CN102569608B - 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102569608B
CN102569608B CN201110396475.3A CN201110396475A CN102569608B CN 102569608 B CN102569608 B CN 102569608B CN 201110396475 A CN201110396475 A CN 201110396475A CN 102569608 B CN102569608 B CN 102569608B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
phosphor layer
substrate
luminescence unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110396475.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102569608A (zh
Inventor
筒井毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN102569608A publication Critical patent/CN102569608A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102569608B publication Critical patent/CN102569608B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了一种包括磷光体层的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。所述发光装置包括：光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；发光单元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。根据本发明，可以减小从基底的侧表面发射的光的色度劣化。

Description

发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法
技术领域
本公开涉及一种包括磷光体层的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。
背景技术
发光装置(例如，发光二极管(LED))是可以通过经由化合物半导体的PN结形成发光源来发射各种光色的半导体装置。LED具有长寿命，可以制成小而轻，并具有强的光方向性，因此，LED可以以低电压驱动。另外，LED具有强的耐冲击和振动性，不需要预热，可以以简单的方式驱动，并可以以各种形式封装，因此，LED可以用于各种用途。
近来，已经提出使用具有高物理和化学特性的氮化物形成的蓝色LED和紫外(UV)LED。另外，可以通过使用蓝色LED或UV LED和磷光体材料形成白光或其它单色光，因此，LED的应用日益广泛。
发明内容
提供了一种可以减小从基底的侧表面发射的光的色度劣化并可以获得光的均匀的颜色质量的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。
附加方面将部分地在下面的说明书中进行说明，并部分地根据说明书将是明显的，或者可以由提出的实施例的实施而明了。
根据本发明的一方面，一种发光装置包括：光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；发光单元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。
所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
所述磷光体层的厚度可以在大约30μm至大约300μm的范围内。
所述光透射基底可以是蓝宝石基底。
所述发光单元可以发射蓝光，并且所述磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。
根据本发明的另一方面，一种发光装置封装件包括：封装主体，包括端子单元；发光装置，包括光透射基底、发光单元和磷光体层，所述光透射基底具有顶表面、底表面和侧表面，所述发光单元形成在所述光透射基底的所述顶表面上，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所有侧表面，并且所述发光装置安装在所述封装主体上；引线，用于将所述发光单元和所述端子单元电连接。
所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
所述磷光体层的厚度可以在大约30μm至大约300μm的范围内。
所述发光装置封装件还可以包括覆盖所述发光单元的第二磷光体层。
所述发光单元可以发射蓝光，并且所述磷光体层和所述第二磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。
所述光透射基底可以是蓝宝石基底。
可以通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法组成的组中选择的任何一种方法来封装所述发光装置。
根据本发明的另一方面，一种制造发光装置的方法，所述方法包括：将均包括具有顶表面、底表面和侧表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述顶表面上的发光单元的多个发光装置芯片转印在转印体上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述发光单元面向所述转印体；沉积含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙，然后使所述含有荧光体材料的树脂硬化；通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层。
将多个发光装置芯片转印在转印体上的步骤可以包括：从形成有所述多个发光装置芯片的晶片划分所述多个发光装置芯片；按照等级将划分的发光装置芯片进行分类，并将分类的发光装置芯片转印在所述转印体上。
将划分的发光装置芯片进行分类和转印的步骤可以包括：将分类的发光装置芯片附着到粘结带上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘结带；将所述发光装置芯片从所述粘结带转印到所述转印体上。
可以沉积所述含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙并覆盖发光装置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成所述发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面的磷光体层。
所述磷光体层的厚度可以在大约30μm至大约300μm的范围内。
所述发光单元可以发射蓝光，并且所述磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。
所述光透射基底可以是蓝宝石基底。
根据本发明的另一方面，一种封装发光装置的方法，所述方法包括：通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法组成的组中选择的任何一种方法在封装主体上安装包括发光单元和光透射基底的发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层；通过在所述发光单元上沉积含有荧光体材料的树脂来形成第二磷光体层。
所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的侧表面和底表面，所述底表面是与其上形成有所述发光单元的顶表面相对的表面。
附图说明
下面通过结合附图对实施例进行描述，这些和/或其它方面将变得明显和更易于理解，在附图中：
图1是根据本发明实施例的发光装置的示意性透视图；
图2是图1中的发光装置的发光单元的剖视图；
图3A至图3J是用于解释制造图1中的发光装置的方法的示图；
图4是根据本发明实施例的预成型式发光装置封装件的剖视图；
图5A和图5B是根据本发明实施例的用于解释根据预成型方法封装发光装置的方法的剖视图；
图6是根据本发明实施例的引线结合式发光装置封装件的剖视图；
图7是根据本发明实施例的倒装芯片结合式发光装置封装件的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将通过参照附图解释本发明的示例性实施例来详细描述本发明。在附图中，相同的标号指示相同的元件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
图1是根据本发明实施例的发光装置1的示意性透视图。图2是图1中的发光装置的发光单元20的剖视图。参照图1和图2，发光装置1包括发光装置芯片100和磷光体层200。
发光装置芯片100可以是发光二极管芯片。根据用于形成发光二极管芯片的化合物半导体的材料，发光二极管芯片可以发射蓝光、绿光、红光等。发光装置芯片100可以包括基底10和形成在基底10上并发射光的发光单元20。
基底10可以是包括顶表面11、侧表面12和底表面13的光透射基底。例如，光透射基底可以是蓝宝石基底、氧化锌(ZnO)基底、氮化镓(GaN)基底、碳化硅(SiC)基底或氮化铝(AlN)基底。
发光单元20设置在基底10的顶表面11上。例如，蓝光发射二极管芯片的发光单元20可以包括有源层22、P型覆层23和N型覆层21，有源层22具有GaN和InGaN交替地形成的量子阱层结构，在P型覆层23中，由AlXGaYNZ形成的化合物半导体形成在有源层22上，在N型覆层21中，由AlXGaYNZ形成的化合物半导体形成在有源层22下方。虽然在图1和图2中未示出，但是在生长N型覆层21之前，可以将缓冲层设置在N型覆层21和基底10之间，以提高N型覆层21和基底10之间的晶格匹配。N电极24和P电极25分别电连接到N型覆层21和P型覆层23。虽然在图1和图2中未示出，但是可以在N电极24和P电极25上形成用于引线结合工艺的结合焊盘。在图2中示出的发光单元20的结构仅是示例，因而本发明不限于此。
为了将从发光装置芯片100发射的光(例如，蓝光)改变为白光，可以形成磷光体层200。磷光体层200可以是通过将荧光体颗粒混合在粘结剂树脂中形成的含磷光体的树脂。荧光体颗粒可以是单个种类，并且可以是以预定比率混合的多个种类。粘结剂树脂可以是可满足高粘结性能、高光透射性能、高耐热性、高光折射率、耐水性等的聚合物。例如，粘结剂树脂可以是环氧类树脂或作为无机聚合物的硅。粘结剂树脂可以包括作为用于提高粘附力的添加剂的硅烷类材料。另外，粘结剂树脂可以根据其用途而包括各种添加剂。可以通过在预定的位置上沉积含荧光体的聚合物并使含荧光体的聚合物硬化来形成磷光体层200。后面将详细描述形成磷光体层200的方法。
从发光装置芯片100的发光单元20产生的光可以从发光单元20向上出射。光的一部分会在光透射基底10中扩散，然后会通过基底10的侧表面12出射。为了改变通过侧表面12发射的光的颜色，根据当前实施例的发光装置100包括覆盖基底10的所有侧表面12的磷光体层200。通过基底10的侧表面12发射的光穿过磷光体层200，从而出射出去。因此，例如，当蓝光从发光装置芯片100出射，并且磷光体层200包含用于将蓝光改变为白光的荧光体颗粒时，通过基底10的侧表面12出射的光可以通过穿过磷光体层200而改变为具有高质量的白光。
磷光体层200可以被形成为覆盖基底10的侧表面12和底表面13。发光装置1可以通过倒装芯片结合形成在电路基底上，并且光可以通过基底10的底表面13和侧表面12出射。在这种情况下，可以将磷光体层200形成为覆盖基底10的侧表面12和底表面13。
磷光体层200的厚度可以在大约30μm至大约300μm的范围内。覆盖侧表面12和底表面13的磷光体层200的厚度可以相同，但是本发明不限于此。覆盖侧表面12和底表面13的磷光体层200可以被确定为具有适合于用于将从发光装置芯片100发射的光改变为具有期望色度的光的厚度。
在下文中，将描述制造在图1和图2中示出的发光装置100的方法。
首先，准备发光装置芯片100，在发光装置芯片100中，发光单元20形成在作为光透射基底的基底10上。参照图3A，可以以晶片的形式提供发光装置芯片100，在晶片中，通过执行一系列半导体工艺将多个发光单元20设置在基底10上。通过使用机械切割机或激光切割机沿切割线40切割基底10，从而单独地获得发光装置芯片100。切割线40是用于单独地划分发光装置芯片100的虚线。
可以按照等级将划分的发光装置芯片100进行分类。即，测量发光装置芯片100的发光波长，然后可以将具有类似发光特性的发光装置芯片100进行分类。这样，通过按照等级将具有类似发光特性的发光装置芯片100进行分类来执行稍后将描述的形成荧光体材料的工艺。因此，可以通过控制每个等级的含有荧光体材料的树脂的量、荧光体颗粒的类型和荧光体颗粒的量来制造具有均匀色度的发光装置1。
接下来，如图3D所示，将发光装置芯片100布置在转印体50上，以使发光单元20面向下。例如，转印体50可以是具有耐热性的UV带。可以将发光装置芯片100布置在转印体50上，然后通过在转印体50上辐射UV光将发光装置芯片100附着到转印体50。可以考虑到将形成在基底10的侧表面12上的磷光体层200的厚度来确定发光装置芯片100之间的间隙G。例如，可以通过将在稍后将描述的切割工艺中磷光体层200的厚度的预计损失加上将形成在基底10的侧表面12上的磷光体层200的厚度的两倍来获得间隙G。
通过使用在图3B和图3C中示出的工艺来执行将发光装置芯片100布置在转印体50上的工艺。首先，如图3B所示，将发光装置芯片100布置在粘结带60上，以使基底10的底表面13面向下。此时，发光装置芯片100的基底10的侧表面12与相邻发光装置芯片100的相邻基底10的相邻侧表面12隔开间隙G。接下来，将其上附着有发光装置芯片100的粘结带60翻转并设置在转印体50上，从而发光单元20面向转印体50。然后，将粘结带60与基底10的底表面13分离。因此，发光装置芯片100被转印在转印体50上，使得发光单元20面向下。通过在转印体50上辐射UV光将发光装置芯片100附着到转印体50上。可以通过执行上述转印工艺将发光装置芯片100布置在转印体50上，如图3D所示。
接下来，将含有荧光体材料的树脂沉积在间隙G上，然后使含有荧光体材料的树脂硬化。在该工艺中，例如，可以使用压模方法。如图3E所示，将未硬化的含有荧光体材料的树脂沉积在间隙G上，然后进行按压，并在大约100℃至大约150℃的温度下进行成型。然后，冷却填充在间隙G中的含有荧光体材料的树脂。为了将磷光体层200向上形成到基底10的底表面13，沉积足够量的含有荧光体材料的树脂，以覆盖基底10的底表面13，如图3F所示，然后进行按压、成型并冷却。通过执行上述工艺，可以获得成型体60a和成型体60b，在成型体60a中，含有荧光体材料的树脂成型在形成于转印体50上的发光装置芯片100的侧表面12上，在成型体60b中，含有荧光体材料的树脂成型在形成于转印体50上的发光装置芯片100的侧表面12和底表面13上。
接下来，执行用于将包括发光装置芯片100和磷光体层200的发光装置1单独地划分的切割工艺。例如，可以利用使用刀具的机械切割方法、喷水切割方法、激光切割方法等来执行切割工艺。在切割工艺中，可以将成型体60a和60b转印在切割带70上，如图3G或图3H所示。然后，使用例如切割刀具80切割含有荧光体材料的树脂，并将发光装置1与切割带70分离。
通过执行上述工艺，如图3I和图3J所示，可以获得磷光体层200形成在基底10的侧表面12上的发光装置1和磷光体层200形成在基底10的侧表面12和底表面13上的发光装置1。可以在执行稍后将描述的封装工艺之前，通过执行色度测量工艺来选择具有期望的色度特性的发光装置1。
通过执行在光源设备中将使用的封装工艺将通过执行上述工艺制造的发光装置1制造成发光装置封装件。参照图4，发光装置封装件2包括发光装置1和封装主体300，在发光装置1中，磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13上，并且发光装置1结合到封装主体300。在图4中示出的发光装置封装件2是预成型式封装件，并且封装主体300可以包括引线框架310和成型框架320。
可以通过对诸如铝或铜的金属板执行压制工艺和蚀刻工艺来制造引线框架310。引线框架310可以包括安装部分311以及第一端子单元312和第二端子单元313。第一端子单元312和第二端子单元313分别通过引线331和引线332电连接到发光装置芯片100的发光单元20。例如，第一端子单元312可以通过引线331连接到P电极25，第二端子单元313可以通过引线332连接到N电极24。第一端子单元312和第二端子单元313被成型框架320暴露，并向发光装置芯片100施加电流。
可以在发光单元20上设置第二磷光体层210。第二磷光体层210可以覆盖发光单元20和基底10的顶表面11。另外，第二磷光体层210可以覆盖磷光体层200的顶表面。第二磷光体层210可以由与磷光体层200的材料相同的材料形成。
例如，当从发光装置芯片100发射蓝光，并且第二磷光体层210包括用于将蓝光改变为白光的荧光体材料时，从发光单元20向上发射的光通过穿过第二磷光体层210而改变为白光，从而出射出去。另外，因为通过基底10的侧表面12发射的蓝光穿过磷光体层200，所以蓝光可以改变为白光，从而出射出去。因此，从发光装置芯片100发射的所有蓝光穿过磷光体层200或第二磷光体层210，因而可以获得高质量的白光。
可以通过执行例如插入成型工艺(insert mold process)将成型框架320结合到引线框架310。成型框架320可以由例如电绝缘聚合物形成。成型框架320被形成为具有凹进形状，以暴露安装部分311以及第一端子单元312和第二端子单元313。发光装置封装件2具有发光装置1设置在具有凹形的凹进340的底表面上的结构。
在下文中，将参照图5A和图5B简单地描述制造发光装置封装件2的方法。
首先，通过处理金属板来形成包括安装部分311以及第一端子单元312和第二端子单元313的引线框架310。然后，通过执行例如插入注射成型工艺将成型框架320结合到引线框架310，因而形成如图5A所示的封装主体300。
接下来，如图5B所示，在安装部分311上安装磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13上的发光装置1。然后，通过使用引线331和引线332执行用于将发光单元20与第一端子单元312和第二端子单元313中的每个端子单元电连接的引线结合工艺。
然后，通过在发光单元20上沉积含有荧光体材料的树脂来执行在发光单元20上形成第二磷光体层210的工艺。含有荧光体材料的树脂被沉积成覆盖整个发光单元20，优选地，可以被沉积成覆盖整个发光单元20、基底10的顶表面11和磷光体层200。然后，对其执行硬化工艺，由此制造出在图4中示出的发光装置封装件2。可以进一步执行在凹进340中填充光透射保护树脂的工艺作为后续工艺。
可以考虑通过利用芯片级滴涂(chip level dispensing，CLD)方法来形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法。也就是说，在形成发光装置芯片100的工艺中而不是在形成发光装置封装件2的工艺中，可以考虑通过在发光装置芯片100的上部上沉积含有荧光体材料的树脂来形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法。然而，在CLD方法中，通过利用表面张力在发光装置芯片100的表面上沉积含有荧光体材料的树脂，因而难以在发光装置芯片100的侧表面12上形成磷光体层200。因此，通过基底10的侧表面12泄漏的蓝光在没有穿过磷光体层200的情况下发射，由此导致蓝光的色度劣化。另外，根据CLD方法，因为在执行引线结合工艺之前在形成发光装置芯片100的工艺中将含有荧光体材料的树脂沉积在发光单元200上，所以需要用于暴露发光单元20中的用于引线结合工艺的结合焊盘的复杂工艺。
在根据本发明的发光装置封装件2中，磷光体层200形成在基底10的侧表面12上或形成在基底10的侧表面12和底表面13上的发光装置1安装在封装主体300上，并且在执行引线结合工艺之后形成第二磷光体层210，因此，具有均匀质量的磷光体层200可以形成在发光装置芯片100的上表面、下表面和侧表面上。因此，从发光装置芯片100发射的光可以被改变为具有均匀色度的光。
另外，通过利用CLD方法形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法会受限于使用薄的GaN型基底的情形。然而，因为难以在基底的侧表面上形成磷光体层，所以当使用相对廉价的蓝宝石基底时，难以利用CLD方法。然而，依照根据本发明的发光装置、制造发光装置的方法和发光装置封装件，即使使用相对厚的蓝宝石基底时，甚至可以在蓝宝石基底的侧表面上均匀地形成磷光体层。因此，可以实现具有高色度的发光装置和发光装置封装件。
在上述实施例中，已经描述了通过利用预成型方法来封装发光装置1的情形，但是本发明的范围不限于此。例如，可以通过利用引线结合方法来封装发光装置1。参照图6，引线结合式发光装置封装件2a的封装主体包括电路基底90。引线结合式发光装置封装件2a可以如下形成：将磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13上的发光装置1安装在电路基底90上；分别通过引线331和引线332将发光单元20与设置在电路基底90上的电端子单元91和电端子单元92电连接；将含有荧光体材料的树脂沉积在发光单元20上。在这种情况下，可以通过引线结合在电路基底90上形成多个发光装置1。
另外，可以通过倒装芯片结合来封装发光装置1。参照图7，发光装置封装件2b的封装主体包括电路基底90。发光装置1通过倒装芯片结合形成在电路基底90上，从而发光单元20面向下，因而发光单元20可以电连接到形成在电路基底90上的电端子单元91和92。在这种情况下，因为光从基底10的底表面13和侧表面12出射，所以可以优选地采用磷光体层200形成在基底10的底表面13和侧表面12上的发光装置1。在执行倒装芯片结合工艺之后，可以在发光单元20和电路基底90之间沉积含有荧光体材料的树脂，以形成第二磷光体层220。可以通过倒装芯片结合在电路基底90上形成多个发光装置1。
应当理解的是，这里描述的示例性实施例应当仅以描述性意思来考虑，且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当视为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。

Claims (21)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；
发光单元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；以及
磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述磷光体层的厚度在30μm至300μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光单元发射蓝光，并且所述磷光体层将所述蓝光改变为白光。
6.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
封装主体，包括端子单元；
发光装置，包括光透射基底、发光单元和磷光体层，所述光透射基底具有顶表面、底表面和侧表面，所述发光单元形成在所述光透射基底的所述顶表面上，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所有侧表面，并且所述发光装置安装在所述封装主体上；以及
引线，用于将所述发光单元和所述端子单元电连接。
7.根据权利要求6所述的发光装置封装件，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
8.根据权利要求6所述的发光装置封装件，其中，所述磷光体层的厚度在30μm至300μm的范围内。
9.根据权利要求6所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括覆盖所述发光单元的第二磷光体层。
10.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，所述发光单元发射蓝光，并且所述磷光体层和所述第二磷光体层将所述蓝光改变为白光。
11.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
12.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法组成的组中选择的任何一种方法来封装所述发光装置。
13.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
将均包括具有顶表面、底表面和侧表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述顶表面上的发光单元的多个发光装置芯片转印在转印体上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述发光单元面向所述转印体；
沉积含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙，然后使所述含有荧光体材料的树脂硬化；以及
通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层，
其中，所述多个发光装置芯片布置在所述转印体上，使得所述发光单元面向下。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，将多个发光装置芯片转印在转印体上的步骤包括：
从形成有所述多个发光装置芯片的晶片划分所述多个发光装置芯片；以及
按照等级将划分的发光装置芯片进行分类，并将分类的发光装置芯片转印在所述转印体上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，将划分的发光装置芯片进行分类和转印的步骤包括：
将分类的发光装置芯片附着到粘结带上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘结带；以及
将所述发光装置芯片从所述粘结带转印到所述转印体上。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，沉积所述含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙并覆盖发光装置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成所述发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面的磷光体层。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述磷光体层的厚度在30μm至300μm的范围内。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述发光单元发射蓝光，并且所述磷光体层将所述蓝光改变为白光。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
20.一种封装发光装置的方法，所述方法包括：
通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法组成的组中选择的任何一种方法在封装主体上安装包括发光单元和光透射基底的发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层；以及
通过在所述发光单元上沉积含有荧光体材料的树脂来形成第二磷光体层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的侧表面和底表面，所述底表面是与其上形成有所述发光单元的顶表面相对的表面。
CN201110396475.3A 2010-12-15 2011-11-29 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法 Active CN102569608B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100128607A KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2010-12-15 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
KR10-2010-0128607 2010-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102569608A CN102569608A (zh) 2012-07-11
CN102569608B true CN102569608B (zh) 2015-10-21

Family

ID=45444418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110396475.3A Active CN102569608B (zh) 2010-12-15 2011-11-29 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8889437B2 (zh)
EP (1) EP2466658B1 (zh)
KR (1) KR20120067153A (zh)
CN (1) CN102569608B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
US9484510B2 (en) * 2012-10-30 2016-11-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination
KR20140120683A (ko) * 2013-04-04 2014-10-14 서울반도체 주식회사 면 조명용 렌즈 및 발광 모듈
TWI602322B (zh) * 2013-06-27 2017-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及製作方法
CN104282817B (zh) * 2013-07-01 2019-08-06 晶元光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
TWI540766B (zh) * 2013-07-10 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝結構
TWI601225B (zh) * 2013-10-07 2017-10-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及製造方法
JP6282438B2 (ja) * 2013-10-18 2018-02-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR102311677B1 (ko) 2014-08-13 2021-10-12 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN106848036B (zh) * 2017-03-14 2018-10-30 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种led封装结构及其封装方法
KR102236769B1 (ko) * 2017-07-18 2021-04-06 삼성전자주식회사 엘이디 모듈 제조장치 및 엘이디 모듈 제조방법
CN108538971A (zh) * 2018-03-23 2018-09-14 深圳雷曼光电科技股份有限公司 转移方法以及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1364318A (zh) * 2000-03-14 2002-08-14 拉米尔德斯照明设备有限公司 发光二极管、照明装置以及制造这种发光二极管的方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1655633A3 (en) 1996-08-27 2006-06-21 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6818465B2 (en) 2001-08-22 2004-11-16 Sony Corporation Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100462394B1 (ko) 2002-09-02 2004-12-17 주식회사 티씨오 백색 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR20040041189A (ko) 2002-11-08 2004-05-17 엘지전자 주식회사 디지털 텔레비젼에서 데이터 방송 표시 방법
JP3978514B2 (ja) 2002-12-24 2007-09-19 株式会社ナノテム 発光素子の製造方法および発光素子
JP4418686B2 (ja) * 2003-01-10 2010-02-17 豊田合成株式会社 発光デバイス
JP3813599B2 (ja) * 2003-06-13 2006-08-23 ローム株式会社 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
USD521463S1 (en) 2004-10-19 2006-05-23 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD544847S1 (en) 2004-10-19 2007-06-19 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD536308S1 (en) 2004-10-19 2007-02-06 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD522467S1 (en) 2004-10-19 2006-06-06 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD521947S1 (en) 2004-10-19 2006-05-30 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR101047795B1 (ko) 2005-01-05 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자
JP4862274B2 (ja) 2005-04-20 2012-01-25 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007243056A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP5032043B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5060738B2 (ja) 2006-04-28 2012-10-31 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置
KR100887068B1 (ko) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
JP4920497B2 (ja) 2007-05-29 2012-04-18 株式会社東芝 光半導体装置
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
CN101878540B (zh) * 2007-11-29 2013-11-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2008227550A (ja) 2008-06-20 2008-09-25 Showa Denko Kk 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5390472B2 (ja) * 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8486724B2 (en) * 2010-10-22 2013-07-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level reflector for LED packaging

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1364318A (zh) * 2000-03-14 2002-08-14 拉米尔德斯照明设备有限公司 发光二极管、照明装置以及制造这种发光二极管的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2466658A2 (en) 2012-06-20
US8889437B2 (en) 2014-11-18
EP2466658B1 (en) 2020-05-20
US20120153328A1 (en) 2012-06-21
CN102569608A (zh) 2012-07-11
KR20120067153A (ko) 2012-06-25
US9893247B2 (en) 2018-02-13
EP2466658A3 (en) 2015-11-25
US20150034994A1 (en) 2015-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102569608B (zh) 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法
US10411175B2 (en) Light emitting element package and method of manufacturing the same
US8866185B2 (en) White light LED with multiple encapsulation layers
US7847302B2 (en) Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP6519311B2 (ja) 発光装置
US6917057B2 (en) Layered phosphor coatings for LED devices
US9515229B2 (en) Semiconductor light emitting devices with optical coatings and methods of making same
US8597963B2 (en) Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8890140B2 (en) Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for the production thereof
US20080023711A1 (en) Light emitting diode package with optical element
KR101361435B1 (ko) 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법
CN103782402A (zh) 用于改进的化学抗性的发光体器件封装、部件和方法、以及相关方法
US8999770B2 (en) Systems and methods providing semiconductor light emitters
TWI546988B (zh) 製造發光二極體之方法
TW201304210A (zh) 用於發光二極體之凝膠層及其製造方法
KR101893996B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101719642B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
CN100474640C (zh) 半导体发光器件和子支架及其形成方法
KR101543724B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101543725B1 (ko) 반도체 발광소자를 제조하는 방법
JP6978708B2 (ja) 半導体発光装置
KR101638123B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO., LTD.

Effective date: 20121128

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121128

Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon

Applicant after: Samsung Electronics Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Applicant before: Samsung LED Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant