KR101361435B1 - 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시 형태에 따르면, 반도체 발광 장치는 발광부와 파장 변환부를 포함한다. 발광부는 광을 방출하도록 구성된다. 파장 변환부는 발광부의 한쪽의 주면측에 구비된다. 파장 변환부는 형광체를 함유한다. 파장 변환부는 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포에 기초한 형광체의 양의 분포를 갖는다.

Description

반도체 발광 장치 및 그 제조 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 2011년 3월 15일자로 출원된 일본 공개 특허 제2011-056613호에 기초하여 그 우선권을 주장하고, 그 전체 내용은 참조로서 본원에 원용된다.
본원에서 설명되는 실시 형태는 전체적으로 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광 장치는 반도체 발광 소자(이하, 간단히 발광 소자라 칭함)와 형광체에 기초할 수 있다. 반도체 발광 장치로서는, 예를 들면 청색광을 방출하는 발광 소자(예를 들면, 청색 LED(light emitting diode))와, 청색과 보색 관계에 있는 황색광을 방출하는 형광체를 조합해서 백색광을 얻도록 한 것이 알려져 있다.
이러한 반도체 발광 장치는 케이싱 내에 발광 소자를 구비한 후, 형광체를 섞은 페이스트 형상의 수지를 발광 소자 위로 적하(dropping)함으로써 제조할 수 있다.
이 경우, 형광체를, 그 양이 소정의 비율(농도)을 차지하도록 수지에 배합한다. 그러나, 형광체의 양의 비율을 일정하게 하면, 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장의 변동에 의해 색도의 변동이 증가한다는 문제가 있다.
일반적으로, 일 실시 형태에 따르면, 반도체 발광 장치는 발광부와 파장 변환부를 포함한다. 발광부는 광을 방출하도록 구성된다. 파장 변환부는 발광부의 한쪽의 주면 측에 구비된다. 파장 변환부는 형광체를 함유한다. 파장 변환부는 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포에 기초한 형광체의 양의 분포를 갖는다.
도 1의 (a) 및 (b)는 제1 실시 형태에 따른 반도체 발광 장치를 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 기판 상에 형성된 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포를 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3의 (a) 및 (b)는 파장과 색도 사이의 관계를 도시하기 위한 개략적인 그래프이다.
도 4는 대안적인 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5의 (a) 및 (b)도 대안적인 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6도 대안적인 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7의 (a) 내지 도 8의 (d)는 제2 실시 형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법을 도시하기 위한 개략적인 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시 형태에 대해서 설명한다. 도면에서, 마찬가지인 구성 요소에는 유사한 참조 부호를 붙여서 상세한 설명은 적절히 생략한다.
이하에서는, 일례로서, 복수의 발광부를 포함하는 반도체 발광 장치(소위, 멀티칩형의 반도체 발광 장치)에 대해서 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 1의 (a) 및 (b)는 제1 실시 형태에 따른 반도체 발광 장치를 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1)는 발광부(2), 전극부 (3), 전극부(4), 접합부(5), 절연부(6), 밀봉부(7) 및 파장 변환부(8)를 포함한다.
도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1a)는 발광부(2)마다 파장 변환부의 주변을 둘러싸는 벽부(9)를 더 포함한다.
발광부(2)는 주면 M1과, 주면 M1의 반대면인 주면 M2를 포함한다. 발광부(2)는 복수개 구비된다.
광을 방출하는 발광부(2)는 반도체부(2a), 활성부(2b) 및 반도체부(2c)를 포함한다.
반도체부(2a)는 n형의 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 질화물 반도체의 예시는, 예를 들면, GaN(질화 갈륨), AlN(질화 알루미늄), AlGaN(질화 알루미늄 갈륨) 및 InGaN(질화 인듐 갈륨) 등을 포함할 수 있다.
활성부(2b)는 반도체부(2a)와 반도체부(2c) 사이에 구비되어 있다.
활성부(2b)는 정공 및 전자가 재결합해서 광을 발생하는 웰층과, 웰층보다 큰 밴드갭을 갖는 장벽층(클래드층)으로 구성된 양자웰 구조로 구성될 수 있다.
양자웰 구조는 단일 양자웰(SQW)나 다중 양자웰(MQW) 구조일 수 있다. 또한, 복수의 단일 양자웰을 적층할 수도 있다.
예시로서, 양자웰 구조는 InGaN으로 형성된 웰층과, GaN으로 형성된 장벽층을 포함할 수 있다.
이 경우, 예를 들면, InGaN/GaN 등의 다중 양자웰 구조를 이용하여 청색광을 방출할 수 있다. GaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN 또는 InGaN/AlGaN 등의 다중 양자웰 구조를 이용하여 자외선을 방출할 수 있다.
단, 활성부(2b)의 구성은 양자웰 구조에 한정되는 것은 아니다. 발광 가능한 구조를 적절히 선택할 수 있다.
반도체부(2c)는 p형의 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 질화물 반도체의 예시는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN를 포함할 수 있다.
발광부(2)는, 예를 들면 피크의 발광 파장이 350nm 내지 600nm인 발광 다이오드일 수 있다.
전극부(3) 및 전극부(4)는 오목부(7a)의 저면과 밀봉부(7)의 단부면 사이를 관통하도록 구비되어 있다. 전극부(3) 및 전극부(4)는, 예를 들면, 원주 형상(cylindrical column)일 수 있으며, Cu(구리) 등의 금속 재료로 형성될 수 있다.
전극부(3)의 한쪽의 단부는 접합부(5)과 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 접합부(5)를 통해 전극부(3)과 반도체부(2a)가 전기적으로 접속되어 있다.
전극부(4)의 한쪽의 단부는 반도체부(2c)와 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 예를 들면 전극부(3) 및 전극부(4)의 밀봉부(7)로부터 노출되는 측의 단부면을 커버하도록 도시하지 않은 솔더 범프나 보호막 등을 구비할 수 있다.
전극부(3) 및 전극부(4)의 형상, 재질 등은 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경할 수 있다.
접합부(5)는 전극부(3)과 반도체부(2a) 사이에 구비되어 있다. 접합부(5)는, Cu(구리) 등의 금속으로 형성될 수 있다. 접합부(5)는 반드시 필요한 것을 아니지만, 필요에 따라서 적절히 구비될 수 있다.
절연부(6)는 밀봉부(7)에 구비된 오목부(7a)를 매립(fill)하도록 구비되어 있다. 절연부(6)는 절연 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연부(6)는 SiO2 등의 무기 재료나, 수지 등으로부터 형성될 수 있다.
여기에서, 발광부(2)로부터 방출되는 광이 파장이 짧은 자외 내지 청색의 광이며, 또한 휘도가 높을 경우에는, 절연부(6)를 형성하는 수지가 열화될 수 있다. 그 때문에, 절연부(6)를 수지로 형성할 경우에는, 청색광 등에 의한 열화에 강한 수지를 이용하도록 하는 것이 바람직하다. 청색광 등에 의한 열화가 생기기 어려운 수지의 예시는 굴절률이 1.5 정도인 메틸페닐실리콘(Methyl Phenyl Silicone), 디메틸 실리콘(Dimethyl Silicone)을 포함할 수 있다.
밀봉부(7)는 발광부(2)의 주면 M2측에 구비되어 있다. 밀봉부(7)는 전극부(3)의 단부와 전극부(4)의 단부를 노출시키면서 전극부(3) 및 전극부(4)를 밀봉한다.
밀봉부(7)는, 예를 들면 열경화성 수지로 형성될 수 있다.
밀봉부(7)는 오목부(7a)를 포함하고, 오목부(7a) 내부에 구비된 발광부(2) 및 접합부(5)를 밀봉하는 기능도 한다. 여기에서, 밀봉부(7)와 절연부(6)를 일체적으로 형성할 수 있다.
파장 변환부(8)는 발광부(2)의 주면 M1측에 구비되고, 후술하는 형광체를 함유한다. 파장 변환부(8)는 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초한 형광체의 양의 분포를 갖는다. 형광체의 양의 분포에 관한 상세 내용은 후술한다.
파장 변환부(8)는 파장 변환 가능한 형광체가 혼합된 수지 등으로 형성될 수 있다.
파장 변환부(8)의 광투과율은, 예를 들면, 420nm 내지 720nm의 파장 영역에서 90% 이상이도록 설정될 수 있다.
형광체의 형태는, 예를 들면 입자 형상일 수 있다. 이 경우, 입자 형상의 형광체를 적어도 1개 이상 포함할 수 있다.
파장 변환부(8)는, 440nm 이상 470nm이하(청색), 500nm 이상 555nm 이하(녹색), 560nm이상 580nm 이하(황색), 600nm이상 670nm 이하(적색)에서 피크 발광 파장을 갖는 형광체를 적어도 1종 이상 포함할 수 있다. 파장 변환부(8)는 발광 파장의 대역이 380nm 내지 720nm인 형광체를 포함할 수 있다.
형광체는 규소(Si), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 인(P), 붕소(B), 이트륨(Y), 알칼리토류 원소, 황화물 원소, 희토류 원소 및 질화물 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함할 수 있다.
적색의 형광을 방출하는 형광체의 재료의 예시는 이하의 것을 포함한다. 단, 적색의 형광을 방출하는 형광체는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
La2O2S:Eu,Sm,
LaSi3N5:Eu2 +,
α-sialon:Eu2 +,
CaAlSiN3 :Eu2 +,
(SrCa)AlSiN3:EuX +,
Srx(SiyAl3)z(OxN):EuX +
녹색의 형광을 방출하는 형광체의 재료의 예시는 이하의 것을 포함한다. 단, 녹색의 형광을 발하는 형광체는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
(Ba,Sr,Mg)O·aAl2O3:Mn,
(BrSr)SiO4:Eu,
α-sialon:Yb2 +,
β-sialon:Eu2 +,
(CaSr)Si2O4N7:Eu2 +,
Sr(SiAl)(ON):Ce
청색의 형광을 방출하는 형광체의 재료의 예시는 이하의 것을 포함한다. 단, 청색의 형광을 발하는 형광체는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl,
(Ba,Eu)MgAl10017,
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al10017,
10(Sr,Ca,Ba,Eu)·6PO4·Cl2,
BaMg2Al16O25:Eu,
Y3(Al,Ga)5O12:Ce,
SrSi2ON2 .7:Eu2 +
황색의 형광을 방출하는 형광체의 재료의 예시는 이하의 것을 포함한다. 단, 황색의 형광을 발하는 형광체는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
Li(Eu,Sm)W2O8,
(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3 +,
Li2SrSiO4:Eu2 +,
(Sr(Ca,Ba))3SiO5:Eu2 +,
SrSi2ON2 .7:Eu2 +
황녹색의 형광을 방출하는 형광체의 재료의 예시는 이하의 것을 포함한다. 단, 황녹색의 형광을 발하는 형광체는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
SrSi2ON2 .7:Eu2 +
여기에서, 혼합하는 형광체는 1종류에 한정되지 않고, 복수 종류의 형광체가 혼합될 수 있다. 이 경우, 푸르스름한 백색광(bluish white light), 누르스름한 백색광(yellowish white light) 등과 같이 색조(tint) 변경하기 위해서 복수 종류의 형광체의 혼합 비율을 변경할 수 있다.
형광체가 혼합되는 수지의 예시는 에폭시 수지, 실리콘계(silicone) 수지, 메타크릴 수지(PMMA), 폴리카르보네이트(PC), 환상 폴리오레핀(COP), 지환식 아크릴(OZ), 아릴디글리콜 카보네이트(ADC), 아크릴계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지와 에폭시 수지의 하이브리드 수지, 우레탄 수지 등을 포함할 수 있다.
형광체에 혼합되는 수지의 굴절률은 형광체의 굴절률 이하인 것이 바람직하다. 또한, 형광체에 혼합되는 수지에서의 광의 투과율은 90% 이상인 것이 바람직하다.
여기에서, 발광부(2)로부터 방출되는 광이 파장이 짧은 자외 내지 청색의 광이며, 또한 휘도도 높을 경우에는, 파장 변환부(8)를 형성하는 수지가 열화될 수 있다. 그 때문에, 파장 변환부(8)를 형성하는 수지는 청색광 등에 의한 열화에 강한 수지를 이용하도록 하는 것이 바람직하다. 청색광 등에 의한 열화에 강한 수지의 예시는 굴절률이 1.5 정도인 메틸페닐실리콘, 디메틸실리콘, 및 메틸페닐실리콘과 에폭시 수지의 하이브리드 수지 등을 포함할 수 있다.
단, 형광체에 혼합되는 수지는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
여기에서, 발광부(2)는 에피택셜 성장법 등을 이용해서 형성할 수 있다. 그러나, 형성 과정에서 발광부(2)의 두께 치수에 변동이 생길 수 있다. 발광부(2)의 두께 치수에 변동이 생기면, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장이 변동된다.
그리고, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장이 변동되면, 색도도 변동된다.
도 2는 기판 상에 형성된 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포를 도시하기 위한 개략적인 도면이다.
여기에서, 기판 상에 형성된 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포를 모노톤 음영으로 나타내며, 광의 파장이 짧을수록 짙게, 광의 파장이 길수록 희미해지도록 음영을 나타냈다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판 상의 위치에 따라 발광부로부터 방출되는 광의 파장이 상이할 수 있다.
이것은 형성된 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 변동이 있는 것을 의미한다.
도 3의 (a) 및 (b)는 파장과 색도 사이의 관계를 도시하기 위한 개략적인 그래프이다.
보다 구체적으로, 도 3의 (a)는 파장과 색도도에서의 X좌표의 값 Cx 사이의 관계를 도시하기 위한 개략적인 그래프이다. 도 3의 (b)는 파장과 색도도에서의 Y좌표의 값 Cy 사이의 관계를 도시하기 위한 개략적인 그래프이다.
도 3 의 (a) 및 (b)에서, 심볼 A는 파장 변환부의 두께 치수가 100㎛정도인 경우를 나타낸다. 심볼 B는 파장 변환부의 두께 치수가 65㎛정도인 경우를 나타낸다. 심볼 C는 파장 변환부의 두께 치수가 45㎛정도인 경우를 나타낸다. 이러한 경우들에서, 파장 변환부에 포함된 형광체의 양의 비율은 일정하다.
도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 파장이 길어질수록, 색도도에서의 X좌표의 값 Cx 및 Y좌표의 값 Cy가 함께 감소된다.
이것은 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장이 변동함으로써 색도도 변동되는 것을 의미한다.
또한, 파장 변환부(8)의 두께 치수가 얇아질수록, 색도도에서의 X좌표의 값 Cx 및 Y좌표의 값 Cy가 함께 저하된다.
이것은 파장 변환부(8)에 포함된 형광체의 양을 적게 함에 의해 색도도에서의 X좌표의 값 Cx 및 Y좌표의 값 Cy가 저하된다는 것을 의미한다.
이로써 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 파장 변환부(8)에 포함된 형광체의 양을 제어함에 의해 색도의 변동을 억제할 수 있다는 것을 알 수 있다.
예를 들면, 도 3의 (a) 및 (b)에서의 A, B 및 C에 대하여, 짧은 파장(도면에서 좌측)의 광을 방출하는 발광부(2) 상에 형성되는 파장 변환부(8)에 포함된 형광체의 양을 적게하여 값 Cx 및 값 Cy를 저하할 수 있다. 이것은 긴 파장(도면에서 우측)의 광을 방출하는 발광부(2)에서의 값 Cx과 값 Cy 사이의 차를 작게 할 수 있다.
그 때문에, 파장 변환부는 광의 파장이 짧은 위치에서의 형광체의 양이 광의 파장이 긴 위치에서의 형광체의 양보다 적어지도록 형광체의 양의 분포를 갖도록 구성될 수 있다.
이 경우, 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여, 포함된 형광체의 양이 상이한 파장 변환부(8a 내지 8e)를 적절히 구비할 수 있다.
즉, 파장 변환부는 적어도 발광부(2)마다에 형광체의 양의 비율이 특정되도록(specified) 형광체의 양의 분포를 갖도록 구성될 수 있다.
또한, 짧은 파장측에서의 값 Cx와 긴 파장측에서의 값 Cx 사이의 색도차(chromaticity difference) ΔCx가 가시 한계(recognition limit by human eye) 이하가 되도록 형광체의 양을 결정할 수 있다. 즉, 색도차가 육안으로 인식되지 않도록 값 Cx가 설정된다. 예를 들면, 값 Cx는 0.015 이하로 설정될 수 있다.
또한, 짧은 파장측에서의 값 Cy와 긴 파장측에서의 값 Cy 사이의 차인 색도차 ΔCy가 가시 한계 이하가 되도록 형광체의 양을 결정할 수 있다. 예를 들면, 값 Cy은 0.015이하로 설정될 수 있다.
형광체의 양을 변화시킴에 의해, 색도차 ΔCx와 색도차 ΔCy가 함께 변화된다. 이에 따라, 색도차 ΔCx와 색도차 ΔCy 중 값이 큰 쪽이 가시 한계 이하가 되도록 형광체의 양을 결정할 수 있다.
이 경우, 발광부(2)들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차 ΔCx와 색도차 ΔCy를 가시 한계 이하로 하기만 하면 된다.
발광부(2)가 다수 구비되어 있는 경우에는, 색도차 ΔCx와 색도차 ΔCy 각각이 가시 한계 이하가 되는 영역으로 그룹화한다. 그룹화된 영역마다 형광체의 양을 결정할 수 있다.
이 경우, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여, 형광체의 함유 비율이 상이한 수지를 발광부(2)의 주면 M1측에 공급하여 경화할 수 있다. 이에 의해, 포함되는 형광체의 양이 상이한 파장 변환부(8a 내지 8e)를 형성하도록 할 수 있다.
또한, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광부(2)마다 파장 변환부(8a 내지 8e)의 주변을 둘러싸는 벽부(9)를 구비할 수 있다. 이는 포함되는 형광체의 양이 상이한 수지가 인접하는 파장 변환부에 혼합되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 벽부(9)는 반도체 발광 장치(1a)의 정면측을 향해서 광을 방출시키면서 발광부(2)로부터 방출된 광을 파장 변환부(8a 내지 8e)의 내부로 확산시키도록 반사부로서의 기능을 갖도록 구성될 수 있다.
이 경우, 발광부(2)로부터 방출된 광을 반사시키기 용이하도록, 벽부(9)의 반사율은, 예를 들면 380nm 내지 720nm의 파장 영역에서 90% 이상이 되도록 설정될 수 있다.
벽부(9)의 측면(파장 변환부측의 면)은 발광부(2)의 측으로부터 방출측 선단(tip)을 향하는 방향으로 테이퍼 형상을 이루고 있다. 그 때문에, 발광부(2)로부터 방출된 광을 파장 변환부(8a 내지 8e)의 내부로 확산시킬 수 있고, 광을 반도체 발광 장치(1a)의 정면측을 향해서 효율적으로 방출시킬 수 있다.
벽부(9)를 형성하는 재료의 예시는 폴리프탈아미드(PPA) 수지 및 실리콘계 수지 등을 포함한다. 또한, 벽부(9)의 표면에 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 반사막(예를 들면, 금속 박막 등)을 구비할 수 있다.
단, 예시된 이들의 재료에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경될 수 있다.
도 4는 대안적인 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1c)는 발광부(2), 전극부(3), 전극부(4), 접합부(5), 절연부(6), 밀봉부(7), 파장 변환부(18a)(제1 층의 일례에 대응한다) 및 파장 변환부(18b 내지 18f)(제2 층의 일례에 대응한다)를 포함한다.
파장 변환부(18a)에서는, 함유되는 형광체의 양의 비율이 일정하다. 모든 발광부(2)의 주면 M1측에 파장 변환부(18a)가 구비되어 있다.
파장 변환부(18a)는 소정량의 형광체를 함유한 수지 등으로 형성될 수 있다.
파장 변환부(18b 내지 18f)는 파장 변환부(18a)의 발광부(2)의 주면측으로부터 반대측에 구비되어 있다.
파장 변환부(18b 내지 18f)는 전술한 파장 변환부(8a 내지 8e)와 마찬가지로, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초한 형광체의 양의 분포를 갖는다.
즉, 도 4에 도시된 반도체 발광 장치(1c)는 발광부(2)의 주면 M1측에, 형광체의 양의 비율이 일정한 파장 변환부(18a)와, 파장 변환부(18a)를 커버하도록 구비된 형광체의 양의 분포를 발생시키기 위한 파장 변환부(18b 내지 18f)를 포함한다.
이 경우, 파장 변환부(18a 내지 18f)에 포함된 형광체는 동일한 색의 광을 방출도록(예를 들면, 같은 종류의 형광체) 구성되고, 함유하는 형광체의 양은 상이할 수 있다.
예를 들면, 이것은 발광부(2)로부터 청색광이 방출되고, 청색과 보색 관계에 있는 노란 광을 방출하는 형광체를 구비하여 백색광을 얻는 경우 등에 적용시킬 수 있다.
따라서, 발광부(2)의 주면 M1측에 형광체의 양의 비율이 일정한 파장 변환부(18a)를 구비할 수 있다. 또한, 색도의 변동을 억제하기 위해서 형광체의 양의 분포를 발생시키기 위한 파장 변환부(8a 내지 8e)를 적절히 구비할 수 있다.
또한, 도 1의 (b)에 도시된 바와 마찬가지로, 발광부(2)들 사이에 파장 변환부(18a 내지 18f)의 주변을 둘러싸는 벽부(9)를 각각 구비할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 전술된 실시 형태와 마찬가지로, 색도의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 파장 변환부(18a)의 형성 후에 파장 변환부(18b 내지 18f)를 적절히 구비하도록 할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태는 색도의 변동이 큰 불량 부분의 수리 등에도 적용될 수 있다.
도 5의 (a) 및 (b)도 대안적인 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 5의 (a)는 파장 변환부가 2층 구조일 경우를 나타낸다. 도 5의 (b)는 파장 변환부가 3층 구조일 경우를 나타낸다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1d)는 발광부(2), 전극부(3), 전극부(4), 접합부(5), 절연부(6), 밀봉부(7) 및 파장 변환부(28a 내지 28f)를 포함한다.
도 4에 도시된 예시에서는, 파장 변환부(18a 내지 18f)에 포함된 형광체는 동일한 광을 방출하도록 구성되어 있다. 이에 반해, 도 5의 (a)에 도시된 예시에서는, 파장 변환부(28a)에 포함된 형광체와, 파장 변환부(28b 내지 28f)에 포함된 형광체는 상이한 색이 광을 방출하도록 구성된다.
예를 들면, 이것은 발광부(2)로부터 청색광이 방출되고, 파장 변환부(28a)에 포함된 형광체가 적색의 광을 방출하고, 파장 변환부(28b 내지 28f)에 포함된 형광체가 녹색의 광을 방출하여, 청색광, 적색광 및 녹색광으로부터 백색광을 얻도록 하는 경우 등에 적용시킬 수 있다.
파장 변환부(28a)를 커버하도록 구비된 파장 변환부(28b 내지 28f)는 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 상이한 형광체의 양을 포함한다.
도 1의 (b)에 도시된 예시와 마찬가지로, 발광부(2)들 사이에 파장 변환부(28a 내지 28f)의 주변을 둘러싸는 벽부(9)를 각각 구비할 수도 있다.
도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1e)는 발광부(2), 전극부(3), 전극부(4), 접합부(5), 절연부(6), 밀봉부(7), 파장 변환부(28a 내지 28f) 및 파장 변환부(38)를 포함한다.
즉, 도 5의 (a)에 도시된 파장 변환부(28a 내지 28f) 외에, 파장 변환부(28a)와 발광부(2)의 주면 M1 사이에 파장 변환부(38)가 구비되어 있다.
예를 들면, 이것은 발광부(2)로부터 자외광이 방출되어, 파장 변환부(28a)에 포함된 형광체가 적색의 광을 방출하고, 파장 변환부(28b 내지 28f)에 포함된 형광체가 녹색의 광을 방출하고, 파장 변환부(38)에 포함된 형광체가 청색의 광을 방출하여, 청색광, 적색광 및 녹색광으로부터 백색광을 얻도록 하는 경우 등에 적용시킬 수 있다.
파장 변환부(28a)를 커버하도록 구비된 파장 변환부(28b 내지 28f)는 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 상이한 형광체의 양을 포함하도록 구성된다.
또한, 도 1의 (b)에 도시된 예시와 마찬가지로, 발광부(2)들 사이에, 파장 변환부(28a 내지 28f)와 파장 변환부(38)의 주변을 둘러싸는 벽부(9)를 각각 구비할 수 있다. 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 예시에서는, 파장 변환부를 2층 또는 3층으로 구비하고 있다. 단, 본 실시 형태는 이것에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 색과 관계하여, 형광체의 종류 및 파장 변환부의 층수를 적절히 변경할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 전술된 실시 형태와 마찬가지로, 색도의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 파장 변환부(38) 및 파장 변환부(28a)의 형성 후에 파장 변환부(28b 내지 28f)를 적절히 구비할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태는 색도의 변동이 큰 불량 부분의 수리 등에도 적용될 수 있다. 또한, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 색에 따라 형광체의 종류를 재배치할 수 있다. 이로써 본 실시 형태의 적용 범위를 넓힐 수 있다.
도 6도 다른 실시 형태에 따른 파장 변환부에 대해서 도시하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1f)는 발광부(2), 전극부(3), 전극부(4), 접합부(5), 절연부(6), 밀봉부(7) 및 파장 변환부(48)를 포함한다.
도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 예시는 형광체의 양이 조정된 파장 변환부(8a 내지 8e)를 구비할 경우와 관련된다. 도 4, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 예시는 포함되는 형광체의 양을 조정하는 파장 변환부(18b 내지 18f, 28b 내지 28f)를 구비할 경우와 관련된다.
이에 반해, 도 6에 도시된 파장 변환부(48)는 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 두께 치수를 변화시킴으로써 형광체의 양을 변화시켜, 형광체의 양의 분포를 형성한다.
즉, 파장 변환부(48)는 두께 치수의 변화에 대응하는 형광체의 양의 분포를 갖는다.
이러한 파장 변환부(48)는, 예를 들면 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 파장 변환부(48)의 표면을 트리밍함으로써(trimming) 형성될 수 있다.
여기에서, 도 1의 (a) 및 (b), 도 4, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 파장 변환부의 두께 치수는 변화시킬 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 전술된 실시 형태와 마찬가지로, 색도의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장에 기초하여 파장 변환부(48)의 표면을 트리밍함으로써 형광체의 양을 조정할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태는 색도의 변동이 큰 불량 부분의 수리 등에도 적용될 수 있다.
[제2 실시 형태]
도 7의 (a) 내지 도 8의 (d)는 제2 실시 형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법을 도시하기 위한 개략적인 공정 단면도이다.
따라서, 도 8의 (a) 내지 (d)는 도 7의 (a) 내지 (e)에 계속되는 개략적인 공정 단면도이다.
우선, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 사파이어 등으로 이루어지는 기판(100) 상에, 소정의 형상을 갖는 반도체부(2a), 활성부(2b) 및 반도체부(2c)가 이러한 순서로 형성된다(스텝 S1). 즉, 사파이어 등으로 이루어지는 기판(100) 상에 소정의 형상을 갖는 발광부(2)를 형성한다.
여기에서, 이들 부의 성막은 스퍼터링법 및 기상 성장법 등의 기지의 방법을 이용하여 행할 수 있다. 기상 성장법의 예시는 유기 금속 기상 성장(MOCVD)법, 하이드라이드 기상 성장(HVPE)법 및 분자선 에피택셜 성장(MBE)법 등을 포함할 수 있다.
그리고, 리소그래피 및 에칭 등의 기지의 기술을 이용하여, 반도체부(2a), 활성부(2b) 및 반도체부(2c)의 형상을 성형할 수 있다.
다음으로, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 접합부(5) 및 절연부(6)를 형성한다(스텝 S2).
여기에서, 진공 증착법 및 스퍼터링법 등의 각종 물리적 기상 성장(PVD)법 및 각종 화학적 기상 성장(CVD)법 등과, 리소그래피 및 에칭 기술 등을 조합함으로써 접합부(5) 및 절연부(6)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 전극부(3) 및 전극부(4)를 형성한다(스텝 S3).
여기에서, 진공 증착법 및 스퍼터링법 등의 각종 물리적 기상 성장법 및 각종 화학적 기상 성장법 등과, 리소그래피 및 에칭 기술 등을 조합함으로써 전극부(3) 및 전극부(4)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 밀봉부(7)를 구성하는 층(17)을 형성한다(스텝 S4). 여기에서, 진공 증착법 및 스퍼터링법 등의 각종 물리적 기상 성장법 및 각종 화학적 기상 성장법 등과, 리소그래피 및 에칭 기술 등을 조합함으로써 밀봉부(7)를 구성하는 층(17)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이, 이로써 형성된 적층체를 기판(100)으로부터 박리한다(스텝 S5).
여기에서, 레이저 리프트오프(lift-off)법 등에 의해 적층체를 기판(100)으로부터 박리할 수 있다.
여기에서, 도 7의 (e)는 적층체를 반전시킨 상태에서 박리하는 경우를 나타낸다.
다음으로, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 층(17)의 표면을, 예를 들면 연마 가공하여 전극부(3) 및 전극부(4)의 단부를 노출시킨다(스텝 S6).
이 때, 밀봉부(7)가 형성된다.
다음으로, 발광부(2)로부터 방출되는 광의 파장을 발광부(2)마다 측정한다(스텝 S7).
다음으로, 측정된 광의 파장에 기초하여 형광체의 양의 분포를 결정한다(스텝 S8).
여기에서, 도 2, 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 광의 파장, 형광체의 양 및 색도의 변동에서의 상관 관계 등을 미리 실험 및 시뮬레이션 등에 의해 결정해둔다. 이러한 상관 관계에 기초하여 형광체의 양의 분포를 결정할 수 있다.
그리고, 결정된 형광체의 양의 분포에 기초하여 파장 변환부를 형성한다(스텝 S9).
예를 들면, 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 파장 변환부를 형성할 경우에는, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 결정된 양의 형광체를 포함하는 파장 변환부(8a, 8b) 등을 개별적으로 형성한다.
도 4, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 파장 변환부를 형성할 경우에는, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 모든 발광부(2)의 주면 M1측에 파장 변환부(18a)를 형성한다. 그리고, 결정된 형광체의 양에 기초하여 파장 변환부(18b) 등을 개별적으로 형성한다.
즉, 발광부(2)의 한쪽의 주면 M1측에, 결정된 형광체의 양의 분포에 기초하여, 형광체가 혼합된 수지를 도포함으로써 파장 변환부를 개별적으로 형성한다.
예를 들면, 도 6에 도시된 파장 변환부를 형성할 경우에는, 예를 들면 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 모든 발광부(2)의 주면 M1측에 파장 변환부(48)를 형성한다. 그리고, 결정된 형광체의 양에 기초하여 파장 변환부(48)의 두께 치수를 변화시킨다.
즉, 발광부(2)의 한쪽의 주면 M1측에, 형광체가 혼합된 수지를 도포함으로써 파장 변환부를 형성한다. 그리고, 결정된 형광체의 양의 분포에 기초하여 파장 변환부의 두께 치수를 변화시킨다.
모든 발광부(2)의 주면 M1측에 파장 변환부를 형성하는 경우에는, 예를 들면 스키지(squeege) 인쇄법, 컴프레션 몰딩법, 임프린트법, 디스펜스법, 잉크 제트법및 에어로졸법 등의 도포 방법을 이용할 수 있다.
파장 변환부를 개별적으로 형성하는 경우에는, 예를 들면 디스펜스법, 잉크 제트법 및 에어로졸법 등의 도포 방법을 이용할 수 있다.
파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 경우에는, 예를 들면 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 지석(101)에 의한 연마 가공을 이용할 수 있다.
도 1의 (b)에 도시된 벽부(9)를 구비하는 경우에는, 파장 변환부의 형성 전에 벽부(9)를 형성할 수 있다.
이 경우, 진공 증착법 및 스퍼터링법 등의 각종 물리적 기상 성장법 및 각종 화학적 기상 성장법 등과, 리소그래피 및 에칭 기술 등을 조합함으로써 벽부(9)를 형성할 수 있다.
파장 변환부의 형성 후, 각 발광부(2)에서의 색도의 변동을 측정하여, 색도의 변동이 큰 불량 부분의 수리를 행할 수 있다.
불량 부분의 수리는, 예를 들면 형광체가 혼합된 수지를 개별적으로 도포하거나, 파장 변환부의 두께 치수를 얇게함으로써 행할 수 있다.
또한, 필요에 따라서, 전극부(3) 및 전극부(4)의 단부에 솔더 범프 등을 형성할 수 있다.
다음으로, 필요에 따라서 분할을 행한다.
이 경우, 개편화(singulation)에 의해, 1개의 발광부(2)를 포함하도록 반도체 발광 장치를 구성할 수 있다. 대안으로서, 복수의 발광부를 포함하도록 반도체 발광 장치를 구성할 수 있다.
여기에서, 블레이드 다이싱법 등을 이용해서 분할을 행할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 색도의 변동이 억제된 반도체 발광 장치를 용이하게 제조할 수 있다.
전술된 예시에서, 반도체 발광 장치는 복수의 발광부를 포함하는 멀티칩형의 반도체 발광 장치이다. 그러나, 실시 형태들은 1개의 발광부를 포함하는 반도체 발광 장치에 대해서도 적용이 가능하다. 예를 들면, 발광부(2)의 발광 특성에서의 면내 분포에 의해 발광부(2)의 중심 부분과 주변 부분 사이에 색도의 변동이 생길 수 있다. 이러한 경우에도 광의 파장에 기초하여 형광체의 양의 분포를 조정함으로써 색도의 변동을 억제할 수 있다.
이상, 특정 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 예시로서 제시한 것뿐이며, 발명의 범위를 한정하려는 의도는 아니다. 즉, 본원에 설명된 신규 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시될 수 있고, 나아가 본 발명의 요지를 벗어나지 않고, 실시 형태의 형태에 여러 가지 생략, 치환 및 변경 등을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형예는, 발명의 범위나 요지에 포함되는 한 첨부된 특허청구범위에 기재된 발명과 그 등가물에 포함된다.
예를 들면, 반도체 발광 장치(1) 및 반도체 발광 장치(1a 내지 1f) 등에 포함된 요소들의 형상, 치수, 재질, 배치, 수 등은 예시된 것에 한정되지 않으며, 적절히 변경될 수 있다.
2: 발광부
5: 접합부
6: 절연부
7: 밀봉부
8: 파장 변환부

Claims (36)

  1. 반도체 발광 장치로서,
    광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와,
    상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고, 형광체를 함유하는 파장 변환부와,
    상기 복수의 발광부마다, 상기 파장 변환부의 주변(periphery)을 둘러싸는 벽부
    를 포함하고,
    상기 파장 변환부는 상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포에 기초한 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 상기 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 형광체의 양이 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 형광체의 양보다 적도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 색도차(chromaticity difference)가 가시 한계(recognition limit by human eye) 이하(인간이 색 차이로서 인식할 수 없는 색도차)가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 적어도 상기 복수의 발광부마다 상기 형광체의 양의 비율이 특정되도록(specified) 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는,
    상기 복수의 발광부의 상기 주면측에 구비된 제1 층과,
    상기 제1 층의 상기 복수의 발광부 상에 구비된 제2 층
    을 포함하고,
    상기 제1 층에서는 상기 형광체의 양의 비율이 일정하고,
    상기 제2 층은 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는,
    상기 복수의 발광부의 상기 주면측에 구비된 제1 층과,
    상기 제1 층 상에 구비된 제2 층
    을 포함하고,
    상기 제1 층에서는 상기 복수의 형광체의 양의 비율이 일정하고,
    상기 제2 층은 적어도 상기 복수의 발광부마다 상기 형광체의 양의 비율이 특정되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 두께 치수의 변화에 대응하는 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 적어도 상기 복수의 발광부마다 두께 치수의 변화에 대응하는 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  11. 삭제
  12. 광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와, 상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고 형광체를 함유하는 파장 변환부를 포함하는 반도체 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 발광부를 형성하는 공정,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정,
    상기 복수의 발광부마다, 상기 파장 변환부의 주변(periphery)을 둘러싸는 벽부를 형성하는 공정,
    상기 발광부의 한쪽의 주면측에, 결정된 상기 형광체의 양의 분포에 기초하여 상기 형광체가 혼합된 수지를 공급하는 공정, 및
    공급된 상기 형광체가 혼합된 수지를 경화시킴으로써 파장 변환부를 형성하는 공정
    을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 상기 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 형광체의 양을 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 형광체의 양보다 적게 함으로써 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정은 상기 광의 파장을 상기 복수의 발광부마다 측정하는 공정을 포함하고,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  16. 광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와, 상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고 형광체를 함유하는 파장 변환부를 포함하는 반도체 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 발광부를 형성하는 공정,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정,
    상기 복수의 발광부마다, 상기 파장 변환부의 주변(periphery)을 둘러싸는 벽부를 형성하는 공정,
    상기 발광부의 한쪽의 주면측에 상기 파장 변환부를 형성하는 공정, 및
    결정된 상기 형광체의 양의 분포에 기초하여 상기 파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    결정된 상기 형광체의 양의 분포에 기초하여 상기 파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 공정은, 상기 파장 변환부의 표면측을 제거함으로써 상기 파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 형광체의 양을 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 형광체의 양보다 적게 함으로써 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정은 상기 광의 파장을 상기 복수의 발광부마다 측정하는 공정을 포함하고,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  21. 반도체 발광 장치로서,
    광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와,
    상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고, 형광체를 함유하는 파장 변환부
    를 포함하고,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포에 기초하여, 상기 파장 변환부의 표면을 제거함으로써, 상기 파장 변환부는 두께 치수의 변화에 따른 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는, 상기 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 파장 변환부의 두께 치수가 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 파장 변환부의 두께 치수보다 적은 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 색도차(chromaticity difference)가 가시 한계(recognition limit by human eye) 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 적어도 상기 복수의 발광부마다 상기 형광체의 양의 비율이 특정되도록(specified) 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  26. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는,
    상기 복수의 발광부의 상기 주면측에 구비된 제1 층과,
    상기 제1 층의 상기 복수의 발광부 상에 구비된 제2 층
    을 포함하고,
    상기 제1 층에서는 상기 형광체의 양의 비율이 일정하고,
    상기 제2 층은 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 파장 변환부는,
    상기 복수의 발광부의 상기 주면측에 구비된 제1 층과,
    상기 제1 층 상에 구비된 제2 층
    을 포함하고,
    상기 제1 층에서는 상기 복수의 형광체의 양의 비율이 일정하고,
    상기 제2 층은 적어도 상기 복수의 발광부마다 상기 형광체의 양의 비율이 특정되도록 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  28. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환부는 적어도 상기 복수의 발광부마다 두께 치수의 변화에 대응하는 상기 형광체의 양의 분포를 갖는, 반도체 발광 장치.
  29. 광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와, 상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고 형광체를 함유하는 파장 변환부를 포함하는 반도체 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 발광부를 형성하는 공정,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정,
    상기 발광부의 한쪽의 주면측에, 결정된 상기 형광체의 양의 분포에 기초하여 상기 형광체가 혼합된 수지를 공급하는 공정,
    공급된 상기 형광체가 혼합된 수지를 경화시킴으로써 파장 변환부를 형성하는 공정, 및
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장의 분포에 기초하여, 상기 파장 변환부의 표면을 제거함으로써, 상기 파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 공정
    을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 상기 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 형광체의 양을 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 형광체의 양보다 적게 함으로써 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정은 상기 광의 파장을 상기 복수의 발광부마다 측정하는 공정을 포함하고,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  33. 광을 방출하도록 구성된 복수의 발광부와, 상기 복수의 발광부의 한쪽의 주면측에 구비되고 형광체를 함유하는 파장 변환부를 포함하는 반도체 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 발광부를 형성하는 공정,
    상기 복수의 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정,
    상기 발광부의 한쪽의 주면측에 상기 파장 변환부를 형성하는 공정, 및
    결정된 상기 형광체의 양의 분포에 기초하여 상기 파장 변환부의 표면을 제거함으로써, 상기 파장 변환부의 두께 치수를 변화시키는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 광의 파장이 짧은 위치에서의 상기 형광체의 양을 상기 광의 파장이 긴 위치에서의 상기 형광체의 양보다 적게 함으로써 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  35. 제33항에 있어서,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은, 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  36. 제33항에 있어서,
    상기 발광부로부터 방출되는 광의 파장을 측정하는 공정은 상기 광의 파장을 상기 복수의 발광부마다 측정하는 공정을 포함하고,
    측정된 상기 광의 파장에 기초하여 상기 형광체의 양의 분포를 결정하는 공정은 상기 발광부들 중 적어도 인접하는 발광부들 사이에서의 색도차가 가시 한계 이하가 되도록 상기 형광체의 양의 분포를 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
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