の樹脂部4を形成したり、含有する波長変
換物質や光吸収物質の濃度が異なる複数種の樹脂5を印
刷することによって、化合物半導体ウエハー8の発光特
性に応じたパターンニングで波長変換物質や光吸収物質
の濃度が異なる複数種の樹脂部4を形成したりすること
ができるものであり、化合物半導体ウエハー8の発光の
色むらや光量むらが最小になるようにすることができる
ものである。あとは既述の図4の場合と同様に、化合物
半導体ウエハー8を切断して図8(c)のようにチップ
に分離することによって、個々の発光素子2を作製する
ことができるものであり、この発光素子2を実装基板1
に搭載して実装することによって、図8(d)のような
発光装置を作製することができるものである。
エハー8の発光特性を計測しておき、この発光特性に応
じた樹脂部4を化合物半導体ウエハー8に形成すること
ができるので、化合物半導体ウエハー8を切断して得ら
れる個々の発光素子8の発光の色むらや強度むらを極め
て小さくすることができると共に、各発光素子2間にお
いても均一性の高い発光を行なわせることができるもの
である。
一例を示すものであり、樹脂部4を形成する基材3とし
て透光性樹脂で形成した樹脂シート9を用い、樹脂部4
を形成した樹脂シート9を化合物半導体ウエハー8に貼
り付けるようにしたものである。
に化合物半導体発光素子7を積層して形成される化合物
半導体ウエハー8の化合物半導体発光素子7を発光さ
せ、図9(a)のように、この化合物半導体ウエハー8
の発光をレンズ30を通して分光器や光検知器などの光
検出器31で計測し、コンピュータなどの情報処理シス
テム26を用いて計測結果を解析する。化合物半導体ウ
エハー8を発光させる方法は、特に限定されるものでは
ないが、例えば化合物半導体ウエハー8の化合物半導体
発光素子7の電極にプローブ32を接触させて、該当す
る発光素子2の部分を発光させる方法や、化合物半導体
ウエハー8に短波長の光を照射し、化合物半導体発光素
子7をフォトルミネッセンスの手法で発光させる方法な
どがある。
透明樹脂で形成された樹脂シート9の表面に樹脂部4を
印刷する。例えば図9(b)のように、インクジェット
印刷装置27のノズル24から波長変換物質と光吸収物
質の少なくとも一方を含有する樹脂5の帯電させた液滴
を噴射し、コンピュータなどの制御システム28からの
指令で制御される電場によって偏向させて実装基板1の
表面の必要な箇所に付着させることによって、樹脂5の
印刷厚みを変化させ、化合物半導体ウエハー8の発光特
性に応じて厚みを変化させた樹脂部4を形成することが
できるものである。またこのような樹脂部4の厚みを変
化させる他に、含有する波長変換物質や光吸収物質の種
類が異なる複数種の樹脂5を印刷することによって、化
合物半導体ウエハー8の発光特性に応じたパターンニン
グで波長変換物質や光吸収物質の種類が異なる複数種の
樹脂部4を形成したり、含有する波長変換物質や光吸収
物質の濃度が異なる複数種の樹脂5を印刷することによ
って、化合物半導体ウエハー8の発光特性に応じたパタ
ーンニングで波長変換物質や光吸収物質の濃度が異なる
複数種の樹脂部4を形成したりすることができるもので
ある。
子7を積層して形成される化合物半導体ウエハー8の透
光性基板6の上に、樹脂シート9を図9(c)のように
貼り付けることによって、化合物半導体ウエハー8の透
光性基板6の表面に樹脂シート9を介して樹脂部4を設
けるものであり、化合物半導体ウエハー8の発光の色む
らや光量むらが最小になるように、樹脂部4は設けられ
るものである。あとは既述の図4の場合と同様に、化合
物半導体ウエハー8を切断して図9(d)のようにチッ
プに分離することによって、個々の発光素子2を作製す
ることができるものであり、この発光素子2を実装基板
1に搭載して実装することによって、図9(e)のよう
な発光装置を作製することができるものである。
エハー8の発光特性を計測しておき、この発光特性に応
じた樹脂部4を樹脂シート9に形成し、この樹脂シート
9を化合物半導体ウエハー8に貼り付けることによっ
て、発光特性に応じた樹脂部4を化合物半導体ウエハー
8に形成することができるので、化合物半導体ウエハー
8を切断して得られる個々の発光素子8の発光の色むら
や強度むらを極めて小さくすることができると共に、各
発光素子2間においても均一性の高い発光を行なわせる
ことができるものである。
説明する。
明する。
リウム系の半導体層を形成して作製された青色LEDチ
ップを用い、実装基板1の実装凹部15の底面に発光素
子2を搭載し、実装凹部15に引き込まれている配線と
発光素子2をワイヤーで接続して実装を行なった(図1
において配線とワイヤーの図示は省略)。また実装凹部
15内にエポキシ樹脂を注入して透明封止樹脂19を充
填し、実装基板1の表面を平滑な平面に形成した。
たメタルマスク20を実装基板1の表面に実装凹部15
に合わせて載置した。このストライプパターンは、中央
部の開口が広く、周辺部の開口が狭くなるように形成し
た。そして高粘度のエポキシ樹脂にYAG(イットリウ
ム・アルミネート・ガーネット)系の黄色発光蛍光体を
分散させた樹脂5をマスク20の上に供給し、スキージ
21を用いてスクリーン印刷した(図1(a))。
を硬化させることによって、実装基板1の実装凹部15
の透明封止樹脂19の表面に樹脂部4を形成した(図1
(b))。この樹脂部4は図1(c)のように、実装凹
部15の中心部に対応する部分においてストライプの幅
が広く、周辺部に対応する部分においてストライプの幅
が狭いパターンで形成した。
を形成するようにしたので、樹脂部4の厚みや含有する
蛍光体の濃度が均一になるように、精度良く制御するこ
とができるものであった。そして発光素子2を発光させ
たところ、発光装置の正面方向に照射される光は黄色み
がかかり、斜め方向に照射される光は青みがかかるよう
に制御することができた。この色の制御は複数の発光装
置を作製しても、再現性が良く、制御可能であった。
明する。
光蛍光体を分散させた樹脂5をインクジェット印刷装置
に充填し、実施例1と同様に発光素子2を実装して作製
した実装基板1の実装凹部15の透明封止樹脂19の表
面に、樹脂5をドット印刷した(図2(a))。この樹
脂5を加熱硬化させて形成される樹脂部4は図2(b)
のように、実装凹部15の中心部に対応する部分におい
てドット密度が高く、周辺部に対応する部分においてド
ット密度が低いドットパターンであった。
用いたドット印刷で樹脂部4を形成するようにしたの
で、樹脂部4はその厚みや、含有する蛍光体の濃度が均
一であり、また精度良く制御することができるものであ
った。そして発光素子2を発光させたところ、発光装置
の正面方向に照射される光は黄色みがかかり、斜め方向
に照射される光は青みがかかるように制御することがで
きた。
明する。
い、まず実装凹部15と同じ大きさのパターン孔を形成
したメタルマスク20aを実装基板1の表面に実装凹部
15に合わせて載置した。そして高粘度のエポキシ樹脂
にYAG系の黄色発光蛍光体を分散させた樹脂5をマス
ク20aの上に供給し、スキージ21を用いてスクリー
ン印刷した(図3(a))。マスク20aを除去した後
に、加熱することによって樹脂5を硬化させた。
ターン孔を形成したメタルマスク20bを用い、実装基
板1に印刷した樹脂部4の上にこのマスク20bを合わ
せて載置し、高粘度のエポキシ樹脂にYAG系の黄色発
光蛍光体を分散させた樹脂5をマスク20bの上に供給
し、スキージ21を用いてスクリーン印刷した(図3
(b))。そしてマスク20bを除去し、加熱して樹脂
5を硬化させることによって、実装基板1の実装凹部1
5の透明封止樹脂19の表面に樹脂部4を形成した(図
3(c))。この樹脂部4は、実装凹部15の中心部に
対応する部分において厚みが厚く、周辺部に対応する部
分において厚みが薄いパターンであった。
印刷で樹脂部4を形成するようにしたので、樹脂部4の
厚みを正確に制御して変化させることができ、また含有
する蛍光体の濃度が均一になるように精度良く制御する
ことができるものであった。そして発光素子2を発光さ
せたところ、発光装置の正面方向に照射される光は黄色
みがかかり、斜め方向に照射される光は青みがかかるよ
うに制御することができた。
明する。
リウム系の半導体層からなる化合物半導体発光素子7を
積層して形成した青色LEDの化合物半導体ウエハー8
を用いた。そして個々の発光素子2に切断する前の化合
物半導体ウエハー8の透光性基板6の表面に、高粘度の
エポキシ樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体を分散させた
樹脂5をスクリーン印刷し、樹脂5を加熱硬化させるこ
とによって化合物半導体ウエハー8の透光性基板6の表
面に樹脂部4を形成した(図4(a))。この後、化合
