JPWO2017154973A1 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
各実施形態の説明には、XYZ直交座標系を用いる。p形半導体層109から発光層111に向かう方向をZ方向(第1方向)とする。Z方向に対して垂直な方向であって相互に直交する方向をX方向(第2方向)およびY方向とする。
図1は、第1実施形態に係る半導体発光素子1を表す断面図である。
半導体発光素子1は、例えば、縦導通型の発光ダイオードである。
図3は、図2のA−A’断面図である。
図4〜図6は、第1実施形態に係る半導体発光素子1の製造工程を表す工程断面図である。
図7は、第1実施形態に係る半導体発光素子1の製造工程を表す拡大工程断面図である。
図7では、n形半導体層113の上面の一部の様子が拡大して表されている。
図7(a)から図7(b)に至るエッチング工程は、例えば、加速電圧が低く設定されたRIE法によって行われる。RIE法では、n形半導体層113の一部が除去されて窪みが形成された際に、当該窪みの底部の角からレジストマスクMの下端にかけて、エッチングされた材料の再堆積が生じる。この再堆積した材料により、レジストマスクM直下のn形半導体層113のエッチングが抑制される。また、加速電圧を低く設定することで、エッチングの異方性が低下するとともに、再堆積した材料の再エッチングが抑制され、窪みの内壁が、下方に向けて凸となるように湾曲して形成される。
この窪みの内壁は、図7(b)から図7(c)に至る工程においても、湾曲した形状のままエッチングが進行することで、図2および図3に表す側面S2が形成される。
また、図7(b)から図7(c)に至る工程では、レジストマスクMの幅が減少することで、n形半導体層113の他の一部が露出し、エッチングされる。このとき、レジストマスクMの外周側から徐々にn形半導体層113が露出する。このため、レジストマスクMの中心側から外周に向けてn形半導体層113に対するエッチング量が大きくなり、被エッチング面がレジストマスクMの中心側から外周に向けて下方に傾斜していくことで、図2および図3に表す側面S1が形成される。
以上により、第1部分119aおよび第2部分119bを有する突出部119が形成される。
本実施形態によれば、突出部119が、第1部分119aと、側面が下方に向けて凸となるように湾曲した第2部分119bと、を有する。このような構成によれば、突出部119の側面が一様に傾斜している場合に比べて、積層体LB上面の表面積を大きくすることができる。
発光層111から放射された光は、各半導体層内で乱反射を繰り返し、半導体発光素子内において様々な方向に進む光が生成される。このため、積層体LBの内部から積層体LB上面と外部との界面に入射する光の量は、界面の各部分におけるZ方向に対する傾きに大きくは依存しない。また、当該界面における単位面積当たりの外部への光取り出し量は、当該界面の傾きに大きくは依存しない。このため、積層体LB上面の表面積を大きくすることで、積層体LBから外部に取り出される光の量を増やすことができ、半導体発光素子からの光の取り出し効率を向上させることができる。
図8は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体発光素子1aの上面の一部を表す拡大平面図である。
図9は、図8のA−A’断面図である。
このとき、図9に表すように、長さL4が長さL3よりも長くなるように、突出部121の高さを低くすることで、突出部121の側面における表面積の減少を抑制できる。
図10は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体発光素子1bの上面の一部を表す拡大平面図である。
図11は、図10のA−A’断面図である。
Z方向の同じ位置において第1突出部119と突出部121を比較した場合、突出部121の幅は、突出部119の幅よりも狭い。このため、例えば、第3部分121cの下端(第4部分121dの上端)における幅W1は、第1部分119aの下端(第2部分119bの上端)における幅W2よりも狭い。
図12は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体発光素子1cの上面の一部を表す拡大平面図である。
図13は、図12のA−A’断面図である。
図14は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体発光素子1dの上面の一部を表す拡大断面図である。
半導体発光素子1dにおいて、積層体LBは、さらに、アンドープの複数の半導体層123を有する。複数の半導体層123は、n形半導体層113の上に互いに離間して設けられている。半導体層123同士の間隙を通してn形半導体層113の上面の一部が露出している。半導体層123は、例えば、アンドープの窒化ガリウム層である。n形半導体層113は、半導体層123同士の間隙を通してn側電極115と接続される。
図15は、第1実施形態の第5変形例に係る半導体発光素子1eの上面の一部を表す拡大平面図である。
図16は、図15のA−A’断面図である。
図15に表すように、凹部Rは、X−Y面に沿ってn形半導体層113の上面に複数設けられている。一例として、1つの凹部Rの周りには、6つの凹部Rが配されている。
また、凹部Rのうち、側面S5が形成された部分のZ方向における長さL5は、側面S6が形成された部分のZ方向における長さL6よりも長い。
なお、図16に表す例では、側面S6は下方に向かって一様に傾いているが、側面S6が下方に向けて凸となるように湾曲していてもよい。
このとき、長さL5を、長さL6よりも長くすることで、半導体発光素子からの光の取り出し効率をより一層向上させることが可能である。
このような構成によれば、半導体発光素子からの光の取り出し効率をより一層向上させることが可能となる。
図17は、第2実施形態に係る半導体発光素子2の断面図である。
半導体発光素子2は、例えば、横導通型の発光ダイオードである。
図17に表すように、半導体発光素子2は、基板201と、n側電極203と、金属層205と、バリア層207と、n側コンタクト層209と、絶縁層211と、バリア層213と、p側コンタクト層215と、p形半導体層217と、発光層218と、スペーサ221と、n形半導体層219と、p側電極225と、保護層227と、を有する。
より具体的には、図18は、n形半導体層219の上面のうち、保護層227に覆われておらず、外部に光が取り出される面の構造を表している。
また、第1実施形態の各変形例と同様に、積層体LBの上面に、複数の突出部119および複数の突出部121を設けてもよい。
図19は、第2実施形態の第1変形例に係る半導体発光素子2aの断面図である。
図20は、第2実施形態の第1変形例に係る半導体発光素子2aの上面の一部を表す拡大断面図である。
図20に表すように、半導体層220の上面には、半導体発光素子2と同様に、複数の突出部119が設けられている。
図21は、第2実施形態の第2変形例に係る半導体発光素子2bの断面図である。
図22は、第2実施形態の第2変形例に係る半導体発光素子2bが有する積層体LBの部分拡大平面図である。
図23は、図22のA−A’断面図である。
なお、図22では、保護層227が省略されている。
なお、図23に表す例では、発光層118の側面が、側面S5に含まれているが、発光層118の側面が、側面S6に含まれていてもよい。
Claims (13)
- 第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を有する積層体であって、前記積層体の上面に前記第1半導体層から前記発光層に向かう第1方向に向かって突出する第1突出部を有し、前記第1突出部は前記第1方向に向かって前記第1方向に対して垂直な第2方向における長さが減少し、前記第1突出部は、
前記第1方向に対して傾斜した第1側面を有する第1部分と、
前記第1部分の下に設けられ、前記第1方向に対して傾斜した第2側面を有し、前記第2側面は下方に向けて凸となるように湾曲した第2部分と、
を有する積層体を備えた半導体発光素子。 - 前記第2部分の前記第1方向における長さは、前記第1部分の前記第1方向における長さよりも長い請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第2側面の少なくとも一部の前記第1方向に対する傾きは、前記第1側面の前記第1方向に対する傾きよりも小さい請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第2半導体層は、前記上面に第2突出部をさらに有し、
前記第2突出部は、
前記第1方向に対して傾斜した第3側面を有する第3部分と、
前記第3部分の下に設けられ、前記第1方向に対して傾斜した第4側面を有し、前記第4側面は下方に向けて凸となるように湾曲した第4部分と、
を有し、
前記第1突出部の前記第1方向における長さは、前記第2突出部の前記第1方向における長さよりも長い請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第1部分の前記第1方向における長さは、前記第3部分の前記第1方向における長さよりも長い請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記第2半導体層は、前記上面に第2突出部をさらに有し、
前記第2突出部は、
前記第1方向に対して傾斜した第3側面を有する第3部分と、
前記第3部分の下に設けられ、前記第1方向に対して傾斜した第4側面を有し、前記第4側面の少なくとも一部の前記第1方向に対する傾きは、前記第3側面の前記第1方向に対する傾きよりも小さく、前記第4側面は下方に向けて凸となるように湾曲した第4部分と、
を有し、
前記第1方向の第1位置における前記第1突出部の、前記第1方向に対して垂直な第2方向における長さは、前記第1位置における前記第2突出部の前記第2方向における長さよりも長い請求項1または2に記載の半導体発光素子。 - 前記第1部分の前記第1方向における長さは、前記第3部分の前記第1方向における長さよりも長い請求項6記載の半導体発光素子。
- 前記積層体は、前記第2半導体層の上に設けられたアンドープの第3半導体層をさらに有し、
前記第1突出部は、前記第3半導体層の上面に形成された請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記積層体は、前記第2半導体層の上に設けられたアンドープの第3半導体層をさらに有し、
前記第1部分の少なくとも一部は、前記第3半導体層の少なくとも一部である請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第2部分の少なくとも一部は、前記第1半導体層の一部である請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1側面は、上方に向けて凸となるように湾曲している請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を有する積層体であって、前記積層体の上面に第1凹部が設けられ、前記第1凹部は、前記発光層から前記第1半導体層に向かう第3方向に向かって、前記第3方向に対して垂直な第2方向における寸法が減少し、前記第1凹部は、
前記第1方向に対して傾斜し、かつ上方に向けて凸となるように湾曲した第1側面と、
前記第1側面の下方に位置し、かつ前記第1方向に対して傾斜した第2側面と、
を有する積層体を備えた半導体発光素子。 - 第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を有する積層体の上にパターニングされたマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記積層体の一部をエッチングするとともに、前記マスクをエッチングし、前記マスクの幅を減少させながら前記積層体の前記一部をエッチングする半導体発光素子の製造方法。
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