CN102683557B - 半导体发光装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。

Description

半导体发光装置及其制备方法

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年3月15日提交的日本专利申请No.2011-056613并主张其优先权，所述专利申请的全文援引并入本申请中。

技术领域

本申请中描述的实施方案大致涉及半导体发光装置及其制备方法。

背景技术

半导体发光装置可基于半导体发光元件(以下简称为发光元件)和磷光体(phosphor)。例如，已知半导体发光装置，其中发出蓝光的发光元件(例如，蓝色LED(发光二极管))与发出和蓝光互补的黄光的磷光体结合以获得白光。

这种半导体发光装置可以通过在壳中提供发光元件，并将与磷光体混合的糊状树脂滴加到所述发光元件上来制备。

这种情况下，将磷光体混合到树脂中，从而其量占规定的比例(浓度)。然而，如果磷光体的量的比例固定，问题在于从发光元件发出的光的波长变化会导致其色度变化增大。

发明内容

根据一个实施方案，通常半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。将波长转换部提供到所述发光部的一个主要表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长分布。

附图说明

图1A和1B为显示根据第一实施方案所述的半导体发光装置的剖面示意图。

图2为显示从形成于基底上的多个发光部发出的光的波长分布的示意图。

图3A和3B是显示波长和色度之间关系的示意图。

图4是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图5A和5B也是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图6也是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

图7A至8D是显示根据第二实施方案所述的半导体发光装置的制备方法流程的剖面示意图。

发明详述

下面参照附图说明实施方案。附图中，相似的元件都用相同的标记数字标记，并适当省略相似元件的详细描述。

作为实例，下文说明包括多个发光部的半导体发光装置(所谓的多芯片半导体发光装置)。

第一实施方案

图1A和1B为显示根据第一实施方案所述的半导体发光装置的剖面示意图。

如图1A所示，所述半导体发光装置1包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7和波长转换部8。

如图1B所示，所述半导体发光装置1a还包括壁部9，对每个发光部2，壁部9围绕所述波长转换部的外围。

所述发光部2包括主表面M1，以及与所述主表面M1相对的主表面M2。提供多个发光部2。

用于发光的发光部2包括半导体部2a、活性部2b以及半导体部2c。

所述半导体部2a可由n-型氮化物半导体形成。所述氮化物半导体的实例可包括GaN(氮化镓)、AlN(氮化铝)、AlGaN(氮化铝镓)以及InGaN(氮化铟镓)。

所述活性部2b设于所述半导体部2a和所述半导体部2c之间。

所述活性部2b可以配置成由阱层和阻挡层(熔覆层)组成的量子阱结构，所述阱层通过空穴和电子的重组产生光，所述阻挡层的带隙比所述阱层的带隙大。

所述量子阱结构可以是单量子阱(SQW)结构或者多量子阱(MQW)结构。也可堆叠多个单量子阱结构。

例如，所述量子阱结构可包括由InGaN形成的阱层和由GaN形成的阻挡层。

这种情况下，例如，利用诸如InGaN/GaN的多量子阱结构可以发出蓝光。利用诸如GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或者InGaN/AlGaN的多量子阱结构可以发出紫外光。

然而，所述活性部2b的配置并不局限于所述量子阱结构。可以适当地选择能够发光的结构。

半导体部2c可以由p-型氮化物半导体形成。所述氮化物半导体的实例可包括GaN、AlN、AlGaN和InGaN。

所述发光部2可以是例如发射波长峰值为350-600nm的发光二极管。

提供所述电极部3和所述电极部4以便在凹槽7a的底面和密封部7的末端表面之间贯穿。例如，所述电极部3和所述电极部4可呈圆柱状，且可由金属材料如Cu(铜)制成。

所述电极部3的一个末端部分电连接至所述连接部5。于是，通过该连接部5，所述电极部3和所述半导体部2a电连接。

所述电极部4的一个末端部分与所述半导体部2c电连接。

此外，例如可提供焊料突起和保护膜(未显示)以便覆盖所述电极部3和所述电极部4从所述密封部7暴露的一侧的末端表面。

电极部3和电极部4的形状、材料等不局限于上述说明，可以做适当调整。

连接部5设于电极部3和半导体部2a之间。连接部5可以由诸如Cu(铜)的金属材料形成。连接部5不是必需的，但如有必要可适当提供。

提供绝缘部6以便填充所述密封部7中的凹槽7a。绝缘部6可由绝缘材料制成。例如，绝缘部6可由诸如SiO₂的无机材料或树脂形成。

在此，在从发光部2发出的光为短波长的紫外光到蓝光并且具有高亮度的情况下，形成绝缘部6的树脂可发生降解。因此，在绝缘部6是由树脂形成的情况下，优选采用抗因蓝光等而导致的降解的树脂。抗因蓝光等而导致的降解的树脂的实例可包括：折射率约为1.5的甲基苯基硅油和二甲基硅油。

密封部7设在发光部2的主表面M2侧。密封部7密封所述电极部3和所述电极部4，同时暴露电极部3的末端部分和电极部4的末端部分。

密封部7可由例如热固性树脂形成。

密封部7包括凹槽7a，且可用来密封所述发光部2和设于凹槽7a内的所述连接部5。在此，密封部7和绝缘部6可整体形成。

波长转换部8设于发光部2的主表面M1侧上，且含有后文描述的磷光体。波长转换部8的磷光体的量的分布基于从发光部2发出的光的波长。后面具体描述磷光体的量的分布。

波长转换部8可以由例如与磷光体混合的树脂形成，该磷光体具有转换波长的能力。

在420-720nm的波长范围内，波长转换部8的透光率可设定为例如90％或者更高。

磷光体的形态可以是例如颗粒状的。在这种情况下，可包括该磷光体的至少一种或多种颗粒。

波长转换部8可包括至少一种或多种磷光体，该磷光体的发射波长峰值在440nm及以上和470nm及以下(蓝色)、500nm及以上和555nm及以下(绿色)、560nm及以上和580nm及以下(黄色)，以及600nm及以上和670nm及以下(红色)。波长转换部8可包括磷光体，该磷光体的发射波长带为380-720nm。

所述磷光体可包含选自硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)、锗(Ge)、磷(P)、硼(B)、钇(Y)、碱土金属元素、硫化物元素、稀土元素以及氮化物元素的至少一种元素。

发出红色荧光的磷光体材料的实例可包括如下物质。然而，发出红色荧光的磷光体不局限于此，可以适当更改。

La₂O₂S：Eu，Sm，

LaSi₃N₅：Eu²⁺，

α-sialon：Eu²⁺，

CaAlSiN₃：Eu²⁺，

(SrCa)AlSiN₃：Eu^x+，

Sr_x(Si_yAl₃)_z(O_xN)：Eu^x+

发出绿色荧光的磷光体材料的实例可包括如下物质。然而，发出绿色荧光的磷光体不局限于此，可以适当更改。

(Ba，Sr，Mg)O·aAl₂O₃：Mn，

(BrSr)SiO₄：Eu，

α-sialon：Yb²⁺，

β-sialon：Eu²⁺，

(CaSr)Si₂O₄N₇：Eu²⁺，

Sr(SiAl)(ON)：Ce

发出蓝色荧光的磷光体材料的实例可包括如下物质。然而，发出蓝色荧光的磷光体材料不局限于此，可以适当更改。

ZnS：Ag，Cu，Ga，Cl，

(Ba，Eu)MgAl₁₀O₁₇，

(Ba，Sr，Eu)(Mg，Mn)Al₁₀O₁₇，

10(Sr，Ca，Ba，Eu)·6PO₄·Cl₂，

BaMg₂Al₁₆O₂₅：Eu，

Y₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce，

SrSi₂ON₂₇：Eu²⁺

发出黄色荧光的磷光体材料的实例可包括如下物质。然而，发出黄色荧光的磷光体不局限于此，可以适当更改。

Li(Eu，Sm)W₂O₈，

(Y，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺，

Li₂SrSiO₄：Eu²⁺，

(Sr(Ca，Ba))₃SiO₅：Eu²⁺，

SrSi₂ON₂₇：Eu²⁺

发出黄绿色荧光的磷光体材料的实例可包括如下物质。然而，发出黄绿色荧光的磷光体不局限于此，可以适当更改。

SrSi₂ON₂₇：Eu²⁺

在此，混合的磷光体不局限于一种磷光体，而是可混合多种磷光体。在这种情况下，可以改变多种磷光体的混合比以改变色调，例如蓝白光和黄白光。

与磷光体混合的树脂的实例可包括：环氧树脂、硅树脂(silicone resin)、甲基丙烯酸树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、环状聚烯烃(COP)、脂环族丙烯酸酯(OZ)、烯丙基二甘醇碳酸酯(ADC)、丙烯酸树脂、氟树脂、硅树脂和环氧树脂的杂化树脂以及聚氨酯树脂。

与磷光体混合的树脂的折射率优选等于或小于磷光体的折射率。与磷光体混合的树脂的透光率优选设定为90％或者更大。

在此，在从发光部2发出的光为短波长的紫外光到蓝光并且具有高亮度的情况下，形成波长转换部8的树脂可被降解。因此，优选使形成波长转换部8的树脂抗因蓝光等导致的降解。抗因蓝光等导致的降解的树脂的实例可包括：折射率约为1.5的甲基苯基硅油、二甲基硅油以及甲基苯基硅油和环氧树脂的杂化树脂。

然而，与磷光体混合的树脂不局限于举例的这些，可以适当地改变。

在此，发光部2可采用例如外延生长法形成。然而，在形成过程中，发光部2的厚度尺寸可发生变化。如果发光部2的厚度尺寸发生变化，从发光部2发出的光的波长也发生变化。

接着，从发光部2发出的光的波长的变化也导致色度发生变化。

图2为显示从基底上形成的多个发光部发出的光的波长分布的示意图。

在此，从基底上形成的多个发光部发出的光的波长的分布用单色调阴影(monotone shading)表示，较短波长的光阴影较暗，较长波长的光阴影较浅。

如图2所示，从发光部发出的光的波长会随着基底上的位置而改变。

这意味着从形成的发光部2发出的光的波长发生变化。

图3A和图3B为显示波长和色度之间关系的示意图。

更具体地，图3A是描述波长和色度图中X-坐标的Cx值之间关系的示意图。图3B是描述波长和色度图中Y-坐标的Cy值之间关系的示意图。

在图3A和3B中，符号A代表所述波长转换部的厚度尺寸约为100μm的情况。符号B代表所述波长转换部的厚度尺寸约为65μm的情况。符号C代表所述波长转换部的厚度尺寸约为45μm的情况。在这些情况下，包含在所述波长转换部中的磷光体的用量比例固定。

如图3A和3B所示，随着波长变长，色度图中X-坐标的Cx值和Y-坐标的Cy值均降低。

这意味着从所述发光部2中发出的光的波长的变化导致色度也变化。

此外，随着所述波长转换部8的厚度尺寸变薄，色度图中X-坐标的Cx值和Y-坐标的Cy值均降低。

这意味着通过减少波长转换部8中含有的磷光体的量可以降低色度图中X-坐标的Cx值和Y-坐标的Cy值。

由此发现：通过基于从发光部2中发出的光的波长控制包含在波长转换部8中的磷光体的用量，可以抑制色度的变化。

例如，对于图3A和3B中的A、B和C，可以减少包含在波长转换部8中磷光体的量来降低所述Cx值和Cy值(这些图的左侧)，所述波长转换部8形成于发出短波长光的所述发光部2上。这可以减小发出长波长的发光部2的Cx值和Cy值的差(这些图的右侧)。

因此，所述波长转换部可配置成具有这样的磷光体的量的分布，以使短波长光位置磷光体的量小于长波长光位置磷光体的量。

在这种情况下，如图1A和1B所示，基于从发光部2发出的光的波长，可适当提供含有不同量的磷光体的波长转换部8a-8e。

换句话说，波长转换部可配置成具有这样的磷光体的量的分布，以使得至少对于每个发光部2，磷光体的量的比例是规定的。

此外，磷光体的量可确定，从而使短波长侧的Cx值和长波长侧的Cx值之间的色度差ΔCx等于人眼识别极限或更小。换言之，设定所述Cx值使得色度差不被人眼所识别。例如，所述Cx值可设为0.015或者更小。

此外，磷光体的量可确定，从而使短波长侧的Cy值和长波长侧的Cy值之间的色度差ΔCy等于人眼识别极限或更小。例如，所述Cy值可以设为0.015或者更小。

通过改变磷光体的量，所述色度差ΔCx和所述色度差ΔCy均发生变化。因此，可确定磷光体的量以便色度差ΔCx和色度差ΔCy中较大的值等于人眼识别极限或更小。

这种情况下，至少在邻近发光部2之间，色度差ΔCx和色度差ΔCy只需等于人眼识别极限或者更小。

在提供多个发光部2的情况下，所述发光部2可分组到区域，每个区域中的色度差ΔCx和色度差ΔCy等于人眼识别极限或者更小。对于每个分组的区域，磷光体的量可确定。

这种情况下，基于从波长发出部2发出的光的波长，可以将含有不同比例磷光体的树脂供给到所述发光部2的主表面M1侧并固化。于是可以形成含有不同量磷光体的波长转换部8a-8e。

此外，如图1B所示，对于每个发光部2，可提供围绕所述波长转换部8a-8e外围的壁部9。这可以抑制含有不同量磷光体的树脂混入相邻的波长转换部中。

此外，所述壁部9还可配置成具有反射器功能，以便从发光部2发出的光传播到所述波长转换部8a-8e，同时朝所述半导体发光装置1a的正面发出光。

在这种情况下，为了促进从发光部2中发出的光的反射，所述壁部9在380-720nm的波长区域内的反射率可被设为例如90％或更高。

在从所述发光部2侧到发出侧尖端的方向上，所述壁部9的侧面(波长转换部侧的表面)逐渐变尖。因此，从发光部2发出的光可以传播进所述波长转换部8a-8e，并且可朝所述半导体发光装置1a的正面有效射出。

形成所述壁部9的材料的实例可包括：聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂和硅树脂。此外，在所述壁部9的表面上可提供由反射率高的材料制得的反射膜(例如金属薄膜)。

然而，所述材料不局限于已经说明的这些，可以适当改变。

图4为显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。

如图4所示，半导体发光装置1c包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7、波长转换部18a(对应于第一层的实例)以及波长转换部18b-18f(对应于第二层的实例)。

在所述波长转换部18a中，包含的磷光体的量的比例固定。所述波长转换部18a设于所有发光部2的主表面M1侧上。

所述波长转换部18a可以由例如含有规定量的磷光体的树脂形成。

所述波长转换部18b-18f设在所述波长转换部18a的与发光部2的主表面相反的一侧。

类似上述的波长转换部8a-8e，所述波长转换部18b-18f的磷光体的量的分布基于从发光部2发出的光的波长。

换句话说，在发光部2的主表面M1侧，图4所示的半导体发光装置1c包括磷光体的量的比例固定的波长转换部18a，以及产生磷光体的量的分布的所述波长转换部18b-18f，提供所述波长转换部18b-18f以覆盖所述波长转换部18a。

这种情况下，配置所述波长转换部18a-18f中包含的磷光体以发出相同颜色的光(例如，磷光体的种类相同)，而其中含有的磷光体的量可以变化。

例如，这可适用于从发光部2发出蓝光，并提供发出与蓝光互补的黄光的磷光体从而得到白光的情况。

因此，磷光体量的比例固定的波长转换部18a可设于发光部2的主表面M1侧上。此外，可适当提供产生磷光体量的分布的波长转换部8a-8e以抑制色度的变化。

此外，与图1B所示的实例类似，在发光部2之间可提供围绕每个波长转换部18a-18f外围的壁部9。

根据该实施方案，与上述实施方案相似，可以抑制色度的变化。此外，形成波长转换部18a之后，还可适当提供波长转换部18b-18f。因此，本实施方案也可用来修补色度变化大的缺陷部分。

图5A和5B也是显示根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。更具体地，图5A显示具有两层结构的波长转换部的情况。图5B显示具有三层结构的波长转换部的情况。

如图5A所示，半导体发光装置1d包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7以及波长转换部28a-28f。

在图4所示的实例中，波长转换部18a-18f中包含的磷光体配置成发出同样颜色的光。相比之下，在图5A所示的实例中，波长转换部28a中包含的磷光体和波长转换部28b-28f中包含的磷光体配置成发出不同颜色的光。

例如，这适用于从所述发光部2发出蓝光，波长转换部28a中包含的磷光体发出红光，并且波长转换部28b-28f中包含的磷光体发出绿光，从而从蓝光、红光和绿光获得白光的情况。

为了覆盖波长转换部28a而提供的波长转换部28b-28f配置成基于从所述发光部2发出的光的波长包含不同量的磷光体。

此外，与图1B所示的实例类似，在发光部2之间可提供围绕每个波长转换部28a-28f外围的壁部9。

如图5B所示，半导体发光装置1e包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7、波长转换部28a-28f以及波长转换部38。

换句话说，除了图5A所示的波长转换部28a-28f之外，在所述波长转换部28a和所述发光部2的主表面M1之间还提供波长转换部38。

例如，这适用于从发光部2发出紫外光，波长转换部28a中包含的磷光体发出红光，波长转换部28b-28f中包含的磷光体发出绿光，并且波长转换部38中包含的磷光体发出蓝光，从而从蓝光、红光和绿光获得白光的情况。

为了覆盖波长转换部28a而提供的波长转换部28b-28f被配置成含有基于从发光部2发出的光的波长的不同量的磷光体。

此外，与图1B所示的实例类似，在发光部2之间可提供围绕波长转换部28a-28f和波长转换部38中每个部的外围的壁部9。在图5A和5B所示的实施例中，所述波长转换部以两层或者三层提供。然而，该实施方案并不局限于此。

例如，相对于例如从发光部2发出的光的颜色，磷光体的种类和波长转换部的层数可以适当改变。

根据该实施方案，与上述实施方案类似，可以抑制色度变化。此外，形成波长转换部38和波长转换部28a之后，还可适当提供波长转换部28b-28f。因此，该实施方案也可用于修补色度变化大的缺陷部分。此外，磷光体的种类可以依照从发光部2发出的光的颜色重新设置。这可扩展本实施方案的应用范围。

图6也是根据可选实施方案所述的波长转换部的剖面示意图。如图6所示，半导体发光装置1f包括发光部2、电极部3、电极部4、连接部5、绝缘部6、密封部7以及波长转换部48。

图1A和1B所示的实施例涉及提供磷光体的量被调整的波长转换部8a-8e的情况。图4、5A和5B所示的实施例涉及提供用于调节其中含有的磷光体的量的波长转换部18b-18f和28b-28f的情况。

相比之下，图6中所示的波长转换部48通过基于从发光部2发出的光的波长的变化改变厚度尺寸改变所述磷光体的量，以形成磷光体的量的分布。

换句话说，波长转换部48具有对应于厚度尺寸改变的磷光体的量的分布。

可通过例如基于从所述发光部2中发出的光的波长修整(trim)所述波长转换部48的表面形成这种波长转换部48。

在此，图1A、1B、4、5A和5B中所示的波长转换部的厚度尺寸也可改变。

根据本实施方案，与上述实施方案类似，可以抑制色度的变化。此外，可以通过基于从发光部2中发出的光的波长修整波长转换部48的表面调整磷光体的量。因此，该实施方案也可用于修补色度变化大的缺陷部分。

第二实施方案

图7A-8D是显示根据第二实施方案所述的半导体发光装置的制备方法流程的剖面示意图。

在此，图8A至8D是继图7A-7E之后的流程的剖面示意图。

首先，如图7A中所示，在例如由蓝宝石(sapphire)制成的基底100上，依次形成半导体发光部2a、活性部2b以及有规定形状的半导体部2c(步骤S1)。换句话说，有规定形状的发光部2形成于例如由蓝宝石制成的基底100上。

在此，这些部的膜形成可以通过已知的方法进行，例如溅射法和气相生长法。气相生长法的实例可包括：金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、氢化物气相外延(HVPE)法以及分子束外延(MBE)法。

接着，半导体部2a、活性部2b以及半导体部2c可以通过使用已知技术如光刻和蚀刻成形。

然后，如图7B所示，形成连接部5和绝缘部6(步骤S2)。

在此，连接部5和绝缘部6可以通过例如光刻和蚀刻技术组合例如各种物理气相沉积(PVD)法，例如真空蒸镀和溅射，以及各种化学气相沉积法(CVD)形成。

然后，如图7C所示，形成电极部3和电极部4(步骤S3)。

在此，所述电极部3和所述电极部4可以通过例如光刻和蚀刻技术联合例如各种物理气相沉积法，例如真空蒸镀和溅射，以及各种化学气相沉积法形成。

然后，如图7D所示，形成构成密封部7的层17(步骤S4)。在此，构成密封部7的所述层17可以通过例如光刻和蚀刻技术联合例如各种物理气相沉积法，例如真空蒸镀和溅射，以及各种化学气相沉积法形成。

然后，如图7E所示，如此形成的堆叠体从所述基底100剥离(步骤S5)。

在此，所述堆叠体可利用例如激光剥离方法(laser lift-off method)从基底100剥离。

在此，图7E以翻转状态显示剥离所述堆叠体的情况。

然后，如图8A所示，抛光所述层17的表面，例如以暴露所述电极部3和所述电极部4的末端部分(步骤S6)。

此时，形成了密封部7。

然后，对每个发光部2，测量从发光部2发出的光的波长(步骤S7)。

然后，基于测得的光的波长确定磷光体的量的分布(步骤S8)。

在此，如图2、3A和3B所示，通过例如实验和模拟，可以预先确定光的波长、磷光体的量以及色度的变化之间的相关性等。基于这种相关性，可以确定磷光体的量的分布。

接着，基于确定的磷光体的量的分布，形成波长转换部(步骤S9)。

例如，在如图8B所示形成如图1A和1B所示的波长转换部的情况下，分别形成包含确定量的磷光体的波长转换部8a和8b等。

在如图8C所示形成如图4、5A和5B中所示的波长转换部的情况下，波长转换部18a形成于所有发光部2的主表面M1侧上。接着，波长转换部18b等基于确定的磷光体的量分别形成。

换句话说，在发光部2的一个主表面M1侧上，通过基于所述磷光体的确定的量的分布施加与磷光体混合的树脂，分别形成波长转换部。

例如，如图8D所示形成如图6所示的所述波长转换部的情况下，例如，波长转换部48形成于所有发光部2的主表面M1侧上。然后，波长转换部48的厚度尺寸基于磷光体确定的量而变化。

换句话说，在发光部2的一个主表面M1侧上，通过施加与磷光体混合的树脂形成波长转换部。然后，波长转换部的厚度尺寸基于确定的磷光体的量的分布而变化。

在所有发光部2的主表面M1侧上形成波长转换部的情况下，例如，可采用诸如刮刀印刷法(squeegee printing method)、压模法(compressionmolding method)、压印法、点胶法(dispense method)、喷墨法以及气溶胶法的施加方法。

在分别形成波长转换部的情况下，可以使用诸如点胶法、喷墨法和气溶胶法的施加方法。

例如，如图8D所示，在改变波长转换部的厚度尺寸的情况下，可以采用以磨石101抛光。

在提供如图1B所示的壁部9的情况下，所述壁部9可以在形成所述波长转换部之前形成。

在这种情况下，所述壁部9可以通过用例如光刻和蚀刻技术联合例如各种物理气相沉积法，例如真空蒸镀和溅射，以及化学气相沉积法形成。

形成所述波长转换部后，可测定每个发光部2中的色度变化，以修补色度变化大的缺陷部分。

所述缺陷部分的修补可以通过例如分别施加与磷光体混合的树脂、或者使所述波长转换部的厚度尺寸变薄来进行。

此外，必要的话，可以在所述电极部3和所述电极部4的末端部分形成焊料突起等。

然后，必要的话进行分割。

在此，通过划片(singulation)，半导体发光装置可配置成包括一个发光部2。可选地，半导体发光装置可配置成包括多个发光部。

在此，可以采用例如刀片切割法进行分割。

制备根据本实施方案所述的半导体发光装置的方法可容易地制备出色度变化受抑制的半导体发光装置。

在上述实施例中，所述半导体发光装置是包括多个发光部的多芯片半导体发光装置。然而，这些实施方案也适用于包括一个发光部的半导体发光装置。例如，所述发光部2的发光特性的面内分布可导致所述发光部2的中央部分和周围部分之间的色度变化。同样在这些情况下，色度变化可以通过基于光的波长调整磷光体的量的分布进行抑制。

尽管已经描述了特定的实施方案，但已提出的这些实施方案用于举例，并不用于限制本发明的范围。事实上，本申请所描述的新型实施方案能以多种其他形式实施；此外，可对本申请中所述的实施方案的形式进行省略、替换以及变更而不脱离本发明的精神。所附的权利要求以及其等同变换意在涵盖这些仍然落入本发明的范围和精神之内的这类形式和更改。

例如，在例如半导体发光装置1和半导体发光装置1a-1f中包括的组件的形状、尺寸、材料、设置(arrangement)、数量等不局限于已经描述的这些，可作适当更改。

Claims (3)

1.制备多芯片半导体发光装置的方法，该半导体发光装置包括配置以发光的多个发光部和设于所述多个发光部的一个主表面侧上并且以规定的磷光体的量的比例含有磷光体的波长转换部，所述方法包括：

形成层叠体，其包括基底、形成于基底上的发光部、形成于每个发光部上的电极部、和形成于电极部之间的密封层；

从所述发光部除去所述基底，所述发光部由包括电极部和密封层的支持结构支持；

测量从每个发光部发出的光的波长；

基于测量的从发光部发出的光的波长的分布，确定荧光体的量的分布；

在每个发光部的一个主表面侧上形成与磷光体混合的树脂的层；和

基于确定的荧光体的量的分布，通过修整所述层的表面形成波长转换部，通过改变所述层的厚度尺寸，所述波长转换部具有荧光体的量的分布，所述波长转换部在发出短波长光的发光部的位置处的厚度比所述波长转换部在发出长波长光的发光部的位置处的厚度小，所述波长转换部具有至少一个阶梯部分，并且阶梯部分的表面平坦，

其中，确定荧光体的量的分布，从而抑制通过波长转换部发出的光的色度的变化。

2.根据权利要求1所述的制备多芯片半导体发光装置的方法，其中，在形成波长转换部的步骤中，通过使所述波长转换部的厚度尺寸变化，形成色度差为0.015或者更小的所述磷光体的量的分布。

3.根据权利要求1所述的制备多芯片半导体发光装置的方法，其中在形成波长转换部的步骤中，通过使所述波长转换部的厚度尺寸变化，形成至少所述发光部的相邻部之间的色度差为0.015或者更小的所述磷光体的量的分布。