物半導体ウエハー8をチップに切断し、個々の発光素子
2を得た(図4(b))。そしてこの発光素子2を金バ
ンプ23を用いて図4(c)のように配線基板1の実装
凹部15にフェースダウン実装することによって、発光
装置を作製した。
度が均一になるように精度良く制御できるものであり、
また発光装置間での色のばらつきを小さくすることがで
きるものであった。
明する。
い、シリコーン樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体を分散
させた樹脂5を樹脂シート9の表面にスクリーン印刷し
(図5(a))、この樹脂5を加熱硬化させて樹脂部4
を形成した(図5(b))。次に、実施例1と同様に作
製した実装基板1の実装凹部15を覆う大きさにこの樹
脂シート9を切断した(図5(c))。そして実装基板
1の実装凹部15の透明封止樹脂19の表面に、この樹
脂シート9を接着することによって、実装基板1に樹脂
部4を設けた(図5(d))。
部4を形成するので、樹脂部4の厚さや蛍光体濃度が均
一になるように精度良く制御できるものであった。また
樹脂部4は実装基板1と別部材の樹脂シート9に形成さ
れているので、樹脂部4が劣化した際には実装基板1か
ら剥離して新しいものを取り替えることができるもので
あった。
明する。
い、シリコーン樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体を分散
させた樹脂5を樹脂シート9の表面にスクリーン印刷し
(図6(a))、この樹脂5を加熱硬化させて樹脂部4
を形成した(図6(b))。次に、サファイアの透光性
基板6の表面に窒化ガリウム系の半導体層からなる化合
物半導体発光素子7を積層して形成した青色LEDの化
合物半導体ウエハー8を用い、この化合物半導体ウエハ
ー8の透光性基板6の表面に、樹脂部4を形成した樹脂
シート9を接着した(図6(c))。この後、化合物半
導体ウエハー8をチップに切断し、個々の発光素子2を
得た(図6(d))。そしてこの発光素子2を金バンプ
23を用いて図6(e)のように実装基板1の実装凹部
15にフェースダウン実装することによって、発光装置
を作製した。
度が均一になるように精度良く制御できるものであり、
また発光装置間での色のばらつきを小さくすることがで
きるものであった。
明する。
成された実装基板1を用い、発光素子2に通電して発光
させた。そしてこの実装基板1の発光面と正対する位置
にCCD受光素子からなる二次元光検出器25を配置
し、発光素子2からの発光の強度分布などの発光特性を
二次元光検出器25で検出した。二次元光検出器25で
検出された情報は、二次元光検出器25に接続されてい
るコンピュータを中心とした情報処理システム26へと
送られ、解析されるようになっている(図7(a))。
ピュータを中心とした制御システム28に接続されてお
り、低粘度のエポキシ樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体
を分散させた樹脂5がインクジェット印刷装置27に充
填してある。そして先に得られた発光特性情報を基にし
て、制御システム28でインクジェット印刷装置27を
制御しながら樹脂5を実装基板1にドット印刷し、さら
にこの樹脂5を加熱硬化させることによって、発光素子
2からの発光の色むらや光量むらが最小になるように樹
脂部4を形成した(図7(b))。
度が均一になるように精度良く制御を行なうことがで
き、色ばらつき、発光強度ばらつきが極めて小さい発光
装置を得ることができた。
明する。
リウム系の半導体層からなる化合物半導体発光素子7を
積層して形成した青色LEDの化合物半導体ウエハー8
を用い、化合物半導体ウエハー8に正対する位置に、レ
ーザー光源と分光器と光検知器などからなる光検出器3
1を設置した。そしてレーザー光源から発する光は窒化
ガリウム系の化合物半導体発光素子7を励起してフォト
ルミネッセンスを起す波長とし、化合物半導体ウエハー
8を発光させた。このようにレーザー照射によって化合
物半導体ウエハー8の微小部位から発したフォトルミネ
ッセンス光を光検出器31で検出した。光検出器31で
検出された化合物半導体ウエハー8上の各部位ごとの発
光特性情報は、光検出器31に接続されているコンピュ
ータを中心とした情報処理システム26へと送られ、解
析されるようになっている(図8(a))。
ピュータを中心とした制御システム28に接続されてお
り、低粘度のエポキシ樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体
を分散させた樹脂5がインクジェット印刷装置27に充
填してある。そして先に得られた発光特性情報を基にし
て、制御システム28でインクジェット印刷装置27を
制御しながら樹脂5を化合物半導体ウエハー8の透光性
基板6にドット印刷し、さらにこの樹脂5を加熱硬化さ
せることによって、発光の色むらや光量むらが最小にな
るように樹脂部4を形成した(図8(b))。
に切断し、個々の発光素子2を得た(図8(c))。そ
してこの発光素子2を金バンプ23を用いて図8(d)
のように実装基板1の実装凹部15にフェースダウン実
装することによって、発光装置を作製した。
度が均一になるように精度良く制御できるものであり、
また色ばらつき、発光強度ばらつきが極めて小さい発光
装置を得ることができた。
明する。
リウム系の半導体層からなる化合物半導体発光素子7を
積層して形成した青色LEDの化合物半導体ウエハー8
を用い、化合物半導体ウエハー8に正対する位置に、分
光器と光検知器などからなる光検出器31を設置した。
そしてプローブ32によって化合物半導体ウエハー8の
各部位を順次点灯させて発光させた。このように化合物
半導体ウエハー8の各部位から発した光を光検出器31
で検出した。光検出器31で検出された化合物半導体ウ
エハー8上の各部位ごとの発光特性情報は、光検出器3
1に接続されているコンピュータを中心とした情報処理
システム26へと送られ、解析されるようになっている
(図9(a))。
ピュータを中心とした制御システム28に接続されてお
り、低粘度のエポキシ樹脂にYAG系の黄色発光蛍光体
を分散させた樹脂5がインクジェット印刷装置27に充
填してある。そして先に得られた発光特性情報を基にし
て、制御システム28でインクジェット印刷装置27を
制御しながら樹脂5をシリコーン樹脂の透明樹脂シート
9の上にドット印刷し、さらにこの樹脂5を加熱硬化さ
せることによって、発光の色むらや光量むらが最小にな
るように樹脂部4を形成した(図9(b))。
光性基板6の表面に、化合物半導体ウエハー8の発光部
位と樹脂部4との対応位置関係がずれないように、樹脂
シート9を接着した(図9(c))。この後、化合物半
導体ウエハー8をチップに切断し、個々の発光素子2を
得た(図9(d))。そしてこの発光素子2を金バンプ
23を用いて図9(e)のように実装基板1の実装凹部
15にフェースダウン実装することによって、発光装置
を作製した。
度が均一になるように精度良く制御できるものであり、
また色ばらつき、発光強度ばらつきが極めて小さい発光
装置を得ることができた。
光装置の製造方法は、実装基板に搭載された発光素子
と、発光素子の発光によって励起され励起波長と異なる
波長の光を放射する波長変換物質及び、発光素子の発光
あるいは波長変換物質の発光の一部を吸収する光吸収物
質のうち少なくとも一方を含む樹脂部とを備えた発光装
置において、発光装置の少なくとも一部を形成する基材
に印刷手法を用いて樹脂を印刷することによって、樹脂
部を基材の必要箇所に形成するようにしたので、樹脂部
を印刷手法で形成することによって、樹脂部の厚みを均
一にまた薄く形成することができるものであり、樹脂部
への波長変換物質や光吸収物質の充填量のばらつきを小
さくすることができると共に沈降を少なくすることがで
き、発光のばらつきや色むらを小さくすることができる
ものである。
手法を用いて樹脂を塗布することによって、樹脂部を基
材の必要箇所に形成するようにしたので、樹脂部の厚み
が均一になるように印刷することができ、また微細なパ
ターンで樹脂部を形成することが可能になり、発光のば
らつきや色むらをより小さくすることができるものであ
る。
を用いて樹脂を滴下することによって、樹脂部を基材の
必要箇所に形成するようにしたので、樹脂部の厚みが均
一になるように印刷することができ、またドット密度を
制御して樹脂部を形成することができるものであり、発
光のばらつきや色むらをより小さくすることができるも
のである。
用いて、樹脂の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸
収物質の種類が異なる樹脂、含有する波長変換物質や光
吸収物質の濃度が異なる樹脂の少なくとも一つを変化さ
せて樹脂の印刷を行なうようにしたので、発光素子の発
光の配光等に応じて樹脂の印刷を変化させて樹脂部を形
成することができ、発光のばらつきや色むらを小さくす
ることができるものである。
た実装基板を基材とし、実装基板に樹脂を印刷して樹脂
部を形成するようにしたので、実装基板に形成した樹脂
部によって、発光のばらつきや色むらを小さくすること
ができるものである。
物半導体発光素子を積層して形成される化合物半導体ウ
エハーを基材とし、化合物半導体ウエハーの透光性基板
に樹脂を印刷して樹脂部を形成した後、化合物半導体ウ
エハーを切断して個々の発光素子を形成するチップに分
離し、この発光素子を実装基板に搭載するようにしたの
で、樹脂部を発光素子に直接形成することができ、発光
素子からの発光を直接樹脂部で制御して角度による発光
の色むらや強度むらをきわめて小さくすることができる
ものである。そして個々の発光素子は小さいので印刷で
樹脂部を形成することは困難であるが、切断前の化合物
半導体ウエハーは所定の大きさがあるために印刷手法に
よって樹脂部を容易に形成することができるものであ
る。
される樹脂シートを基材とし、樹脂シートに樹脂を印刷
して樹脂部を形成した後、樹脂シートを実装基板に固定
するようにしたので、樹脂部は実装基板と別部材の樹脂
シートに形成されているものであり、樹脂部が劣化した
際には実装基板から樹脂シートを剥離して新しいものに
取り替えることができるものである。
される樹脂シートを基材とし、樹脂シートに樹脂を印刷
して樹脂部を形成した後、透光性基板に化合物半導体発
光素子を積層して形成される化合物半導体ウエハーの透
光性基板にこの樹脂シートを接着し、次いで化合物半導
体ウエハーを切断して個々の発光素子を形成するチップ
に分離した後、この発光素子を実装基板に搭載するよう
にしたので、樹脂部を発光素子に直接形成して角度によ
る発光の色むらや強度むらをきわめて小さくすることが
できると共に、樹脂部が劣化した際には樹脂シートを剥
離して新しいものに取り替えることができるものであ
る。
た発光素子の配向分布を計測し、この計測結果に基づい
て、発光素子ごとの色むらや光量むらが最小になるよう
に、樹脂の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物
質の種類が異なる樹脂、含有する波長変換物質や光吸収
物質の濃度が異なる樹脂の少なくとも一つを変化させる
制御をしながら実装基板に樹脂を印刷して、樹脂部を形
成するようにしたので、発光素子の発光の配光に応じた
樹脂部を形成することができ、発光の色むらや強度むら
を極めて小さくすることができると共に、各発光素子間
においても均一性の高い発光を行なわせることができる
ものである。
合物半導体発光素子を積層して形成される化合物半導体
ウエハーの化合物半導体発光素子の微小領域毎の発光を
計測し、この計測結果に基づいて、化合物半導体ウエハ
ーを切断して得られる発光素子ごとの色むらや光量むら
が最小になるように、樹脂の印刷厚み、含有する波長変
換物質や光吸収物質の種類が異なる樹脂、含有する波長
変換物質や光吸収物質の濃度が異なる樹脂の少なくとも
一つを変化させる制御をしながら化合物半導体ウエハー
の透光性基板に樹脂を印刷して、樹脂部を形成するよう
にしたので、化合物半導体ウエハーの発光特性に応じた
樹脂部を形成することができ、発光の色むらや強度むら
を極めて小さくすることができると共に、各発光素子間
においても均一性の高い発光を行なわせることができる
ものである。
合物半導体発光素子を積層して形成される化合物半導体
ウエハーの化合物半導体発光素子の微小領域毎の発光を
計測し、この計測結果に基づいて、化合物半導体ウエハ
ーを切断して得られる発光素子ごとの色むらや光量むら
が最小になるように、樹脂の印刷厚み、含有する波長変
換物質や光吸収物質の種類が異なる樹脂、含有する波長
変換物質や光吸収物質の濃度が異なる樹脂の少なくとも
一つを変化させる制御をしながら樹脂シートに樹脂を印
刷して樹脂部を形成し、化合物半導体ウエハーの透光性
基板にこの樹脂シートを接着するようにしたので、化合
物半導体ウエハーの発光特性に応じた樹脂部を形成する
ことができ、発光の色むらや強度むらを極めて小さくす
ることができると共に、各発光素子間においても均一性
の高い発光を行なわせることができるものである。
(a),(b)はそれぞれ断面図、(c)は平面図であ
る。
(a)は断面図、(b)は平面図である。
(a),(b),(c)はそれぞれ断面図である。
(a),(b),(c)はそれぞれ断面図である。
(a),(b),(c),(d)はそれぞれ断面図であ
る。
(a),(b),(c),(d),(e)はそれぞれ断
面図である。
(a),(b)はそれぞれ断面図である。
(a),(b),(c),(d)はそれぞれ断面図であ
る。
(a),(b),(c),(d),(e)はそれぞれ断
面図である。
それぞれ断面図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 実装基板に搭載された発光素子と、発光
素子の発光によって励起され励起波長と異なる波長の光
を放射する波長変換物質及び、発光素子の発光あるいは
波長変換物質の発光の一部を吸収する光吸収物質のうち
少なくとも一方を含む樹脂部とを備えた発光装置におい
て、発光装置の少なくとも一部を形成する基材に印刷手
法を用いて樹脂を印刷することによって、樹脂部を基材
の必要箇所に形成することを特徴とする発光装置の製造
方法。 - 【請求項2】 スクリーン印刷の手法を用いて樹脂を塗
布することによって、樹脂部を基材の必要箇所に形成す
ることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方
法。 - 【請求項3】 ドット印刷の手法を用いて樹脂を滴下す
ることによって、樹脂部を基材の必要箇所に形成するこ
とを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 【請求項4】 多色印刷の手法を用いて、樹脂の印刷厚
み、含有する波長変換物質や光吸収物質の種類が異なる
樹脂、含有する波長変換物質や光吸収物質の濃度が異な
る樹脂の少なくとも一つを変化させて樹脂の印刷を行な
うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の
発光装置の製造方法。 - 【請求項5】 発光素子を搭載した実装基板を基材と
し、実装基板に樹脂を印刷して樹脂部を形成することを
特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置
の製造方法。 - 【請求項6】 透光性基板に化合物半導体発光素子を積
層して形成される化合物半導体ウエハーを基材とし、化
合物半導体ウエハーの透光性基板に樹脂を印刷して樹脂
部を形成した後、化合物半導体ウエハーを切断して個々
の発光素子を形成するチップに分離し、この発光素子を
実装基板に搭載することを特徴とする請求項1乃至4の
いずれかに記載の発光装置の製造方法。 - 【請求項7】 透光性樹脂で形成される樹脂シートを基
材とし、樹脂シートに樹脂を印刷して樹脂部を形成した
後、樹脂シートを実装基板に固定することを特徴とする
請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置の製造方
法。 - 【請求項8】 透光性樹脂で形成される樹脂シートを基
材とし、樹脂シートに樹脂を印刷して樹脂部を形成した
後、透光性基板に化合物半導体発光素子を積層して形成
される化合物半導体ウエハーの透光性基板にこの樹脂シ
ートを接着し、次いで化合物半導体ウエハーを切断して
個々の発光素子を形成するチップに分離した後、この発
光素子を実装基板に搭載することを特徴とする請求項1
乃至4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 - 【請求項9】 実装基板に搭載した発光素子の配向分布
を計測し、この計測結果に基づいて、発光素子ごとの色
むらや光量むらが最小になるように、樹脂の印刷厚み、
含有する波長変換物質や光吸収物質の種類が異なる樹
脂、含有する波長変換物質や光吸収物質の濃度が異なる
樹脂の少なくとも一つを変化させる制御をしながら実装
基板に樹脂を印刷して、樹脂部を形成することを特徴と
する請求項5に記載の発光装置の製造方法。 - 【請求項10】 透光性基板に化合物半導体発光素子を
積層して形成される化合物半導体ウエハーの化合物半導
体発光素子の微小領域毎の発光を計測し、この計測結果
に基づいて、化合物半導体ウエハーを切断して得られる
発光素子ごとの色むらや光量むらが最小になるように、
樹脂の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物質の
種類が異なる樹脂、含有する波長変換物質や光吸収物質
の濃度が異なる樹脂の少なくとも一つを変化させる制御
をしながら化合物半導体ウエハーの透光性基板に樹脂を
印刷して、樹脂部を形成することを特徴とする請求項6
に記載の発光装置の製造方法。 - 【請求項11】 透光性基板に化合物半導体発光素子を
積層して形成される化合物半導体ウエハーの化合物半導
体発光素子の微小領域毎の発光を計測し、この計測結果
に基づいて、化合物半導体ウエハーを切断して得られる
発光素子ごとの色むらや光量むらが最小になるように、
樹脂の印刷厚み、含有する波長変換物質や光吸収物質の
種類が異なる樹脂、含有する波長変換物質や光吸収物質
の濃度が異なる樹脂の少なくとも一つを変化させる制御
をしながら樹脂シートに樹脂を印刷して樹脂部を形成
し、化合物半導体ウエハーの透光性基板にこの樹脂シー
トを接着することを特徴とする請求項8に記載の発光装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001226697A JP4122738B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001226697A JP4122738B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003046134A true JP2003046134A (ja) | 2003-02-14 |
JP4122738B2 JP4122738B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=19059472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001226697A Expired - Lifetime JP4122738B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4122738B2 (ja) |
Cited By (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003075366A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Rohm Co., Ltd | Packaged light emitting device |
JP2004349647A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2005504655A (ja) * | 2001-10-04 | 2005-02-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | インクジェット印刷 |
JP2005093681A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2005053041A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 |
JP2005166734A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2005166733A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2005244076A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2006032726A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Kyocera Corp | 発光装置 |
JP2006179684A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2006222297A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 白色発光装置 |
JP2006237264A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
JP2006303140A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法 |
JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
JP2006352036A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 白色半導体発光素子 |
JP2007088277A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007088273A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007116107A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP2007184615A (ja) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Mediana Electronic Co Ltd | 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子 |
JP2007531317A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
CN100416874C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-03 | 松下电工株式会社 | 采用发光二极管芯片的发光器件 |
JP2008218485A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP2008541412A (ja) * | 2005-05-12 | 2008-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 蛍光体層形成装置及びこれを用いた蛍光体層形成方法 |
JP2008288410A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2009021599A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Cree Inc | 白色変換のためのledチップの設計 |
US7498734B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-03-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device with wavelength converted by phosphor |
WO2009028807A2 (en) | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device package and method for fabricating the same |
JP2009517857A (ja) * | 2005-11-24 | 2009-04-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固体のフルオレッセント材料を有するディスプレイ装置 |
JP2009123803A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
US7750551B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-07-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2010171465A (ja) * | 2005-09-22 | 2010-08-05 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP2010226110A (ja) * | 2009-03-20 | 2010-10-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法 |
WO2011010237A1 (en) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reduced color over angle variation leds |
WO2011015959A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer |
JP2011066460A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-03-31 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2011527117A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 蛍光体層を有する発光素子 |
JP2012502449A (ja) * | 2008-06-30 | 2012-01-26 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 透明熱伝導層を有する発光素子 |
JP2012094926A (ja) * | 2008-07-21 | 2012-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2012169371A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
CN102683558A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置的晶片和用于制造半导体发光装置的方法 |
CN102683557A (zh) * | 2011-03-15 | 2012-09-19 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置及其制备方法 |
JP2013038136A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Sharp Corp | 発光装置および表示装置 |
JP2013065726A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2014093419A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法、発光装置 |
JP2014099650A (ja) * | 2014-02-03 | 2014-05-29 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
CN103872225A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-06-18 | 盐城工学院 | 一种带微镜结构的led照明用发光薄膜及其制备方法 |
JP2014132686A (ja) * | 2014-03-18 | 2014-07-17 | Toshiba Corp | 基板加工システム、および基板加工プログラム |
KR101473057B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2014-12-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2015008329A (ja) * | 2014-09-09 | 2015-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
EP2541631A4 (en) * | 2010-02-25 | 2015-03-18 | Lightizer Korea Co Ltd | LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE |
WO2015098258A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2015149469A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バックライトアセンブリ |
WO2015133045A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 照明器具 |
US9175818B2 (en) | 2009-02-13 | 2015-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and method for manufacturing same |
US9303976B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing system and substrate processing program |
JP2016071271A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | コニカミノルタ株式会社 | 照明用発光装置および画像読取装置 |
JP2016085329A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2016171201A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明装置 |
WO2016166007A1 (de) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Osram Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
WO2016166005A1 (de) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Osram Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
JP2017025167A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 発光体、光源装置および照明装置 |
KR101734549B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2017-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
WO2018036769A1 (de) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und scheinwerfer mit einem optoelektronischen halbleiterchip |
JP2019102796A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019125681A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US11015768B2 (en) | 2018-04-06 | 2021-05-25 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light source device |
EP2543060B1 (en) * | 2010-03-03 | 2021-06-16 | CreeLED, Inc. | Methods for application of optical materials to optical elements |
CN118507607A (zh) * | 2024-07-16 | 2024-08-16 | 江西省兆驰光电有限公司 | 一种荧光胶膜及其制备方法和应用 |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001226697A patent/JP4122738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005504655A (ja) * | 2001-10-04 | 2005-02-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | インクジェット印刷 |
WO2003075366A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Rohm Co., Ltd | Packaged light emitting device |
JP2004349647A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US7498734B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-03-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device with wavelength converted by phosphor |
