JP4854716B2 - Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置 - Google Patents

Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4854716B2
JP4854716B2 JP2008214776A JP2008214776A JP4854716B2 JP 4854716 B2 JP4854716 B2 JP 4854716B2 JP 2008214776 A JP2008214776 A JP 2008214776A JP 2008214776 A JP2008214776 A JP 2008214776A JP 4854716 B2 JP4854716 B2 JP 4854716B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
led device
phosphor
green phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008214776A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008283221A (ja
Inventor
雅俊 尾本
昌嗣 増田
雅陽 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008214776A priority Critical patent/JP4854716B2/ja
Publication of JP2008283221A publication Critical patent/JP2008283221A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4854716B2 publication Critical patent/JP4854716B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating

Description

本発明は、CCD(Charge Coupled Device:固体撮像素子)もしくはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補性金属酸化膜半導体)カメラの補助光源、またはLCD(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)のバックライト光源などに用いられるLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)デバイスに関し、より詳しくは発光素子と発光素子によって励起される蛍光体を組合わせた色再現性がよく明るい白色光が得られるLEDデバイスに関する。
従来、LEDを用いた白色発光デバイスとしては、460nm近辺の発光ピーク波長をもつ青色発光素子と、その青色発光素子により励起され黄色の蛍光を発光するYAG系蛍光体を組み合わせて、青色発光と黄色蛍光との混色発光により白色光を得る白色LEDデバイスがある。
特開2002−064220号公報
しかし、上記白色LEDデバイスは、青色発光とその補色である黄色の蛍光の組み合わせによる擬似的な白色発光を行なうものであり、特に、赤色の色再現性に劣るという問題があった。
また、その他の白色LEDデバイスとしては、従来から、光の3原色である、赤色、緑色、青色の発光ピーク波長をもつLEDを組み合わせてその混色で得られる白色LEDデバイスがある。
しかし、上記白色LEDデバイスにおいては、各々の発光素子の発光ピーク幅が狭く色再現性のよい明るい白色光を出すことが困難であった。
本発明は、上記問題点を解決するため、色再現性がよく明るい白色光が得られるLEDデバイスを提供することを目的とする。
本発明のある局面に従うと、LEDデバイスは、少なくとも、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子と、発光ピーク波長が360nm〜420nmである紫外・紫色発光素子と、少なくとも紫外・紫色発光素子の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体と、発光ピーク波長が600nm〜670nmである赤色発光素子とを具備し、青色発光素子が緑色蛍光体を励起させないように、青色発光素子と緑色蛍光体が配置されている
好ましくは、上記緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrAlOで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrAlO:Euを含む。
好ましくは、上記緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrGaSで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrGaS:Euを含む。
好ましくは、上記緑色蛍光体が、SrGa24:Eu、RMg2Al1627:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、RMgAl1017:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、ZnS:Cu、SrAl24:Eu、SrAl24:Eu,Dy、ZnO:Zn、Zn2Ge24:MnおよびZn2SiO4:Mn、Q3MgSi28:Eu,Mn(Qは、Sr、BaまたはCaから選ばれる少なくとも1の元素)からなる蛍光体群から選ばれる少なくとも1の蛍光体からなる。
好ましくは、上記緑色蛍光体が、光透過性で、かつ屈折率nがn>1であって、緑色蛍光体が、耐熱性、耐水性および光透過性を有するコーティング剤でコーティングされていることを特徴とする。
好ましくは、上記緑色蛍光体の粒径が20μm以下である。
好ましくは、青色発光源とする発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子が500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体を励起させないように、前記青色発光素子と緑色蛍光体が配置されていることを特徴とする。
また、本発明のデジタルカメラは、上記のいずれかに記載のLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたことを特徴とする。
また、本発明の携帯電話機器は、上記のいずれかに記載のLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたことを特徴とする。
また、本発明のLCD表示装置は、上記のいずれかに記載のLEDデバイスをバックライト光源として用いたことを特徴とする。
本発明のLEDデバイスによれば、少なくとも、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子および/または発光ピーク波長が360nm〜420nmである紫外・紫色発光素子と、少なくとも前記青色発光素子の発光および/または前記紫外・紫色発光素子の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体と、発光ピーク波長が600nm〜670nmである赤色発光素子または前記青色発光素子の発光により600nm〜670nmの範囲で蛍光スペクトルを有する赤色蛍光体とを具備するので、色再現性がよく明るい白色光が得られるLEDデバイスを提供することができる。
本発明にかかる一のLEDデバイスは、図1を参照して、少なくとも発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子11と、前記青色発光素子11の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体16と、発光ピーク波長が600nm〜670nmである赤色発光素子13とを具備する。
図1を参照して、青色発光素子11が導電性接着剤14を介して端子電極21aに設置されボンディングワイヤ15によって端子電極21bに導通され、赤色発光素子13が導電性接着剤14を介して端子電極23aに設置されボンディングワイヤ15によって端子電極23bに導通されている。また、青色発光素子11、赤色発光素子13および緑色蛍光体16が光透過性樹脂18によって封入されている。ここで、端子電極21a、21b、23a、23bは、反射ケース19と一体成型されてLEDデバイスの外形を形成している。
青色発光素子11から出射された青色光は、光透過性樹脂18に封入された緑色蛍光体16を励起して緑色蛍光体16から緑色の蛍光に変換されて、光透過性樹脂18を透過して外部に進む。また、青色発光素子11から出射され、緑色蛍光体18を励起しなかった青色光も、光透過性樹脂18を透過して外部に進む。さらに、赤色発光素子13から出射された赤色光は、緑色蛍光体18を励起することなく光透過性樹脂18を透過して外部に進む。すなわち、青色発光素子11からの青色光、緑色蛍光体16からの緑色光、赤色発光素子13からの赤色光の組合わせにより、色再現性のよい白色光が得られる。
なお、光透過性樹脂18としては、本発明の目的に反さない限り特に制限はなく、熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂またはポリプロピレン樹脂などを用いることができる。
本発明にかかる別のLEDデバイスは、図2を参照して、少なくとも、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子11と、発光ピーク波長が360nm〜420nmである紫外・紫色発光素子12と、少なくとも前記紫外・紫色発光素子12の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体16と、発光ピーク波長が600nm〜670nmである赤色発光素子13とを具備する。図2に示すLEDデバイスは、図1に示すLEDデバイスと同様に、青色発光素子11からの青色光、緑色蛍光体16からの緑色光、赤色発光素子13からの赤色光の組み合わせにより、色再現性のよい白色光が得られる。
図2に示すLEDデバイスは、青色を発光させるための青色発光素子11と緑色を発光させる緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12を用いている点で、青色発光素子11のみで青色を発光するとともに、緑色蛍光体16を励起して緑色をも発光させている図1に示すLEDデバイスと異なる。ここで、緑色蛍光体16として、紫外・紫色発光素子12でのみ励起され青色発光素子11では励起されないような緑色蛍光体を用いると、青色発光素子11の発光により青色光が、紫外・紫色発光素子12の発光により励起された緑色蛍光体16により緑色光が、赤色発光素子13の発光により赤色光が、それぞれ独立に得られるため、各発光素子の発光量を調節することにより、任意の色の光を得ることができる。
なお、図2において、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12に替えて、緑色蛍光体16を励起するための青色発光素子(図示せず)を用いることもできる。この場合の緑色蛍光体は、青色発光素子で励起されるものを用いる。
本発明にかかるさらに別のLEDデバイスは、図3を参照して、少なくとも、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子11と、前記青色発光素子の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体16と、前記青色発光素子の発光により600nm〜670nmの範囲で蛍光スペクトルを有する赤色蛍光体17とを具備する。青色発光素子11からの青色光、緑色蛍光体16からの緑色光、赤色蛍光体17からの赤色光の組み合わせにより、色再現性のよい白色光が得られる。
本発明にかかるさらに別のLEDデバイスは、図4を参照して、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子11と、発光ピーク波長が360nm〜420nmである紫外・紫色発光素子12と、少なくとも前記紫外・紫色発光素子12の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体16と、少なくとも前記紫外・紫色発光素子12の発光により600nm〜670nmの範囲で蛍光スペクトルを有する赤色蛍光体17とを具備する。青色発光素子11からの青色光、緑色蛍光体16からの緑色光、赤色蛍光体17からの赤色光の組み合わせにより、色再現性のよい白色光が得られる。
なお、図4において、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12に替えて、緑色蛍光体16を励起するための青色発光素子(図示せず)を用いることもできる。この場合の緑色蛍光体は、青色発光素子で励起されるものを用いる。
本発明にかかるLEDデバイスにおいては、赤色蛍光体は、本発明の目的に反しない限り特に制限はないが、母剤がSrxCa1-xS(0≦x≦1)で賦活剤にEuを用いた蛍光体SrxCa1-xS:Euを用いることが好ましい。かかる赤色蛍光体は、その蛍光の光度が大きいからである。
また、緑色蛍光体は、本発明の目的に反しない限り特に制限はないが、SrGa24:Eu、RMg2Al1627:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、RMgAl1017:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、ZnS:Cu、SrAl24:Eu、SrAl24:Eu,Dy、ZnO:Zn、Zn2Ge24:MnおよびZn2SiO4:Mn、Q3MgSi28:Eu,Mn(Qは、Sr、BaまたはCaから選ばれる少なくとも少なくとも1の元素)からなる蛍光体群から選ばれる少なくとも1の蛍光体であることが好ましい。これらの緑色蛍光体は、その蛍光の光度が大きいからである。また、2以上の緑色蛍光体を用いることは、蛍光スペクトルの緑色領域がブロードとなり、より色再現性の高い白色光が得られる観点から好ましい。
また、緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrGaSで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrGaS:Euが含まれていることは、その蛍光の強度が特に大きい点で好ましい。SrGaS:Eu蛍光体の代表例としては、SrGa24:Euなどが挙げられる。ここで、図5(a)に示すような紫外・紫色発光素子12と緑色蛍光体16から構成されるLEDデバイスにおいて、紫外・紫色発光素子12として紫色発光素子(GaN、発光ピーク波長:405nm)を用い、緑色蛍光体としてSrGa24:Euを用いたLEDデバイスの35mA通電時における発光スペクトルを図5(b)の実線に示す。比較のために、35mA通電時における緑色発光素子(InGaN、発光ピーク波長:525nm)の発光スペクトルを図5(b)の破線に示す。このLEDデバイスの軸上光度は2cdであり、軸上光度が0.8cdの緑色発光素子に比べて非常に明るい緑色光が得られる。また、このLEDデバイスの緑色領域のスペクトル幅は、緑色発光素子のそれよりも著しく広く、青色発光素子および赤色発光素子との組み合わせにより、色再現性の高い白色光が得られることがわかる。
また、緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrAlOで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrAlO:Euを含まれていることは、その蛍光の強度が大きい点で好ましい。SrAlO:Eu蛍光体の代表例としては、SrAl24:Euなどが挙げられる。ここで、蛍光体SrAl24:Euは、発光ピーク波長が360〜420nmの紫外・紫色発光素子により励起されるが、発光ピーク波長が420nm〜480nmの青色発光素子ではほとんど励起されないため、たとえば、図2に示すLEDデバイスにおいて、緑色蛍光体としてSrAl24:Euのみを用いると、青色発光素子の発光により青色光が、紫外・紫色発光素子の発光により励起された緑色蛍光体から緑色光が、赤色発光素子の発光により赤色光が、それぞれ独立に得られるため、各発光素子の発光量を調節することにより、任意の色の光を得ることができる。
なお、上記において、SrGaS、SrAlOなどのように元素数を示す添え数字を省略したものは、それらの元素から構成される化合物全体の総称であり、それらの化合物における代表的な化合物として、それぞれSrGa24、SrAl24などが含まれる。
また、蛍光体(緑色蛍光体、赤色蛍光体のいずれをも含む)は、光透過性で、かつ屈折率nがn>1であることが好ましい。光透過性により発光素子からの発光が蛍光体に反射されることが無く、屈折率nをn>1とすることにより発光素子からの発光が効率よく蛍光体に集められる。また、上記蛍光体は、耐熱性、耐水性および光透過性を有するコーティング剤でコーティングされていることが好ましい。蛍光体、特に、緑色蛍光体SrGa24:Euなどの硫化物は水分を吸収して失活しやすいので、上記処理が好ましい。ここで、蛍光体を耐熱性、耐水性および光透過性を有するコーティング剤でコーティングするとは、前記蛍光体を耐熱性、耐水性および光透過性を有する材料によってマイクロカプセル化、または被覆することをいう。たとえば、シラザン処理、ホウケイ酸塩などのガラス材料で被覆処理することをいう。ここで、シラザン処理とは、Si−N結合を有するシラザン、たとえば、ペルヒドロポリシラザンを溶媒に溶かして蛍光体表面に付着させた後、大気中で硬化または焼成することにより、蛍光体の表面を被覆することを意味する。
蛍光体の粒径は、20μm以下であることが好ましい。蛍光体の光透過性が損なわれず、また、比表面積が大きくなるため蛍光体の蛍光効率が向上する。
また、本発明にかかるLEDデバイスにおいて、青色発光源とする青色発光素子が緑色蛍光体を励起させないように、前記青色発光素子と緑色蛍光体を配置することができる。LEDデバイスにおける青色発光源とする青色発光素子と緑色蛍光体の配置は、前記青色発光素子が緑色蛍光体を励起させないようにされていれば特に制限はないが、たとえば、図6〜図8に示すように配置することができる。
図6に示すLEDデバイスにおいては、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12の周囲のみに緑色蛍光体16を局在化させて、紫外・紫色発光素子12および緑色蛍光体16を、青色発光源とする青色発光素子11および赤色発光源とする赤色発光素子13が設置されている平面より低い空間内に閉じ込めることにより、青色発光源とする青色発光素子11からの発光が、緑色蛍光体16に当たらないようにされている。
図7に示すLEDデバイスにおいては、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12の周囲のみに緑色蛍光体16を局在化させるとともに、青色発光源とする青色発光素子11をシリコンベース31の上に電極バンプ32を介して設置することにより、前記青色発光素子11を、紫外・紫色発光素子12、緑色蛍光体16および赤色発光源とする赤色発光素子13が設置されている平面より高く配置することにより、青色発光源とする青色発光素子11からの発光が、緑色蛍光体16に当たらないようにされている。
また、図8に示すように、同一平面上であっても、一直線上に青色発光源とする青色発光素子11、赤色発光源とする赤色発光素子13、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12および緑色蛍光体16を配置することにより、青色発光源とする青色発光素子11からの発光が、緑色蛍光体16に当たらないようにすることもできる。
また、図6〜図8において、緑色蛍光体16を励起するための紫外・紫色発光素子12に替えて、緑色蛍光体16を励起するための青色発光素子(図示せず)を用いることも可能である。
上記のように、青色発光源とする青色発光素子が緑色蛍光体を励起させないように前記青色発光素子と緑色蛍光体が配置することにより、青色発光素子の発光により青色光が、紫外・紫色発光素子または青色発光素子の発光により励起された緑色蛍光体により緑色光が、赤色発光素子の発光により赤色光が、それぞれ独立に得られるため、各発光素子の発光量を調節することにより、任意の色の光を得ることができる。
なお、上記の本発明にかかるLEDデバイスの実施形態においては、主として、発光素子を電極がP/N上下対向配置されている発光素子で示したが、図9に示すような上面2電極構造(図9の左側図)またはフリップチップ構造(図9の右側図)などの電極構造をとる発光素子も用いることができる。また、蛍光体を光透過性樹脂に混練したが、発光素子面に直接塗布しても同様の効果が得られる。
本発明にかかるデジタルカメラは、上記の本発明にかかるLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたものである。かかるLEDデバイスにおいては、上記のように色再現性に優れた明るい白色光が得られるため、これをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたデジタルカメラは、色再現性のよい明るい画像が得られる。
本発明にかかる携帯電話機器は、上記の本発明にかかるLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたものである。かかるLEDデバイスにおいては、上記のように色再現性に優れた明るい白色光が得られるため、これをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いた携帯電話機器の表示装置においては、色再現性のよい明るい画像が得られる。さらに、各発光素子の発光量の調整により任意の色が得られるため、補助光源の白色以外にも、たとえば着信モードの表示などの機能を付加させることができる。
本発明にかかるLCD表示装置は、上記の本発明にかかるLEDデバイスをバックライト光源として用いたものである。かかるLEDデバイスにおいては、上記のように色再現性に優れた明るい白色光が得られるため、これをバックライト光源として用いたLCD表示装置おいては、色再現性のよい明るい画像が得られる。
なお、上記図1〜図8においては、緑色蛍光体16を六角形で、赤色蛍光体17を三角形で表記したが、これらは両者の区別を明確にするためであり、実際の形状を表しているものではない。実際はいずれの蛍光体も、大部分が球形に近い粉状体となっている。
以下、本発明にかかるLEDデバイスについて、実施例に基づき具体的に説明する。
(実施例1)
図1において、青色発光素子11には発光ピーク波長が460nmのSiCをサブストレートとしたInGaNに電極がP/N上下対向配置されているものを用い、赤色発光素子13には発光ピーク波長が624nmのAlGaInPに電極がP/N上下対向配置されているものを用い、緑色蛍光体16には平均粒径が8μmのSrGa2S4:Euを用いた。また、端子電極21a,21b,23a,23bはCu合金製であり表面にAgめっきを施し、ワイヤボンデイング性を向上させている。導電性接着剤14にはAgペーストを用い、ボンディングワイヤ15にはAuワイヤを用いた。光透過性樹脂18には熱硬化性のエポキシ樹脂(比重:1.2)を用いた。
図1に示すLEDデバイスは、以下の手順で作製した。まず、反射ケース19のカップ内であって端子電極21a、23aの所定部分に、それぞれ青色発光素子11、赤色発光素子13のn電極を、導電性接着剤14を用いて接着した。次に、ボンディングワイヤ15を用いて青色発光素子11、赤色発光素子13のp電極をそれぞれ端子電極21b,23bと配線した。液状の光透過性樹脂1gに対して緑色蛍光体SrGa24:Euを0.05g混練し、反射ケース19に注入した。ここで、図1(b)を参照して、注入された光透過性樹脂18の表面部の直径L1は3.81mm、底面部の直径L2は2.6mm、高さHは1.0mmであった。さらに、光透過性樹脂18の硬化後、端子電極21a,21b,23a,23bの反射ケースの外側部分をはんだめっきして、LEDデバイスを完成させた。
このLEDデバイスにおいて、赤色発光素子13のみを35mAで駆動すると軸上光度1.1cdの赤色光が得られ、青色発光素子11のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体16による緑色蛍光とあわせて軸上光度1.25cdの青緑光が得られ、両方の発光素子を35mAで駆動すると軸上光度2.35cd、CIE色度(0.45,0.37)の白色光が得られた。
(比較例1)
実施例1において、緑色蛍光体と赤色発光素子に替えて従来のYAG系蛍光体を用いて、青色発光素子とYAG系蛍光体から構成される従来のLEDデバイスを作製し、青色発光素子を35mAで駆動させると、青色発光素子により励起されたYAG系蛍光体からの黄色光と青色発光素子からの青色光により、軸上光度0.7cd、CIE色度(0.32,0.31)の白色光が得られた。このLEDデバイスの発光スペクトルを図10に示す。
(比較例2)
青色発光素子、赤色発光素子および緑色発光素子から構成される従来のLEDデバイスを作製した。ここで、青色発光素子および赤色発光素子には実施例1と同じ発光素子を用い、緑色発光素子には発光ピーク波長が525nmのInGaNに電極がP/N上下対向配置されているものを用いた。青色発光素子のみを35mAで駆動させると軸上光度0.34cdの青色光が得られ、赤色発光素子のみを35mAで駆動させると軸上光度1.1cdの赤色光が得られ、緑色発光素子のみを35mAで駆動させると、軸上光度1.1cdの緑色光が得られた。すべての発光素子を35mAで駆動させると、軸上光度2.6cd、CIE色度(0.32,0,28)の白色光が得られた。このLEDデバイスの発光スペクトルを図11に示す。
(実施例2)
図2において、紫外・紫色発光素子12には、発光ピーク波長が405nmのGaNに電極がP/N上下対向配置されているものを用いた。また、赤色発光素子13、緑色蛍光体16、端子電極21a,21b,22a,22b,23a,23b、導電性接着剤14、ボンディングワイヤ15および光透過性樹脂18は、実施例1と同様のものを用いた。実施例1と同様の手順によりLEDデバイスを作製した。
このLEDデバイスにおいて、赤色発光素子13のみを35mAで駆動すると軸上光度1.1cdの赤色光が得られ、青色発光素子11のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体16による緑色蛍光とあわせて軸上光度1.1cdの青緑色光が得られ、紫外・紫色発光素子12のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体16による軸上光度2.0cdの緑色光が得られ、すべての発光素子を35mAで駆動すると軸上光度4.2cd、CIE色度(0.40,0.46)の緑色を帯びた白色光が得られた。このLEDデバイスの発光スペクトルを図12に示す。
(実施例3)
緑色蛍光体16として、SrGa24:Euに替えてSrAl24:Euを用い、光透過性樹脂1gに対して緑色蛍光体0.1gを混練した以外は、実施例2と同様にしてLEDデバイスを作製した。
このLEDデバイスにおいて、赤色発光素子のみを35mAで駆動すると軸上光度1.1cdの赤色光が得られ、1個の青色発光素子のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体をほとんど励起せずに軸上光度0.5cdの青色光が得られ、紫外・紫色発光素子12のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体16による軸上光度1.4cdの緑色光が得られ、すべての発光素子を35mAで駆動すると軸上光度3.0cd、CIE色度(0.37,0.31)の白色光が得られた。このLEDデバイスの発光スペクトルを図13に示す。
(実施例4)
図2において、紫外・紫色発光素子12に替えて青色発光素子(図示せず)を用いて、2個の青色発光素子と1個の赤色発光素子と緑色蛍光体から構成されるLEDデバイスを作製した。本実施例では、緑色蛍光体としてSrGa24:Euを用いる。
このLEDデバイスにおいて、赤色発光素子13のみを35mAで駆動すると軸上光度1.1cdの赤色光が、青色発光素子11のみを35mAで駆動すると緑色蛍光体16による緑色蛍光とあわせて軸上光度1.25cdの青緑光が得られ、すべての発光素子を35mAで駆動すると軸上光度3.6cd、CIE色度(0.38,0.39)の白色光が得られた。このLEDデバイスの発光スペクトルを図14に示す。
(実施例5)
図3に示すように、青色発光素子11、緑色蛍光体16としてSrGa24:Eu、および赤色蛍光体17としてSrCaS:Euから構成されるLEDデバイスを作製した。発光素子として青色発光素子16のみを端子電極21aに固定しボンディングワイヤ15によって端子電極21bに接続したこと、緑色蛍光体16とともに赤色蛍光体17を光透過性樹脂18の中に混練したこと以外は、実施例1と同様にしてLEDデバイスを作製した。ここで、光透過性樹脂1gに対して緑色蛍光体は0.02g混練し、赤色蛍光体は0.03g混練した。得られたLEDデバイスの発光スペクトルを図15に示す。
発光素子を3つ有するものに関して比較すると、実施例2〜実施例4におけるLEDデバイスの軸上光度はそれぞれ4.2cd、3.0cd、3.6cdであり、比較例2におけるLEDデバイスの軸上光度2.6より大きくなった。また、それぞれのLEDデバイスの発光スペクトルを比較すると、比較例2におけるLEDデバイスの発光スペクトル(図11)に比べて、実施例2〜実施例4におけるLEDデバイスの発光スペクトル(図12〜図14)は、いずれも緑色領域(500nm〜580nm)のスペクトル幅が広がっており、色再現性が向上していた。これは、青色発光体、緑色発光体および赤色発光体から構成される従来のLEDデバイスに替えて、緑色発光体の替りに緑色蛍光体を用いて図1または図2の構成のLEDデバイスを用いたことによるものである。
また、発光素子を1つ有するものに関して比較すると、比較例1におけるLEDデバイスの発光スペクトル(図10)に比べて、実施例5におけるLEDデバイスの発光スペクトル(図15)は、青色光、緑色光および赤色光がバランスよく含まれており色再現性が向上するとともに、CCDなどの感度特性、LCD表示装置のカラーフィルタ特性によりよく合致している。これは、青色発光体とYAG系蛍光体から構成される従来のLEDデバイスに替えて、YAG系蛍光体の替りに緑色蛍光体および赤色蛍光体を用いて図3の構成のLEDデバイスを用いたことによるものである。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
(a)は本発明にかかる一のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 (a)は本発明にかかる別のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 (a)は本発明にかかるさらに別のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 (a)は本発明にかかるさらに別のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 紫色発光素子により励起された緑色蛍光体および緑色発光素子の発光スペクトルを示す図である。 (a)は本発明にかかるさらに別のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 (a)は本発明にかかるさらに別のLEDデバイスの平面概略図であり、(b)は前記LEDデバイスの要部断面概略図である。 本発明にかかるLEDデバイスにおいて、青色発光素子および緑色蛍光体の配置を説明する図である。 発光素子における電極の配置を説明する図である。 青色発光素子およびYAG系蛍光体から構成される従来のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。 青色発光素子、緑色発光素子および赤色発光素子から構成される従来のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。 本発明にかかる一のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。 本発明にかかる別のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。 本発明にかかるさらに別のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。 本発明にかかるさらに別のLEDデバイスについての発光スペクトルを示す図である。
符号の説明
11 青色発光素子、12 紫外・紫色発光素子、13 赤色発光素子、14 導電性接着剤、15,45 ボンディングワイヤ、16 緑色蛍光体、17 赤色蛍光体、18 透過性樹脂、19 反射ケース、21a,21b,22a,22b,23a,23b 端子電極、31 シリコンベース、32,42電極バンプ、41 発光素子。

Claims (9)

  1. 少なくとも、発光ピーク波長が420nm〜480nmである青色発光素子と、
    発光ピーク波長が360nm〜420nmである紫外・紫色発光素子と、
    少なくとも前記紫外・紫色発光素子の発光により500nm〜580nmの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体と、
    発光ピーク波長が600nm〜670nmである赤色発光素子とを具備し、
    前記青色発光素子が前記緑色蛍光体を励起させないように、前記青色発光素子と前記緑色蛍光体が配置されているLEDデバイス。
  2. 前記緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrAlOで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrAlO:Euを含む請求項1に記載のLEDデバイス。
  3. 前記緑色蛍光体の中に、少なくとも母剤がSrGaSで賦活剤にEuを用いた蛍光体SrGaS:Euを含む請求項1に記載のLEDデバイス。
  4. 前記緑色蛍光体が、SrGa24:Eu、RMg2Al1627:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、RMgAl1017:Eu,Mn(Rは、SrまたはBaから選ばれる少なくとも1の元素)、ZnS:Cu、SrAl24:Eu、SrAl24:Eu,Dy、ZnO:Zn、Zn2Ge24:MnおよびZn2SiO4:Mn、Q3MgSi28:Eu,Mn(Qは、Sr、BaまたはCaから選ばれる少なくとも1の元素)からなる蛍光体群から選ばれる少なくとも1の蛍光体からなる請求項1に記載のLEDデバイス。
  5. 前記緑色蛍光体が、光透過性で、かつ屈折率nがn>1であって、前記緑色蛍光体が、耐熱性、耐水性および光透過性を有するコーティング剤でコーティングされていることを特徴とする請求項1〜請求項のいずれかに記載のLEDデバイス。
  6. 前記緑色蛍光体の粒径が20μm以下である請求項1〜請求項のいずれかに記載のLEDデバイス。
  7. 請求項1〜のいずれかに記載のLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いたデジタルカメラ。
  8. 請求項1〜のいずれかに記載のLEDデバイスをCCDまたはCMOSカメラの補助光源として用いた携帯電話機器。
  9. 請求項1〜のいずれかに記載のLEDデバイスをバックライト光源として用いたLCD表示装置。
JP2008214776A 2008-08-25 2008-08-25 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置 Expired - Fee Related JP4854716B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008214776A JP4854716B2 (ja) 2008-08-25 2008-08-25 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008214776A JP4854716B2 (ja) 2008-08-25 2008-08-25 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003115987A Division JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2003-04-21 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008283221A JP2008283221A (ja) 2008-11-20
JP4854716B2 true JP4854716B2 (ja) 2012-01-18

Family

ID=40143714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008214776A Expired - Fee Related JP4854716B2 (ja) 2008-08-25 2008-08-25 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4854716B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8288785B2 (en) * 2008-12-03 2012-10-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode
KR101628836B1 (ko) * 2009-09-30 2016-06-09 서울반도체 주식회사 발광소자
JP5980516B2 (ja) * 2012-02-10 2016-08-31 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2014135437A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Panasonic Corp 発光モジュール、照明装置および照明器具
DE102013203429B4 (de) * 2013-02-28 2017-12-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Beleuchten einer Umgebung, Beleuchtungsvorrichtung und Kamera mit Beleuchtungsvorrichtung
JP2013229639A (ja) * 2013-08-13 2013-11-07 Nec Lighting Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
KR102135626B1 (ko) * 2013-09-13 2020-07-21 서울반도체 주식회사 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자
JP2014099625A (ja) * 2013-12-17 2014-05-29 Dexerials Corp 発光色変換部材及びその製造方法、並びに発光素子

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP3968933B2 (ja) * 1998-12-25 2007-08-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
DE10051242A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-25 Philips Corp Intellectual Pty Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff
JP3668438B2 (ja) * 2001-06-07 2005-07-06 シャープ株式会社 チップ発光ダイオード
JP4254141B2 (ja) * 2001-07-30 2009-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2003101078A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4447806B2 (ja) * 2001-09-26 2010-04-07 スタンレー電気株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008283221A (ja) 2008-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4274843B2 (ja) Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP4854716B2 (ja) Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP4081985B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6549165B2 (ja) 光源装置および発光装置
JP3690968B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
JP5230171B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機
JP4992250B2 (ja) 発光装置
CN101794855B (zh) 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP4896129B2 (ja) 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
JP5398141B2 (ja) 白色発光型ledランプおよびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
JP2002171000A (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP4945436B2 (ja) 白色発光ランプとそれを用いたバックライト、表示装置および照明装置
JP2007227791A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
US20110278610A1 (en) Package structure and package process of light emitting diode
JP2006156668A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4543712B2 (ja) 発光装置の製造方法
WO2011129429A1 (ja) Led発光装置
JP4771800B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2006269778A (ja) 光学装置
JP5606342B2 (ja) 発光装置
JP4965840B2 (ja) 白色発光型ledランプの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
US8299487B2 (en) White light emitting device and vehicle lamp using the same
JP2006128456A (ja) 発光装置
JP2007173733A (ja) 発光装置
KR20050089490A (ko) 자색 발광 다이오드 광원을 이용한 백색 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080825

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110808

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111018

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111025

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4854716

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees