JP2007088277A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007088277A JP2007088277A JP2005276230A JP2005276230A JP2007088277A JP 2007088277 A JP2007088277 A JP 2007088277A JP 2005276230 A JP2005276230 A JP 2005276230A JP 2005276230 A JP2005276230 A JP 2005276230A JP 2007088277 A JP2007088277 A JP 2007088277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- light emitting
- convex portion
- period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 透光性の基板2上に、共に柱状で、長周期Aの凸部8aと、短周期Bの凸部8bとを重畳して形成する。そして、その周期A,Bを、出射面への入射角θが比較的深い領域での透過率が高くなる波長λの5倍よりも大きな長周期Aと、前記入射角θが比較的深い領域での透過率が高くなる前記波長λの5倍以下の短周期Bとの組合わせとする。これによって、あらゆる入射角θに対しても、回折による光取出し効率が向上し、一般的なλ/4の凹凸構造に比べて、光取出し効率を向上することができる。
【選択図】 図1
Description
これを、図21に示すと、透過率のグラフは参照符号α0で示され、入射配光分布のグラフは参照符号β0で示され、したがって実際に外部に取出される光の量は、α0,β0の重なった領域であり、図21において梨地で示す参照符号γ0で示される領域となる。
図1は本発明の実施の第1の形態に係る発光ダイオード1の構造を示す断面図であり、図2はその正面図であり、図2において図1の切断面を参照符号I−Iで示す。図1は1チップ分の断面であり、1チップのサイズは、たとえば0.3〜1mm角である。図2は、図1の一部分の正面図を示している。
図16は、本発明の実施の第2の形態に係る発光ダイオード31の構造を示す断面図である。この発光ダイオード31は、前述の発光ダイオード1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この発光ダイオード31では、基板32の表面に形成される凹凸38は、厚み方向の(発光層4に垂直な)断面が三角形であることである。前述の凹凸8を構成する凸部8a,8bは、円柱状または四角柱状であったけれども、この凹凸38を構成する凸部38a,38bは、円錐または角錐のいずれであってもよい。前記凸部38a,38bは、前記凸部8a,8bと同様の周期A,Bおよび高さを有する。凹部38cの周期も凹部8cの周期と同様である。
図17は、本発明の実施の第3の形態に係る発光ダイオード91の構造を示す断面図である。この発光ダイオード91は、前述の発光ダイオード1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。前述の発光ダイオード1,31では、長周期Aの凸部8a,38aおよび短周期Bの凸部8b,38bが、共に基板2,32から立設されているのに対して、注目すべきは、この発光ダイオード91では、基板92上に長周期Aの凸部98aおよびそれに対応した凹部98cが形成され、それらの凸部98a上および凹部98c上に、短周期Bの凸部98bが形成されて凹凸98が形成されることである。前記凸部98a,98bは、前記凸部8a,8bと同様の周期A,Bおよび高さを有する。
図18は、本発明の実施の第4の形態に係る発光ダイオード61の構造を示す断面図である。この発光ダイオード61は、前述の発光ダイオード1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この発光ダイオード61では、凹凸68において、高さおよび周期の異なる凸部68a,68bの誘電率(屈折率)が、基板62側から遊端部側になるにつれて、段階的に低く、好ましくはサファイアの屈折率から、空気の屈折率まで変化していることである。前記凸部68a,68bは、たとえば直径0.5μmの円柱とする。たとえば、長周期Aの凸部68aの高さは1μmとし、ピッチは前述の3μmとする。短周期Bの凸部68bの高さは0.3μmとし、ピッチは前述の1μmとする。
図20は、本発明の実施の第5の形態に係る発光ダイオード71の構造を示す断面図である。この発光ダイオード71は、前述の発光ダイオード1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この発光ダイオード71では、電極6,7まで形成された後に、サファイアの基板72が除去され、前記凹凸8が、n型半導体層73に直接形成されることである。
2,2’,32,62,72,92 基板
3,73 n型半導体層
4 発光層
5 p型半導体層
6 n電極
7 p電極
8,38,68,98 凹凸
8a,8b,38a,38b,68a,68b,98a,98b 凸部
8c,38c,98c 凹部
10,15,16,63,64 型
11,17,19,21,22,23 レジスト
13 チャンバ
65a,65b,65c,66a,66b,66c レジスト
74 レーザ
Claims (9)
- 透光性を有する基板上に、半導体層が積層されて成る半導体発光素子において、
前記基板の発光層が形成される面とは反対側の表面の全面あるいは一部に、前記発光層に垂直な同一断面内で、前記発光層で発生された光の空気中における波長の5倍の周期よりも大きい周期で前記基板から第1の高さに立設される柱状の第1の凸部と、前記5倍以下で、かつ1倍以上の周期で前記基板から前記第1の高さよりも低い第2の高さに立設される柱状の第2の凸部とを含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 透光性を有する基板上に、半導体層が積層されて成る半導体発光素子において、
前記基板の発光層が形成される面とは反対側の表面の全面あるいは一部に、前記発光層に垂直な同一断面内で、前記発光層で発生された光の空気中における波長の5倍の周期よりも大きい周期で前記基板から立設される第1の凸部と、前記5倍以下で、かつ1倍以上の周期で前記第1の凸部および凹部上に立設される柱状の第2の凸部とを含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の凸部および第2の凸部の少なくとも一方で、屈折率が、基板の屈折率から周囲の屈折率に徐々に変化していることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 基板上に、少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されて成る半導体発光素子において、
前記基板を除去した後のn型半導体層の発光層が形成される面とは反対側の表面の全面あるいは一部に、前記発光層に垂直な同一断面内で、前記発光層で発生された光の空気中における波長の5倍の周期よりも大きい周期で第1の高さに立設される柱状の第1の凸部と、前記5倍以下で、かつ1倍以上の周期で前記第1の高さよりも低い第2の高さに立設される柱状の第2の凸部とを含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 基板上に、少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されて成る半導体発光素子において、
前記基板を除去した後のn型半導体層の発光層が形成される面とは反対側の表面の全面あるいは一部に、前記発光層に垂直な同一断面内で、前記発光層で発生された光の空気中における波長の5倍の周期よりも大きい周期で立設される第1の凸部と、前記5倍以下で、かつ1倍以上の周期で前記第1の凸部および凹部上に立設される柱状の第2の凸部とを含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の凸部および第2の凸部の平面的な配列周期には、ペンローズのタイリングまたはアルキメデス配列を用いることを特徴とする請求項1または4記載の半導体発光素子。
- 前記請求項1または2記載の半導体発光素子の製造方法において、前記基板上に少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層の各層を積層した後、
基板の表面にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに前記第1および第2の凸部に対応した反転形状の型を押付け、形状を転写する工程と、
転写後のレジストをマスクとしてエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記請求項3記載の半導体発光素子の製造方法において、前記基板上に少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層の各層を積層した後、
前記第1の凸部に対応した凸部を有する第1の型に、屈折率が順に高くなってゆくように複数のレジストを積層してゆく工程と、
前記第1の型を基板表面に押付け、加熱、冷却することにより、該第1の型の凸部の先端に形成された多層膜を基板に転写して前記第1の凸部とする工程と、
前記第2の凸部に対応した凸部を有する第2の型に、屈折率が順に高くなってゆくように複数のレジストを積層してゆく工程と、
前記第2の型を基板表面に押付け、加熱、冷却することにより、該第2の型の凸部の先端に形成された多層膜を基板に転写して前記第2の凸部とする工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記請求項5または6記載の半導体発光素子の製造方法において、前記基板上に少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層の各層を積層した後、
基板側からレーザ照射して、該基板をn型半導体層から剥離する工程と、
前記n型半導体層の表面にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに前記第1および第2の凸部に対応した反転形状の型を押付け、形状を転写する工程と、
転写後のレジストをマスクとしてエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005276230A JP4843284B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005276230A JP4843284B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088277A true JP2007088277A (ja) | 2007-04-05 |
JP4843284B2 JP4843284B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=37974953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005276230A Expired - Fee Related JP4843284B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4843284B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094219A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Oji Paper Co Ltd | 半導体発光素子、単粒子エッチングマスク及び微細構造体 |
JP2009130027A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子 |
WO2009084670A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nichia Corporation | 半導体発光素子およびその製造方法 |
EP2218114A1 (en) * | 2007-11-30 | 2010-08-18 | The Regents of the University of California | High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening |
JP2011192880A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び液晶表示装置 |
JP2012033521A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 基板、及び発光素子 |
JP2012164938A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2013175536A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2014027009A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
JP2014027011A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
WO2014057808A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014072278A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子の製造方法、その装置および発光素子 |
JP2014130712A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Oji Holdings Corp | 光電変換素子用基板および光電変換素子 |
JP2014130713A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Oji Holdings Corp | 発光素子 |
JP2014529169A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-10-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造の多周期領域を有するoled光抽出フィルム |
JP2014229648A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2014199851A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2015008278A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法 |
US9490393B2 (en) | 2008-09-19 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device with light extraction surface |
CN109075225A (zh) * | 2016-03-08 | 2018-12-21 | 阿尔发得株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
CN109075223A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 原子能和替代能源委员会 | 包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个较宽带隙中间层的发光二极管 |
CN114023856A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-02-08 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104209A (ja) * | 1996-03-22 | 1998-01-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光素子 |
JP2003046134A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2004128445A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2004521509A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-07-15 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク | 光取り出し手段を持つ電界発光素子 |
WO2004093267A2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices |
JP2004349647A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2004349847A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波フィルタ |
JP2004363343A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2005005679A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2005136106A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005276230A patent/JP4843284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104209A (ja) * | 1996-03-22 | 1998-01-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光素子 |
JP2004521509A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-07-15 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク | 光取り出し手段を持つ電界発光素子 |
JP2003046134A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2004128445A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
WO2004093267A2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices |
JP2005005679A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004349847A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波フィルタ |
JP2004349647A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2004363343A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2005136106A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094219A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Oji Paper Co Ltd | 半導体発光素子、単粒子エッチングマスク及び微細構造体 |
JP2009130027A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子 |
EP2218114A1 (en) * | 2007-11-30 | 2010-08-18 | The Regents of the University of California | High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening |
JP2011505700A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 表面ラフニングによる高い光抽出効率の窒化物ベースの発光ダイオード |
EP2218114A4 (en) * | 2007-11-30 | 2014-12-24 | Univ California | SURFACE MOUNTED ON A NITRIDE WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY THROUGH SURFACE WELDING |
US9040326B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-05-26 | The Regents Of The University Of California | High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening |
WO2009084670A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nichia Corporation | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US8883529B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-11-11 | Nichia Corporation | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
US9159868B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-10-13 | Nichia Corporation | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
US8552445B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-10-08 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US9490393B2 (en) | 2008-09-19 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device with light extraction surface |
US10381516B2 (en) | 2008-09-19 | 2019-08-13 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device having a recess with irregularities |
JP2011192880A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び液晶表示装置 |
JP2012033521A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 基板、及び発光素子 |
JP2012164938A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2014529169A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-10-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造の多周期領域を有するoled光抽出フィルム |
JP2013175536A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
RU2604568C2 (ru) * | 2012-04-02 | 2016-12-10 | Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн | Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента |
EP2942819A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-11-11 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
KR101862500B1 (ko) * | 2012-04-02 | 2018-05-29 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 광학 기판, 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
US20150048380A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-02-19 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
EP2942821A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-11-11 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
EP2942820A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-11-11 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
EP2835836A4 (en) * | 2012-04-02 | 2015-08-05 | Asahi Kasei E Materials Corp | OPTICAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT |
US9614136B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-04-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
EP2942822A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-11-11 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
JP2014027009A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
JP2014027011A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子 |
JP2014072278A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子の製造方法、その装置および発光素子 |
WO2014057808A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及びその製造方法 |
CN104781941A (zh) * | 2012-10-12 | 2015-07-15 | 旭化成电子材料株式会社 | 光学基板、半导体发光元件及其制造方法 |
JP5719090B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2015-05-13 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI514618B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-12-21 | Asahi Kasei E Materials Corp | An optical substrate, a semiconductor light emitting element, and a method of manufacturing the same |
JP2014130713A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Oji Holdings Corp | 発光素子 |
JP2014130712A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Oji Holdings Corp | 光電変換素子用基板および光電変換素子 |
JP2014229648A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2015008278A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法 |
CN105340088A (zh) * | 2013-06-10 | 2016-02-17 | 旭化成电子材料株式会社 | 半导体发光装置 |
US9653657B2 (en) | 2013-06-10 | 2017-05-16 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Semiconductor light emitting apparatus |
JP5935031B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2016-06-15 | 旭化成株式会社 | 半導体発光装置 |
WO2014199851A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光装置 |
CN109075225A (zh) * | 2016-03-08 | 2018-12-21 | 阿尔发得株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
JPWO2017154973A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-01-24 | アルパッド株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
EP3428977A4 (en) * | 2016-03-08 | 2019-10-02 | ALPAD Corporation | LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
US10559716B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-02-11 | Alpad Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
CN109075225B (zh) * | 2016-03-08 | 2021-08-17 | 阿尔发得株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
US11145790B2 (en) | 2016-03-08 | 2021-10-12 | Alpad Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
CN109075223A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 原子能和替代能源委员会 | 包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个较宽带隙中间层的发光二极管 |
CN109075223B (zh) * | 2016-04-27 | 2021-07-27 | 原子能和替代能源委员会 | 包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个带隙宽于势垒层带隙的中间层的发光二极管 |
CN114023856A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-02-08 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4843284B2 (ja) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4843284B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP4857733B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007173579A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
US7709282B2 (en) | Method for producing a light emitting device | |
EP1733438B1 (en) | Laser patterning of light emitting devices and patterned light emitting devices | |
CN101515625B (zh) | 发光二极管芯片衬底结构的制备方法 | |
JP2007088273A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007150072A (ja) | インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光素子 | |
US10090437B2 (en) | LED having etched light emitting surface for increased light extraction | |
JP4889361B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP4572645B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP2010287621A (ja) | 微細構造物の製造方法 | |
CN104377286A (zh) | 三维微米凹球的制备方法 | |
KR20160092635A (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
TWI381522B (zh) | 發光二極體組件及其製造方法 | |
JP2007088278A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007088276A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
TW201436284A (zh) | 適用於圖案化之藍寶石基板結構及圖案化藍寶石基板形成方法 | |
US20230086879A1 (en) | Semiconductor Light Source, Cover Body and Method | |
KR101216664B1 (ko) | 회절광학소자를 적용한 고광도 발광다이오드의 제조방법 및 이 방법을 이용하여 제조되는 고광도 발광다이오드 | |
JP2010016354A (ja) | 半導体基板の製造方法および透明体の製造方法 | |
Tang et al. | Highly efficient chip scale package (CSP) LED based on surface patterning | |
Kumar | Enhancement of light out-coupling from solid state lighting devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |