JP2011171557A - 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置 - Google Patents

発光装置、その製造方法および発光装置製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011171557A
JP2011171557A JP2010034714A JP2010034714A JP2011171557A JP 2011171557 A JP2011171557 A JP 2011171557A JP 2010034714 A JP2010034714 A JP 2010034714A JP 2010034714 A JP2010034714 A JP 2010034714A JP 2011171557 A JP2011171557 A JP 2011171557A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light emitting
emitting element
total weight
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010034714A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koizumi
洋 小泉
Yasuhide Okada
康秀 岡田
Sumishige Yamabe
純成 山辺
Naoaki Sakurai
直明 桜井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010034714A priority Critical patent/JP2011171557A/ja
Priority to TW100104333A priority patent/TW201143157A/zh
Priority to US13/026,631 priority patent/US20110204400A1/en
Priority to EP11154640A priority patent/EP2362713A2/en
Priority to KR1020110014112A priority patent/KR20110095817A/ko
Priority to CN2011100429225A priority patent/CN102194984A/zh
Publication of JP2011171557A publication Critical patent/JP2011171557A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

【課題】発光装置の品質および製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備え、前記第１の蛍光体の発光効率は、前記第２の蛍光体の発光効率よりも高いことを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、その製造方法および発光装置製造装置に関する。
発光素子と蛍光体とを用いた発光装置においては、例えば、白色光を得るために、青色を発光する発光素子（例えば、発光ダイオード）と、青色と補色関係にある光を放出する蛍光体と、を使用している。このような発光装置は、樹脂等の筐体内に発光素子を搭載した後、蛍光体を混ぜたペースト状の樹脂を発光素子上に滴下して形成する（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、複数の種類の蛍光体を単層の樹脂に配合すると、色度のばらつきが大きくなるという問題がある。また、蛍光体を配合したペースト状の樹脂を発光素子の上に滴下すると、発光素子の中心部から該樹脂が反れて、発光装置の製造歩留まりが低下する場合もあった。
特開２００９−１４７３１２号公報
本発明の目的は、発光装置の品質および製造歩留まりをより向上させることにある。
本発明の一態様によれば、筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備え、前記第１の蛍光体の発光効率は、前記第２の蛍光体の発光効率よりも高いことを特徴とする発光装置が提供される。
また、本発明の一態様によれば、筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備えた発光装置の製造方法であり、前記発光素子、前記第１の蛍光体および前記第２の蛍光体が発する混合色の色度に関し、前記発光素子の波長および発光強度、前記第１の蛍光体の第１の総重量または前記第２の蛍光体の第２の総重量に対する依存性を予め求める工程と、前記発光素子の前記波長および前記発光強度を実測する工程と、実測した前記波長および前記発光強度を含む前記混合色が所定の色度になるように、前記依存性から前記第１の総重量および前記第２の総重量を個別に決定する工程と、前記第１の総重量の前記第１の蛍光体を含む前記第１の蛍光体層により前記発光素子の少なくとも一部を被覆する工程と、前記第２の総重量の前記第２の蛍光体を含む前記第２の蛍光体層により前記第１の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、前記第２の蛍光体層の上に設けられた、第３の蛍光体を有する第３の蛍光体層と、を備えた発光装置の製造方法であり、前記発光素子、前記第１の蛍光体、前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体が発する混合色の色度に関し、前記発光素子の波長および発光強度、前記第１の蛍光体の第１の総重量、前記第２の蛍光体の第２の総重量または前記第３の蛍光体の第３の総重量に対する依存性を予め求める工程と、前記発光素子の前記波長および前記発光強度を実測する工程と、実測した前記波長および前記発光強度を含む前記混合色が所定の色度になるように、前記依存性から前記第１の総重量、前記第２の総重量および前記第３の総重量を個別に決定する工程と、前記第１の総重量の前記第１の蛍光体を含む前記第１の蛍光体層により前記発光素子の少なくとも一部を被覆する工程と、前記第２の総重量の前記第２の蛍光体を含む前記第２の蛍光体層により前記第１の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、前記第３の総重量の前記第３の蛍光体を含む前記第３の蛍光体層により前記第２の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、上述した発光装置の製造方法を可能にする発光装置製造装置が提供される。
本発明によれば、発光装置の品質および製造歩留まりがより向上する。
本実施の形態に係る発光装置の要部模式図である。 データベース化を説明するための図である。 発光装置の製造工程を説明するためのフローチャート図である。 発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。 発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。 発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。 本実施の形態に係る発光装置の要部模式図である。 発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。 波長と色度の関係を説明する図である。 発光装置製造装置の要部図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下に示す第１〜３の実施の形態は、それぞれが独立の実施の形態ではなく適宜複合させることができる。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る発光装置の要部模式図である。図１（ａ）は、発光装置１の要部立体図であり、図１（ｂ）には、図１（ａ）のＡ−Ｂ断面が示されている。図１（ａ）では、発光素子１３が露出した状態が示されている。
発光装置１は、筐体であるパッケージ部材１０と、パッケージ部材１０内に設けられた発光素子１３と、発光素子１３の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備える。ここで、第１の蛍光体は、例えば、蛍光体２０であり、第１の蛍光体層とは、蛍光体層２２である。第２の蛍光体は、例えば、蛍光体３０であり、第２の蛍光体層とは、蛍光体層３２である。第１の蛍光体の発光効率は、第２の蛍光体の発光効率よりも高い。発光装置１は、例えば、表示装置のバックライト光源として用いられる。