JP2005093681A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2005053041A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 |
US7717589B2 (en) | 2003-11-25 | 2010-05-18 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device using light emitting diode chip |
CN100416874C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-03 | 松下电工株式会社 | 采用发光二极管芯片的发光器件 |
JP2005166733A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2005166734A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2005244076A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007531317A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法 |
JP4546176B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP2006032726A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Kyocera Corp | 発光装置 |
JP2006179684A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2006222297A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 白色発光装置 |
JP4591106B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-12-01 | パナソニック電工株式会社 | 白色発光装置 |
JP2006237264A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
JP2006303140A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法 |
JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
JP4692059B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-06-01 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2008541412A (ja) * | 2005-05-12 | 2008-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 蛍光体層形成装置及びこれを用いた蛍光体層形成方法 |
JP2006352036A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 白色半導体発光素子 |
JP2007116107A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP2007088273A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007088277A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010171465A (ja) * | 2005-09-22 | 2010-08-05 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
US7750551B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-07-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2009517857A (ja) * | 2005-11-24 | 2009-04-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固体のフルオレッセント材料を有するディスプレイ装置 |
US8748902B2 (en) | 2006-01-09 | 2014-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths |
US7965036B2 (en) | 2006-01-09 | 2011-06-21 | Samsung Co., Ltd. | Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths |
JP2007184615A (ja) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Mediana Electronic Co Ltd | 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
JP2008218485A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP2008288410A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2009021599A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Cree Inc | 白色変換のためのledチップの設計 |
EP2188848A4 (en) * | 2007-08-27 | 2015-04-15 | Lg Innotek Co Ltd | LUMINAIRE ELEMENT CAPSULATION AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP2010538450A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-12-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びその製造方法 |
KR101383357B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2014-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8624280B2 (en) | 2007-08-27 | 2014-01-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method for fabricating the same |
EP2188848A2 (en) * | 2007-08-27 | 2010-05-26 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method for fabricating the same |
WO2009028807A2 (en) | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device package and method for fabricating the same |
JP2009123803A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2011527117A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 蛍光体層を有する発光素子 |
JP2012502449A (ja) * | 2008-06-30 | 2012-01-26 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 透明熱伝導層を有する発光素子 |
JP2012094926A (ja) * | 2008-07-21 | 2012-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
US9680064B2 (en) | 2008-07-21 | 2017-06-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode and method of manufacturing the same, and light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
US9175818B2 (en) | 2009-02-13 | 2015-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and method for manufacturing same |
EP2230700A3 (en) * | 2009-03-20 | 2014-01-01 | Everlight Electronics Co. Ltd. | Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof |
JP2010226110A (ja) * | 2009-03-20 | 2010-10-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法 |
JP2014158054A (ja) * | 2009-07-22 | 2014-08-28 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
US8803171B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-08-12 | Koninklijke Philips N.V. | Reduced color over angle variation LEDs |
KR101704087B1 (ko) * | 2009-07-22 | 2017-02-08 | 루미레즈 엘엘씨 | 각도에 따른 색 변화가 감소된 led |
WO2011010237A1 (en) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reduced color over angle variation leds |
KR20120037020A (ko) * | 2009-07-22 | 2012-04-18 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 각도에 따른 색 변화가 감소된 led |
WO2011015959A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer |
CN102473820A (zh) * | 2009-08-07 | 2012-05-23 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 具有硅树脂层和层叠远程磷光体层的led |
EP2541631A4 (en) * | 2010-02-25 | 2015-03-18 | Lightizer Korea Co Ltd | LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE |
EP2543060B1 (en) * | 2010-03-03 | 2021-06-16 | CreeLED, Inc. | Methods for application of optical materials to optical elements |
KR101734549B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2017-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2011066460A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-03-31 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2012169371A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
KR101361435B1 (ko) * | 2011-03-15 | 2014-02-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP2012195356A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
CN102683557A (zh) * | 2011-03-15 | 2012-09-19 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置及其制备方法 |
CN102683557B (zh) * | 2011-03-15 | 2015-10-28 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置及其制备方法 |
US9099619B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
CN102683558A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置的晶片和用于制造半导体发光装置的方法 |
JP2012195425A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置ウェーハおよび半導体発光装置の製造方法 |
US9303976B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing system and substrate processing program |
JP2013038136A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Sharp Corp | 発光装置および表示装置 |
US9257416B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
JP2013065726A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US8987762B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same |
KR101473057B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2014-12-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
EP2575185A3 (en) * | 2011-09-30 | 2015-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same |
JP2014093419A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法、発光装置 |
WO2015098258A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JPWO2015098258A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-03-23 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2014099650A (ja) * | 2014-02-03 | 2014-05-29 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US10353223B2 (en) | 2014-02-05 | 2019-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Backlight assembly and display device including the same |
JP2015149469A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バックライトアセンブリ |
WO2015133045A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 照明器具 |
JP2014132686A (ja) * | 2014-03-18 | 2014-07-17 | Toshiba Corp | 基板加工システム、および基板加工プログラム |
CN103872225A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-06-18 | 盐城工学院 | 一种带微镜结构的led照明用发光薄膜及其制备方法 |
JP2015008329A (ja) * | 2014-09-09 | 2015-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2016071271A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | コニカミノルタ株式会社 | 照明用発光装置および画像読取装置 |
JP2016085329A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
US10578922B2 (en) | 2014-10-24 | 2020-03-03 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
JP2016171201A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明装置 |
WO2016166005A1 (de) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Osram Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
WO2016166007A1 (de) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Osram Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
JP2017025167A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 発光体、光源装置および照明装置 |
WO2018036769A1 (de) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und scheinwerfer mit einem optoelektronischen halbleiterchip |
US11670742B2 (en) | 2016-08-22 | 2023-06-06 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip, method for producing an optoelectronic semiconductor chip and headlight comprising an optoelectronic semiconductor chip |
JP2019102796A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019125681A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP7007923B2 (ja) | 2018-01-16 | 2022-01-25 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US11015768B2 (en) | 2018-04-06 | 2021-05-25 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light source device |
US11774049B2 (en) | 2018-04-06 | 2023-10-03 | Nichia Corporation | Light source device |
CN118507607A (zh) * | 2024-07-16 | 2024-08-16 | 江西省兆驰光电有限公司 | 一种荧光胶膜及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4122738B2 (ja) | 2008-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4122738B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US7855501B2 (en) | LED with phosphor layer having different thickness or different phosphor concentration | |
US9425364B2 (en) | Method for the production of white LEDs and white LED light source | |
US9175818B2 (en) | Light-emitting apparatus and method for manufacturing same | |
JP4122739B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP4123057B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN102047456B (zh) | 发射调谐方法和利用方法制造的器件 | |
US7876036B2 (en) | Light emitting apparatus and manufacturing method therefor | |
EP2469615A2 (en) | Method of applying phosphor to semiconductor light-emitting device | |
KR20070012501A (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
JP2009260244A (ja) | 発光装置及びその製造方法、並びに発光装置の製造装置 | |
JP2003046133A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2004304161A (ja) | 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法 | |
JP2008288410A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US11276807B2 (en) | Light-emitting device manufacturing method including filling conductive material in groove structure formed by irradiating with laser light | |
JP2012094578A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2005311395A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2002064112A (ja) | 光電子部品の製造方法 | |
JP2001135861A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
CN212840799U (zh) | 发光装置 | |
JP7393617B2 (ja) | 発光装置、及びその製造方法 | |
JP2022008965A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US20240038957A1 (en) | Wiring substrate, light-emitting device, and manufacturing methods thereof | |
KR100940049B1 (ko) | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자의제조방법 | |
KR100788744B1 (ko) | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080421 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4122738 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |