TWI513056B

TWI513056B - 半導體發光裝置之製造方法

Info

Publication number: TWI513056B
Application number: TW101107526A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Koizumi; Naoaki Sakurai; Yoshiaki Sugizaki; Yasuhide Okada; Tomomichi Naka; Masahiro Uekita; Akihiro Kojima; Yosuke Akimoto
Original assignee: Toshiba Kk
Priority date: 2011-03-15
Filing date: 2012-03-06
Publication date: 2015-12-11
Also published as: KR101361435B1; TW201242106A; JP5498417B2; US9099619B2; US20120235184A1; CN102683557A; CN102683557B; JP2012195356A; KR20120105377A

Description

半導體發光裝置之製造方法

本文中所述之實施例大體上係關於一種發光裝置及其製造方法。

本申請案係基於及主張2011年3月15申請之先前日本專利申請案第2011-056613號之優先權權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。

一半導體發光裝置可基於一半導體發光元件(下文中簡稱為發光元件)及一磷光體。例如，吾人已知一半導體發光裝置，其中發出藍光之一發光元件(例如藍色LED(發光二級管))與發出與藍光互補之黃光之一磷光體結合以獲得白光。

可藉由將設置一發光元件在一外殼中且接著將與磷光體混合之一膏狀樹脂滴落至該發光元件上而製造此一半導體發光裝置。

在此情況中，磷光體係與樹脂融為一體使得其數量占一指定比例(濃度)。然而，若磷光體之數量比例係固定的，則問題在於自發光元件發出之光之波長變動導致色度變動增大。

一般而言，根據一實施例，一半導體發光裝置包含一發光區段及一波長轉換區段。該發光區段係經組態以發出光。該波長轉換區段係設置在該發光區段之一主表面側上。該波長轉換區段含有一磷光體。該波長轉換區段具有基於自該發光區段發出之光之一波長分佈之該磷光體之一數量分佈。

現將參考圖式而繪示實施例。在圖式中，類似組件係標有相似元件符號且適當省略其等之詳細描述。

在下文中，作為一實例，繪示包含複數個發光區段之一半導體發光裝置(所謂之多晶片半導體發光裝置)。

[第一實施例]

圖1A及圖1B係繪示根據一第一實施例之半導體發光裝置之示意截面圖。

如圖1A中所示，半導體發光裝置1包含一發光區段2、一電極區段3、一電極區段4、一接面區段5、一絕緣區段6、一密封區段7及一波長轉換區段8。

如圖1B中所示，半導體發光裝置1a進一步包含用於各發光區段2之包圍波長轉換區段之週邊之一壁區段9。

發光區段2包含一主表面M1及相對於主表面M1之一主表面M2。提供複數個發光區段2。

用於發光之發光區段2包含一半導體區段2a、一作用區段2b及一半導體區段2c。

半導體區段2a可由一n型氮化物半導體形成。該氮化物半導體之實例可包含GaN(氮化鎵)、AlN(氮化鋁)、AlGaN(氮化鋁鎵)及InGaN(氮化銦鎵)。

作用區段2b係設置在半導體區段2a與半導體區段2c之間。

作用區段2b可經組態為一量子井結構，其由藉由重組電洞與電子而產生光之一井層及具有比該井層大之一能帶間隙之一阻障層(包覆層)組成。

量子井結構可為一單量子井(SQW)結構或一多量子井(MQW)結構。亦可堆疊複數個單量子井結構。

作為一實例，量子井結構可包含由InGaN形成之一井層及由GaN形成之一阻障層。

在此情況中，例如，可使用(例如)InGaN/GaN之一多量子井結構來發出藍光。可使用(例如)GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或InGaN/AlGaN之一多量子井結構來發出紫外線輻射。

然而，作用區段2b之組態不受限於量子井結構。可適當選擇能夠發光之結構。

半導體區段2c可由一p型氮化物半導體形成。該氮化物半導體之實例可包含GaN、AlN、AlGaN及InGaN。

發光區段2可(例如)為具有350奈米至600奈米之一峰值發射波長之一發光二極體。

電極區段3及電極區段4係經設置以便貫穿於一凹口7a之一底面與一密封區段7之端面之間。例如，電極區段3及電極區段4可經定形以呈一圓柱狀且由一金屬材料(諸如Cu(銅))形成。

電極區段3之一端部部分係電連接至接面區段5。因此，電極區段3與半導體區段2a係經由接面區段5而電連接。

電極區段4之一端部部分係電連接至半導體區段2c。

此外，例如，一焊料凸塊及一保護膜(圖中未顯示)可經設置以便覆蓋由密封區段7暴露之側上之電極區段3及電極區段4之端面。

電極區段3及電極區段4之形狀、材料及類似者不受限於此等所繪示情況，且可經適當修改。

接面區段5係在設置電極區段3與半導體區段2a之間。接面區段5可由一金屬材料(諸如Cu(銅))形成。接面區段5並非必需，且可根據需要而經適當設置。

絕緣區段6係經設置以便填充設置在密封區段7中之凹口7a。絕緣區段6可由一絕緣材料形成。例如，絕緣區段6可由一無機材料(諸如SiO₂ )或一樹脂形成。

此處，在自發光區段2發出之光為具有短波長之紫外線/藍光且亦具有高亮度之情況中，形成絕緣區段6之樹脂可被降解。因此，在由一樹脂形成絕緣區段6之情況中，較佳地使用對由藍光及類似者引起之降解具抵抗性之一樹脂。對由藍光及類似者引起之降解具抵抗性之該樹脂之實例可包含具有約1.5之一折射率之甲基苯基聚矽氧及二甲基聚矽氧。

密封區段7係設置在發光區段2之主表面M2之側上。密封區段7密封電極區段3及電極區段4，同時暴露電極區段3之端部部分及電極區段4之端部部分。

密封區段7可由(例如)一熱固性樹膠形成。

密封區段7包含一凹口7a且亦用來密封設置在凹口7a內側之發光區段2及接面區段5。此處，密封區段7與絕緣區段6可形成一體。

波長轉換區段8係設置在發光區段2之主表面M1之側上，且含有隨後描述之磷光體。波長轉換區段8具有基於自發光區段2發出之光之波長之磷光體之一數量分佈。隨後描述磷光體之該數量分佈之細節。

例如，波長轉換區段8可由與具有一波長轉換能力之一磷光體混合之一樹脂形成。

可在波長範圍為420奈米至720奈米時將波長轉換區段8之透光率設定為(例如)90%或更大。

磷光體可(例如)呈粒子形式。在此情況中，可包含至少一或多個磷光體粒子。

波長轉換區段8可包含至少一或多種磷光體，其具有440奈米或更大及470奈米或更小(藍光)、500奈米或更大及555奈米或更小(綠光)、560奈米或更大及580奈米或更小(黃光)或600奈米或更大及670奈米或更小(紅光)之一峰值發射波長。波長轉換區段8可包含具有380奈米至720奈米之一發射波長帶之一磷光體。

磷光體可包含選自由矽(Si)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鍺(Ge)、磷(P)、硼(B)、釔(Y)、鹼土元素、硫族元素、稀土元素、及氮族元素組成之群之至少一元素。

發出紅色螢光之磷光體之材料之實例可包含以下各者。然而，發出紅色螢光之磷光體不受限於此，且可經適當修改。

La₂ O₂ S：Eu,Sm， LaSi₃ N₅ ：Eu²⁺ ， α-sialon：Eu²⁺ ， CaAlSiN₃ ：Eu²⁺ ， (SrCa)AlSiN₃ ：Eu^X+ ， Sr_x (Si_y Al₃ )_z (O_x N)：Eu^X+

發出綠色螢光之磷光體之材料之實例可包含以下各者。然而，發出綠色螢光之磷光體不受限於此，且可經適當修改。

(Ba,Sr,Mg)O．aAl₂ O₃ ：Mn，(BrSr)SiO₄ ：Eu，α-sialon：Yb²⁺ ，β-sialon：Eu²⁺ ，(CaSr)Si₂ O₄ N₇ ：Eu²⁺ ，Sr(SiAl)(ON)：Ce

發出藍色螢光之磷光體之材料之實例可包含以下各者。然而，發出藍色螢光之磷光體不受限於此，且可經適當修改。

ZnS：Ag,Cu,Ga,Cl，(Ba,Eu)MgAl₁₀ O₁₇ ，(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al₁₀ O₁₇ ，10(Sr,Ca,Ba,Eu)．6PO₄ ．Cl₂ ，BaMg₂ Al₁₆ O₂₅ ：Eu，Y₃ (Al,Ga)₅ O₁₂ ：Ce， SrSi₂ ON_2.7 ：Eu²⁺

發出黃色螢光之磷光體之材料之實例可包含以下各者。然而，發出黃色螢光之磷光體不受限於此，且可經適當修改。

Li(Eu,Sm)W₂ O₈ ，(Y,Gd)₃ (Al,Ga)₅ O₁₂ ：Ce³⁺ ，Li₂ SrSiO₄ ：Eu²⁺ ，(Sr(Ca,Ba))₃ SiO₅ ：Eu²⁺ ，SrSi₂ ON_2.7 ：Eu²⁺

發出黃綠色螢光之磷光體之材料之實例可包含以下各者。然而，發出黃綠色螢光之磷光體不受限於此，且可經適當修改。

SrSi₂ ON_2.7 ：Eu²⁺

此處，所混合之磷光體不受限於一種，且可混合複數種磷光體。在此情況中，複數種磷光體之混合比可經改變以改變色調，諸如淺藍白光及淺黃白光。

與磷光體混合之樹脂之實例可包含環氧樹脂、聚矽氧樹脂、甲基丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、環狀聚烯烴(COP)、脂環丙烯酸酯(OZ)、丙烯基二甘醇碳酸酯(ADC)、丙烯酸樹脂、氟樹脂、聚矽氧樹脂與環氧樹脂之混合樹脂及胺基甲酸乙酯樹脂。

較佳地，使與磷光體混合之樹脂之折射率等於或小於磷光體之折射率。較佳地，與該磷光體混合之樹脂之透光率係設定為90%或更大。

此處，在自發光區段2發出之光為具有短波長之紫外線/藍光且亦具有高亮度之情況中，形成波長轉換區段8之樹脂可被降解。因此，較佳地，使形成波長轉換區段8之樹脂抵抗由藍光及類似者引起之降解。對由藍光及類似者引起之降解具抵抗性之樹脂之實例可包含具有約1.5之一折射率之甲基苯基聚矽氧、二甲基聚矽氧及甲基苯基聚矽氧與環氧樹脂之一混合樹脂。

然而，與磷光體混合之樹脂不受限於此等所繪示情況，且可經適當修改。

此處，可使用(例如)磊晶生長法而形成發光區段2。然而，在形成程序中，發光區段2之厚度尺寸可發生變動。若發光區段2之厚度尺寸發生變動，則自發光區段2發出之光之波長係變動。

接著，自發光區段2發出之光之波長變動亦導致色度變動。

圖2係繪示自形成於基板上之複數個發光區段發出之光之波長分佈之一示意圖。

此處，由單色調陰影表示自形成於基板上之複數個發光區段發出之光之波長分佈，其中光之波長越短，陰影越暗，且光之波長越長，陰影越淡。

如圖2中所示，自發光區段發出之光之波長可隨基板上之位置而變動。

此意謂自發光區段2發出之光之波長發生變動。

圖3A及圖3B係繪示波長與色度之間之關係之示意曲線圖。

更明確言之，圖3A係繪示波長與色度圖中X座標之Cx值之間之關係之一示意曲線圖。圖3B係繪示波長與色度圖中Y座標之Cy值之間之關係之一示意曲線圖。

在圖3A及圖3B中，符號A指示波長轉換區段之厚度尺寸約為100微米之情況。符號B指示波長轉換區段之厚度尺寸約為65微米之情況。符號C指示波長轉換區段之厚度尺寸約為45微米之情況。在此等情況中，包含在波長轉換區段中之磷光體之數量比例係固定的。

如圖3A及圖3B中所示，當波長變長時，色度圖中之X座標之Cx值與Y座標之Cy值兩者減小。

此意謂自發光區段2發出之光之波長變動亦導致色度變動。

此外，當波長轉區段8之之厚度尺寸變薄時，色度圖中之X座標之Cx值與Y座標之Cy值兩者減小。

此意謂色度圖中之X座標之Cx值及Y座標之Cy值可隨包含在波長轉換區段8中之磷光體之數量減少而減小。

因此，吾人發現，可藉由控制基於自發光區段2發出之光之波長之包含在波長轉換區段8中之磷光體之數量而抑制色度之變動。

例如，對於圖3A及圖3B中之A、B及C，包含在波長轉換區段8(其形成於發出短波長(圖中左側)之光之發光區段2上)中之磷光體之數量可經減少以減小Cx值及Cy值。此可減小與發出長波長(圖中右側)之光之發光區段2中之Cx值及Cy值之差值。

因此，波長轉換區段可經組態以具有磷光體之一數量分佈使得光之短波長位置處之磷光體數量少於光之長波長位置處之磷光體數量。

在此情況中，如圖1A及圖1B中所示，可基於自發光區段2發出之光之波長而適當設置其等內包含不同數量之磷光體之波長轉換區段8a至8e。

即，波長轉換區段可經組態以具有磷光體之一數量分佈使得磷光體之數量比例至少指定用於各發光區段2。

此外，磷光體之數量可經確定使得短波長側上之Cx值與長波長側上之Cx值之間之色度差(△Cx)等於或小於人眼之一辨識限度。換言之，Cx值係經設定使得人眼無法辨識色度差。例如，Cx值可被設定為0.015或更小。

此外，磷光體之數量可經確定使得短波長側上之Cy值與長波長側上之Cy值之間之色度差(△Cy)等於或小於人眼之一辨識限度。例如，Cy值可被設定為0.015或更小。

色度差△Cx與色度差△Cy兩者隨磷光體之數量改變而改變。因此，磷光體之數量可經確定使得色度差△Cx及色度差△Cy之較大者等於或小於人眼之一辨識限度。

在此情況中，至少相鄰發光區段2之間之色度差△Cx及色度差△Cy僅需等於或小於人眼之一辨識限度。

在設置諸多發光區段2之情況中，發光區段2可被分成若干區，在該等區之各者中色度差△Cx及色度差△Cy等於或小於人眼之一辨識限度。可確定用於各組成區之磷光體之數量。

在此情況中，可基於自發光區段2發出之光之波長而將含有不同比例之一磷光體之樹脂供應至發光區段2之主表面M1之側且將該等樹脂固化。因此，可形成其等內包含不同數量之磷光體之波長轉換區段8a至8e。

此外，如圖1B中所示，可給各發光區段2提供包圍波長轉換區段8a至8e之週邊之一壁區段9。此可抑制包含不同數量之磷光體之樹脂混入至相鄰波長轉換區段中。

此外，壁區段9可經組態以具有一反射器之功能使得自發光區段2發出之光係擴散至波長轉換區段8a至8e中，同時將該光射向半導體發光裝置1a之前側。

在此情況中，為促進自發光區段2發出之光之反射，可在波長範圍為380奈米至720奈米時將壁區段9之反射率設定為(例如)90%或更大。

沿自發光區段2之側至發射側末端之方向漸縮壁區段9之側面(波長轉換區段側上之表面)。因此，自發光區段2發出之光可擴散至波長轉換區段8a至8e中，且該光可有效率地射向半導體發光裝置1a之前側。

形成壁區段9之材料之實例可包含聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂及聚矽氧樹脂。此外，由具有高光反射率之一材料製成之一反射膜(諸如一金屬薄膜)可設置在壁區段9之表面上。

然而，材料不受限於此等所繪示情況，且可經適當修改。

圖4係繪示根據一替代實施例之一波長轉換區段之一示意截面圖。

如圖4中所示，半導體發光裝置1c包含一發光區段2、一電極區段3、一電極區段4、一接面區段5、一絕緣區段6、一密封區段7、一波長轉換區段18a(對應於第一層之一實例)及波長轉換區段18b至18f(對應於第二層之一實例)。

在波長轉換區段18a中，所含磷光體之數量比例係固定的。波長轉換區段18a係設置在全部發光區段2之主表面M1之側上。

波長轉換區段18a可(例如)由含有一指定數量之磷光體之一樹脂形成。

波長轉換區段18b至18f係設置在與發光區段2之主表面側相對之波長轉換區段18a之側上。

如同上述波長轉換區段8a至8e，波長轉換區段18b至18f具有基於自發光區段2發出之光之波長之磷光體之一數量分佈。

即，在發光區段2之主表面M1之側上，圖4中所繪示之半導體波長轉換裝置1c包含：一波長轉換區段18a，其具有固定數量比例之磷光體；及波長轉換區段18b至18f，其等用於產生磷光體之一數量分佈，該等波長轉換區段經設置以便覆蓋波長轉換區段18a。

在此情況中，包含在波長轉換區段18a至18f中之磷光體(例如為相同種類之磷光體)係經組態以發出相同色彩之光，且波長轉換區段18a至18f內所含之磷光體之數量可變動。

例如，此適用於以下情況：自發光區段2發出藍光，且提供用於發出與藍光互補之黃光之一磷光體以獲得白光。

因此，具有固定數量比例之磷光體之一波長轉換區段18a可設置在發光區段2之主表面M1之側上。此外，用於產生磷光體之一數量分佈之波長轉換區段8a至8e可經適當設置以抑制色度之變動。

此外，類似於圖1B中所繪示之實例，包圍各波長轉換區段18a至18f之週邊之一壁區段9可設置在發光區段2之間。

根據類似於上述實施例之此實施例，可抑制色度之變動。此外，可在形成波長轉換區段18a之後適當設置波長轉換區段18b至18f。因此，此實施例亦可用於修復色度變動較大之缺陷部分。

圖5A及圖5B亦係繪示根據一替代實施例之波長轉換區段之示意截面圖。更明確言之，圖5A顯示波長轉換區段具有一雙層結構之情況。圖5B顯示波長轉換區段具有三層結構之情況。

如圖5A中所示，半導體發光裝置1d包含一發光區段2、一電極區段3、一電極區段4、一接面區段5、一絕緣區段6、一密封區段7及波長轉換區段28a至28f。

在圖4所繪示之實例中，包含在波長轉換區段18a至18f中之磷光體係經組態以發出相同色彩之光。相比而言，在圖5所繪示之實例中，包含在波長轉換區段28a中之磷光體及包含在波長轉換區段28b至28f之磷光體係經組態以發出不同色彩之光。

例如，此適用於以下情況：自發光區段2發出藍光，包含在波長轉換區段28a中之磷光體發出紅光，且包含在波長轉換區段28b至28f中之磷光體發出綠光以自該藍光、該紅光及該綠光獲得白光。

經設置以便覆蓋波長轉換區段28a之波長轉換區段28b至28f係經組態以包含基於自發光區段2發出之光之波長之不同數量磷光體。

此外，類似於圖1B中所繪示之實例，包圍各波長轉換區段28a至28f之週邊之一壁區段9可設置在發光區段2之間。

如圖5B中所示，半導體發光裝置1e包含一發光區段2、一電極區段3、一電極區段4、一接面區段5、一絕緣區段6、一密封區段7、波長轉換區段28a至28f及一波長轉換區段38。

即，除圖5A中所繪示之波長轉換區段28a至28f以外，一波長轉換區段38亦設置在波長轉換區段28a與發光區段2之主表面M1之間。

例如，此適用於以下情況：自發光區段2發出紫外光，包含在波長轉換區段28a中之磷光體發出紅光，包含在波長轉換區段28b至28f中之磷光體發出綠光，且包含在波長轉換區段38中之磷光體發出藍光以自該藍光、該紅光及該綠光獲得白光。

此外，類似於圖1B中所繪示之實例，包圍波長轉換區段28a至28f及波長轉換區段38之各者之週邊之一壁區段9可設置在發光區段2之間。在圖5A及圖5B所繪示之實例中，波長轉換區段係設置成雙層或三層。然而，此實施例不受限於此。

例如，可相對於(例如)自發光區段2發出之光之色彩而適當修改磷光體之種類及波長轉換區段之層數。

根據類似於上述實施例之此實施例，可抑制色度之變動。此外，可在形成波長轉換區段38及波長轉換區段28a之後適當設置波長轉換區段28b至28f。因此，此實施例亦可用於修復色度變動較大之缺陷部分。此外，可依據自發光區段2發出之光之色彩而重新配置磷光體之種類。此可擴大此實施例之應用範圍。

圖6亦係繪示根據一替代實施例之一波長轉換區段之一示意截面圖。如圖6中所示，半導體發光裝置1f包含一發光區段2、一電極區段3、一電極區段4、一接面區段5、一絕緣區段6、一密封區段7及一波長轉換區段48。

圖1A及圖1B中所繪示之實例係關於其中設置具有經調整磷光體數量之波長轉換區段8a至8e之情況。圖4、圖5A及圖5B中所繪示之實例係關於其中設置波長轉換區段18b至18f、28b至28f以調整包含在該等波長轉換區段中之磷光體數量之情況。

相比而言，圖6中所繪示之波長轉換區段48藉由改變基於自發光區段2發出之光之波長之厚度尺寸而改變磷光體之數量以形成磷光體之一數量分佈。

即，波長轉換區段48具有與厚度尺寸之改變對應之磷光體之一數量分佈。

基於自發光區段2發出之光之波長，可藉由(例如)修整波長轉換區段48之表面而形成此一波長轉換區段48。

此處，圖1A、圖1B、圖4、圖5A及圖5B中所繪示之波長轉換區段之厚度尺寸亦可改變。

根據類似於以上實施例之此實施例，可抑制色度之變動。此外，基於自發光區段2發出之光之波長，可藉由修整波長轉換區段48之表面而調整磷光體之數量。因此，此實施例亦可用於修復色度變動較大之缺陷部分。

[第二實施例]

圖7A至圖8D係繪示根據一第二實施例之一半導體發光裝置之一製造方法之一示意程序截面圖。

此處，圖8A至圖8D係圖7A至圖7E後之示意程序截面圖。

首先，如圖7A中所示，具有一指定形狀之一半導體區段2a、一作用區段2b及一半導體區段2c係依此順序形成於由(例如)藍寶石製成之一基板100上(步驟S1)。即，具有一指定形狀之一發光區段2係形成於由(例如)藍寶石製成之一基板100上。

此處，可藉由使用已知方法(諸如濺鍍法及氣相生長法)而執行此等區段之膜形成。氣相生長法之實例可包含有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)法、氫化物氣相磊晶(HVPE)法及分子束磊晶(MBE)法。

接著，可藉由使用已知技術(諸如微影及蝕刻)而使半導體區段2a、作用區段2b及半導體區段2c定形。

接著，如圖7B中所示，形成一接面區段5及一絕緣區段6(步驟S2)。

此處，可藉由組合(例如)各種物理氣相沈積(PVD)法(諸如真空蒸鍍及濺鍍)及各種化學氣相沈積(CVD)法與(例如)微影及蝕刻技術而形成接面區段5及絕緣區段6。

接著，如圖7C中所示，形成一電極區段3及一電極區段4(步驟S3)。

此處，可藉由組合(例如)各種物理氣相沈積法(諸如真空蒸鍍及濺鍍)及各種化學氣相沈積法與(例如)微影及蝕刻技術而形成電極區段3及電極區段4。

接著，如圖7D中所示，形成構成一密封區段7之一層17(步驟S4)。此處，可藉由組合(例如)各種物理氣相沈積法(諸如真空蒸鍍及濺鍍)及各種化學氣相沈積法與(例如)微影及蝕刻技術而形成構成密封區段7之層17。

接著，如圖7E中所示，自基板100剝除因此所形成之堆疊體(步驟S5)。

此處，可藉由(例如)雷射剝離法而自基板100剝除堆疊體。

此處，圖7E顯示處於顛倒狀態之堆疊體之剝落情況。

接著，如圖8A中所示，層17之表面係經拋光以(例如)暴露電極區段3及電極區段4之端部部分(步驟S6)。

此時，形成密封區段7。

接著，量測用於各發光區段2之自發光區段2發出之光之波長(步驟S7)。

接著，基於光之所量測波長而確定磷光體之數量分佈(步驟S8)。

此處，如圖2、圖3A及圖3B中所繪示，可藉由(例如)實驗及模擬而事前確定光之波長、磷光體之數量及色度之變動之間之相關性及類似者。可基於此相關性而確定磷光體之數量分佈。

接著，基於磷光體之確定數量分佈而形成波長轉換區段(步驟S9)。

例如，在形成圖1A及圖1B所繪示之波長轉換區段之情況中，如圖8B中所示，單獨形成包含確定數量之磷光體之波長轉換區段8a、8b及類似者。

在形成圖4、圖5A及圖5B所繪示之波長轉換區段之情況中，如圖8C中所示，一波長轉換區段18a係形成於全部發光區段2之主表面M1之側上。接著，基於磷光體之確定數量而單獨形成波長轉換區段18b及類似者。

即，基於磷光體之確定數量分佈，波長轉換區段係藉由施加與磷光體混合之一樹脂而單獨形成於發光區段2之一主表面M1之側上。

例如，在形成圖6所繪示之波長轉換區段之情況中，如圖8D中所示，例如，一波長轉換區段48係形成於全部發光區段2之主表面M1之側上。接著，基於磷光體之確定數量而改變波長轉換區段48之厚度尺寸。

即，一波長轉換區段係藉由施加與磷光體混合之一樹脂而形成於發光區段2之一主表面M1之側上。接著，基於磷光體之確定數量分佈而改變波長轉換區段之厚度尺寸。

在使一波長轉換區段形成於全部發光區段2之主表面M1之側上之情況中，(例如)可使用諸如刮板印刷法、壓縮成形法、壓印法、噴墨法及噴霧法之施加方法。

在單獨形成波長轉換區段之情況中，可使用諸如施配法、噴墨法及噴霧法之施加方法。

在改變波長轉換區段之厚度尺寸之情況中，例如，如圖8D中所示，可使用一磨石101之拋光。

在設置圖1B所繪示之壁區段9之情況中，可在形成波長轉換區段之前形成壁區段9。

在此情況中，可藉由組合(例如)各種物理氣相沈積法(諸如真空蒸鍍及濺鍍)及各種化學氣相沈積法與(例如)微影及蝕刻技術而形成壁區段9。

在形成波長轉換區段之後，可量測各發光區段2中之色度變動以修復色度變動較大之缺陷部分。

可藉由(例如)單獨施加與磷光體混合之一樹脂或薄化波長轉換區段之厚度尺寸而執行缺陷部分之修復。

此外，一焊料凸塊及類似者可根據需要形成於電極區段3及電極區段4之端部部分上。

接著，根據需要而執行分割。

此處，藉由切割，一半導體發光裝置可經組態以包含一發光區段2。替代地，一半導體發光裝置可經組態以包含複數個發光區段。

此處，可藉由使用(例如)刀片切割法而執行分割。

根據此實施例之一半導體發光裝置之製造方法可容易地製造色度變動受抑制之一半導體發光裝置。

在以上所繪示之實例中，半導體發光裝置為包含複數個發光區段之一多晶片半導體發光裝置。然而，實施例亦適用於包含一個發光區段之一半導體發光裝置。例如，發光區段2之光發射特性之平面內分佈可導致發光區段2之中心部分與週邊部分之間之色度變動。亦在此等情況中，可藉由調整基於光波長之磷光體之數量分佈而抑制色度之變動。

雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅以舉例方式呈現且非意欲限制本發明之範圍。其實，本文中所述之新穎實施例可體現為各種其他形式；此外，可在不背離本發明精神之情況下作出呈本文中所述實施例形式之各種省略、取代及改變。隨附請求項及其等效物意欲涵蓋落在本發明之範圍及精神內之此等形式或修改。

例如，包含在(例如)半導體發光裝置1及半導體發光裝置1a至1f中之組件之形狀、尺寸、材料、配置、數目及類似者不受限於此等所繪示情況，且可經適當修改。

1‧‧‧半導體發光裝置

1a‧‧‧半導體發光裝置

1c‧‧‧半導體發光裝置

1d‧‧‧半導體發光裝置

1e‧‧‧半導體發光裝置

1f‧‧‧半導體發光裝置

2‧‧‧發光區段

2a‧‧‧半導體區段

2b‧‧‧作用區段

2c‧‧‧半導體區段

3‧‧‧電極區段

4‧‧‧電極區段

5‧‧‧接面區段

6‧‧‧絕緣區段

7‧‧‧密封區段

7a‧‧‧凹口

8‧‧‧波長轉換區段

8a‧‧‧波長轉換區段

8b‧‧‧波長轉換區段

8c‧‧‧波長轉換區段

8d‧‧‧波長轉換區段

8e‧‧‧波長轉換區段

9‧‧‧壁區段

17‧‧‧層

18a‧‧‧波長轉換區段

18b‧‧‧波長轉換區段

18c‧‧‧波長轉換區段

18e‧‧‧波長轉換區段

18d‧‧‧波長轉換區段

18f‧‧‧波長轉換區段

28a‧‧‧波長轉換區段

28b‧‧‧波長轉換區段

28c‧‧‧波長轉換區段

28d‧‧‧波長轉換區段

28e‧‧‧波長轉換區段

28f‧‧‧波長轉換區段

38‧‧‧波長轉換區段

48‧‧‧波長轉換區段

100‧‧‧基板

101‧‧‧磨石

M1‧‧‧主表面

M2‧‧‧主表面