本願明細書では、蛍光体の発光効率は、量子効率で定義される。量子効率は、内部量子効率と外部量子効率とがある。内部量子効率は、蛍光体の内部に吸収された励起フォトン数（Ａ１）に対する発生フォトン数（Ｂ１）の比（Ｂ１／Ａ１）、外部量子効率は、蛍光体の表面に照射されたフォトン数（Ａ２）に対する外部発生フォトン数（Ｂ２）の比（Ｂ２／Ａ２）で表される。量子効率は、内部量子効率および外部量子効率の少なくともいずれかが高いほど、その効率は高い。
発光装置１のリードフレーム１１とリードフレーム１２とは互いに対向し、それぞれの一部が筐体であるパッケージ部材１０に封止されている。パッケージ部材１０の凹部１０ａの底面からは、リードフレーム１１の一部およびリードフレーム１２の一部が露出している。リードフレーム１２の上には、発光素子１３が搭載されている。
発光素子１３は、例えば、窒化物系半導体の半導体積層体１３ａを有する。半導体積層体１３ａは、上部電極１３ｂと下部電極１３ｃとにより挟まれている。発光素子１３は、上下電極構造のＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップであり、例えば、青色領域（４４０ｎｍ〜４７０ｎｍ）の光を発光する。
下部電極１３ｃとリードフレーム１２との間には、銀ペーストなどの導電性接合材が介在している（図示しない）。これにより、発光素子１３の下部電極１３ｃは、リードフレーム１２に電気的に接続されている。発光素子１３の上部電極１３ｂは、ボンディングワイヤ１４によりリードフレーム１１に電気的に接続されている。上部電極１３ｂは、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明電極と金属からなるボンディングパッドで構成されている。
リードフレーム１１、１２の外端は、パッケージ部材１０から突出している。これらリードフレーム１１、１２の突出した部分に電圧を印加することにより、発光素子１３の上部電極１３ｂおよび下部電極１３ｃに電圧を印加することができる。これにより、半導体積層体１３ａから１次光が放射される。放射された１次光は、主に図中の上方（例えば、Ｚ軸方向）に向かう。
発光素子１３は、蛍光体２０が樹脂部材２１中に分散された蛍光体層２２に覆われている。樹脂部材２１は、蛍光体２０のバインダである。発光素子１３から放出された１次光の一部は、蛍光体２０に吸収され、１次光とは波長が異なる２次光に変換される。これにより、蛍光体層２２から上方においては、１次光および２次光が得られる。
蛍光体層２２は、蛍光体３０が樹脂部材３１中に分散された蛍光体層３２に覆われている。樹脂部材３１は、蛍光体３０のバインダである。発光素子１３から放出された１次光の一部は、蛍光体３０に吸収され、１次光とは波長が異なる３次光に変換される。これにより、蛍光体層３２から上方においては、１次光、２次光および３次光とが混色した光が得られる。１次光が青色、２次光が赤色、３次光が緑色の場合、発光装置１は、これらの光が混合した光を発する。蛍光体層３２は、蛍光体を含まない樹脂部材５０により覆われている。
このように、発光装置１は、複数種の蛍光体（例えば、蛍光体２０、蛍光体３０）を単層の樹脂部材中に混合させず、蛍光体２０を含む蛍光体層２２と、蛍光体３０を含む蛍光体層３２とを積層させた多層構造を有する。蛍光体層２２と、蛍光体層３２との積層順序は問わない。但し、発光装置の輝度を向上させるために、図１に例示するように、発光効率がより高い蛍光体２０（蛍光体層２２）を発光素子１３側に配置している。
発光装置１の各部材の材質は、以下のごとくである。
例えば、パッケージ部材１０の材質は、熱可塑性樹脂等で構成されている。
樹脂部材２１、樹脂部材３１および樹脂部材５０の材質は、屈折率が１．２〜１．９であり、波長域４２０ｎｍ〜７２０ｎｍに対する透過率が９０％以上の材質で構成されている。例えば、樹脂部材２１、樹脂部材３１および樹脂部材５０の材質として、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、脂環式アクリル（ＯＺ）、メガネ用レンズ熱硬化樹脂（ＡＤＣ）、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）が該当する。
蛍光体は、５００ｎｍ〜５５５ｎｍ（緑色領域）、５６０ｎｍ〜５８０ｎｍ（黄色領域）、６００ｎｍ〜６７０ｎｍ（赤色領域）に発光波長を有する。蛍光体粒子には、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物、希土類元素、窒化物の少なくとも１種が含まれている。
蛍光体２０は、例えば、赤色を発光する蛍光体である。具体的には、以下の蛍光体が該当する。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３
ＹＶＯ４：Ｅｕ
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
蛍光体３０は、例えば、緑色を発光する蛍光体である。具体的には、以下の蛍光体が該当する。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ
ＺｎＳ：Ｃｕ
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
ＺｎＳ：Ｃｕ
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
発光装置１では、発光効率が高い蛍光体ほど発光素子１３側に配置されている。例えば、蛍光体２０の発光効率は、蛍光体３０の発光効率よりも高いので、蛍光体層２２の方が蛍光体層３２よりも発光素子１３側に配置されている。仮に、発光効率が低い蛍光体を発光素子１３側に配置すると、発光装置１の輝度が低下し、好ましくない。
次に、蛍光体層２２中の蛍光体２０の総重量Ｇ２（ｇ）と、蛍光体層３２中の蛍光体３０の総重量Ｇ３（ｇ）との調整方法について説明する。これらの総重量Ｇ２、Ｇ３は、発光素子１３の波長λ（ｎｍ）または発光強度Ｐに応じて適宜調整される。
本実施の形態では、発光装置１の色度Ｃｘ、Ｃｙと、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐ、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３との対応をデータベース化する。このようなデータベース化を図ることにより、発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐにばらつきが生じても、蛍光体２０の総重量Ｇ２、または蛍光体３０の総重量Ｇ３を調整して、色度Ｃｘ、Ｃｙのばらつきが抑制された発光装置が形成される。
データベース化においては、発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐ、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３を、それぞれ個別に変化させた発光装置１を複数用意し、各データ間の対応付けを行う。各データ間の対応付けは、実験で行ってもよく、シミュレーションで行ってもよい。また、蛍光体２０の総重量Ｇ２（ｇ）は、蛍光体２０の濃度Ｎ２（ｇ／ｃｍ３）×塗布量Ｖ２（ｃｍ３）に置き換えられ、蛍光体３０の総重量Ｇ３（ｇ）は、蛍光体３０の濃度Ｎ３（ｇ／ｃｍ３）×塗布量Ｖ３（ｃｍ３）に置き換えられる。すなわち、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量に応じてそれぞれの塗布量が決定され、更にそれぞれの総重量と塗布量から、それぞれの蛍光体の濃度が決定される。塗布量とは、蛍光体を分散させた樹脂部材の容量（ｃｍ３）である。
このデータベース化においては、それぞれの発光装置１の発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを蛍光体層２２、３２を形成する前に予め測定しておく。そして、発光素子１３の波長λ、発光素子１３の発光強度Ｐ、蛍光体層２２、３２の総重量をパラメータとして、それぞれの発光装置１の分光波形（混合色の発光スペクトル）を計測する。これにより、それぞれの分光波形と、それぞれの発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐと、それぞれの蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３との対応付けがなされる。
例えば、図２は、データベース化を説明するための図である。
図２（ａ）には、ある所定の波長λ、発光強度Ｐ、総重量Ｇ２、総重量Ｇ３の発光装置の分光波形が示されている。ここで、図２（ａ）の横軸は、波長（ｎｍ）であり、縦軸は、発光強度（Ｗ／ｎｍ）である。
次に、それぞれの分光波形から、それぞれの発光装置１の赤色強度Ｉｒ、緑色強度Ｉｇおよび青色強度Ｉｂを求める。赤色強度Ｉｒの高低は、蛍光体２０の総重量で決定され、緑色強度Ｉｇの高低は、蛍光体３０の総重量で決定され、青色強度Ｉｂの高低は、発光素子１３の発光強度Ｐにより決定される。
本実施の形態においては、発光強度Ｉｒ、Ｉｇ、Ｉｂに等色関数のファクタｘｒ、ｘｇ、ｘｂ、ｙｒ、ｙｇ、ｙｂ、ｚｒ、ｚｇ、ｚｂを掛け合わせた赤刺激値Ｘ、緑刺激値Ｙ、青刺激値Ｚを定義する。ここで、
赤刺激値Ｘ＝ｘｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｘｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｘｂ×青色強度Ｉｂ・・・（１）式
緑刺激値Ｙ＝ｙｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｙｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｙｂ×青色強度Ｉｂ・・・（２）式
青刺激値Ｚ＝ｚｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｚｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｚｂ×青色強度Ｉｂ・・・（３）式
で表される。
また、本実施の形態においては、赤刺激値Ｘ、緑刺激値Ｙ、青刺激値Ｚを用いた仮の色度Ｃｘ’、Ｃｙ’を定義する。Ｃｘ’、Ｃｙ’は、
Ｃｘ’＝赤刺激値Ｘ／（赤刺激値Ｘ＋緑刺激値Ｙ＋青刺激値Ｚ）・・・（４）式
Ｃｙ’＝緑刺激値Ｙ／（赤刺激値Ｘ＋緑刺激値Ｙ＋青刺激値Ｚ）・・・（５）式
で表される。
例えば、蛍光体２０の総重量が増加すれば、Ｃｘ’は増加し、蛍光体２０の総重量が減少すれば、Ｃｘ’は減少する。蛍光体３０の総重量が増加すれば、Ｃｙ’は増加し、蛍光体２０の総重量が減少すれば、Ｃｙ’は減少する。
Ｃｘ’、Ｃｙ’は、それぞれの分光波形毎に異なり、波長λ、発光強度Ｐと、総重量Ｇ２、総重量Ｇ３と、Ｃｘ’、Ｃｙ’との関係がデータベース化される。
次に、色度計を用い、それぞれの発光装置１から発せられる光の色度Ｃｘ、Ｃｙを実測する。これにより、（Ｃｘ、Ｃｙ）と、（Ｃｘ’、Ｃｙ’）との対応付けがなされる。
ＣｘとＣｘ’との関係、ＣｙとＣｙ’との関係については、ファクタｘｒ、ｘｇ、ｘｂ、ｙｒ、ｙｇ、ｙｂ、ｚｒ、ｚｇ、ｚｂを適宜調整して、Ｃｘ’とＣｘのデータとの線形関係を作成する。
図２（ｂ）にＣｘ’とＣｘの線形関係を示す。なお、図示はしないが、Ｃｙ’のそれぞれのデータとＣｙのそれぞれのデータとの線形の関係についても求めておく。
このような線形関係のラインを発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐごとに複数本求めておけば、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐがばらついたとしても、実測した発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐから、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３に対応するＣｘ’、Ｃｙ’を逆算することができる。この逆算したＣｘ’とＣｙ’とから、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３を決定すれば、所望の白色光（例えば、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３）を発する発光装置が安定して得られる。
このように、発光装置１を組み立てる前に、発光素子１３、蛍光体２０および蛍光体３０が発する混合色の色度に関し、発光素子１３の波長および発光強度、蛍光体２０の総重量Ｇ２または蛍光体３０の総重量Ｇ３に対する依存性（データベース）を予め求めておく。
発光装置１の製造方法について説明する。
図３は、発光装置の製造工程を説明するためのフローチャート図である。
図４は、発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。
図４（ａ）に示すように、リードフレーム１１、１２を備えたパッケージ部材１０を準備する（ステップ１０）。続いて、リードフレーム１２の上に、発光素子１３を搭載する（ステップ２０）。これにより、筐体であるパッケージ部材１０内に発光素子１３が設けられる。また、発光素子１３とリードフレーム１１とをボンディングワイヤ１４を通じて接続する。
発光素子１３としては、波長が４５０ｎｍを目標値として製造された青色ＬＥＤを用いる。この段階において、発光素子１３から発せられる光の波長λおよび発光強度Ｐを実測する（ステップ３０）。例えば、発光素子１３の波長λが４４０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲でばらつくことを想定し、蛍光体層２２、３２を形成する前に、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを測定しておく。発光素子１３から発せられる光の波長λおよび発光強度Ｐの実測は、リードフレーム１２の上に、発光素子１３を搭載する前に実施してもよい。この段階では既に、発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐと、Ｃｘ’、Ｃｙ’、Ｃｘ、Ｃｙの関係は、既にデータベース化されている。
次に、所望の色度を決定する（ステップ４０）。一例として、白色光の条件であるＣｘ＝Ｃｙ＝０．３３の発光装置を作製することを目標とする。
そして、データベースを引用し（ステップ５０）、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３に応じた刺激値Ｃｘ’、Ｃｙ’を決定した後（ステップ６０）、白色光の条件（Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３）を満たす蛍光体２０、３０の総重量を決定する（ステップ７０）。このように、実測した発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを含む発光装置１の混合色が所定の色度になるように、上述した依存性（データベース）から蛍光体２０の総重量Ｇ２および蛍光体３０の総重量Ｇ３を個別に決定する。
さらに、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量、発光素子１３の形状に応じて、蛍光体２０の塗布量Ｖ２を決定し、蛍光体２０の総重量Ｇ２および塗布量Ｖ２から蛍光体２０の濃度Ｎ２を決定する。また、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量、発光素子１３の形状に応じて、蛍光体３０の塗布量Ｖ３を決定し、蛍光体３０の総重量Ｇ３および塗布量Ｖ３から、蛍光体３０の濃度Ｎ３を決定する（ステップ８０）。
また、本実施の形態では、最終形態である発光装置１の発光強度をより増加させるために、発光素子１３に対し発光効率の高い蛍光体層から順に発光素子１３の上側に積層する。例えば、蛍光体２０の発光効率は、蛍光体３０の発光効率よりも高いので、図４（ｂ）に示すように、蛍光体２０が分散された樹脂部材２１を発光素子１３の上側から滴下する。蛍光体２０が分散された樹脂部材２１は、ペースト状である。
滴下後、蛍光体２０が分散された樹脂部材２１に遠心沈降（６５０ｒｐｍ、３０分間）を施す。これにより、図４（ｃ）に示すように、第１の蛍光体層である蛍光体層２２が形成される（ステップ９０）。これにより、発光素子１３の少なくともが蛍光体層２２により被覆される。
次に、図４（ｄ）に示すように、蛍光体３０が分散された樹脂部材３１を蛍光体層２２の上側から滴下する。蛍光体３０が分散された樹脂部材３１は、ペースト状である。蛍光体３０が分散された樹脂部材３１を滴下した後においては、遠心沈降（６５０ｒｐｍ、３０分間）を施し、図４（ｅ）に示すように、第２の蛍光体層である蛍光体層３２が形成される（ステップ１００）。これにより、蛍光体層２２の少なくとも一部が蛍光体層３２により被覆される。蛍光体を含む樹脂部材は、図示しないノズルから滴下する。
次に、図４（ｆ）に示すように、樹脂部材５０を蛍光体層３２の上側から滴下する。これにより、図１に示すように、蛍光体層３２が樹脂部材５０で覆われた発光装置１が形成する。なお、樹脂部材２１、樹脂部材３１および樹脂部材５０については硬化する。硬化は、それぞれの樹脂部材２１、３１、５０を滴下後にそれぞれ個別に行ってもよく、樹脂部材２１、３１、５０を一括で硬化してもよい。硬化の方法は、例えば、熱硬化法である。
このような製造方法によれば、各発光装置毎の発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐがばらついても、蛍光体の濃度、塗布量を補正することにより、所望の色度を有する発光装置が形成される。
また、本実施の形態においては、色度のばらつきを抑制するために、発光素子１３の波長λに対する感度依存が比較的大きい蛍光体の総重量を優先的に調整する。例えば、蛍光体３０よりも蛍光体２０のほうが波長λに対する感度依存が大きい場合、蛍光体２０の総重量を優先的に調整する。
本実施の形態は、以下に説明する製造方法を含む。
以下に説明する製造方法によれば、発光素子１３の中心に対して、より対称かつ均一な蛍光体層２２、３２を形成することができる。
図５は、発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。
例えば、図５（ａ）に示すように、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を発光素子１３の上側に滴下する前に、発光素子１３の表面形状および位置をカメラ等の画像認識手段６０により検出する。そして、図５（ｂ）に示すように、検出した発光素子１３の中心部をターゲットとして、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を滴下する。この方法を、蛍光体３０を分散した樹脂部材３１についても施す。
これにより、蛍光体２０、３０を分散した樹脂部材２１、３１と発光素子１３との位置ずれを確実に防止できる。その結果、発光素子１３の中心に対して、より対称かつ均一な蛍光体層２２、３２を形成でき、発光装置の品質がより向上する。
また、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を発光素子１３の上側に滴下する前に、蛍光体を含まない樹脂部材５０をパッケージ部材１０の凹部１０ａに充填する方法も本実施の形態に含まれる。
図６は、発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。
例えば、図６（ａ）に示すように、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を発光素子１３の上側に滴下する前に、蛍光体を含まない樹脂部材５０をパッケージ部材１０の凹部１０ａに充填する。樹脂部材５０としては、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１の比重よりも低い比重を有する樹脂材を選択する。続いて、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を樹脂部材５０上に滴下する。すると、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１は、図６（ｂ）に示すように、樹脂部材５０の中心に球状となって滞留する。仮に、樹脂部材５０が存在しない場合、樹脂部材２１の表面張力の影響で、樹脂部材２１は凹部１０ａの内壁に付着し易くなる。本実施の形態では、樹脂部材５０を予め凹部１０ａ内に設けることにより、前記付着力を緩和している。
すなわち、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１を滴下して、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１が発光素子１３の中心から若干反れたとしても、セルフアライメントで樹脂部材５０の中心に移動する。そして、遠心沈降法により、蛍光体２０を分散した樹脂部材２１に発光素子１３側への遠心力を与える。その結果、図６（ｃ）に示すように、発光素子１３の中心に対して、より対称かつ均一な蛍光体層２２が形成する。蛍光体３０を分散した樹脂部材３１に対しても同様の手段を施せば、発光素子１３の中心に対して、より対称かつ均一な蛍光体層３２を形成できる。これにより、発光装置の品質はより向上する。
（第２の実施の形態）
図７は、本実施の形態に係る発光装置の要部模式図である。図７（ａ）は、発光装置２の要部立体図であり、図７（ｂ）には、図７（ａ）のＡ−Ｂ断面が示されている。図７（ａ）では、発光素子１３が露出した状態が示されている。
発光装置２は、蛍光体層２２、３２のほか、第３の蛍光体である蛍光体４０を有する第３の蛍光体層４２を備える。蛍光体層４２は、発光素子１３の上に設けられている。蛍光体２０の発光効率は、蛍光体３０、４０の発光効率よりも高い。発光装置２は、例えば、表示装置のバックライト光源として用いられる。発光装置２の発光素子１３は、発光波長がＵＶ（ultraviolet）領域のＬＥＤである。例えば、発光素子１３の発光波長の領域は、３５０ｎｍ〜４１０ｎｍである。
発光素子１３は、蛍光体４０が樹脂部材４１中に分散された蛍光体層４２に覆われている。蛍光体層４２は、蛍光体３０が樹脂部材３１中に分散された蛍光体層３２に覆われている。蛍光体層３２は、蛍光体２０が樹脂部材２１中に分散された蛍光体層２２に覆われている。発光素子１３から放出された１次光の一部は、蛍光体４０に吸収され、１次光とは波長が異なる２次光に変換される。これにより、蛍光体層４２から上方においては、１次光および２次光が得られる。発光素子１３から放出された１次光の一部は、蛍光体３０に吸収され、１次光とは波長が異なる３次光に変換される。これにより、蛍光体層３２から上方においては、１次光、２次光および３次光とが得られる。発光素子１３から放出された１次光の一部は、蛍光体２０に吸収され、１次光とは波長が異なる４次光に変換される。これにより、蛍光体層２２から上方においては、１次光、２次光、３次光および４次光とが混色した光が得られる。
１次光がＵＶ光、２次光が青色、３次光が緑色、４次光が赤色の場合、発光装置２は、これらの光が混合した光を発する。蛍光体層２２は、樹脂部材５０により覆われている。
このように、発光装置２は、複数種の蛍光体（例えば、蛍光体２０、蛍光体３０、蛍光体４０）を単層の樹脂部材中に混合させず、蛍光体層４２と、蛍光体層３２と、蛍光体層２２とを積層させた多層構造を有する。
蛍光体４０は、例えば、青色を発光する蛍光体であり、具体的には、以下の蛍光体が該当する。波長領域は、例えば、４４０ｎｍ〜４７０ｎｍである。発光装置２では、発光素子１３から発せられる光の波長領域がＵＶであり、蛍光体層２２、３２のほか、青色を発する蛍光体層４２を設けることにより、青色領域の色度の選択性がより拡大する。
ＺｎＳ：Ａｇ
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ
発光装置２では、蛍光体層２２、蛍光体層３２、蛍光体層４２を積層する順序は特に問わない。但し、発光装置の輝度を向上させるために、発光効率が高い蛍光体ほど発光素子１３側に配置してもよい。蛍光体２０の発光効率は、蛍光体３０、４０の発光効率よりも高い。従って、発光素子１３から樹脂部材５０に向かい、蛍光体層２２、蛍光体層３２、蛍光体層４２の順に積層してもよい。また、蛍光体の発光効率が高い順に発光素子１３から樹脂部材５０に向かい積層してもよい。このような形態も本実施の形態に含まれる。
蛍光体層２２中の蛍光体２０の総重量Ｇ２（ｇ）と、蛍光体層３２中の蛍光体３０の総重量Ｇ３（ｇ）と、蛍光体層４２中の蛍光体４０の総重量Ｇ４（ｇ）との調整方法について説明する。これらの総重量Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４は、発光素子１３の波長λ（ｎｍ）または発光強度Ｐ（Ｗ／ｎｍ）に応じて適宜調整される。
本実施の形態では、発光装置２の色度Ｃｘ、Ｃｙと、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐ、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３、蛍光体４０の総重量Ｇ４との対応をデータベース化する。このようなデータベース化を図ることにより、発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐにばらつきが生じても、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３、または蛍光体４０の総重量Ｇ４を調整して、色度Ｃｘ、Ｃｙのばらつきが抑制された発光装置が形成される。
データベース化においては、発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐ、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３、蛍光体４０の総重量Ｇ４を、それぞれ個別に変化させた発光装置２を複数用意し、各データ間の対応付けを行う。各データ間の対応付けは、実験で行ってもよく、シミュレーションで行ってもよい。また、蛍光体２０の総重量Ｇ２（ｇ）は、蛍光体２０の濃度Ｎ２（ｇ／ｃｍ３）×塗布量Ｖ２（ｃｍ３）に置き換えられ、蛍光体３０の総重量Ｇ３（ｇ）は、蛍光体３０の濃度Ｎ３（ｇ／ｃｍ３）×塗布量Ｖ３（ｃｍ３）に置き換えられ、蛍光体４０の総重量Ｇ４（ｇ）は、蛍光体４０の濃度Ｎ４（ｇ／ｃｍ３）×塗布量Ｖ４（ｃｍ３）に置き換えられる。すなわち、それぞれの総重量が決定すれば、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量に応じてそれぞれの塗布量が決定され、更にそれぞれの総重量と塗布量から、それぞれの蛍光体の濃度が決定される。
このデータベース化においては、それぞれの発光装置２の発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを蛍光体層２２、３２、４２を形成する前に予め測定しておく。そして、発光素子１３の波長λ、発光素子１３の発光強度Ｐ、蛍光体層２２、３２、４２の総重量をパラメータとして、それぞれの発光装置２の分光波形（混合色の発光スペクトル）を計測する。これにより、それぞれの分光波形と、それぞれの発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐと、それぞれの蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３、蛍光体４０の総重量Ｇ４、との対応付けがなされる。
例えば、図２（ａ）に例示される分光波形から、それぞれの発光装置２の赤色強度Ｉｒ、緑色強度Ｉｇおよび青色強度Ｉｂを求める。赤色強度Ｉｒの高低は、蛍光体２０の総重量で決定され、緑色強度Ｉｇの高低は、蛍光体３０の総重量で決定され、青色強度Ｉｂの高低は、蛍光体４０の総重量Ｇ４により決定される。
本実施の形態においては、発光強度Ｉｒ、Ｉｇ、Ｉｂに等色関数のファクタｘｒ、ｘｇ、ｘｂ、ｙｒ、ｙｇ、ｙｂ、ｚｒ、ｚｇ、ｚｂを掛け合わせた赤刺激値Ｘ、緑刺激値Ｙ、青刺激値Ｚを定義する。ここで、
赤刺激値Ｘ＝ｘｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｘｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｘｂ×青色強度Ｉｂ・・・（１）式
緑刺激値Ｙ＝ｙｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｙｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｙｂ×青色強度Ｉｂ・・・（２）式
青刺激値Ｚ＝ｚｒ×赤色強度Ｉｒ＋ｚｇ×緑色強度Ｉｇ＋ｚｂ×青色強度Ｉｂ・・・（３）式
で表される。
また、本実施の形態においては、赤刺激値Ｘ、緑刺激値Ｙ、青刺激値Ｚを用いた仮の色度Ｃｘ’、Ｃｙ’を定義する。Ｃｘ’、Ｃｙ’は、
Ｃｘ’＝赤刺激値Ｘ／（赤刺激値Ｘ＋緑刺激値Ｙ＋青刺激値Ｚ）・・・（４）式
Ｃｙ’＝緑刺激値Ｙ／（赤刺激値Ｘ＋緑刺激値Ｙ＋青刺激値Ｚ）・・・（５）式
で表される。
Ｃｘ’、Ｃｙ’は、それぞれの分光波形毎に異なり、波長λ、発光強度Ｐと、総重量Ｇ２、総重量Ｇ３、総重量Ｇ４と、Ｃｘ’、Ｃｙ’との関係がデータベース化される。
次に、色度計を用い、それぞれの発光装置２から発せられる光の色度Ｃｘ、Ｃｙを実測する。これにより、（Ｃｘ、Ｃｙ）と、（Ｃｘ’、Ｃｙ’）との対応付けがなされる。
上述したように、ＣｘとＣｘ’との関係、ＣｙとＣｙ’との関係については、線形の関係に調整する。
このような線形関係のラインを発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐごとに複数本、求めておけば、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐがばらついたとしても、実測した発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐから、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３に対応するＣｘ’、Ｃｙ’を逆算することができる。この逆算したＣｘ’とＣｙ’とから、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３、蛍光体４０の総重量Ｇ４を決定すれば、所望の白色光（例えば、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３）を発する発光装置が安定して得られる。
このように、発光装置２を組み立てる前に、発光素子１３、蛍光体２０、蛍光体３０および蛍光体４０が発する混合色の色度に関し、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐ、蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３または蛍光体４０の総重量Ｇ４に対する依存性（データベース）を予め求めておく。
発光装置２の製造方法を説明する。
図８は、発光装置の製造工程を説明するための要部模式図である。
図８（ａ）に示すように、リードフレーム１１、１２を備えたパッケージ部材１０を準備する。続いて、リードフレーム１２の上に、発光素子１３を搭載する。発光素子１３とリードフレーム１１とをボンディングワイヤ１４を通じて接続する。これにより、筐体であるパッケージ部材１０内に発光素子１３が設けられる。この段階において、発光素子１３から発せられる光の波長λおよび発光強度Ｐを実測する。例えば、発光素子１３の波長λが３８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲でばらつくことを想定し、蛍光体層２２、３２、４２を形成する前に、発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを測定しておく。発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐと、Ｃｘ’、Ｃｙ’、Ｃｘ、Ｃｙの関係は、既にデータベース化されている。
次に、所望の色度を決定する。例えば、白色光の条件であるＣｘ＝Ｃｙ＝０．３３の発光装置を作製することを目標とする。
そして、データベースを引用し、Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３に応じた刺激値Ｃｘ、Ｃｙを決定した後、白色光の条件（Ｃｘ＝Ｃｙ＝０．３３）を満たす蛍光体２０、３０、４０の総重量を決定する。
さらに、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量、発光素子１３の形状に応じて、蛍光体２０の塗布量Ｖ２を決定し、蛍光体２０の総重量Ｇ２および塗布量Ｖ２から蛍光体２０の濃度Ｎ２を決定する。また、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量、発光素子１３の形状に応じて、蛍光体３０の塗布量Ｖ３を決定し、蛍光体３０の総重量Ｇ３および塗布量Ｖ３から、蛍光体３０の濃度Ｎ３を決定する。さらに、パッケージ部材１０の凹部１０ａの容量、発光素子１３の形状に応じて、蛍光体４０の塗布量Ｖ４を決定し、蛍光体４０の総重量Ｇ４および塗布量Ｖ４から、蛍光体４０の濃度Ｎ４を決定する。
このように、実測した発光素子１３の波長λおよび発光強度Ｐを含む混合色が所定の色度になるように、依存性（データベース）から蛍光体２０の総重量Ｇ２、蛍光体３０の総重量Ｇ３および蛍光体４０の総重量Ｇ４を個別に決定する。
次に、図８（ｂ）に示すように、蛍光体４０が分散された樹脂部材４１を発光素子１３の上側から滴下する。蛍光体４０が分散された樹脂部材４１は、ペースト状である。蛍光体４０が分散された樹脂部材４１を滴下後においては、遠心沈降（６５０ｒｐｍ、３０分間）を施し、図８（ｃ）に示すように、発光素子１３の少なくとも一部を蛍光体層４２で被覆する。
次に、図８（ｄ）に示すように、蛍光体３０が分散された樹脂部材３１を蛍光体層４２の上側から滴下する。蛍光体３０が分散された樹脂部材３１を滴下後においては、遠心沈降を施し、図８（ｅ）に示すように、蛍光体層４２の少なくとも一部を蛍光体層３２で被覆する。
次に、図８（ｆ）に示すように、蛍光体２０が分散された樹脂部材２１を蛍光体層３２の上側から滴下する。蛍光体２０が分散された樹脂部材２１を滴下した後においては、遠心沈降を、蛍光体２０が分散された樹脂部材２１に施し、図８（ｇ）に示すように、蛍光体層２２で蛍光体層３２の少なくとも一部を被覆する。
次に、図８（ｈ）に示すように、樹脂部材５０を蛍光体層２２の上側から滴下する。これにより、図７に示すように、蛍光体層２２が樹脂部材５０で覆われた発光装置２が形成する。樹脂部材２１、樹脂部材３１、樹脂部材４１および樹脂部材５０を硬化する。硬化は、それぞれの樹脂部材２１、３１、４１、５０を滴下後にそれぞれ個別に行ってもよく、樹脂部材２１、３１、４１、５０を一括で硬化してもよい。なお、樹脂部材２１、３１、４１、５０は、図示しないノズルから滴下する。
本実施の形態では、蛍光体層２２、３２、４２の積層する順序を問わない。例えば、最終形態である発光装置２の発光強度をより増加させるために、発光素子１３に対し発光効率の高い蛍光体層から順に積層してもよい。
このような製造方法に従えば、各発光装置毎の発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐがばらついても、蛍光体の濃度、塗布量を補正することにより、色度のばらつきが抑制された発光装置が形成される。
本実施の形態においては、色度のばらつきを抑制するために、発光素子１３の波長λに対する感度依存が比較的大きい蛍光体の総重量を優先的に調整する。
例えば、図９は、波長と色度の関係を説明する図である。
図９の横軸には、発光素子１３の波長λ（３８０ｎｍ〜４００ｎｍ）が示され、縦軸には、色度Ｃｘが示されている。
図９（ａ）には、蛍光体４０（青色蛍光体）に関する発光素子１３の波長λと、色度Ｃｘとの関係が示されている。図９（ｂ）には、蛍光体３０（緑色蛍光体）に関する発光素子１３の波長λと、色度Ｃｘとの関係が示されている。図９（ｃ）には、蛍光体２０（赤色蛍光体）に関する発光素子１３の波長λと、色度Ｃｘとの関係が示されている。
図９（ａ）（ｂ）に示す蛍光体３０、４０においては、発光素子１３の波長λ（３８０ｎｍ〜４００ｎｍ）が変化しても、色度Ｃｘは略一定の値を維持する。
ところが、図９（ｃ）に示す蛍光体２０（赤色蛍光体）においては、発光素子１３の波長λ（３８０ｎｍ〜４００ｎｍ）が大きくなるほど、色度Ｃｘは減少する傾向にある。
すなわち、発光素子１３の波長λが３８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲でばらつく場合は、発光素子１３の波長λに対する感度依存が比較的大きい蛍光体２０の総重量を優先的に調整する。このような方法によれば、各発光装置毎の発光素子１３の波長λ、発光強度Ｐがばらついても、蛍光体２０の濃度、塗布量を優先的に補正することにより、色度のばらつきがより確実に抑制された発光装置が形成される。
（第３の実施の形態）
発光装置１、２を製造することが可能な発光装置製造装置３について説明する。
図１０は、発光装置製造装置の要部図である。
発光装置製造装置３は、ローダ６１と、アンローダ６２とを備える。ローダ６１と、アンローダ６２との間には、搬送機構６３が設けられている。ローダ６１からは、発光素子１３等を備えたパッケージ部材１０が支持台８１に載せられて、搬送機構６３に送り出される。送り出されたパッケージ部材１０は、上述した製造方法により処理されて、アンローダ６２に収納される。このため、ローダ６１とアンローダ６２との間には、発光素子１３の波長λまたは発光強度Ｐを測定する第１の測定部６４と、画像認識により発光素子１３の位置（３次元座標：Ｘ、Ｙ、Ｚ）を測定する画像認識手段（位置検出部）６０と、発光素子１３の位置を補正する位置補正機構部６５と、位置補正機構部６５を搭載した移動機構部６６と、移動機構部６６に搭載された複数のノズル（塗布機構部）６７ａ、６７ｂ、６７ｃと、発光装置の光学特性（色度、波長、演色性等）を測定する第２の測定部６８と、が設けられている。
それぞれのノズル６７ａ、６７ｂ、６７ｃからは、別の種類の蛍光体を放出することができる。例えば、ノズル６７ａからは、蛍光体２０を分散させた樹脂部材２１が放出され、ノズル６７ｂからは、蛍光体３０を分散させた樹脂部材３１が放出され、ノズル６７ｃからは、蛍光体４０を分散させた樹脂部材４１が放出される。さらに、発光装置製造装置３は、蛍光体の塗布前後の状態を検出するメンテナンス部６９を備える。
画像認識手段６０、ローダ６１、アンローダ６２、搬送機構６３、測定部６４、位置補正機構部６５、移動機構部６６、ノズル６７ａ、６７ｂ、６７ｃ、測定部６８およびメンテナンス部６９は、制御部７０により制御されている。例えば、蛍光体層２２、３２、４２の塗布不良が生じた場合、メンテナンス部６９は、その情報を制御部７０に伝達し、帰還制御によって良好な塗布条件を復元する。
制御部７０内には、上述したデータベースを格納する記憶部７１と、記憶部７１に格納されたデータを演算して、蛍光体の最適な濃度、塗布量を算出する演算部７２と、を備える。これにより、それぞれのノズル６７ａ、６７ｂ、６７ｃからは、最適な濃度、塗布量の蛍光体が発光素子１３の上に滴下される。さらに、発光装置製造装置３は、測定結果、データおよび演算結果を表示するモニタ７３と、上述した遠心沈降を実施する遠心沈降機構８０を備える。
発光装置製造装置３は、上述した第１および第２の実施の形態に掲げられた発光装置の製造方法を実現可能にする。このような発光装置製造装置３を用いれば、蛍光体層２２、３２、４２を所定の濃度、塗布量、位置で形成することができる。これにより、発光装置の色度のばらつきが抑制される。発光装置製造装置３を用いれば、発光装置の分光波形を迅速に測定できるので、発光特性に異常が生じても、蛍光体層の濃度、塗布量、位置を直ちに補正することができる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。本発明は上述した具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
１、２ 発光装置
３ 発光装置製造装置
１０ パッケージ部材（筐体）
１０ａ 凹部
１１、１２ リードフレーム
１３ 発光素子
１３ａ 半導体積層体
１３ｂ 上部電極
１３ｃ 下部電極
１４ ボンディングワイヤ
２０、３０、４０ 蛍光体
２１、３１、４１ 樹脂部材
２２、３２、４２ 蛍光体層
５０ 樹脂部材
６０ 画像認識手段
６１ ローダ
６２ アンローダ
６３ 搬送機構
６４、６８ 測定部
６５ 位置補正機構部
６６ 移動機構部
６７ａ、６７ｂ、６７ｃ ノズル
６９ メンテナンス部
７０ 制御部
７１ 記憶部
７２ 演算部
７３ モニタ
８０ 遠心沈降機構
８１ 支持台

Claims (5)

  1. 筐体と、
    前記筐体内に設けられた発光素子と、
    前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、
    前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、
    を備え、
    前記第１の蛍光体の発光効率は、前記第２の蛍光体の発光効率よりも高いことを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光素子の上に、第３の蛍光体を含む第３の蛍光体層がさらに設けられたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備えた発光装置の製造方法であり、
    前記発光素子、前記第１の蛍光体および前記第２の蛍光体が発する混合色の色度に関し、前記発光素子の波長および発光強度、前記第１の蛍光体の第１の総重量または前記第２の蛍光体の第２の総重量に対する依存性を予め求める工程と、
    前記発光素子の前記波長および前記発光強度を実測する工程と、
    実測した前記波長および前記発光強度を含む前記混合色が所定の色度になるように、前記依存性から前記第１の総重量および前記第２の総重量を個別に決定する工程と、
    前記第１の総重量の前記第１の蛍光体を含む前記第１の蛍光体層により前記発光素子の少なくとも一部を被覆する工程と、
    前記第２の総重量の前記第２の蛍光体を含む前記第２の蛍光体層により前記第１の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、
    を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
  4. 筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、前記第２の蛍光体層の上に設けられた、第３の蛍光体を有する第３の蛍光体層と、を備えた発光装置の製造方法であり、
    前記発光素子、前記第１の蛍光体、前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体が発する混合色の色度に関し、前記発光素子の波長および発光強度、前記第１の蛍光体の第１の総重量、前記第２の蛍光体の第２の総重量または前記第３の蛍光体の第３の総重量に対する依存性を予め求める工程と、
    前記発光素子の前記波長および前記発光強度を実測する工程と、
    実測した前記波長および前記発光強度を含む前記混合色が所定の色度になるように、前記依存性から前記第１の総重量、前記第２の総重量および前記第３の総重量を個別に決定する工程と、
    前記第１の総重量の前記第１の蛍光体を含む前記第１の蛍光体層により前記発光素子の少なくとも一部を被覆する工程と、
    前記第２の総重量の前記第２の蛍光体を含む前記第２の蛍光体層により前記第１の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、
    前記第３の総重量の前記第３の蛍光体を含む前記第３の蛍光体層により前記第２の蛍光体層の少なくとも一部を被覆する工程と、
    を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
  5. 請求項３または４に係る発光装置の製造方法を可能にすることを特徴とする発光装置製造装置。
JP2010034714A 2010-02-19 2010-02-19 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置 Pending JP2011171557A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010034714A JP2011171557A (ja) 2010-02-19 2010-02-19 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
TW100104333A TW201143157A (en) 2010-02-19 2011-02-09 Light emitting device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing light emitting device
US13/026,631 US20110204400A1 (en) 2010-02-19 2011-02-14 Light emitting device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing light emitting device
EP11154640A EP2362713A2 (en) 2010-02-19 2011-02-16 Light emitting device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing light emitting device
KR1020110014112A KR20110095817A (ko) 2010-02-19 2011-02-17 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 장치
CN2011100429225A CN102194984A (zh) 2010-02-19 2011-02-18 发光装置、发光装置的制造方法及发光装置的制造设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010034714A JP2011171557A (ja) 2010-02-19 2010-02-19 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011283273A Division JP2012060192A (ja) 2011-12-26 2011-12-26 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011171557A true JP2011171557A (ja) 2011-09-01

Family

ID=43857820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010034714A Pending JP2011171557A (ja) 2010-02-19 2010-02-19 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110204400A1 (ja)
EP (1) EP2362713A2 (ja)
JP (1) JP2011171557A (ja)
KR (1) KR20110095817A (ja)
CN (1) CN102194984A (ja)
TW (1) TW201143157A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168528A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Konica Minolta Inc 発光装置の製造方法
JP2014003093A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Sharp Corp 発光装置の製造方法及び色計測装置
US8754429B2 (en) 2010-06-07 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
US9099619B2 (en) 2011-03-15 2015-08-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2016167493A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2016201531A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2018019023A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9972752B2 (en) 2015-04-08 2018-05-15 Nichia Corporation Light-emitting device manufacturing method
JP2020035997A (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059915A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Panasonic Corp Ｌｅｄパッケージ製造システム
KR101626412B1 (ko) * 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
CN102683542B (zh) * 2011-03-15 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
KR101975731B1 (ko) * 2011-04-26 2019-05-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치
KR101942028B1 (ko) 2011-09-22 2019-01-25 삼성전자 주식회사 Ｌｅｄ 조명 장치
KR101412012B1 (ko) * 2012-10-23 2014-06-26 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 제조방법
TWI451601B (zh) * 2012-10-26 2014-09-01 Lighten Corp 發光模組
DE102012112316A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements und Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
JP6450923B2 (ja) * 2013-12-20 2019-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法ならびに電子部品実装装置
TW201528558A (zh) * 2014-01-02 2015-07-16 Lextar Electronics Corp 螢光膠體預檢方法及應用其之發光二極體封裝方法
DE102014101784B4 (de) * 2014-02-13 2024-03-14 HELLA GmbH & Co. KGaA Verfahren zum Aufbau eines LED- Lichtmoduls
CN106725951B (zh) * 2016-12-28 2019-11-26 张雨同 一种洁牙设备及具有防溅水摄像功能的洗牙器
US10825949B2 (en) * 2018-08-27 2020-11-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
DE102018131296A1 (de) * 2018-12-07 2020-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN111628066A (zh) * 2020-06-04 2020-09-04 江西鸿利光电有限公司 一种提升led发光亮度的工艺方法
DE102020133750A1 (de) 2020-12-16 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum befüllen zumindest einer kavität mit einem flüssigen verguss und optoelektronisches bauelement
DE102022124732A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179644A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004253745A (ja) * 2003-02-24 2004-09-09 Citizen Electronics Co Ltd パステルｌｅｄの作成方法
JP2006037097A (ja) * 2004-06-09 2006-02-09 Lumileds Lighting Us Llc 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置
JP2007273887A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
KR101525274B1 (ko) * 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
JP4961413B2 (ja) 2007-11-20 2012-06-27 株式会社ナノテコ 白色ｌｅｄ装置およびその製造方法
KR101562772B1 (ko) * 2008-03-31 2015-10-26 서울반도체 주식회사 백열등 색의 발광 디바이스

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179644A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004253745A (ja) * 2003-02-24 2004-09-09 Citizen Electronics Co Ltd パステルｌｅｄの作成方法
JP2006037097A (ja) * 2004-06-09 2006-02-09 Lumileds Lighting Us Llc 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置
JP2007273887A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置及びその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8754429B2 (en) 2010-06-07 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
US8981412B2 (en) 2010-06-07 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
US9099619B2 (en) 2011-03-15 2015-08-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2013168528A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Konica Minolta Inc 発光装置の製造方法
JP2014003093A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Sharp Corp 発光装置の製造方法及び色計測装置
JP2016167493A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10461225B2 (en) 2015-03-09 2019-10-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device including sealing materials with phosphor particles
US9972752B2 (en) 2015-04-08 2018-05-15 Nichia Corporation Light-emitting device manufacturing method
JP2016201531A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN107665940A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR20180013791A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP2018019023A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10734556B2 (en) 2016-07-29 2020-08-04 Nichia Corporation Manufacturing method for light emitting device
CN107665940B (zh) * 2016-07-29 2021-11-05 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR102393760B1 (ko) 2016-07-29 2022-05-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP2020035997A (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110204400A1 (en) 2011-08-25
EP2362713A2 (en) 2011-08-31
TW201143157A (en) 2011-12-01
CN102194984A (zh) 2011-09-21
KR20110095817A (ko) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011171557A (ja) 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
JP5086641B2 (ja) 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP7414886B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
CN1954044B (zh) 使用磷光体转换发光二极管的有效光源的规则
TWI780041B (zh) 一種發光元件及其製造方法
JP4945436B2 (ja) 白色発光ランプとそれを用いたバックライト、表示装置および照明装置
US10084119B2 (en) Light-emitting device
JP4473284B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20130257266A1 (en) Light emitting device
JP6351265B2 (ja) 蛍光体含有多層膜シート、並びに発光装置
KR20040093609A (ko) 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
WO2011129429A1 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP2007049114A (ja) 発光装置とその製造方法
JP2017530525A (ja) ネオジム・フッ素材料を用いたｌｅｄ装置
JP2021515400A (ja) 緑色発光蛍光体を含むデバイス
JP2011151419A (ja) 発光装置とその製造方法
JP4854716B2 (ja) Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
JP2009231569A (ja) Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法
JP2021061448A (ja) 発光装置
JP2007201444A (ja) 発光装置
JP6544082B2 (ja) 発光装置
US20160149092A1 (en) Optoelectronic component
WO2013038649A1 (ja) 発光モジュール
JP2012060192A (ja) 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
KR100649704B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111226

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120410