JP2002526922A - シュードモルフィック高電子移動度トランジスター - Google Patents
シュードモルフィック高電子移動度トランジスターInfo
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】
特にシュードモルフィック高電子移動度トランジスター（ＰＨＥＭＴ）の狭ゲート形成に関する方法および構造体を提供する。本発明方法は、下記による狭ゲート形成を伴う：ドナー層（１６）上にまず薄い保護層（１８）およびエッチング停止層（２０）の形成を行う。コンタクト層（２２，２４）を高選択性でエッチングし、エッチング停止層（２０）上で停止する。このエッチング停止層（２０）に高選択的な２回目のエッチングを行う。得られたテーパー付き開口に電極材料（３０）を充填し、コンタクト層（２２，２４）をエッチングする。本発明の好ましい態様により代表される生成構造体は、ＧａＡｓ基板（１２）；基板上のＩｎＧａＡｓチャネル層（１４）；チャネル層上のドープＡｌＧａＡｓ障壁層（１６）；ドナー層（１６）上に配置されたＧａＡｓ保護層（１８）；保護層（１８）上に配置されたＩｎＧａＰエッチング停止層（２０）；ならびにエッチング停止層（２０）上に配置されたＧａＡｓソースおよびドレインコンタクト層（２２，２４）である。保護層に重ねた高選択性エッチング停止層の組合わせにより、広いプロセスウインドウをもつ２工程ウェットエッチングにより狭ゲート電極形状が形成されるので、ドライエッチングに伴う損傷が除かれ、かつより選択性の低いエッチング方法に際してのチャネル電流測定の必要性も除かれる。
Description
【０００１】 本発明は一般に、シュードモルフィック高電子移動度トランジスター（pseudo
morphic high electron mobility transistor，ＰＨＥＭＴ）、より詳細にはＩ
ＩＩ−Ｖ族基板上に形成されたそのようなタイプのトランジスターに関する。
morphic high electron mobility transistor，ＰＨＥＭＴ）、より詳細にはＩ
ＩＩ−Ｖ族基板上に形成されたそのようなタイプのトランジスターに関する。
【０００２】 当技術分野で知られているように、無線周波信号を増幅するためにマイクロ波
およびミリメートル周波数で用いられる数種類の能動デバイスがある。一般にこ
れらの周波数で用いられる、より一般的な半導体デバイスの１つは、電界効果ト
ランジスター、特に金属電極半導体電界効果トランジスター（ＭＥＳＦＥＴ）、
高電子移動度トランジスター（ＨＥＭＴ）、およびシュードモルフィック高電子
移動度トランジスター（ＰＨＥＭＴ）である。これらのトランジスターはそれぞ
れＩＩＩ−Ｖ族材料、たとえばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）またはインジウムリン
（ＩｎＰ）から作成される。ＨＥＭＴとＭＥＳＦＥＴを区別するものは、ＨＥＭ
Ｔにはある材料のドープ障壁（またはドナー）層および異なる材料のドープされ
ていないチャネル層があることである。ドープされたドナー層とドープされてい
ないチャネル層の間にヘテロ接合が形成される。このヘテロ接合は、ドープされ
たドナー層からドープされていないチャネル層へ注入される電子を空間的に分離
する。したがってバンドギャップの大きなドナー層からの電子がバンドギャップ
の狭いチャネル層へ伝達され、ここで電子はヘテロ接合に平行な平面内において
のみ移動するように制限される。その結果、二次元電子、いわゆる”ガス”が形
成される。伝動はドープされていないチャネルにおいて起きるので、このドープ
されていない層では、ＭＥＳＦＥＴに用いられるドープされたチャネル構造と比
較して不純物散乱が減少し、これにより電子移動度が高められる。したがってＨ
ＥＭＴの方がＭＥＳＦＥＴより高い周波数操作を与える。
およびミリメートル周波数で用いられる数種類の能動デバイスがある。一般にこ
れらの周波数で用いられる、より一般的な半導体デバイスの１つは、電界効果ト
ランジスター、特に金属電極半導体電界効果トランジスター（ＭＥＳＦＥＴ）、
高電子移動度トランジスター（ＨＥＭＴ）、およびシュードモルフィック高電子
移動度トランジスター（ＰＨＥＭＴ）である。これらのトランジスターはそれぞ
れＩＩＩ−Ｖ族材料、たとえばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）またはインジウムリン
（ＩｎＰ）から作成される。ＨＥＭＴとＭＥＳＦＥＴを区別するものは、ＨＥＭ
Ｔにはある材料のドープ障壁（またはドナー）層および異なる材料のドープされ
ていないチャネル層があることである。ドープされたドナー層とドープされてい
ないチャネル層の間にヘテロ接合が形成される。このヘテロ接合は、ドープされ
たドナー層からドープされていないチャネル層へ注入される電子を空間的に分離
する。したがってバンドギャップの大きなドナー層からの電子がバンドギャップ
の狭いチャネル層へ伝達され、ここで電子はヘテロ接合に平行な平面内において
のみ移動するように制限される。その結果、二次元電子、いわゆる”ガス”が形
成される。伝動はドープされていないチャネルにおいて起きるので、このドープ
されていない層では、ＭＥＳＦＥＴに用いられるドープされたチャネル構造と比
較して不純物散乱が減少し、これにより電子移動度が高められる。したがってＨ
ＥＭＴの方がＭＥＳＦＥＴより高い周波数操作を与える。
【０００３】 同様に当技術分野で知られているように、あるタイプのＰＨＥＭＴは、その上
に下記の層が順に形成されたガリウムヒ素基板を含む：ドープされていないＩｎ
ＧａＡｓチャネル層；ドープ障壁（ドナー）ＡｌＧａＡｓ層；ならびにｎ−Ｇａ
Ａｓおよびｎ＋ＧａＡｓオームコンタクト層：図１Ａに示す。次いでこの構造体
上にフォトレジストを析出させ、構造体の一部に開口をもつようにパターン化し
て、ゲート電極を形成すべき領域を露出させる。このパターン化されたフォトレ
ジストをエッチングマスクとして用い、この開口により露出した部分とエッチン
グ剤を接触させて、ｎ＋ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓ層の部分を貫通し、そし
て部分的にＡｌＧａＡｓ層内へ、順にエッチングする：ウェットエッチングにつ
いては図１Ａ、ドライエッチングについては図１Ｂに示す。いずれの場合も、比
較的幅広い溝がｎ＋ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓオームコンタクト層内に形成
され、これによりＦＥＴのブレークダウン電圧が改善される。ドライエッチング
はウェットエッチングより選択性が良好であり、かつアンダーカットが少ない；
しかしドライエッチングはエッチングされる表面層に常にある程度の損傷を与え
、これがより不都合な表面状態を誘発する可能性がある。ウェットエッチングま
たはドライエッチングのいずれにおいても、広溝を形成した後、フォトレジスト
をストリッピングし、他のフォトレジストを構造体に析出させ、パターン化して
、狭ゲート溝を定め、ＡｌＧａＡｓチャネルとショットキー接触したゲート金属
化（すなわちゲート電極）を行う：図１Ｃ（ウェットエッチングを用いて広溝を
形成した場合）または図１Ｄ（ドライエッチングを用いて広溝を形成した場合）
に示す。いずれの場合も、図１Ｃまたは図１Ｄに示すＡｌＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ
について、この狭溝はウェットケミカルを用いて時間付きエッチングすることに
より形成され、ソースＳ電極とドレインＤ電極の間の開放チャネル電流の測定に
より検査される。次いでゲート金属をフォトレジスト上に、かつそれに形成され
た電子ビームパターン化開口を貫通してアルミニウムガリウムヒ素の露出部分上
に、蒸着する。フォトレジスト層およびその上にある余分な金属を取り去った後
、ゲート電極Ｇが形成される。；得られたＦＥＴを、ウェットエッチング法につ
いては図１Ｅに、ドライエッチング法については図１Ｆに示す。他方、ＡｌＧａ
Ａｓ層の代わりにＩｎＧｇＰを用いる場合、ＩｎＧｇＰ表面への第２フォトレジ
スト層の使用とウェットエッチングの使用は適合しない。より詳細には、ＩｎＧ
ｇＰのエッチングに用いるウェットエッチング剤は強酸を含有する溶液である。
これらの強酸はフォトレジストに著しいアンダーカッティングを生じ、ＩｎＧｇ
Ｐ表面層が完全に失われる。さらに、図１Ｅおよび１Ｆから示されるように、こ
れらの方法のいずれによっても生じるゲートされない有意の溝が領域Ｕにある。
に下記の層が順に形成されたガリウムヒ素基板を含む：ドープされていないＩｎ
ＧａＡｓチャネル層；ドープ障壁（ドナー）ＡｌＧａＡｓ層；ならびにｎ−Ｇａ
Ａｓおよびｎ＋ＧａＡｓオームコンタクト層：図１Ａに示す。次いでこの構造体
上にフォトレジストを析出させ、構造体の一部に開口をもつようにパターン化し
て、ゲート電極を形成すべき領域を露出させる。このパターン化されたフォトレ
ジストをエッチングマスクとして用い、この開口により露出した部分とエッチン
グ剤を接触させて、ｎ＋ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓ層の部分を貫通し、そし
て部分的にＡｌＧａＡｓ層内へ、順にエッチングする：ウェットエッチングにつ
いては図１Ａ、ドライエッチングについては図１Ｂに示す。いずれの場合も、比
較的幅広い溝がｎ＋ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓオームコンタクト層内に形成
され、これによりＦＥＴのブレークダウン電圧が改善される。ドライエッチング
はウェットエッチングより選択性が良好であり、かつアンダーカットが少ない；
しかしドライエッチングはエッチングされる表面層に常にある程度の損傷を与え
、これがより不都合な表面状態を誘発する可能性がある。ウェットエッチングま
たはドライエッチングのいずれにおいても、広溝を形成した後、フォトレジスト
をストリッピングし、他のフォトレジストを構造体に析出させ、パターン化して
、狭ゲート溝を定め、ＡｌＧａＡｓチャネルとショットキー接触したゲート金属
化（すなわちゲート電極）を行う：図１Ｃ（ウェットエッチングを用いて広溝を
形成した場合）または図１Ｄ（ドライエッチングを用いて広溝を形成した場合）
に示す。いずれの場合も、図１Ｃまたは図１Ｄに示すＡｌＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ
について、この狭溝はウェットケミカルを用いて時間付きエッチングすることに
より形成され、ソースＳ電極とドレインＤ電極の間の開放チャネル電流の測定に
より検査される。次いでゲート金属をフォトレジスト上に、かつそれに形成され
た電子ビームパターン化開口を貫通してアルミニウムガリウムヒ素の露出部分上
に、蒸着する。フォトレジスト層およびその上にある余分な金属を取り去った後
、ゲート電極Ｇが形成される。；得られたＦＥＴを、ウェットエッチング法につ
いては図１Ｅに、ドライエッチング法については図１Ｆに示す。他方、ＡｌＧａ
Ａｓ層の代わりにＩｎＧｇＰを用いる場合、ＩｎＧｇＰ表面への第２フォトレジ
スト層の使用とウェットエッチングの使用は適合しない。より詳細には、ＩｎＧ
ｇＰのエッチングに用いるウェットエッチング剤は強酸を含有する溶液である。
これらの強酸はフォトレジストに著しいアンダーカッティングを生じ、ＩｎＧｇ
Ｐ表面層が完全に失われる。さらに、図１Ｅおよび１Ｆから示されるように、こ
れらの方法のいずれによっても生じるゲートされない有意の溝が領域Ｕにある。
【０００４】 発明の概要 本発明によれば、電界効果トランジスターのゲートを形成する方法が提供され
る。本方法は、ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャネル層上のドープ
障壁層；ドナー層上に配置した保護層；保護層上に配置したエッチング停止層；
ならびにエッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層を備
えた構造体を用意することを含む。この構造体の表面にマスクを付与して、コン
タクト層の表面の一部を露出させる。コンタクト層の露出表面部分に１回目のエ
ッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停
止層の表面の一部を露出させる。この１回目のエッチングによりコンタクト層は
、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より実質的に大き
なエッチング速度でエッチングされる。エッチング停止層の露出表面部分に２回
目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保
護層の表面の一部を露出させる。この２回目のエッチングによりエッチング停止
層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に大
きなエッチング速度でエッチングされる。マスク上に、エッチング停止層のエッ
チングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
る。本方法は、ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャネル層上のドープ
障壁層；ドナー層上に配置した保護層；保護層上に配置したエッチング停止層；
ならびにエッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層を備
えた構造体を用意することを含む。この構造体の表面にマスクを付与して、コン
タクト層の表面の一部を露出させる。コンタクト層の露出表面部分に１回目のエ
ッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停
止層の表面の一部を露出させる。この１回目のエッチングによりコンタクト層は
、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より実質的に大き
なエッチング速度でエッチングされる。エッチング停止層の露出表面部分に２回
目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保
護層の表面の一部を露出させる。この２回目のエッチングによりエッチング停止
層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に大
きなエッチング速度でエッチングされる。マスク上に、エッチング停止層のエッ
チングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
【０００５】 この方法では、ゲート溝を選択的ウェットエッチングにより形成する。したが
ってドライエッチングを用いないので、ドライエッチングにより生じる損傷がな
い。さらに、エッチングが選択的であるため、エッチング終末点を判定するため
にチャネル電流を測定する必要がなく、より良好な均質性、より良好な再現性、
およびより労働集約性の低い方法が得られる。
ってドライエッチングを用いないので、ドライエッチングにより生じる損傷がな
い。さらに、エッチングが選択的であるため、エッチング終末点を判定するため
にチャネル電流を測定する必要がなく、より良好な均質性、より良好な再現性、
およびより労働集約性の低い方法が得られる。
【０００６】 他の本発明によれば、電界効果トランジスターのゲートを形成する方法が提供
される。本方法は、ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャネル層上のド
ープ障壁層；ドナー層上に配置した保護層；保護層上に配置したエッチング停止
層；ならびにエッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層
を備えた構造体を用意することを含む。この構造体の表面にマスクを付与する。
このマスクは、コンタクト層の表面の一部を露出させる開口をもつ。コンタクト
層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチ
ングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させる。この１回目のエ
ッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエ
ッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチングされる。マスクの
開口を拡張する。拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２
回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の
保護層の表面の一部を露出させる。この２回目のエッチングによりエッチング停
止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に
大きなエッチング速度でエッチングされる。マスク上に、エッチング停止層のエ
ッチングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
される。本方法は、ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャネル層上のド
ープ障壁層；ドナー層上に配置した保護層；保護層上に配置したエッチング停止
層；ならびにエッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層
を備えた構造体を用意することを含む。この構造体の表面にマスクを付与する。
このマスクは、コンタクト層の表面の一部を露出させる開口をもつ。コンタクト
層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチ
ングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させる。この１回目のエ
ッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエ
ッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチングされる。マスクの
開口を拡張する。拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２
回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の
保護層の表面の一部を露出させる。この２回目のエッチングによりエッチング停
止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に
大きなエッチング速度でエッチングされる。マスク上に、エッチング停止層のエ
ッチングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
【０００７】 この方法では、ゲートされていない溝のないトランジスターを製造できる。 本発明の他の態様によれば、基板はガリウムヒ素であり、チャネル層はインジ
ウムガリウムヒ素であり、保護層はエッチング停止層とは異なる材料である。
ウムガリウムヒ素であり、保護層はエッチング停止層とは異なる材料である。
【０００８】 本発明の他の態様によれば、保護層はソースおよびドレインコンタクト層と同
一材料である。 本発明の他の態様によれば、保護層は１０〜２０Å程度の厚さをもつ。
一材料である。 本発明の他の態様によれば、保護層は１０〜２０Å程度の厚さをもつ。
【０００９】 本発明のさらに他の態様によれば、保護層はＩＩＩ−Ｖ族材料である。 本発明の他の態様によれば、保護層はガリウムヒ素である。 本発明の他の態様によれば、エッチング停止層はインジウムガリウムリンであ
る。
る。
【００１０】 本発明の他の態様によれば、電界効果トランジスターが提供される。このトラ
ンジスターは下記のものを含む：ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャ
ネル層上のドープ障壁層；保護層上に配置された付加層であって、開口をもつ付
加層；横方向に間隔をおいた付加層領域上に配置されたソースおよびドレインコ
ンタクト層；ならびに側面部分が開口内に配置されたゲート電極：開口の壁はゲ
ート電極のこの側面部分と接触している。
ンジスターは下記のものを含む：ＩＩＩ−Ｖ族基板；基板上のチャネル層；チャ
ネル層上のドープ障壁層；保護層上に配置された付加層であって、開口をもつ付
加層；横方向に間隔をおいた付加層領域上に配置されたソースおよびドレインコ
ンタクト層；ならびに側面部分が開口内に配置されたゲート電極：開口の壁はゲ
ート電極のこの側面部分と接触している。
【００１１】 この様式では、ゲートされない溝領域がないので、ゲートされない溝に伴う大
部分の問題（すなわち、無制御な逆ブレークダウン電圧、ゲートおよびドレイン
ラグなどの過渡的影響、ならびに外因性トランスコンダクタンスの低下）が除か
れる。
部分の問題（すなわち、無制御な逆ブレークダウン電圧、ゲートおよびドレイン
ラグなどの過渡的影響、ならびに外因性トランスコンダクタンスの低下）が除か
れる。
【００１２】 本発明のさらに他の態様によれば、電界効果トランジスターが提供される。こ
の電界効果トランジスターはガリウムヒ素基板を含む。基板上にインジウムガリ
ウムヒ素チャネル層か配置されている。チャネル層上にドープアルミニウムガリ
ウムヒ素障壁層が配置されている。障壁層上に保護層が配置されている。保護層
上にインジウムガリウムリン層が配置されている。このインジウムガリウムリン
層は開口をもつ。横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域上にソー
スおよびドレインコンタクト層が配置されている。開口は横方向に間隔をおいた
インジウムガリウムリン層領域の間に配置されている。側面部分がインジウムガ
リウムリン層の開口内に配置されたゲート電極が付与されている。インジウムガ
リウムリン層の開口の壁はゲート電極のこの側面部分と接触し、ゲートの底部分
は保護層とショットキー接触している。
の電界効果トランジスターはガリウムヒ素基板を含む。基板上にインジウムガリ
ウムヒ素チャネル層か配置されている。チャネル層上にドープアルミニウムガリ
ウムヒ素障壁層が配置されている。障壁層上に保護層が配置されている。保護層
上にインジウムガリウムリン層が配置されている。このインジウムガリウムリン
層は開口をもつ。横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域上にソー
スおよびドレインコンタクト層が配置されている。開口は横方向に間隔をおいた
インジウムガリウムリン層領域の間に配置されている。側面部分がインジウムガ
リウムリン層の開口内に配置されたゲート電極が付与されている。インジウムガ
リウムリン層の開口の壁はゲート電極のこの側面部分と接触し、ゲートの底部分
は保護層とショットキー接触している。
【００１３】 これらおよび他の本発明の態様は、添付の図面を参照すると以下の詳細な説明
からより容易に理解されるであろう。 図２には、下記を含む電界効果トランジスター１０（この場合、ＰＨＥＭＴ）
を示す：ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１２、基板１２上のインジウムガリウム
ヒ素（ＩｎＧａＡｓ）チャネル層１４、チャネル層１４上のドープしたアルミニ
ウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）障壁（ドナー）層１６、障壁層１６上に配置
された保護層１８、保護層上に配置されたインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ
）層２０、横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域２０上に配置さ
れたガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ソースおよびドレインコンタクト層２２、２４。
インジウムガリウムリン層２０は開口２６をもつ。側面部分がインジウムガリウ
ムリン層２０の開口２６内に配置されたゲートＧ電極３０を付与する。インジウ
ムガリウムリン層領域２０の開口２６の側面３２は、ゲート電極３０のこの側面
部分と接触し、ゲート電極３０の底部分はガリウムヒ素層１８とショットキー接
触している。ソースＳ電極およびドレインＤ電極それぞれ３６、３８は、図示す
るようにガリウムヒ素層２４とオーム接触している。保護層１８は、この場合１
０〜２０Å程度の厚さおよび５×１０17ｃｍ-3未満のドープ濃度をもつ。
からより容易に理解されるであろう。 図２には、下記を含む電界効果トランジスター１０（この場合、ＰＨＥＭＴ）
を示す：ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１２、基板１２上のインジウムガリウム
ヒ素（ＩｎＧａＡｓ）チャネル層１４、チャネル層１４上のドープしたアルミニ
ウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）障壁（ドナー）層１６、障壁層１６上に配置
された保護層１８、保護層上に配置されたインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ
）層２０、横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域２０上に配置さ
れたガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ソースおよびドレインコンタクト層２２、２４。
インジウムガリウムリン層２０は開口２６をもつ。側面部分がインジウムガリウ
ムリン層２０の開口２６内に配置されたゲートＧ電極３０を付与する。インジウ
ムガリウムリン層領域２０の開口２６の側面３２は、ゲート電極３０のこの側面
部分と接触し、ゲート電極３０の底部分はガリウムヒ素層１８とショットキー接
触している。ソースＳ電極およびドレインＤ電極それぞれ３６、３８は、図示す
るようにガリウムヒ素層２４とオーム接触している。保護層１８は、この場合１
０〜２０Å程度の厚さおよび５×１０17ｃｍ-3未満のドープ濃度をもつ。
【００１４】 この場合、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）チャネル層１４は、１０
０〜２００Åの厚さおよび１×１０12〜３×１０12ｃｍ-2の電子シート濃度(ele
ctronic sheet concentration)をもつ。この場合、ドープしたアルミニウムガリ
ウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）障壁層１６は、１００〜３００Åの厚さおよび２×１
０12〜５×１０12ｃｍ-2の電子シート濃度をもつ。この場合、インジウムガリウ
ムリン（ＩｎＧａＰ）層２０は、１００〜３００Åの厚さおよび５×１０17ｃｍ -3 未満のドープ濃度をもつ。この場合、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ソースおよび
ドレインコンタクト層２２は、４００Å未満の厚さおよび５×１０17ｃｍ-3未満
のドープ濃度をもつ。この場合、コンタクト層２４は、４００〜６００Åの厚さ
および２×１０18〜６×１０18ｃｍ-3のドープ濃度をもつ。
０〜２００Åの厚さおよび１×１０12〜３×１０12ｃｍ-2の電子シート濃度(ele
ctronic sheet concentration)をもつ。この場合、ドープしたアルミニウムガリ
ウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）障壁層１６は、１００〜３００Åの厚さおよび２×１
０12〜５×１０12ｃｍ-2の電子シート濃度をもつ。この場合、インジウムガリウ
ムリン（ＩｎＧａＰ）層２０は、１００〜３００Åの厚さおよび５×１０17ｃｍ -3 未満のドープ濃度をもつ。この場合、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ソースおよび
ドレインコンタクト層２２は、４００Å未満の厚さおよび５×１０17ｃｍ-3未満
のドープ濃度をもつ。この場合、コンタクト層２４は、４００〜６００Åの厚さ
および２×１０18〜６×１０18ｃｍ-3のドープ濃度をもつ。
【００１５】 図３Ａ〜３Ｅを参照して、このような電界効果トランジスター１０（図２）を
製造する方法を記載する。たとえば図３Ａ〜３Ｅには、下記を含む構造体４０を
示す：ガリウムヒ素基板１２；基板１２上のインジウムガリウムヒ素チャネル層
１４；チャネル層１４上のドープしたアルミニウムガリウムヒ素障壁（ドナー）
層１６；ドナー層１６上に配置されたガリウムヒ素保護層１８；保護層１８上に
配置されたインジウムガリウムリン層２０（この場合、エッチング停止層）；エ
ッチング停止層２０上に配置されたガリウムヒ素ソースおよびドレインコンタク
ト層２２、２４；ならびに図示するようにソースＳおよびドレインＤコンタクト
それぞれ３６、３８。
製造する方法を記載する。たとえば図３Ａ〜３Ｅには、下記を含む構造体４０を
示す：ガリウムヒ素基板１２；基板１２上のインジウムガリウムヒ素チャネル層
１４；チャネル層１４上のドープしたアルミニウムガリウムヒ素障壁（ドナー）
層１６；ドナー層１６上に配置されたガリウムヒ素保護層１８；保護層１８上に
配置されたインジウムガリウムリン層２０（この場合、エッチング停止層）；エ
ッチング停止層２０上に配置されたガリウムヒ素ソースおよびドレインコンタク
ト層２２、２４；ならびに図示するようにソースＳおよびドレインＤコンタクト
それぞれ３６、３８。
【００１６】 次いで、構造体４０の表面に、マスク、この場合図示したような形状の開口４
２をもつ、電子ビーム（図示されていない）によりパターン化したフォトレジス
トの層４０を形成する。開口４２は、コンタクト層２４、２２の表面の一部を露
出させる。マスキング層４０の開口４２は、この場合０．１５〜０．２５μｍの
幅Ｗをもつ。
２をもつ、電子ビーム（図示されていない）によりパターン化したフォトレジス
トの層４０を形成する。開口４２は、コンタクト層２４、２２の表面の一部を露
出させる。マスキング層４０の開口４２は、この場合０．１５〜０．２５μｍの
幅Ｗをもつ。
【００１７】 次いでウェットケミカル溶液をパターン化したフォトレジスト層４０と接触さ
せると、そのウェットケミカルは開口４０を通して層２４の露出表面部分にまで
達する。ウェットケミカルは、ガリウムヒ素ソースおよびドレインコンタクト層
２２、２４の露出部分を選択的にエッチングするために用いられる。ガリウムヒ
素に対するこのケミカルのエッチング速度は、インジウムガリウムリンに対する
このケミカルのエッチング速度より少なくとも２桁大きい。したがってインジウ
ムガリウムリン層２０は、このウェットケミカルに対するエッチング停止層とし
て作用する。この場合、たとえばウェットケミカルはクエン酸、過酸化水素およ
び水の混合物、または硫酸、過酸化水素および水の混合物、または水酸化アンモ
ニウム、過酸化水素および水の混合物である。たとえば水酸化アンモニウム、過
酸化水素および水の混合物については、比率は１ ＮＨ2ＯＨ−１ Ｈ2Ｏ2−２
５０ Ｈ2Ｏである。
せると、そのウェットケミカルは開口４０を通して層２４の露出表面部分にまで
達する。ウェットケミカルは、ガリウムヒ素ソースおよびドレインコンタクト層
２２、２４の露出部分を選択的にエッチングするために用いられる。ガリウムヒ
素に対するこのケミカルのエッチング速度は、インジウムガリウムリンに対する
このケミカルのエッチング速度より少なくとも２桁大きい。したがってインジウ
ムガリウムリン層２０は、このウェットケミカルに対するエッチング停止層とし
て作用する。この場合、たとえばウェットケミカルはクエン酸、過酸化水素およ
び水の混合物、または硫酸、過酸化水素および水の混合物、または水酸化アンモ
ニウム、過酸化水素および水の混合物である。たとえば水酸化アンモニウム、過
酸化水素および水の混合物については、比率は１ ＮＨ2ＯＨ−１ Ｈ2Ｏ2−２
５０ Ｈ2Ｏである。
【００１８】 次いで酸素プラズマを用いてフォトレジスト層から薄層を除去する。これの目
的は、フォトレジスト層４０の開口４２を幅Ｗから幅Ｗ’に広げることである。
その結果、レジスト層４０’（図３Ｂ）は、ウェットケミカルエッチングによる
フォトレジスト層４０（図３Ａ）のアンダーカッティングのためガリウムヒ素層
２２、２４に形成された溝より広いかまたはそれと等しい開口４２’をもつ。フ
ォトレジスト層４０からのこの薄層除去により、これから述べるゲート金属を蒸
着する際に、ゲートしていない溝領域が生じないであろう。ゲートＧ電極の底領
域は、フォトレジスト層４０’の開口４２’によってではなく、ガリウムヒ素層
２２、２４の開口によって定められるからである。次いでフォトレジスト層４０
’とエッチングされたガリウムヒ素層２２、２４とにより形成されたマスクを、
濃塩酸溶液と接触させる。この溶液は、インジウムガリウムリンに対してよりガ
リウムヒ素に対して実質的に低い（すなわち少なくとも２桁低い）エッチング速
度をもつ。したがって、インジウムガリウムリン層２０に開口２６（図２および
３Ｂ）が形成される。これは、予めフォトレジスト層４０’およびその下側のガ
リウムヒ素層２２、２４のエッチングされた部分に形成された開口４２’と整列
する。したがってガリウムヒ素保護層１８が塩酸に対するエッチング停止層とし
て作用する。言い換えると、塩酸エッチングは選択的である；すなわちこれはイ
ンジウムガリウムリンのみを除去し、ガリウムヒ素層１８を無傷のまま残す。し
たがって、図１Ａ〜１Ｆに関して述べたようにエッチング終末点を調べるために
ソースおよびドレインコンタクト３６、３８間の電流を監視する必要がない。イ
ンジウムガリウムリン層２０のエッチングに際しては、前記マスキング材料は今
度はインジウムガリウムリン層２０上にエピタキシャル生長したガリウムヒ素層
２２、２４であって、フォトレジスト４０’ではない。したがって、１００％オ
ーバーエッチング時間を用いても、すなわちエッチング時間を１００％超過して
も、インジウムガリウムリン層２０のアンダーカッティングはまったくない。
的は、フォトレジスト層４０の開口４２を幅Ｗから幅Ｗ’に広げることである。
その結果、レジスト層４０’（図３Ｂ）は、ウェットケミカルエッチングによる
フォトレジスト層４０（図３Ａ）のアンダーカッティングのためガリウムヒ素層
２２、２４に形成された溝より広いかまたはそれと等しい開口４２’をもつ。フ
ォトレジスト層４０からのこの薄層除去により、これから述べるゲート金属を蒸
着する際に、ゲートしていない溝領域が生じないであろう。ゲートＧ電極の底領
域は、フォトレジスト層４０’の開口４２’によってではなく、ガリウムヒ素層
２２、２４の開口によって定められるからである。次いでフォトレジスト層４０
’とエッチングされたガリウムヒ素層２２、２４とにより形成されたマスクを、
濃塩酸溶液と接触させる。この溶液は、インジウムガリウムリンに対してよりガ
リウムヒ素に対して実質的に低い（すなわち少なくとも２桁低い）エッチング速
度をもつ。したがって、インジウムガリウムリン層２０に開口２６（図２および
３Ｂ）が形成される。これは、予めフォトレジスト層４０’およびその下側のガ
リウムヒ素層２２、２４のエッチングされた部分に形成された開口４２’と整列
する。したがってガリウムヒ素保護層１８が塩酸に対するエッチング停止層とし
て作用する。言い換えると、塩酸エッチングは選択的である；すなわちこれはイ
ンジウムガリウムリンのみを除去し、ガリウムヒ素層１８を無傷のまま残す。し
たがって、図１Ａ〜１Ｆに関して述べたようにエッチング終末点を調べるために
ソースおよびドレインコンタクト３６、３８間の電流を監視する必要がない。イ
ンジウムガリウムリン層２０のエッチングに際しては、前記マスキング材料は今
度はインジウムガリウムリン層２０上にエピタキシャル生長したガリウムヒ素層
２２、２４であって、フォトレジスト４０’ではない。したがって、１００％オ
ーバーエッチング時間を用いても、すなわちエッチング時間を１００％超過して
も、インジウムガリウムリン層２０のアンダーカッティングはまったくない。
【００１９】 次いで図３Ｃについては、図示するように、ゲート金属４６（この場合、チタ
ン／白金／金）を、フォトレジスト層４０’上に、かつフォトレジスト層４０’
、ガリウムヒ素層２２、２４に形成された開口４２’、およびインジウムガリウ
ムリン層２０に形成された開口２６（図３Ｂ）を貫通して蒸着する。層４０の幅
Ｗ（図３Ａ）は幅Ｗ’（図３Ｂ）にまで広げられているのでゲート金属４６が層
２０の開口２６を満たすことに注目されたい。次いでフォトレジスト層４０’を
取り去り、その上に蒸着したゲート金属の余分な部分を除去すると、これにより
図３Ｄに示すようにゲートＧ電極３０が形成される。この時点でゲート金属４６
は高ドープガリウムヒ素−ソースおよびドレインコンタクト層２２、２４に接触
し、トランジスター１０を短絡することに注目されたい。次いで図３Ｅについて
述べる。ここではフォトレジスト層５０を図３Ｄに示した構造体の表面に析出さ
せる。より詳細には、図示したフォトレジスト層４０、４０’に形成された開口
４２、４２’（図３Ａおよび３Ｂ）より広い開口５２を、ソースおよびドレイン
電極３６、３８間のフォトレジスト層５０にパターン化する。ゲート電極３０を
形成するゲート金属４６がこのより広い開口５２内にあることに注目されたい。
次いでウェットエッチング剤（この場合、硫酸、過酸化水素および水の混合物、
または水酸化アンモニウム、過酸化水素および水の混合物）を、フォトレジスト
層５０、露出したゲート金属３０、およびガリウムヒ素−ソースおよびドレイン
コンタクト層２２、２４の露出表面部分と接触させて、このガリウムヒ素コンタ
クト層２２、２４の露出部分を選択的に除去し、一方、インジウムガリウムリン
−エッチング停止層２０は実質的にエッチングせずに残す。次いでフォトレジス
ト層５０を除去すると、図２に示す電界効果トランジスターが得られる。
ン／白金／金）を、フォトレジスト層４０’上に、かつフォトレジスト層４０’
、ガリウムヒ素層２２、２４に形成された開口４２’、およびインジウムガリウ
ムリン層２０に形成された開口２６（図３Ｂ）を貫通して蒸着する。層４０の幅
Ｗ（図３Ａ）は幅Ｗ’（図３Ｂ）にまで広げられているのでゲート金属４６が層
２０の開口２６を満たすことに注目されたい。次いでフォトレジスト層４０’を
取り去り、その上に蒸着したゲート金属の余分な部分を除去すると、これにより
図３Ｄに示すようにゲートＧ電極３０が形成される。この時点でゲート金属４６
は高ドープガリウムヒ素−ソースおよびドレインコンタクト層２２、２４に接触
し、トランジスター１０を短絡することに注目されたい。次いで図３Ｅについて
述べる。ここではフォトレジスト層５０を図３Ｄに示した構造体の表面に析出さ
せる。より詳細には、図示したフォトレジスト層４０、４０’に形成された開口
４２、４２’（図３Ａおよび３Ｂ）より広い開口５２を、ソースおよびドレイン
電極３６、３８間のフォトレジスト層５０にパターン化する。ゲート電極３０を
形成するゲート金属４６がこのより広い開口５２内にあることに注目されたい。
次いでウェットエッチング剤（この場合、硫酸、過酸化水素および水の混合物、
または水酸化アンモニウム、過酸化水素および水の混合物）を、フォトレジスト
層５０、露出したゲート金属３０、およびガリウムヒ素−ソースおよびドレイン
コンタクト層２２、２４の露出表面部分と接触させて、このガリウムヒ素コンタ
クト層２２、２４の露出部分を選択的に除去し、一方、インジウムガリウムリン
−エッチング停止層２０は実質的にエッチングせずに残す。次いでフォトレジス
ト層５０を除去すると、図２に示す電界効果トランジスターが得られる。
【００２０】 図３Ａ〜３Ｅに関して以上に述べた方法では選択的ウェットエッチングにより
ゲート溝を形成しうることに注目されたい。したがって、この方法では、ドライ
エッチングによる構造体の損傷は生じない。さらに、ウェットエッチングの選択
性はほとんど無限大であるため、前記のようにエッチング終末点を判定するため
にソースとドレインの間のチャネル電流を測定する必要がない。したがって本発
明方法は、より大きな均質性、より良好な再現性を与え、より労働集約性が低い
。さらに、ゲートされない溝領域がないので、ゲートされない溝に伴う大部分の
重大な問題、すなわち無制御な逆ブレークダウン電圧、ゲートおよびドレインラ
グなどの過渡的影響、外因性トランスコンダクタンスの低下が除かれる。
ゲート溝を形成しうることに注目されたい。したがって、この方法では、ドライ
エッチングによる構造体の損傷は生じない。さらに、ウェットエッチングの選択
性はほとんど無限大であるため、前記のようにエッチング終末点を判定するため
にソースとドレインの間のチャネル電流を測定する必要がない。したがって本発
明方法は、より大きな均質性、より良好な再現性を与え、より労働集約性が低い
。さらに、ゲートされない溝領域がないので、ゲートされない溝に伴う大部分の
重大な問題、すなわち無制御な逆ブレークダウン電圧、ゲートおよびドレインラ
グなどの過渡的影響、外因性トランスコンダクタンスの低下が除かれる。
【００２１】 他の態様は特許請求の範囲の精神および範囲に含まれるものである。
【図１】 図１Ａ〜Ｆは、先行技術によりＦＥＴを製造する際の各段階におけるＦＥＴの
模式図である。
模式図である。
【図２】 本発明による電界効果トランジスターの断面模式図である。
【図３】 図３Ａ〜３Ｅは、本発明により図２の電界効果トランジスターを製造する際の
各段階におけるその断面模式図である。
各段階におけるその断面模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ， ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，Ｓ Ｌ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 5F102 FA01 FA08 GB01 GC01 GD01 GJ05 GJ06 GL04 GM04 GM06 GN05 GQ01 GR04 GR10 GT01 GV05 HC15 HC17 【要約の続き】 セスウインドウをもつ２工程ウェットエッチングにより 狭ゲート電極形状が形成されるので、ドライエッチング に伴う損傷が除かれ、かつより選択性の低いエッチング 方法に際してのチャネル電流測定の必要性も除かれる。
Claims (25)
- 【請求項１】 電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、 （ａ）下記を備えた構造体を用意し： ＩＩＩ−Ｖ族基板； 基板上のチャネル層； チャネル層上のドープ障壁層； ドナー層上に配置した保護層； 保護層上に配置したエッチング停止層；ならびに エッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層； （ｂ）構造体の表面にマスクを付与して、コンタクト層の表面の一部を露出さ
せ； （ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト
層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ
、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこ
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され； （ｄ）エッチング停止層の露出表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチ
ング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、
この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され；そして （ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して保護層
の露出部分上にまで、金属を蒸着する。 - 【請求項２】 電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、 （ａ）下記を備えた構造体を用意し： ガリウムヒ素基板； 基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層； チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層； ドナー層上に配置したガリウムヒ素保護層； 保護層上に配置したインジウムガリウムリン−エッチング停止層；ならび
に エッチング停止層上に配置したガリウムヒ素−ソースおよびドレインコン
タクト層； （ｂ）構造体の表面にマスクを付与して、コンタクト層の表面の一部を露出さ
せ； （ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト
層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ
、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこ
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され； （ｄ）エッチング停止層の露出表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチ
ング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、
この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され；そして （ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して、保護
層の露出部分上にまで、それとショットキー接触したゲート金属を蒸着し、この
ゲート金属がゲート電極となる。 - 【請求項３】 １回目のエッチング工程が、コンタクト層の露出表面部分に１
回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッ
チング停止層の表面の一部を露出させることを含み、この１回目のエッチングに
よりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速
度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングされる、請求項１に記
載の方法。 - 【請求項４】 ２回目のエッチング工程が、エッチング停止層を保護層に対す
るこの２回目のエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチン
グ速度でエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、 （ａ）下記を備えた構造体を用意し： ＩＩＩ−Ｖ族基板； 基板上のチャネル層； チャネル層上のドープ障壁層； ドナー層上に配置した保護層； 保護層上に配置したエッチング停止層；ならびに エッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層； （ｂ）構造体の表面にマスクを付与し、そのマスクはコンタクト層の表面の一
部を露出させる開口をもち； （ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト
層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ
、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこ
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され； （ｄ）マスクの開口を拡張し； （ｅ）拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２回目のエ
ッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の
表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保
護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッ
チング速度でエッチングされ；そして （ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して保護層
の露出部分上にまで、金属を蒸着する。 - 【請求項６】 電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、 （ａ）下記を備えた構造体を用意し： ガリウムヒ素基板； 基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層； チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層； ドナー層上に配置したガリウムヒ素保護層； 保護層上に配置したインジウムガリウムリン−エッチング停止層；ならび
に エッチング停止層上に配置したガリウムヒ素−ソースおよびドレインコン
タクト層； （ｂ）構造体の表面にマスクを付与し、そのマスクはコンタクト層の表面の一
部を露出させる開口をもち； （ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト
層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ
、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこ
のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッチング速度でエッチング
され； （ｄ）マスクの開口を拡張し； （ｅ）拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２回目のエ
ッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の
表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保
護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より実質的に大きなエッ
チング速度でエッチングされ；そして （ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して、保護
層の露出部分上にまで、それとショットキー接触したゲート金属を蒸着し、この
ゲート金属がゲート電極となる。 - 【請求項７】 １回目のエッチング工程が、コンタクト層の露出表面部分に１
回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッ
チング停止層の表面の一部を露出させることを含み、この１回目のエッチングに
よりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速
度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングされる、請求項６に記
載の方法。 - 【請求項８】 ２回目のエッチング工程が、エッチング停止層を保護層に対す
るこの２回目のエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチン
グ速度でエッチングすることを含む、請求項６に記載の方法。 - 【請求項９】 下記を含む電界効果トランジスター： （ａ）ＩＩＩ−Ｖ族基板； （ｂ）基板上のチャネル層； （ｃ）チャネル層上のドープ障壁層； （ｄ）ドナー層上に配置された保護層； （ｅ）保護層上に配置された付加層であって、開口をもつ付加層； （ｆ）横方向に間隔をおいた付加層領域上に配置されたソースおよびドレイン
コンタクト層：開口は横方向に間隔をおいた付加層領域の間に配置される； （ｇ）側面部分がこの開口内に配置されたゲート電極：開口の壁はゲート電極
のこの側面部分と接触し、ゲートの底部分は保護層とショットキー接触している
。 - 【請求項１０】 基板がガリウムヒ素である、請求項９に記載のトランジスタ
ー。 - 【請求項１１】 チャネル層がインジウムガリウムヒ素である、請求項１０に
記載のトランジスター。 - 【請求項１２】 保護層が付加層と異なる材料である、請求項９に記載のトラ
ンジスター。 - 【請求項１３】 保護層がソースおよびドレインコンタクト層と同一材料であ
る、請求項１２に記載のトランジスター。 - 【請求項１４】 保護層が１０〜２０Å程度の厚さをもつ、請求項１３に記載
のトランジスター。 - 【請求項１５】 保護層がＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１４に記載のトラ
ンジスター。 - 【請求項１６】 保護層がガリウムヒ素である、請求項１５に記載のトランジ
スター。 - 【請求項１７】 付加層がインジウムガリウムリンである、請求項１６に記載
のトランジスター。 - 【請求項１８】 下記を含む電界効果トランジスター： （ａ）ガリウムヒ素基板； （ｂ）基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層； （ｃ）チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層； （ｄ）障壁層上に配置された保護層； （ｅ）保護層上に配置されたインジウムガリウムリン層であって、開口をもつ
インジウムガリウムリン層； （ｆ）横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域上に配置されたソ
ースおよびドレインコンタクト層：開口は横方向に間隔をおいたインジウムガリ
ウムリン層領域の間に配置される； （ｇ）側面部分がインジウムガリウムリン層の開口内に配置されたゲート電極
：インジウムガリウムリン層の開口の壁はゲート電極のこの側面部分と接触し、
ゲートの底部分はガリウムヒ素層とショットキー接触している。 - 【請求項１９】 保護層がＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１８に記載のトラ
ンジスター。 - 【請求項２０】 保護層がガリウムヒ素である、請求項１９に記載のトランジ
スター。 - 【請求項２１】 金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸
着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項２２】 金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸
着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項２に記載の方法。 - 【請求項２３】 金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸
着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項５に記載の方法。 - 【請求項２４】 金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸
着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項６に記載の方法。 - 【請求項２５】 下記を含む電界効果トランジスター： （ａ）ＩＩＩ−Ｖ族基板； （ｂ）基板上のチャネル層； （ｃ）チャネル層上のドープ障壁層； （ｄ）障壁層上に配置された付加層であって、開口をもつ付加層； （ｅ）横方向に間隔をおいた付加層領域上に配置されたソースおよびドレイン
コンタクト層； （ｆ）側面部分が開口内に配置されたゲート電極：開口の壁はゲート電極のこ
の側面部分と接触している。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8299499B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-10-30 | Renesas Electronics Corporation | Field effect transistor |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703638B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-03-09 | Tyco Electronics Corporation | Enhancement and depletion-mode phemt device having two ingap etch-stop layers |
| JP4371668B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2009-11-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| EP1680843A4 (en) * | 2003-10-20 | 2009-05-06 | Binoptics Corp | PHOTONIC EQUIPMENT WITH SURFACE EMISSION AND RECEPTION |
| WO2006025006A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for producing a multi-stage recess in a layer structure and a field effect transistor with a multi-recessed gate |
| US20060175631A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Raytheon Company | Monolithic integrated circuit having enhanced breakdown voltage |
| JP2008060397A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nec Electronics Corp | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| KR100853166B1 (ko) * | 2007-01-30 | 2008-08-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전계효과형 화합물 반도체 소자의 제조 방법 |
| GB201112330D0 (en) | 2011-07-18 | 2011-08-31 | Epigan Nv | Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure |
| US8901606B2 (en) | 2012-04-30 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) comprising low temperature buffer layer |
| US8853743B2 (en) | 2012-11-16 | 2014-10-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Pseudomorphic high electron mobility transistor comprising doped low temperature buffer layer |
| EP3199590A4 (en) * | 2014-09-26 | 2018-04-25 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Flame-retardant urethane resin composition |
| US9461159B1 (en) | 2016-01-14 | 2016-10-04 | Northrop Grumman Systems Corporation | Self-stop gate recess etching process for semiconductor field effect transistors |
| DE112017007134T5 (de) * | 2017-02-27 | 2019-11-21 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US11145735B2 (en) * | 2019-10-11 | 2021-10-12 | Raytheon Company | Ohmic alloy contact region sealing layer |
| CN113363255B (zh) * | 2021-06-02 | 2024-02-27 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
| CN113363254A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-07 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0350839A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05251472A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH05267276A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | ＩｎＧａＰのエッチング方法及びそのエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH0831844A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09246532A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JPH1050729A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置，及びその製造方法 |
| JPH10209434A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH023938A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ |
| JPH04167439A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2523985B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1996-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0582560A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| US5212704A (en) * | 1991-11-27 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a strained layer quantum well laser |
| US5352909A (en) * | 1991-12-19 | 1994-10-04 | Nec Corporation | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
| JP2978972B2 (ja) * | 1992-03-12 | 1999-11-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06196504A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5364816A (en) * | 1993-01-29 | 1994-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication method for III-V heterostructure field-effect transistors |
| GB2275569B (en) * | 1993-02-24 | 1996-08-07 | Toshiba Cambridge Res Center | Semiconductor device and method of making same |
| US5324682A (en) * | 1993-04-29 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an integrated circuit capable of low-noise and high-power microwave operation |
| JPH07142685A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
| JP2500459B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| JPH0742685A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 内部高圧型圧縮機 |
| JP3294411B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07202173A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2581452B2 (ja) * | 1994-06-06 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2685032B2 (ja) * | 1995-06-09 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2716015B2 (ja) * | 1995-07-27 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP3616447B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2005-02-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JP2780704B2 (ja) * | 1996-06-14 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1056168A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ |
| AU1600799A (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-15 | Whitaker Corporation, The | Inxga1-xp stop-etch layer for selective recess of gallium arsenide-based eptitaxial field effect transistors and process therefor |
-
1998
- 1998-09-29 US US09/163,124 patent/US6087207A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-15 DE DE69930135T patent/DE69930135T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-15 EP EP05077484A patent/EP1630860A3/en not_active Ceased
- 1999-09-15 AU AU59238/99A patent/AU5923899A/en not_active Abandoned
- 1999-09-15 EP EP99946936A patent/EP1131849B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-15 JP JP2000572921A patent/JP4874461B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-15 WO PCT/US1999/021135 patent/WO2000019512A1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0350839A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05251472A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH05267276A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | ＩｎＧａＰのエッチング方法及びそのエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH0831844A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09246532A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JPH1050729A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置，及びその製造方法 |
| JPH10209434A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8299499B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-10-30 | Renesas Electronics Corporation | Field effect transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69930135D1 (de) | 2006-04-27 |
| AU5923899A (en) | 2000-04-17 |
| EP1131849A4 (en) | 2002-10-28 |
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