JP2002270898A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小な半導体発光素子を表示装置の基体面へ
間隔をあけて配置し固定することができて低コストであ
り、かつ十分な輝度を有する表示装置およびその製造方
法を提供すること。 【解決手段】 選択成長させたＧａＮ系の微小な半導体
発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で上端部
と下端面を除いて埋め込んで電極１８、１９を引き出し
たものを基体３１の上面に間隔をあけて配置し固定す
る。続いて半導体発光素子１１を第一絶縁層２１と共に
覆って基体３１の面にエポキシ樹脂の第二絶縁層３４を
形成し、所要の接続開孔を穿設して電極１８、１９を第
二絶縁層３４の上面に引き出し、更に第二絶縁層３４に
接続開孔を穿設して電極１８を基体３１に設けられた接
続用電極３２へ導く。
間隔をあけて配置し固定することができて低コストであ
り、かつ十分な輝度を有する表示装置およびその製造方
法を提供すること。 【解決手段】 選択成長させたＧａＮ系の微小な半導体
発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で上端部
と下端面を除いて埋め込んで電極１８、１９を引き出し
たものを基体３１の上面に間隔をあけて配置し固定す
る。続いて半導体発光素子１１を第一絶縁層２１と共に
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形成し、所要の接続開孔を穿設して電極１８、１９を第
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接続開孔を穿設して電極１８を基体３１に設けられた接
続用電極３２へ導く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置およびその
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、微小なサ
イズの複数の半導体発光素子が基体面に間隔をあけて配
置された表示装置およびその製造方法に関するものであ
り、更には輝度の大きい半導体発光素子が配置された表
示装置およびその製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、微小なサ
イズの複数の半導体発光素子が基体面に間隔をあけて配
置された表示装置およびその製造方法に関するものであ
り、更には輝度の大きい半導体発光素子が配置された表
示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）
を使用する従来の表示装置は、その一例の要部の裏面側
の斜視図である図１０に示すように、比較的大きい寸法
（例えば５ｍｍ角）に規格化された高価なＬＥＤモジュ
ール１０２を基体面１０１上へ二次元に密に配置して固
定した後、各ＬＥＤモジュール１０２のアノード電極１
０３、およびカソード電極１０４をワイヤボンディング
やハンダ付けにより基体上の配線に接続して製造される
が、このようにして製造される表示装置１００は、ＬＥ
Ｄモジュール１０２にウェーハから切り出した通常０．
３ｍｍ角程度のＬＥＤチップが１画素あたりに使用さ
れ、数十万画素の全画面を総計すると多数の化合物半導
体ウェーハが使用されるので材料コストが高価になって
いるほか、それらＬＥＤモジュール１０２の配置、固
定、ワイヤボンディングやハンダ付けに設備および作業
工数を要することから、必然的に高コストなものとなっ
ている。
を使用する従来の表示装置は、その一例の要部の裏面側
の斜視図である図１０に示すように、比較的大きい寸法
（例えば５ｍｍ角）に規格化された高価なＬＥＤモジュ
ール１０２を基体面１０１上へ二次元に密に配置して固
定した後、各ＬＥＤモジュール１０２のアノード電極１
０３、およびカソード電極１０４をワイヤボンディング
やハンダ付けにより基体上の配線に接続して製造される
が、このようにして製造される表示装置１００は、ＬＥ
Ｄモジュール１０２にウェーハから切り出した通常０．
３ｍｍ角程度のＬＥＤチップが１画素あたりに使用さ
れ、数十万画素の全画面を総計すると多数の化合物半導
体ウェーハが使用されるので材料コストが高価になって
いるほか、それらＬＥＤモジュール１０２の配置、固
定、ワイヤボンディングやハンダ付けに設備および作業
工数を要することから、必然的に高コストなものとなっ
ている。
【０００３】また、個々のＬＥＤチップは、図１１に模
式的に示すように、Ｐ電極１０７を備えたｐ型半導体１
０６と、ｎ電極１０９を備えたｎ型半導体１０８とが活
性層１０５を挟むように平面的に積み重ねたプレーナー
構造のものが採用されている。この活性層１０５に生じ
る発光は基本的には全方位へ向かうが、半導体の有する
比較的大きい屈折率と半導体の内部から界面（表面）ヘ
の入射角との関係もあって、主として上下方向に向かう
光が界面を透過して外側へ放射される。従って、上方
（背面側）へ向かう光が電極面等で反射されて下方（前
面側）へ向かうものを考慮しても、下方への発光効率は
低く、更には、背面側へ照射された光が隣り合うＬＥＤ
モジュールへ入射して表示装置の画像に滲みを発生させ
るという問題もある。
式的に示すように、Ｐ電極１０７を備えたｐ型半導体１
０６と、ｎ電極１０９を備えたｎ型半導体１０８とが活
性層１０５を挟むように平面的に積み重ねたプレーナー
構造のものが採用されている。この活性層１０５に生じ
る発光は基本的には全方位へ向かうが、半導体の有する
比較的大きい屈折率と半導体の内部から界面（表面）ヘ
の入射角との関係もあって、主として上下方向に向かう
光が界面を透過して外側へ放射される。従って、上方
（背面側）へ向かう光が電極面等で反射されて下方（前
面側）へ向かうものを考慮しても、下方への発光効率は
低く、更には、背面側へ照射された光が隣り合うＬＥＤ
モジュールへ入射して表示装置の画像に滲みを発生させ
るという問題もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、第一には、微小な半導体発光素子を基体
面へ間隔をあけて配置して簡易に固定され、結果的に低
コストである表示装置およびその製造方法を提供するこ
とを課題とする。また、第二には、微小なサイズであり
ながら十分な輝度を有する半導体発光素子を備えた表示
装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
鑑みてなされ、第一には、微小な半導体発光素子を基体
面へ間隔をあけて配置して簡易に固定され、結果的に低
コストである表示装置およびその製造方法を提供するこ
とを課題とする。また、第二には、微小なサイズであり
ながら十分な輝度を有する半導体発光素子を備えた表示
装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】なお、特開昭５７−４５５８３号公報に
は、低コスト化させ、信頼性を向上させた表示装置とし
て、発光ダイオードを絶縁材料で埋めた装置が開示され
ているが、その実施例で使用されている発光ダイオード
はウェーハから切り出したプレーナー構造の発光ダイオ
ードチップであり、アノード電極とカソード電極はウェ
ーハの状態であるときに取り付けられたものである。ま
た、基板上に整列させて固定した発光ダイオード間を埋
める絶縁層として使用されているエポキシ樹脂は発光ダ
イオードの上端面と略同一平面をなすように注入され硬
化されたものであり、かつその表面をラッピングなどに
よって平滑化させたものである。
は、低コスト化させ、信頼性を向上させた表示装置とし
て、発光ダイオードを絶縁材料で埋めた装置が開示され
ているが、その実施例で使用されている発光ダイオード
はウェーハから切り出したプレーナー構造の発光ダイオ
ードチップであり、アノード電極とカソード電極はウェ
ーハの状態であるときに取り付けられたものである。ま
た、基板上に整列させて固定した発光ダイオード間を埋
める絶縁層として使用されているエポキシ樹脂は発光ダ
イオードの上端面と略同一平面をなすように注入され硬
化されたものであり、かつその表面をラッピングなどに
よって平滑化させたものである。
【０００６】また、特開平３−３５５６８号公報には、
ｐｎ接合領域が小さい発光ダイオード内から外側の透明
プラスチックとの界面を透過して放射される光の割合を
大幅に向上させるものとして、発光ダイオードのｐｎ接
合領域より上方の光路となる半導体部分の上端側を截頭
角錐型に切削したものが開示されている。すなわち、発
光ダイオードとその周囲の透明プラスチックとは屈折率
の差が大きく、点光源から界面へ向かう光のうち、界面
と直交する入射角０度の光、および点光源からの円錐角
が例えば２７度の範囲内にある光は界面を透過するが、
それ以外の入射角の大きい光は界面で反射されて発光ダ
イオード内から外側へ出ることができず、反射を繰り返
して消滅する。すなわち、この現象を可及的に回避せん
とするものである。
ｐｎ接合領域が小さい発光ダイオード内から外側の透明
プラスチックとの界面を透過して放射される光の割合を
大幅に向上させるものとして、発光ダイオードのｐｎ接
合領域より上方の光路となる半導体部分の上端側を截頭
角錐型に切削したものが開示されている。すなわち、発
光ダイオードとその周囲の透明プラスチックとは屈折率
の差が大きく、点光源から界面へ向かう光のうち、界面
と直交する入射角０度の光、および点光源からの円錐角
が例えば２７度の範囲内にある光は界面を透過するが、
それ以外の入射角の大きい光は界面で反射されて発光ダ
イオード内から外側へ出ることができず、反射を繰り返
して消滅する。すなわち、この現象を可及的に回避せん
とするものである。
【０００７】そのほか、特開平１１−７５０１９号公報
には、発光ダイオードを使用した光源装置として、発光
ダイオードである半導体チップの上方に角度４５度の傾
斜ミラーを設けたものが示されているが、このミラーは
発光ダイオードから上方へ出る光を直角に曲げて側方へ
反射させるためのものであり、かつ青色、緑色、赤色の
各発光ダイオードからの光を同一光軸上へ反射させるた
めにダイクロイックミラーが使用されている。
には、発光ダイオードを使用した光源装置として、発光
ダイオードである半導体チップの上方に角度４５度の傾
斜ミラーを設けたものが示されているが、このミラーは
発光ダイオードから上方へ出る光を直角に曲げて側方へ
反射させるためのものであり、かつ青色、緑色、赤色の
各発光ダイオードからの光を同一光軸上へ反射させるた
めにダイクロイックミラーが使用されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１、
請求項１０、または請求項１３の構成によって解決され
るが、その解決手段を説明すれば次の如くである。
請求項１０、または請求項１３の構成によって解決され
るが、その解決手段を説明すれば次の如くである。
【０００９】請求項１の表示装置は、複数の半導体発光
素子が基体面上に配置されて取り付けられた表示装置に
おいて、半導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれた状
態、または埋め込まれない裸の状態で、間隔をあけて基
体面上に配置されて固定され、更に半導体発光素子を覆
って基体面に第二絶縁層が形成されており、第一絶縁層
および第二絶縁層の所要箇所に穿設された接続開孔を介
して半導体発光素子の上端部電極および下端部電極が引
き出されている装置である。
素子が基体面上に配置されて取り付けられた表示装置に
おいて、半導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれた状
態、または埋め込まれない裸の状態で、間隔をあけて基
体面上に配置されて固定され、更に半導体発光素子を覆
って基体面に第二絶縁層が形成されており、第一絶縁層
および第二絶縁層の所要箇所に穿設された接続開孔を介
して半導体発光素子の上端部電極および下端部電極が引
き出されている装置である。
【００１０】このような表示装置は半導体発光素子を、
第一絶縁層で埋め込んだ状態または埋め込まない裸の状
態で、間隔をあけて基体面へ配置されており、それらを
覆う第二の絶縁層の接続開孔を介して電極が引き出され
ているので、表示装置の単位面積当りのコストを格段に
低下させる。
第一絶縁層で埋め込んだ状態または埋め込まない裸の状
態で、間隔をあけて基体面へ配置されており、それらを
覆う第二の絶縁層の接続開孔を介して電極が引き出され
ているので、表示装置の単位面積当りのコストを格段に
低下させる。
【００１１】請求項１に従属する請求項２の表示装置
は、半導体発光素子が基体面上に配置され、上端部と下
端面を除いて第一絶縁層で埋め込まれて固定されてお
り、かつ上端部電極と下端部電極とが第一絶縁層の上面
に引き出され、続いて第二絶縁層の上面へ引き出されて
おり、更に何れか一方の電極が前記基体面上に設けられ
た接続用電極に導かれている装置である。このような表
示装置は半導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれてサ
イズを大にしてハンドリングが容易化され、かつ一方の
電極は第二絶縁層の上面で駆動回路と接続され、他方の
電極は基体面上で駆動回路と接続されるので、相互に直
交する方向にある両極の駆動回路の交差がなく配線を単
純化させる。
は、半導体発光素子が基体面上に配置され、上端部と下
端面を除いて第一絶縁層で埋め込まれて固定されてお
り、かつ上端部電極と下端部電極とが第一絶縁層の上面
に引き出され、続いて第二絶縁層の上面へ引き出されて
おり、更に何れか一方の電極が前記基体面上に設けられ
た接続用電極に導かれている装置である。このような表
示装置は半導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれてサ
イズを大にしてハンドリングが容易化され、かつ一方の
電極は第二絶縁層の上面で駆動回路と接続され、他方の
電極は基体面上で駆動回路と接続されるので、相互に直
交する方向にある両極の駆動回路の交差がなく配線を単
純化させる。
【００１２】請求項１に従属する請求項３の表示装置
は、半導体発光素子が裸で基体面上に配置されて固定さ
れ、半導体発光素子を覆って基体面に第二絶縁層が形成
されており、かつ上端部電極および下端部電極が第二絶
縁層の上面に引き出されており、更に何れか一方の電極
が基体面上に設けられた接続用電極に導かれている装置
である。このような表示装置は、半導体発光素子を埋め
込む第一絶縁層を設けないので、ハンドリングに工夫を
要するが、埋め込む工程が省略されるほか、一方の電極
は第二絶縁層の上面で駆動回路と接続され、他方の電極
は基体面上で駆動回路と接続されるので、相互に直交す
る方向にある両極の駆動回路の交差がなく配線を単純化
させる。
は、半導体発光素子が裸で基体面上に配置されて固定さ
れ、半導体発光素子を覆って基体面に第二絶縁層が形成
されており、かつ上端部電極および下端部電極が第二絶
縁層の上面に引き出されており、更に何れか一方の電極
が基体面上に設けられた接続用電極に導かれている装置
である。このような表示装置は、半導体発光素子を埋め
込む第一絶縁層を設けないので、ハンドリングに工夫を
要するが、埋め込む工程が省略されるほか、一方の電極
は第二絶縁層の上面で駆動回路と接続され、他方の電極
は基体面上で駆動回路と接続されるので、相互に直交す
る方向にある両極の駆動回路の交差がなく配線を単純化
させる。
【００１３】請求項１に従属する請求項４の表示装置
は、第一絶縁層および第二絶縁層がポリイミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、合成ゴムを含む塗膜形成可能な高分子化合
物からなる装置である。このような表示装置は面積の大
きい基体面にも絶縁層を塗布して容易に形成させること
ができ、基体面への半導体発光素子の取り付けを簡易化
させる。
は、第一絶縁層および第二絶縁層がポリイミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、合成ゴムを含む塗膜形成可能な高分子化合
物からなる装置である。このような表示装置は面積の大
きい基体面にも絶縁層を塗布して容易に形成させること
ができ、基体面への半導体発光素子の取り付けを簡易化
させる。
【００１４】請求項１に従属する請求項５の表示装置
は、半導体発光素子が発光領域から基体面上の下端面へ
向かう方向を主たる発光方向とするものであり、発光領
域より上部に下方への反射面を有している装置である。
このような表示装置は、半導体発光素子の発光を反射面
によって効果的に下端面へ向かわせる。
は、半導体発光素子が発光領域から基体面上の下端面へ
向かう方向を主たる発光方向とするものであり、発光領
域より上部に下方への反射面を有している装置である。
このような表示装置は、半導体発光素子の発光を反射面
によって効果的に下端面へ向かわせる。
【００１５】請求項５に従属する請求項６の表示装置
は、半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状に形成
されており、それらが有する面のうちの少なくとも傾斜
面の何れか一面が反射面とされている装置である。この
ような表示装置は多角錐または多角錐台の傾斜面、およ
び多角錐台にあっては上面も反射面として発光を下端面
側へ集中させることができる。
は、半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状に形成
されており、それらが有する面のうちの少なくとも傾斜
面の何れか一面が反射面とされている装置である。この
ような表示装置は多角錐または多角錐台の傾斜面、およ
び多角錐台にあっては上面も反射面として発光を下端面
側へ集中させることができる。
【００１６】請求項６に従属する請求項７の表示装置
は、前記半導体発光素子が窒化ガリウム系半導体の六方
晶からなり、（１−１０１）面に平行な活性層を備えて
いる装置である。このような表示装置は窒化ガリウム系
半導体の（１−１０１）面に平行な活性層の発光効率が
高いこと、更には、（１−１０１）面に設ける電極面を
反射面することが可能であり、優れた発光性能を示す。
は、前記半導体発光素子が窒化ガリウム系半導体の六方
晶からなり、（１−１０１）面に平行な活性層を備えて
いる装置である。このような表示装置は窒化ガリウム系
半導体の（１−１０１）面に平行な活性層の発光効率が
高いこと、更には、（１−１０１）面に設ける電極面を
反射面することが可能であり、優れた発光性能を示す。
【００１７】請求項７に従属する請求項８の表示装置
は、半導体発光素子が成長の基板上で（０００１）面を
下端面とし、（１−１０１）面およびこれと等価な面を
傾斜面として、六角錐形状または六角錐台形状に結晶成
長された窒化ガリウム系半導体であり、（１−１０１）
面およびこれと等価な面に平行な活性層を備えている装
置である。このような表示装置は窒化ガリウム系半導体
の（１−１０１）面に平行な活性層の発光効率が高いこ
と、更には、（１−１０１）面に設ける電極面を反射面
することが可能であり、発光を下端面側へ集中させ特に
優れた発光性能を示す。
は、半導体発光素子が成長の基板上で（０００１）面を
下端面とし、（１−１０１）面およびこれと等価な面を
傾斜面として、六角錐形状または六角錐台形状に結晶成
長された窒化ガリウム系半導体であり、（１−１０１）
面およびこれと等価な面に平行な活性層を備えている装
置である。このような表示装置は窒化ガリウム系半導体
の（１−１０１）面に平行な活性層の発光効率が高いこ
と、更には、（１−１０１）面に設ける電極面を反射面
することが可能であり、発光を下端面側へ集中させ特に
優れた発光性能を示す。
【００１８】請求項１に従属する請求項９の表示装置
は、単色の半導体発光素子のみ、または異なる色を発光
する複数種の半導体発光素子の組み合わせを配置した画
像表示装置または照明装置である。このような表示装置
は発光ダイオードまたは半導体レーザによる輝度の高い
画像表示装置または照明装置を与える。
は、単色の半導体発光素子のみ、または異なる色を発光
する複数種の半導体発光素子の組み合わせを配置した画
像表示装置または照明装置である。このような表示装置
は発光ダイオードまたは半導体レーザによる輝度の高い
画像表示装置または照明装置を与える。
【００１９】請求項１０の表示装置の製造方法は、複数
の半導体発光素子を基体面上に配置し取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を第一絶縁層で
埋め込み、第一絶縁層に所要の接続開孔を穿設して半導
体発光素子の上端部電極および下端部電極を引き出す工
程と、前記電極の引き出された前記半導体発光素子を前
記基体面上に間隔をあけて配置し固定する工程と、第一
絶縁層で埋め込まれた半導体発光素子を覆って基体面に
第二絶縁層を形成する工程と、第二絶縁層に所要の接続
開孔を穿設して、第一絶縁層の上面に引き出されている
上端部電極と下端部電極を引き出す工程とからなる製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子を第一絶縁層で埋め込むことによりサイズを大
にしハンドリングを容易化させた状態として間隔をあけ
て半導体発光素子を基体面へ配置することができ、その
後、それらを覆う第二絶縁層を設け、これに穿設する接
続開孔を介して電極を引き出して駆動回路へ接続するの
で、表示装置の単位面積当りのコストが格段に低下され
た表示装置を与える。
の半導体発光素子を基体面上に配置し取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を第一絶縁層で
埋め込み、第一絶縁層に所要の接続開孔を穿設して半導
体発光素子の上端部電極および下端部電極を引き出す工
程と、前記電極の引き出された前記半導体発光素子を前
記基体面上に間隔をあけて配置し固定する工程と、第一
絶縁層で埋め込まれた半導体発光素子を覆って基体面に
第二絶縁層を形成する工程と、第二絶縁層に所要の接続
開孔を穿設して、第一絶縁層の上面に引き出されている
上端部電極と下端部電極を引き出す工程とからなる製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子を第一絶縁層で埋め込むことによりサイズを大
にしハンドリングを容易化させた状態として間隔をあけ
て半導体発光素子を基体面へ配置することができ、その
後、それらを覆う第二絶縁層を設け、これに穿設する接
続開孔を介して電極を引き出して駆動回路へ接続するの
で、表示装置の単位面積当りのコストが格段に低下され
た表示装置を与える。
【００２０】請求項１０に属する請求項１１の表示装置
の製造方法は、第一絶縁層において、上端部と下端面を
除いて半導体発光素子を埋め込み、次いで上端部電極と
下端部電極を共に前記第一絶縁層の上面に引き出す製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、上端部
電極の引き出しを容易化させ、下端面で下端部電極を引
き出すことによる発光面の低減が回避された表示装置を
与える。
の製造方法は、第一絶縁層において、上端部と下端面を
除いて半導体発光素子を埋め込み、次いで上端部電極と
下端部電極を共に前記第一絶縁層の上面に引き出す製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、上端部
電極の引き出しを容易化させ、下端面で下端部電極を引
き出すことによる発光面の低減が回避された表示装置を
与える。
【００２１】請求項１０に属する請求項１２の表示装置
の製造方法は、第二絶縁層において、第一絶縁層の上面
に引き出されている上端部電極と下端部電極を共に第二
絶縁層の上面に引き出し、更に何れか一方の電極を基体
面に設けられている接続用電極に導く製造方法である。
このような表示装置の製造方法は一方の電極を第二絶縁
層の上面で駆動回路と接続させ、他方の電極を基体面上
で駆動回路と接続させるので、相互に直交する方向にあ
る両極の駆動回路は交差せず、配線の単純化された表示
装置を与える。
の製造方法は、第二絶縁層において、第一絶縁層の上面
に引き出されている上端部電極と下端部電極を共に第二
絶縁層の上面に引き出し、更に何れか一方の電極を基体
面に設けられている接続用電極に導く製造方法である。
このような表示装置の製造方法は一方の電極を第二絶縁
層の上面で駆動回路と接続させ、他方の電極を基体面上
で駆動回路と接続させるので、相互に直交する方向にあ
る両極の駆動回路は交差せず、配線の単純化された表示
装置を与える。
【００２２】請求項１３の表示装置の製造方法は、複数
の半導体発光素子を基体面上に配置し取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を裸のまま基体
面上に間隔をあけて配置し固定する工程と、半導体発光
素子を覆って基体面に第二絶縁層を形成する工程と、第
二絶縁層に所要の接続開孔を穿設して半導体発光素子の
上端部電極と下端部電極を引き出す工程とからなる製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子のサイズを拡大させることなく裸で基体面上に
間隔をあけて配置するので、ハンドリングに工夫を要す
るが、埋め込む工程が省略されるほか、表示装置の単位
面積当りのコストを大幅に低減させる。
の半導体発光素子を基体面上に配置し取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を裸のまま基体
面上に間隔をあけて配置し固定する工程と、半導体発光
素子を覆って基体面に第二絶縁層を形成する工程と、第
二絶縁層に所要の接続開孔を穿設して半導体発光素子の
上端部電極と下端部電極を引き出す工程とからなる製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子のサイズを拡大させることなく裸で基体面上に
間隔をあけて配置するので、ハンドリングに工夫を要す
るが、埋め込む工程が省略されるほか、表示装置の単位
面積当りのコストを大幅に低減させる。
【００２３】請求項１３に属する請求項１４の表示装置
の製造方法は、第二絶縁層において、裸の半導体発光素
子の上端部電極と下端部電極を共に第二絶縁層の上面に
引き出し、更に何れか一方の電極を基体面に設けられて
いる接続用電極に導く製造方法である。このような表示
装置の製造方法は、下端部電極の取り出しを半導体発光
素子の下端面で行うことによる発光面の低減を回避し得
るほか、一方の電極は第二絶縁層の上面で駆動回路と接
続され、他方の電極を基体面上で駆動回路と接続される
ので、相互に直交する方向にある両極の駆動回路の交差
がなく配線を単純化させる。
の製造方法は、第二絶縁層において、裸の半導体発光素
子の上端部電極と下端部電極を共に第二絶縁層の上面に
引き出し、更に何れか一方の電極を基体面に設けられて
いる接続用電極に導く製造方法である。このような表示
装置の製造方法は、下端部電極の取り出しを半導体発光
素子の下端面で行うことによる発光面の低減を回避し得
るほか、一方の電極は第二絶縁層の上面で駆動回路と接
続され、他方の電極を基体面上で駆動回路と接続される
ので、相互に直交する方向にある両極の駆動回路の交差
がなく配線を単純化させる。
【００２４】請求項１０または請求項１３に属する請求
項１５の表示装置の製造方法は、第一絶縁層および第二
絶縁層として、ポリイミド樹脂、紫外線硬化樹脂、エポ
キシ樹脂、または合成ゴムを含む塗膜形成の可能な高分
子化合物を使用する製造方法である。このような表示装
置の製造方法は、面積の大きい基体面にも絶縁層を塗布
して容易に形成させることができ、基体面への半導体発
光素子の取り付けを簡易化させる。
項１５の表示装置の製造方法は、第一絶縁層および第二
絶縁層として、ポリイミド樹脂、紫外線硬化樹脂、エポ
キシ樹脂、または合成ゴムを含む塗膜形成の可能な高分
子化合物を使用する製造方法である。このような表示装
置の製造方法は、面積の大きい基体面にも絶縁層を塗布
して容易に形成させることができ、基体面への半導体発
光素子の取り付けを簡易化させる。
【００２５】請求項１０または請求項１３に属する請求
項１６の表示装置の製造方法は、半導体発光素子とし
て、発光領域から基体面上の下端面へ向かう方向を主た
る発光方向とし、発光領域より上部に下方への反射面を
有するものを使用する製造方法である。このような表示
装置の製造方法は、半導体発光素子の発光を反射面によ
って効果的に下端面側へ向かわせる表示装置を与える。
項１６の表示装置の製造方法は、半導体発光素子とし
て、発光領域から基体面上の下端面へ向かう方向を主た
る発光方向とし、発光領域より上部に下方への反射面を
有するものを使用する製造方法である。このような表示
装置の製造方法は、半導体発光素子の発光を反射面によ
って効果的に下端面側へ向かわせる表示装置を与える。
【００２６】請求項１６に属する請求項１７の表示装置
の製造方法は、半導体発光素子として、角錐形状または
角錐台形状に形成されており、それらが有する面のうち
の少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面とされている
ものを使用する製造方法である。このような表示装置の
製造方法は、多角錐または多角錐台の傾斜面および多角
錐台にあっては上面も反射面として半導体発光素子の発
光を下端面側へ集中させる表示装置を与える。
の製造方法は、半導体発光素子として、角錐形状または
角錐台形状に形成されており、それらが有する面のうち
の少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面とされている
ものを使用する製造方法である。このような表示装置の
製造方法は、多角錐または多角錐台の傾斜面および多角
錐台にあっては上面も反射面として半導体発光素子の発
光を下端面側へ集中させる表示装置を与える。
【００２７】請求項１７に属する請求項１８の表示装置
の製造方法は、半導体発光素子として、窒化ガリウム系
半導体の六方晶からなり、（１−１０１）面に平行な活
性層が設けられたものを使用する製造方法である。この
ような表示装置の製造方法は、窒化ガリウム系半導体が
（１−１０１）面で高い発光効率を示すことから、優れ
た発光性能の表示装置を与える。
の製造方法は、半導体発光素子として、窒化ガリウム系
半導体の六方晶からなり、（１−１０１）面に平行な活
性層が設けられたものを使用する製造方法である。この
ような表示装置の製造方法は、窒化ガリウム系半導体が
（１−１０１）面で高い発光効率を示すことから、優れ
た発光性能の表示装置を与える。
【００２８】請求項１８に属する請求項１９の表示装置
の製造方法は、半導体発光素子として、成長の基板上で
（０００１）面を前記下端面とし、（１−１０１）面お
よびこれと等価な面を前記傾斜面として、六角錐形状ま
たは六角錐台形状に結晶成長された窒化ガリウム系半導
体であり、（１−１０１）面およびこれと等価な面に平
行な活性層が設けられたものを使用する製造方法であ
る。このような表示装置の製造方法は、発光効率の高い
活性層に平行な（１−１０１）面に設ける電極面が反射
面となって発光を下端面側へ集中させることから、特に
優れた発光性能の表示装置を与える。
の製造方法は、半導体発光素子として、成長の基板上で
（０００１）面を前記下端面とし、（１−１０１）面お
よびこれと等価な面を前記傾斜面として、六角錐形状ま
たは六角錐台形状に結晶成長された窒化ガリウム系半導
体であり、（１−１０１）面およびこれと等価な面に平
行な活性層が設けられたものを使用する製造方法であ
る。このような表示装置の製造方法は、発光効率の高い
活性層に平行な（１−１０１）面に設ける電極面が反射
面となって発光を下端面側へ集中させることから、特に
優れた発光性能の表示装置を与える。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の表示装置およびその製造
方法は、上述したように、複数の半導体発光素子が基体
面上に配置されて取り付けられた表示装置において、半
導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれた状態、または
埋め込まれない裸の状態で、間隔をあけて基体面上に配
置されて固定され、更に半導体発光素子を覆って基体面
に第二絶縁層が形成されており、第一絶縁層および第二
絶縁層の所要箇所に穿設された接続開孔を介して半導体
発光素子の上端部電極および下端部電極が引き出されて
いる装置およびその製造方法である。
方法は、上述したように、複数の半導体発光素子が基体
面上に配置されて取り付けられた表示装置において、半
導体発光素子が第一絶縁層で埋め込まれた状態、または
埋め込まれない裸の状態で、間隔をあけて基体面上に配
置されて固定され、更に半導体発光素子を覆って基体面
に第二絶縁層が形成されており、第一絶縁層および第二
絶縁層の所要箇所に穿設された接続開孔を介して半導体
発光素子の上端部電極および下端部電極が引き出されて
いる装置およびその製造方法である。
【００３０】表示装置に使用する半導体発光素子は、ｐ
型半導体とｎ型半導体との接合面に順方向に電流を注入
した時にキャリアである電子と正孔とが再結合して発光
するものであればよく、半導体発光素子の材料は特に限
定されない。上記のような発光を生ずる半導体として
は、青色に発光する窒化ガリウム(ＧａＮ)、緑色に発光
するリン化ガリウム(ＧａＰ)、赤色に発光するヒ化リン
化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム
（ＡｌＧａＡｓ）等のガリウム系の化合物半導体が知ら
れている。そのほか、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、シリ
コンカーバイド（ＳｉＣ）も発光性が知られている。勿
論、これら以外の材料からなるものであってもよい。
型半導体とｎ型半導体との接合面に順方向に電流を注入
した時にキャリアである電子と正孔とが再結合して発光
するものであればよく、半導体発光素子の材料は特に限
定されない。上記のような発光を生ずる半導体として
は、青色に発光する窒化ガリウム(ＧａＮ)、緑色に発光
するリン化ガリウム(ＧａＰ)、赤色に発光するヒ化リン
化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム
（ＡｌＧａＡｓ）等のガリウム系の化合物半導体が知ら
れている。そのほか、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、シリ
コンカーバイド（ＳｉＣ）も発光性が知られている。勿
論、これら以外の材料からなるものであってもよい。
【００３１】ＧａＮ系半導体を例にとれば、ｐ型半導体
は結晶中にＭｇ、Ｚｎ、Ｃ等のアクセプタ不純物をド−
プすることによって得られ、ｎ型半導体はＳｉ、Ｇｅ、
Ｓｅ等のドナー不純物をドープすることによって得られ
る。そして、ｐｎ接合を好ましくはヘテロ接合、より好
ましくは、例えばＩｎＧａＮ層を活性層とし、これを挟
む一方のｎ型クラッド層をＳｉドーピングしたＧａＮ系
半導体、他方のｐ型クラッド層をＭｇドーピングしたＧ
ａＮ系半導体とするダブルへテロ接合とすることによ
り、格段に優れた発光特性が得られる。また、活性層は
単一のバルク活性層とする以外に量子井戸構造としても
よい。
は結晶中にＭｇ、Ｚｎ、Ｃ等のアクセプタ不純物をド−
プすることによって得られ、ｎ型半導体はＳｉ、Ｇｅ、
Ｓｅ等のドナー不純物をドープすることによって得られ
る。そして、ｐｎ接合を好ましくはヘテロ接合、より好
ましくは、例えばＩｎＧａＮ層を活性層とし、これを挟
む一方のｎ型クラッド層をＳｉドーピングしたＧａＮ系
半導体、他方のｐ型クラッド層をＭｇドーピングしたＧ
ａＮ系半導体とするダブルへテロ接合とすることによ
り、格段に優れた発光特性が得られる。また、活性層は
単一のバルク活性層とする以外に量子井戸構造としても
よい。
【００３２】上記のような各種の半導体発光素子の材料
となる化合物半導体は有機金属化合物気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハイ
ドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）などによって製造さ
れ高価であるから、ハンドリングが可能である限り可及
的に微小な寸法形状とすることが望ましい。そのような
微小な半導体発光素子は、半導体発光素子用として製造
された化合物半導体のウェーハから半導体発光素子をチ
ップ状に切り出すよりは、例えばサファイア基板上で化
合物半導体を選択的に結晶成長させることによって比較
的容易に得られる。このような選択的な結晶成長によっ
て、下端面の一辺の寸法が１００〜２００μｍ程度、ま
たはそれ以下、例えば１０〜５０μｍ程度のサイズの半
導体発光素子を得ることができる。必要によっては、結
晶成長させた後に立体形状を調整する加工処理を施して
もよい。
となる化合物半導体は有機金属化合物気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハイ
ドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）などによって製造さ
れ高価であるから、ハンドリングが可能である限り可及
的に微小な寸法形状とすることが望ましい。そのような
微小な半導体発光素子は、半導体発光素子用として製造
された化合物半導体のウェーハから半導体発光素子をチ
ップ状に切り出すよりは、例えばサファイア基板上で化
合物半導体を選択的に結晶成長させることによって比較
的容易に得られる。このような選択的な結晶成長によっ
て、下端面の一辺の寸法が１００〜２００μｍ程度、ま
たはそれ以下、例えば１０〜５０μｍ程度のサイズの半
導体発光素子を得ることができる。必要によっては、結
晶成長させた後に立体形状を調整する加工処理を施して
もよい。
【００３３】そして、得られる微小な半導体発光素子の
ｐ型半導体には例えばＮｉ／Ａｕを蒸着してｐ電極を取
り付け、ｎ型半導体には例えばＴｉ／Ａｕを蒸着してｎ
電極を取り付ける。電極を取り付けた微少な半導体発光
素子はそのまま基体面に配置し固定してもよいが、半導
体発光素子を特に微小な形状とし、その周囲を第一絶縁
層で埋め込むことにより見掛け上のサイズを大にしてハ
ンドリングを容易化させることができる。また、表示装
置の前面側への発光性に優れたものとするには、使用す
る半導体発光素子の立体形状に配慮が必要である。以
下、表示装置の前面パネルとなる透明な基体面への微小
な半導体発光素子の配置と固定、および表示装置の前面
側への発光性に優れた半導体発光素子とするための半導
体発光素子の形状について説明する。
ｐ型半導体には例えばＮｉ／Ａｕを蒸着してｐ電極を取
り付け、ｎ型半導体には例えばＴｉ／Ａｕを蒸着してｎ
電極を取り付ける。電極を取り付けた微少な半導体発光
素子はそのまま基体面に配置し固定してもよいが、半導
体発光素子を特に微小な形状とし、その周囲を第一絶縁
層で埋め込むことにより見掛け上のサイズを大にしてハ
ンドリングを容易化させることができる。また、表示装
置の前面側への発光性に優れたものとするには、使用す
る半導体発光素子の立体形状に配慮が必要である。以
下、表示装置の前面パネルとなる透明な基体面への微小
な半導体発光素子の配置と固定、および表示装置の前面
側への発光性に優れた半導体発光素子とするための半導
体発光素子の形状について説明する。
【００３４】「微小な半導体発光素子の見掛け上のサイ
ズを大にして配置する場合」以下、見掛け上のサイズを
大にする場合について説明する。成長の基板面に結晶成
長させた微小な半導体発光素子（例えば１０〜１００μ
ｍサイズ）を透明支持体面に一定の間隔（例えばピッチ
１００〜３００μｍ）をあけて固定し、半導体発光素子
の上端部と下端面を除いて埋め込むように第一絶縁材料
を層状に形成させた後、中央部に微小な半導体発光素子
を存在させるように第一絶縁層をダイシングすることに
よって、半導体発光素子の見掛け上のサイズを大にする
ことができる。上端部を残すのは電極の引き出しのため
であり、下端面を残すのは発光の放射面となるからであ
るが、下端面から電極を引き出してもよい。上記の透明
支持体へのＧａＮ系半導体発光素子の固定に例えばポリ
イミド接着剤を使用しておけば、必要に応じて透明支持
体側からレーザを照射することによりポリイミドが崩解
し透明支持体を容易に取り外すことができる。そのほ
か、紫外線硬化性粘着剤を使用し、第一絶縁層を形成さ
せた後に透明支持体側から紫外線を照射して紫外線硬化
性粘着剤を硬化させ粘着性を失わせて半導体発光素子か
ら透明支持体を取り外すことも可能である。
ズを大にして配置する場合」以下、見掛け上のサイズを
大にする場合について説明する。成長の基板面に結晶成
長させた微小な半導体発光素子（例えば１０〜１００μ
ｍサイズ）を透明支持体面に一定の間隔（例えばピッチ
１００〜３００μｍ）をあけて固定し、半導体発光素子
の上端部と下端面を除いて埋め込むように第一絶縁材料
を層状に形成させた後、中央部に微小な半導体発光素子
を存在させるように第一絶縁層をダイシングすることに
よって、半導体発光素子の見掛け上のサイズを大にする
ことができる。上端部を残すのは電極の引き出しのため
であり、下端面を残すのは発光の放射面となるからであ
るが、下端面から電極を引き出してもよい。上記の透明
支持体へのＧａＮ系半導体発光素子の固定に例えばポリ
イミド接着剤を使用しておけば、必要に応じて透明支持
体側からレーザを照射することによりポリイミドが崩解
し透明支持体を容易に取り外すことができる。そのほ
か、紫外線硬化性粘着剤を使用し、第一絶縁層を形成さ
せた後に透明支持体側から紫外線を照射して紫外線硬化
性粘着剤を硬化させ粘着性を失わせて半導体発光素子か
ら透明支持体を取り外すことも可能である。
【００３５】上記の第一絶縁層に使用する材料は有機物
または無機物の何れであってもよく、その種類、適用方
法は特に限定されないが、無機物のＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ
4 を採用する場合にはＣＶＤ法（化学的気相成長法）や
蒸着またはスパッタリング法の適用を要するに対し、有
機物であるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、合成ゴム等
の高分子化合物を採用する場合には簡易な塗布法によっ
て基体面が大面積の場合にも容易に絶縁層を形成させる
ことができ、表示装置を低コスト化させることが可能で
ある。なお塗布による絶縁膜としてスピンオングラスの
ガラス膜も使用し得る。
または無機物の何れであってもよく、その種類、適用方
法は特に限定されないが、無機物のＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ
4 を採用する場合にはＣＶＤ法（化学的気相成長法）や
蒸着またはスパッタリング法の適用を要するに対し、有
機物であるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、合成ゴム等
の高分子化合物を採用する場合には簡易な塗布法によっ
て基体面が大面積の場合にも容易に絶縁層を形成させる
ことができ、表示装置を低コスト化させることが可能で
ある。なお塗布による絶縁膜としてスピンオングラスの
ガラス膜も使用し得る。
【００３６】第一絶縁層で埋め込みダイシングした半導
体発光素子は、後に基体面で更に間隔（例えばピッチ３
００〜９００μｍ）をあけて配置し固定して第二絶縁層
で埋め込むので、駆動回路と接続し易いように電極を引
き出しておくことが好ましい。例えば上端部にｐ電極が
あり、下端部にｎ電極が存在すると仮定して、露出され
ている上端部から第一絶縁層の上面にかけて導体金属を
適用して第一絶縁材料の上面にｐ電極を大きい面積で引
き出すことができる。従って、次に第二絶縁層から第一
絶縁層上のｐ電極への接続開孔を設ける場合に位置ずれ
を生じにくい。また、第一絶縁層の上面から下端部のｎ
電極に至る接続開孔を穿設して、その接続開孔を導体金
属で埋め、続けて第一絶縁層の上面にかけて適用するこ
とによりｎ電極を大きい面積で引き出すことができる。
そのほか、ｎ電極は半導体発光素子の下端面から引き出
してもよいことは前述した通りである。この場合、下端
面は発光面であるから発光の障害とならないように、透
明な引き出し電極を使用することが望ましい。
体発光素子は、後に基体面で更に間隔（例えばピッチ３
００〜９００μｍ）をあけて配置し固定して第二絶縁層
で埋め込むので、駆動回路と接続し易いように電極を引
き出しておくことが好ましい。例えば上端部にｐ電極が
あり、下端部にｎ電極が存在すると仮定して、露出され
ている上端部から第一絶縁層の上面にかけて導体金属を
適用して第一絶縁材料の上面にｐ電極を大きい面積で引
き出すことができる。従って、次に第二絶縁層から第一
絶縁層上のｐ電極への接続開孔を設ける場合に位置ずれ
を生じにくい。また、第一絶縁層の上面から下端部のｎ
電極に至る接続開孔を穿設して、その接続開孔を導体金
属で埋め、続けて第一絶縁層の上面にかけて適用するこ
とによりｎ電極を大きい面積で引き出すことができる。
そのほか、ｎ電極は半導体発光素子の下端面から引き出
してもよいことは前述した通りである。この場合、下端
面は発光面であるから発光の障害とならないように、透
明な引き出し電極を使用することが望ましい。
【００３７】上述の見掛け上のサイズを大にした半導体
発光素子は、表示装置の表示パネルとなる透明な基体に
上述したように例えばピッチ３００〜９００μｍ程度で
間隔をあけて配置され固定される。配置は一次元または
二次元に行うのが一般的であるが、三次元に配置しても
よい。配置した後の固定は、上記の第一絶縁層によって
半導体発光素子の見掛け上のサイズを大にした方法と同
様な方法を採用することができる。すなわち、基体面に
配置され固定された半導体発光素子を覆って基体面に第
二絶縁材料の層を形成させる。この第二絶縁層には、無
機物または有機物の何れかを採用し得るが、第一絶縁層
と同質の材料を使用することが好ましい。異なった絶縁
材料を積層して使用すると、それらの界面における接着
性の不足や熱膨張性係数の違いによる問題を生ずる怖れ
があるからである。
発光素子は、表示装置の表示パネルとなる透明な基体に
上述したように例えばピッチ３００〜９００μｍ程度で
間隔をあけて配置され固定される。配置は一次元または
二次元に行うのが一般的であるが、三次元に配置しても
よい。配置した後の固定は、上記の第一絶縁層によって
半導体発光素子の見掛け上のサイズを大にした方法と同
様な方法を採用することができる。すなわち、基体面に
配置され固定された半導体発光素子を覆って基体面に第
二絶縁材料の層を形成させる。この第二絶縁層には、無
機物または有機物の何れかを採用し得るが、第一絶縁層
と同質の材料を使用することが好ましい。異なった絶縁
材料を積層して使用すると、それらの界面における接着
性の不足や熱膨張性係数の違いによる問題を生ずる怖れ
があるからである。
【００３８】第二絶縁層によって半導体発光素子を第一
絶縁層と共に覆った後に、第一絶縁層の上面に引き出さ
れている半導体発光素子のｐ電極、ｎ電極を更に第二絶
縁層の上面に引き出してそれぞれの駆動回路と接続す
る。その接続には種々の方法がある。その一例は、第二
絶縁層の上面から第一絶縁層の上面に至る２本の接続開
孔を穿設して、一方はｐ電極、他方はｎ電極を第二絶縁
層の上面に引き出し、例えば引き出されたｐ電極はその
まま対応する駆動回路と接続し、引き出されたｎ電極は
その部分から基体面上に設けられている接続用電極に至
る接続開孔を穿設して、その接続開孔を導体金属で埋め
ることにより、その接続用電極を経由し基体面上で対応
する駆動回路に接続することができる。
絶縁層と共に覆った後に、第一絶縁層の上面に引き出さ
れている半導体発光素子のｐ電極、ｎ電極を更に第二絶
縁層の上面に引き出してそれぞれの駆動回路と接続す
る。その接続には種々の方法がある。その一例は、第二
絶縁層の上面から第一絶縁層の上面に至る２本の接続開
孔を穿設して、一方はｐ電極、他方はｎ電極を第二絶縁
層の上面に引き出し、例えば引き出されたｐ電極はその
まま対応する駆動回路と接続し、引き出されたｎ電極は
その部分から基体面上に設けられている接続用電極に至
る接続開孔を穿設して、その接続開孔を導体金属で埋め
ることにより、その接続用電極を経由し基体面上で対応
する駆動回路に接続することができる。
【００３９】「微小な半導体発光素子をそのまま配置す
る場合」微小なサイズの半導体発光素子であっても１０
０〜２００μｍ程度のサイズのものは、絶縁層に埋め込
んで特に見掛け上のサイズを大にすることなく、裸のま
ま直接に透明な基体面に配置し固定することができる。
勿論、１００μｍ以下のサイズの半導体発光素子を裸の
ままハンドリングしてもよいことは言うまでもない。個
々の裸の半導体発光素子の上端部をピックアップして基
体面に間隔をあけて一定のピッチで配置するには、真空
下の吸着と大気圧下の脱着、または紫外線硬化性粘着剤
による粘着と基体面側からの紫外線照射による粘着性の
失活等の手段を採用することができる。
る場合」微小なサイズの半導体発光素子であっても１０
０〜２００μｍ程度のサイズのものは、絶縁層に埋め込
んで特に見掛け上のサイズを大にすることなく、裸のま
ま直接に透明な基体面に配置し固定することができる。
勿論、１００μｍ以下のサイズの半導体発光素子を裸の
ままハンドリングしてもよいことは言うまでもない。個
々の裸の半導体発光素子の上端部をピックアップして基
体面に間隔をあけて一定のピッチで配置するには、真空
下の吸着と大気圧下の脱着、または紫外線硬化性粘着剤
による粘着と基体面側からの紫外線照射による粘着性の
失活等の手段を採用することができる。
【００４０】透明接着剤を所定部分に塗布した基体面に
上記のようにピックアップした半導体発光素子を例えば
３００〜９００μｍ程度のピッチで配置して固定する。
この場合、半導体発光素子の下端面に透明接着剤を塗布
しおいてもよい。そして、基体面に配置し接着させて固
定した半導体発光素子に対して、これらを覆うように直
接に第二絶縁材料を層状に形成させる。半導体発光素子
の電極の第二絶縁層の上面への引き出しは上述の見掛け
上のサイズを大にする場合と同様である。
上記のようにピックアップした半導体発光素子を例えば
３００〜９００μｍ程度のピッチで配置して固定する。
この場合、半導体発光素子の下端面に透明接着剤を塗布
しおいてもよい。そして、基体面に配置し接着させて固
定した半導体発光素子に対して、これらを覆うように直
接に第二絶縁材料を層状に形成させる。半導体発光素子
の電極の第二絶縁層の上面への引き出しは上述の見掛け
上のサイズを大にする場合と同様である。
【００４１】「半導体発光素子の立体形状」透明な基体
面に配置し固定する半導体発光素子の形状によって、基
体面側、すなわち半導体発光素子の下端面側への輝度を
向上させることが可能である。半導体発光素子の発光領
域（活性層）からの発光のうち、発光領域から上方へ向
かう光は上端部の電極面等を反射面として下端面側へ向
かう光とし得るが、下端面に垂直な側面へ向う光は側面
で反射させても下端面ヘ向かう光とはなりにくい。従っ
て半導体発光素子は下端面となす角度が４５±２０度の
範囲内にある傾斜面を有するものであることが望まし
く、このような傾斜面に反射面を設けることにより側方
へ向かう発光成分を反射させて効果的に下端面の方へ向
かう光とすることができる。この傾斜面は必ずしも鏡面
のような平滑な面でなくてもよい。なお、傾斜面の下端
面となす角度を上記の範囲外とした場合には側方へ向う
光を反射させても下端面へ向かう光量はそれ程には増大
しないので高輝度化の効果は認め難くなる。
面に配置し固定する半導体発光素子の形状によって、基
体面側、すなわち半導体発光素子の下端面側への輝度を
向上させることが可能である。半導体発光素子の発光領
域（活性層）からの発光のうち、発光領域から上方へ向
かう光は上端部の電極面等を反射面として下端面側へ向
かう光とし得るが、下端面に垂直な側面へ向う光は側面
で反射させても下端面ヘ向かう光とはなりにくい。従っ
て半導体発光素子は下端面となす角度が４５±２０度の
範囲内にある傾斜面を有するものであることが望まし
く、このような傾斜面に反射面を設けることにより側方
へ向かう発光成分を反射させて効果的に下端面の方へ向
かう光とすることができる。この傾斜面は必ずしも鏡面
のような平滑な面でなくてもよい。なお、傾斜面の下端
面となす角度を上記の範囲外とした場合には側方へ向う
光を反射させても下端面へ向かう光量はそれ程には増大
しないので高輝度化の効果は認め難くなる。
【００４２】傾斜面は、片流れ屋根的斜面、切妻屋根的
斜面、方形屋根的斜面であってもよい。更には半導体発
光素子が角錐形状または角錐台形状を有するものである
ことが好ましい。角錐、角錐台の傾斜面、および多角錐
台にあっては上面も反射面とすることにより、半導体発
光素子の発光を一層効果的に下端面側へ向けることがで
きる。ここに言う角錐または角錐台には、三角錐、四角
錐、五角錐、六角錐から円錐に近似した多角錐に至る各
種の角錐と、それらに対応する角錐台が含まれる。その
ほか上記の４５±２０度の傾斜面を有するものとして、
上記の傾斜面を窪みの傾斜面とするカルデラ状の窪みを
上端部に有する半導体発光素子であってもよい。そし
て、上記のような傾斜面を有する半導体発光素子は、選
択的な結晶成長によって自然発生的に得られるもののほ
か、選択的結晶成長の後に面出し加工を施したものであ
ってもよい。また、ウェーハから微少な半導体発光素子
を切り出す時に傾斜面を与えたものであってもよい。上
記のような傾斜面を得る加工手段としてイオンビームや
レーザビームを使用することができる。
斜面、方形屋根的斜面であってもよい。更には半導体発
光素子が角錐形状または角錐台形状を有するものである
ことが好ましい。角錐、角錐台の傾斜面、および多角錐
台にあっては上面も反射面とすることにより、半導体発
光素子の発光を一層効果的に下端面側へ向けることがで
きる。ここに言う角錐または角錐台には、三角錐、四角
錐、五角錐、六角錐から円錐に近似した多角錐に至る各
種の角錐と、それらに対応する角錐台が含まれる。その
ほか上記の４５±２０度の傾斜面を有するものとして、
上記の傾斜面を窪みの傾斜面とするカルデラ状の窪みを
上端部に有する半導体発光素子であってもよい。そし
て、上記のような傾斜面を有する半導体発光素子は、選
択的な結晶成長によって自然発生的に得られるもののほ
か、選択的結晶成長の後に面出し加工を施したものであ
ってもよい。また、ウェーハから微少な半導体発光素子
を切り出す時に傾斜面を与えたものであってもよい。上
記のような傾斜面を得る加工手段としてイオンビームや
レーザビームを使用することができる。
【００４３】半導体発光素子として使用する化合物半導
体のうち、緑色に発光するリン化ガリウム(ＧａＰ)や、
赤色に発光するヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ
化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）等は立方晶に
属し、選択的に結晶成長させた場合に六面体となり、上
記のような下端面に対する傾斜面を持たないので、後加
工して傾斜面を設けて反射面とすることが望ましい。他
方、青色に発光するＧａＮ系半導体は六方晶に属し六方
柱（六角柱）ないしは六方錐（六角錐）の結晶構造をと
るが、サファイア基板の（０００１）面で選択的に十分
に結晶成長させた場合には下端面と傾斜した（１−１０
１）面およびこれと等価な面を備えた六方錐(六角錐)の
結晶構造を取り、成長に十分な時間をかけない場合には
六角錐台となる。また、特許第２８３０８１４号公報に
は、サファイア基板の（１−１０１）面で選択成長させ
た場合には、断面が台形状で下端面と平行な上面が（１
−１０１）面、その両側の傾斜面の一方が（１−１０
１）面、他方が（０１１１）面になると記載されてい
る。本発明の半導体発光素子は上記のような傾斜面を有
するものを含む。更には、サファイア基板の（０００
１）面での成長のさせ方によってＧａＮ系半導体発光素
子は裏返しにした舟底形状となるが、本発明の半導体発
光素子はこのような傾斜面を有するものも含む。
体のうち、緑色に発光するリン化ガリウム(ＧａＰ)や、
赤色に発光するヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ
化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）等は立方晶に
属し、選択的に結晶成長させた場合に六面体となり、上
記のような下端面に対する傾斜面を持たないので、後加
工して傾斜面を設けて反射面とすることが望ましい。他
方、青色に発光するＧａＮ系半導体は六方晶に属し六方
柱（六角柱）ないしは六方錐（六角錐）の結晶構造をと
るが、サファイア基板の（０００１）面で選択的に十分
に結晶成長させた場合には下端面と傾斜した（１−１０
１）面およびこれと等価な面を備えた六方錐(六角錐)の
結晶構造を取り、成長に十分な時間をかけない場合には
六角錐台となる。また、特許第２８３０８１４号公報に
は、サファイア基板の（１−１０１）面で選択成長させ
た場合には、断面が台形状で下端面と平行な上面が（１
−１０１）面、その両側の傾斜面の一方が（１−１０
１）面、他方が（０１１１）面になると記載されてい
る。本発明の半導体発光素子は上記のような傾斜面を有
するものを含む。更には、サファイア基板の（０００
１）面での成長のさせ方によってＧａＮ系半導体発光素
子は裏返しにした舟底形状となるが、本発明の半導体発
光素子はこのような傾斜面を有するものも含む。
【００４４】上述したように、半導体発光素子である発
光ダイオードには、材料によってそれぞれ赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光するものがあるので、こ
れらの発光ダイオードを組み合わせて画素を構成し、輝
度の高いフルカラーの画像表示装置とすることができ
る。上記の発光ダイオードに共振ミラーを設けることに
より半導体レーザとすることは容易であるので、単色ま
たは三原色を組み合わせた半導体レーザによる照明装置
や道路標識を製造することも可能である。
光ダイオードには、材料によってそれぞれ赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光するものがあるので、こ
れらの発光ダイオードを組み合わせて画素を構成し、輝
度の高いフルカラーの画像表示装置とすることができ
る。上記の発光ダイオードに共振ミラーを設けることに
より半導体レーザとすることは容易であるので、単色ま
たは三原色を組み合わせた半導体レーザによる照明装置
や道路標識を製造することも可能である。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の表示装置およびその製造方法
を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
【００４６】（実施例１）図１、図２は微小なサイズの
ＧａＮ系半導体発光素子１１を高分子化合物に埋め込ん
で見掛け上のサイズを大にしハンドリングを容易化させ
る場合のステップを示す断面図である。すなわち、図１
は図示を省略した透明支持体面に下端面の長辺の大きさ
が１００μｍサイズのＧａＮ系半導体発光素子１１を３
１０μｍピッチで配置し、図示を省略したポリイミド接
着剤で固定した後、ＧａＮ系半導体発光素子１１の上端
部と下端面を除いて、エポキシ樹脂の溶液を塗布、乾燥
し、硬化させることによる絶縁層２１を形成させて埋め
込んだもの１個分を示す。
ＧａＮ系半導体発光素子１１を高分子化合物に埋め込ん
で見掛け上のサイズを大にしハンドリングを容易化させ
る場合のステップを示す断面図である。すなわち、図１
は図示を省略した透明支持体面に下端面の長辺の大きさ
が１００μｍサイズのＧａＮ系半導体発光素子１１を３
１０μｍピッチで配置し、図示を省略したポリイミド接
着剤で固定した後、ＧａＮ系半導体発光素子１１の上端
部と下端面を除いて、エポキシ樹脂の溶液を塗布、乾燥
し、硬化させることによる絶縁層２１を形成させて埋め
込んだもの１個分を示す。
【００４７】このＧａＮ系半導体発光素子１１の詳細は
図３のＡの断面図、図３のＢの平面図に示すように、図
示を省略したサファイア基板の（０００１）面に設けた
ＳｉＯ2 マスクの開口部に温度５００℃でバッファ層、
続いて１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の窒
化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２を平板状に形成させ、
更にその上へ設けたＳｉＯ2 マスク１３の開口部に１０
００℃で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型半
導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４が得られる。そして、この六
角錐の（１−１０１）面およびこれに等価な傾斜面上
に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１５を
設け、更にその上へマグネシウムをドーピングしたｐ型
の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６を成長させた
後、その表層部のｐ型（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６にＮｉ／
Ａｕを蒸着して発光の反射面ともなるｐ電極１８を取り
付け、平板状の（ＧａＮ：Ｓｉ）下地部１２の上面のＳ
ｉＯ2マスク１３に開口を設けて、Ｔｉ／Ａｕを蒸着し
ｎ電極１９を取り付けたものである。
図３のＡの断面図、図３のＢの平面図に示すように、図
示を省略したサファイア基板の（０００１）面に設けた
ＳｉＯ2 マスクの開口部に温度５００℃でバッファ層、
続いて１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の窒
化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２を平板状に形成させ、
更にその上へ設けたＳｉＯ2 マスク１３の開口部に１０
００℃で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型半
導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４が得られる。そして、この六
角錐の（１−１０１）面およびこれに等価な傾斜面上
に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１５を
設け、更にその上へマグネシウムをドーピングしたｐ型
の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６を成長させた
後、その表層部のｐ型（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６にＮｉ／
Ａｕを蒸着して発光の反射面ともなるｐ電極１８を取り
付け、平板状の（ＧａＮ：Ｓｉ）下地部１２の上面のＳ
ｉＯ2マスク１３に開口を設けて、Ｔｉ／Ａｕを蒸着し
ｎ電極１９を取り付けたものである。
【００４８】図２の半導体発光素子１１は、図１の状態
においてエポキシ樹脂の第一絶縁層２１の上面からＧａ
Ｎ系半導体発光素子１１の下地部１２に設けたｎ電極１
９に至る接続開孔２２を穿設して全面にアルミニウムを
蒸着またはスパッタリングした後、リソグラフィによっ
て要部を残してエッチングし、上端部のｐ電極１８と下
地部１２のｎ電極１９とにそれぞれに引き出し電極１８
ｄ、引き出し電極１９ｄを設け、更にＧａＮ系半導体発
光素子１１が略中央部に存在するように、第一絶縁層２
１を３００μｍサイズでダイシングしたものについて、
透明支持体側からレーザビームを照射しポリイミド接着
剤を崩壊させて透明支持体を取り外したものである。こ
のプラスチックで埋め込んで見掛けのサイズを大にした
半導体発光素子１１は引き出し電極１８ｄ、１９ｄを駆
動回路に接続し電流を注入することにより、下端面側へ
青色の光を放射する表示装置として作動させることがで
きる。
においてエポキシ樹脂の第一絶縁層２１の上面からＧａ
Ｎ系半導体発光素子１１の下地部１２に設けたｎ電極１
９に至る接続開孔２２を穿設して全面にアルミニウムを
蒸着またはスパッタリングした後、リソグラフィによっ
て要部を残してエッチングし、上端部のｐ電極１８と下
地部１２のｎ電極１９とにそれぞれに引き出し電極１８
ｄ、引き出し電極１９ｄを設け、更にＧａＮ系半導体発
光素子１１が略中央部に存在するように、第一絶縁層２
１を３００μｍサイズでダイシングしたものについて、
透明支持体側からレーザビームを照射しポリイミド接着
剤を崩壊させて透明支持体を取り外したものである。こ
のプラスチックで埋め込んで見掛けのサイズを大にした
半導体発光素子１１は引き出し電極１８ｄ、１９ｄを駆
動回路に接続し電流を注入することにより、下端面側へ
青色の光を放射する表示装置として作動させることがで
きる。
【００４９】（実施例２）図４、図５は実施例１の第一
絶縁層２１で埋め込んだ３００μｍサイズのＧａＮ系半
導体発光素子１１を基体３１の面上に間隔をあけて配置
し固定する場合を示す断面図である。すなわち、図４
は、図２に示したエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で埋め
た半導体発光素子１１を表示装置の表示パネルとなる透
明な基体３１の面に４００μｍピッチで配置し固定した
場合を示す図である。すなわち、基体３１の上面には接
続用電極３２が所定の間隔で設けられており、それらの
接続用電極３２の間に上記の第一絶縁層２１で埋めた半
導体発光素子１１を透明接着剤３３で固定した後、それ
らの全面を覆うようにエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾
燥、加熱硬化させてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４
を形成させた状態を示す。
絶縁層２１で埋め込んだ３００μｍサイズのＧａＮ系半
導体発光素子１１を基体３１の面上に間隔をあけて配置
し固定する場合を示す断面図である。すなわち、図４
は、図２に示したエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で埋め
た半導体発光素子１１を表示装置の表示パネルとなる透
明な基体３１の面に４００μｍピッチで配置し固定した
場合を示す図である。すなわち、基体３１の上面には接
続用電極３２が所定の間隔で設けられており、それらの
接続用電極３２の間に上記の第一絶縁層２１で埋めた半
導体発光素子１１を透明接着剤３３で固定した後、それ
らの全面を覆うようにエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾
燥、加熱硬化させてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４
を形成させた状態を示す。
【００５０】図５は、図４の状態において、第二絶縁層
３４の上面から内部のＧａＮ系半導体発光素子１１の引
き出し電極１８ｄおよび基体３１の上面の接続用電極３
２に至る２本の接続開孔３５、３６を設けると共に、同
じく第二絶縁層３４の上面からＧａＮ系半導体発光素子
１１の引き出し電極１９ｄに至る接続開孔３７を設けた
後、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを
行い、リソグラフィによって要部を残してエッチングし
ＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ電極１８は基体３１の
面上において、またｎ電極１９は第二絶縁層３４の上面
において、それぞれ図示されない駆動回路と接続するよ
うにしたものである。このように微小な寸法形状とした
ＧａＮ系半導体発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁
層２１で埋め込み見掛けのサイズの大きい半導体発光素
子１１とすることによってハンドリングが容易化される
ほか、第二絶縁層２１の上面に大きい面積の引き出し電
極１８ｄ、１９ｄを設けることができるので、続くステ
ップにおいてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４からの
電極の引き出しが容易化されるというメリットがある。
３４の上面から内部のＧａＮ系半導体発光素子１１の引
き出し電極１８ｄおよび基体３１の上面の接続用電極３
２に至る２本の接続開孔３５、３６を設けると共に、同
じく第二絶縁層３４の上面からＧａＮ系半導体発光素子
１１の引き出し電極１９ｄに至る接続開孔３７を設けた
後、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを
行い、リソグラフィによって要部を残してエッチングし
ＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ電極１８は基体３１の
面上において、またｎ電極１９は第二絶縁層３４の上面
において、それぞれ図示されない駆動回路と接続するよ
うにしたものである。このように微小な寸法形状とした
ＧａＮ系半導体発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁
層２１で埋め込み見掛けのサイズの大きい半導体発光素
子１１とすることによってハンドリングが容易化される
ほか、第二絶縁層２１の上面に大きい面積の引き出し電
極１８ｄ、１９ｄを設けることができるので、続くステ
ップにおいてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４からの
電極の引き出しが容易化されるというメリットがある。
【００５１】（実施例３）図６、図７は微小なＧａＮ系
半導体発光素子１１を絶縁層で埋めてサイズを大にする
ことなく裸のままで、表示装置の表示パネルとなる基体
３１の面上に配置して固定する場合を示す断面図であ
る。すなわち、図６は基体３１の上面に一定の間隔で設
けられている接続用電極３２の間に、真空吸引チャック
でピックアップした１００μｍサイズのＧａＮ系半導体
発光素子１１を真空吸引チャックで裸のままピックアッ
プして、基体３１の上面に４００μｍのピッチで配置
し、透明接着剤３３によって固定した後、それらの全面
にエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾燥、加熱硬化させて第
二絶縁層３４を形成させた状態を示す。
半導体発光素子１１を絶縁層で埋めてサイズを大にする
ことなく裸のままで、表示装置の表示パネルとなる基体
３１の面上に配置して固定する場合を示す断面図であ
る。すなわち、図６は基体３１の上面に一定の間隔で設
けられている接続用電極３２の間に、真空吸引チャック
でピックアップした１００μｍサイズのＧａＮ系半導体
発光素子１１を真空吸引チャックで裸のままピックアッ
プして、基体３１の上面に４００μｍのピッチで配置
し、透明接着剤３３によって固定した後、それらの全面
にエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾燥、加熱硬化させて第
二絶縁層３４を形成させた状態を示す。
【００５２】図７は図６の状態において、エポキシ樹脂
による第二絶縁層３４の上面から内部のＧａＮ系半導体
発光素子１１のｐ電極１８、基体３１の上面の接続用電
極３２、およびＧａＮ系半導体発光素子１１の下地部１
２のｎ電極１９に至る３本の接続開孔３５'、３６'、３
７’を穿設した後、全面にアルミニウムの蒸着またはス
パッタリングを行いリソグラフィによって要部を残して
エッチングし、ＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ極１８
は基体３１の面上において、またｎ極１９は第二絶縁層
３４の上面において、それぞれ図示されない駆動回路と
接続するようにしたものである。この場合においても微
小として低コスト化させたＧａＮ系半導体発光素子１１
を基体３１の面上に間隔をあけて配置しているので、得
られる表示装置を低コスト化させる。
による第二絶縁層３４の上面から内部のＧａＮ系半導体
発光素子１１のｐ電極１８、基体３１の上面の接続用電
極３２、およびＧａＮ系半導体発光素子１１の下地部１
２のｎ電極１９に至る３本の接続開孔３５'、３６'、３
７’を穿設した後、全面にアルミニウムの蒸着またはス
パッタリングを行いリソグラフィによって要部を残して
エッチングし、ＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ極１８
は基体３１の面上において、またｎ極１９は第二絶縁層
３４の上面において、それぞれ図示されない駆動回路と
接続するようにしたものである。この場合においても微
小として低コスト化させたＧａＮ系半導体発光素子１１
を基体３１の面上に間隔をあけて配置しているので、得
られる表示装置を低コスト化させる。
【００５３】以上、本発明の表示装置およびその製造方
法を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれら
によって限られることなく、本発明の技術的思想に基づ
いて種々の変形が可能である。
法を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれら
によって限られることなく、本発明の技術的思想に基づ
いて種々の変形が可能である。
【００５４】例えば、実施例１、実施例２においては六
角錐形状の微小なＧａＮ系半導体発光素子１１によって
表示装置を製造する場合を説明したが、これ以外の結晶
構造の微小なサイズのＧａＮ系半導体発光素子について
も同様に、表示装置とすることができる。図８は図３に
示した六角錐形状の場合と同様にしてサファイア基板の
（０００１）面にＧａＮ系半導体を選択的に結晶成長さ
せたものを示す断面図であるが、十分に時間を掛けない
場合には六角錐台形状のｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体４
１が得られる。そして、このｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導
体４１の下端面と平行な上面である（０００１）面と、
六角錐の傾斜面に相当する（１−１０１）面にＩｎＧａ
Ｎからなる活性層４５を設け、更にその上へｐ型（Ｇａ
Ｎ：Ｍｇ）半導体層４６を成長させた後、表層のｐ型
（ＧａＮ：Ｍｇ）半導体層４６にＮｉ／Ａｕを蒸着して
ｐ電極４８を設け、ＳｉＯ2 マスク４３を開口して露出
させた平板状のｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体の下地部４
２の上面にＴｉ／Ａｕを蒸着してｎ電極４９を設けたも
のである。この場合は六角錐台の傾斜面と上面とが発光
の反射面となる。
角錐形状の微小なＧａＮ系半導体発光素子１１によって
表示装置を製造する場合を説明したが、これ以外の結晶
構造の微小なサイズのＧａＮ系半導体発光素子について
も同様に、表示装置とすることができる。図８は図３に
示した六角錐形状の場合と同様にしてサファイア基板の
（０００１）面にＧａＮ系半導体を選択的に結晶成長さ
せたものを示す断面図であるが、十分に時間を掛けない
場合には六角錐台形状のｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体４
１が得られる。そして、このｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導
体４１の下端面と平行な上面である（０００１）面と、
六角錐の傾斜面に相当する（１−１０１）面にＩｎＧａ
Ｎからなる活性層４５を設け、更にその上へｐ型（Ｇａ
Ｎ：Ｍｇ）半導体層４６を成長させた後、表層のｐ型
（ＧａＮ：Ｍｇ）半導体層４６にＮｉ／Ａｕを蒸着して
ｐ電極４８を設け、ＳｉＯ2 マスク４３を開口して露出
させた平板状のｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体の下地部４
２の上面にＴｉ／Ａｕを蒸着してｎ電極４９を設けたも
のである。この場合は六角錐台の傾斜面と上面とが発光
の反射面となる。
【００５５】また、図９はサファイア基板の（０００
１）面に成長させたｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体の下地
部５２にＳｉＯ2 のマスク５３を設け、そのマスク５３
に設けた＜１−１００＞方向に長い矩形の開口におい
て、選択的に結晶成長させて得られるＧａＮ系半導体５
１は裏返しにした舟底形状となり、傾斜した（１−１０
１）面と（１１−２２）面を持つが、このような傾斜面
を有するＧａＮ系半導体発光素子５１も表示装置に使用
することができる。
１）面に成長させたｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）半導体の下地
部５２にＳｉＯ2 のマスク５３を設け、そのマスク５３
に設けた＜１−１００＞方向に長い矩形の開口におい
て、選択的に結晶成長させて得られるＧａＮ系半導体５
１は裏返しにした舟底形状となり、傾斜した（１−１０
１）面と（１１−２２）面を持つが、このような傾斜面
を有するＧａＮ系半導体発光素子５１も表示装置に使用
することができる。
【００５６】また本実施例においては、半導体発光素子
に使用するＧａＮ系半導体の結晶成長の基板にとして、
サファイア基板の（０００１）面を使用する場合を例示
したが、これ以外の面を使用してもよく、サファイア以
外の基板、例えばＧａＮウェーハやＳｉＣウェーハを基
板として結晶成長されたものであってもよい。また本実
施例においては第一絶縁層、第二絶縁層の材料としてエ
ポキシ樹脂を例示したが、耐熱性のポリイミド樹脂のよ
うな熱硬化性樹脂、塩化ビニル系共重合樹脂のような熱
可塑性樹脂、ポリウレタンゴムなどの合成ゴムも使用し
得る。また、これら高分子の有機物に代えて、無機物の
絶縁材料、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを層状に
堆積させたものであってもよい。
に使用するＧａＮ系半導体の結晶成長の基板にとして、
サファイア基板の（０００１）面を使用する場合を例示
したが、これ以外の面を使用してもよく、サファイア以
外の基板、例えばＧａＮウェーハやＳｉＣウェーハを基
板として結晶成長されたものであってもよい。また本実
施例においては第一絶縁層、第二絶縁層の材料としてエ
ポキシ樹脂を例示したが、耐熱性のポリイミド樹脂のよ
うな熱硬化性樹脂、塩化ビニル系共重合樹脂のような熱
可塑性樹脂、ポリウレタンゴムなどの合成ゴムも使用し
得る。また、これら高分子の有機物に代えて、無機物の
絶縁材料、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを層状に
堆積させたものであってもよい。
【００５７】また実施例１、２においては、図３に示し
たように、ｐ型半導体１６が上側、ｎ型半導体１４が下
側となっているＧａＮ系半導体発光素子１１を示した
が、これらの位置を逆にした半導体発光素子であっても
よい。また実施例１の図１においては、あらかじめｐ電
極１８、ｎ電極１９を取り付けた半導体発光素子１１を
使用したが、図２において導電性金属を蒸着またはスパ
ッタリングする時に、電極を設けると共に引き続いて第
一絶縁層の上面に引き出すようにしてもよい。
たように、ｐ型半導体１６が上側、ｎ型半導体１４が下
側となっているＧａＮ系半導体発光素子１１を示した
が、これらの位置を逆にした半導体発光素子であっても
よい。また実施例１の図１においては、あらかじめｐ電
極１８、ｎ電極１９を取り付けた半導体発光素子１１を
使用したが、図２において導電性金属を蒸着またはスパ
ッタリングする時に、電極を設けると共に引き続いて第
一絶縁層の上面に引き出すようにしてもよい。
【００５８】また本実施例においては、半導体発光素子
として発光ダイオードを取り上げたが、例えば発光ダイ
オードの両端面を鏡面とする共振器を設けることによっ
て半導体レーザが得られるので、単色の半導体レーザな
いしは三原色の半導体レーザによる照明装置や道路標識
を製造することができる。
として発光ダイオードを取り上げたが、例えば発光ダイ
オードの両端面を鏡面とする共振器を設けることによっ
て半導体レーザが得られるので、単色の半導体レーザな
いしは三原色の半導体レーザによる照明装置や道路標識
を製造することができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明は上述したような形態で実施さ
れ、次に述べるような効果を奏する。
れ、次に述べるような効果を奏する。
【００６０】請求項１の表示装置によれば、半導体発光
素子が、第一絶縁層で埋め込まれた状態または裸の状態
で、間隔をあけて表示装置のパネル面となる基体面に配
置されて固定され、これらを第二絶縁層で覆って電極が
引き出されているので、表示装置の単位面積当りの半導
体発光素子の占める面積が小さく、また配線を単純化さ
せ、コストが格段に低下されたものとなっている。
素子が、第一絶縁層で埋め込まれた状態または裸の状態
で、間隔をあけて表示装置のパネル面となる基体面に配
置されて固定され、これらを第二絶縁層で覆って電極が
引き出されているので、表示装置の単位面積当りの半導
体発光素子の占める面積が小さく、また配線を単純化さ
せ、コストが格段に低下されたものとなっている。
【００６１】請求項２の表示装置によれば、半導体発光
素子が第一絶縁層で埋め込まれ、サイズを大にしてハン
ドリングが容易化され、かつ、一方の電極は第二絶縁層
の上面で、他方の電極は基体面上でそれぞれ対応する駆
動回路に接続されるので、相互に直交する方向にある両
極の駆動回路が交差することなく単純化され、低コスト
化されている。請求項３の表示装置によれば、裸の半導
体発光素子を使用するので、ハンドリングに工夫を要す
るが、第一絶縁層による埋め込み工程が省略され、か
つ、一方の電極は第二絶縁層の上面で、他方の電極は基
体面上でそれぞれ対応する駆動回路に接続されるので、
相互に直交する方向にある両極の駆動回路が交差するこ
となく単純化されたものとなっている。
素子が第一絶縁層で埋め込まれ、サイズを大にしてハン
ドリングが容易化され、かつ、一方の電極は第二絶縁層
の上面で、他方の電極は基体面上でそれぞれ対応する駆
動回路に接続されるので、相互に直交する方向にある両
極の駆動回路が交差することなく単純化され、低コスト
化されている。請求項３の表示装置によれば、裸の半導
体発光素子を使用するので、ハンドリングに工夫を要す
るが、第一絶縁層による埋め込み工程が省略され、か
つ、一方の電極は第二絶縁層の上面で、他方の電極は基
体面上でそれぞれ対応する駆動回路に接続されるので、
相互に直交する方向にある両極の駆動回路が交差するこ
となく単純化されたものとなっている。
【００６２】請求項４の表示装置によれば、第一絶縁
層、第二絶縁層に塗膜形成の可能な高分子化合物を使用
しているので、面積の大きい基体面にも簡易に絶縁層が
形成され、低コスト化されている。請求項５の表示装置
によれば、半導体発光素子の発光領域より上部に下方へ
の反射面を有しているので、発光領域から半導体発光素
子の上端部へ向かう光を効果的に下端面側へ向かわせ
る。
層、第二絶縁層に塗膜形成の可能な高分子化合物を使用
しているので、面積の大きい基体面にも簡易に絶縁層が
形成され、低コスト化されている。請求項５の表示装置
によれば、半導体発光素子の発光領域より上部に下方へ
の反射面を有しているので、発光領域から半導体発光素
子の上端部へ向かう光を効果的に下端面側へ向かわせ
る。
【００６３】請求項６の表示装置によれば、半導体発光
素子が角錐または角錐台形状に形成さえており、それら
が有する面のうち少くとも傾斜面の何れか一面が反射面
とされているので、半導体発光素子の上端部へ向かう光
を一層効果的に下端面側へ向かわせる。請求項７の表示
装置によれば、半導体発光素子がＧａＮ系半導体の六方
晶であり、（１−１０１）面に平行な活性層を備えてい
るので、（１−１０１）面に設ける電極面を反射面とし
て優れた発光性を示す。
素子が角錐または角錐台形状に形成さえており、それら
が有する面のうち少くとも傾斜面の何れか一面が反射面
とされているので、半導体発光素子の上端部へ向かう光
を一層効果的に下端面側へ向かわせる。請求項７の表示
装置によれば、半導体発光素子がＧａＮ系半導体の六方
晶であり、（１−１０１）面に平行な活性層を備えてい
るので、（１−１０１）面に設ける電極面を反射面とし
て優れた発光性を示す。
【００６４】請求項８の表示装置によれば、半導体発光
素子が基板上で、（０００１）面を下端面とし、（１−
１０１）面およびこれと等価な面を傾斜面として結晶成
長された窒化ガリウム系半導体であり、（１−１０１）
面およびこれと等価な面に平行な活性層を備えているの
で、これら傾斜面に設ける電極面を反射面とすることに
より発光を下端面側へ集中させ特に優れた発光性を示
す。請求項９の表示装置によれば、単色の半導体発光素
子のみ、または異なる色に発光する複数種の半導体発光
素子の組み合わせを配置して画像表示装置または照明装
置とされているので、これらの装置は高い輝度を示す。
素子が基板上で、（０００１）面を下端面とし、（１−
１０１）面およびこれと等価な面を傾斜面として結晶成
長された窒化ガリウム系半導体であり、（１−１０１）
面およびこれと等価な面に平行な活性層を備えているの
で、これら傾斜面に設ける電極面を反射面とすることに
より発光を下端面側へ集中させ特に優れた発光性を示
す。請求項９の表示装置によれば、単色の半導体発光素
子のみ、または異なる色に発光する複数種の半導体発光
素子の組み合わせを配置して画像表示装置または照明装
置とされているので、これらの装置は高い輝度を示す。
【００６５】請求項１０の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子を第一絶縁層で埋め込み電極を引き
出したものを、基体面に間隔をあけて配置し固定して更
に第二絶縁層で覆って電極を引き出しているので、表示
装置における半導体発光素子の占める面積が小さくかつ
配線を単純化させ、表示装置のコストを大幅に低下させ
る。請求項１１の表示装置の製造方法によれば、上端部
と下端面を除いて半導体発光素子を第一絶縁層で埋め込
み、次いで上端部電極と下端部電極を第一絶縁層の上面
に引き出すので、上端部電極の引き出しを容易化させ、
下端面から電極を引き出すことによる発光面の低減を回
避し得る。勿論、透明電極等の使用によって下端面で下
端部電極を引き出してもよい。
ば、半導体発光素子を第一絶縁層で埋め込み電極を引き
出したものを、基体面に間隔をあけて配置し固定して更
に第二絶縁層で覆って電極を引き出しているので、表示
装置における半導体発光素子の占める面積が小さくかつ
配線を単純化させ、表示装置のコストを大幅に低下させ
る。請求項１１の表示装置の製造方法によれば、上端部
と下端面を除いて半導体発光素子を第一絶縁層で埋め込
み、次いで上端部電極と下端部電極を第一絶縁層の上面
に引き出すので、上端部電極の引き出しを容易化させ、
下端面から電極を引き出すことによる発光面の低減を回
避し得る。勿論、透明電極等の使用によって下端面で下
端部電極を引き出してもよい。
【００６６】請求項１２の表示装置の製造方法によれ
ば、第二絶縁層の上面に引き出した両電極の何れか一方
を基体面に設けられている接続用電極と接続するので、
両極はそれぞれ第二絶縁層の上面と基体面とで駆動回路
と接続され駆動回路の交差を回避し、配線を簡易化させ
る。請求項１３の表示装置の製造方法によれば、裸の半
導体発光素子を基体面に間隔をあけて配置し固定し、そ
れらを覆って第二絶縁層を設けるので、半導体発光素子
のハンドリングに工夫を要するが、表示装置の単位面積
当りの半導体発光素子の占める面積が小さいほか、第一
絶縁層で埋め込む工程が省略されるので、コストを大幅
に低下させる。
ば、第二絶縁層の上面に引き出した両電極の何れか一方
を基体面に設けられている接続用電極と接続するので、
両極はそれぞれ第二絶縁層の上面と基体面とで駆動回路
と接続され駆動回路の交差を回避し、配線を簡易化させ
る。請求項１３の表示装置の製造方法によれば、裸の半
導体発光素子を基体面に間隔をあけて配置し固定し、そ
れらを覆って第二絶縁層を設けるので、半導体発光素子
のハンドリングに工夫を要するが、表示装置の単位面積
当りの半導体発光素子の占める面積が小さいほか、第一
絶縁層で埋め込む工程が省略されるので、コストを大幅
に低下させる。
【００６７】請求項１４の表示装置の製造方法によれ
ば、第二絶縁層の上面へ上端部電極および下端部電極を
引き出し、両電極の何れか一方を基体面に設けられてい
る接続用電極と接続するので、両極はそれぞれ第二絶縁
層の上面と基体面とで駆動回路と接続され駆動回路の交
差を回避し、配線を簡易化させる。請求項１５の表示装
置によれば、第一絶縁層、第二絶縁層にポリイミド樹
脂、エポキシ樹脂を含む塗布可能な高分子化合物を使用
するので、面積の大きい基体面にも絶縁層を容易に形成
させることができ、基体面への半導体発光素子の取り付
けを容易化させ低コスト化させる。請求項１６の表示装
置によれば、発光領域より上部に下方への反射面を有す
る半導体発光素子を使用するので、発光領域から半導体
発光素子の上端部へ向かう光を効果的に下端面側へ向か
わせる。
ば、第二絶縁層の上面へ上端部電極および下端部電極を
引き出し、両電極の何れか一方を基体面に設けられてい
る接続用電極と接続するので、両極はそれぞれ第二絶縁
層の上面と基体面とで駆動回路と接続され駆動回路の交
差を回避し、配線を簡易化させる。請求項１５の表示装
置によれば、第一絶縁層、第二絶縁層にポリイミド樹
脂、エポキシ樹脂を含む塗布可能な高分子化合物を使用
するので、面積の大きい基体面にも絶縁層を容易に形成
させることができ、基体面への半導体発光素子の取り付
けを容易化させ低コスト化させる。請求項１６の表示装
置によれば、発光領域より上部に下方への反射面を有す
る半導体発光素子を使用するので、発光領域から半導体
発光素子の上端部へ向かう光を効果的に下端面側へ向か
わせる。
【００６８】請求項１７の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子として、角錐形状または角錐台形状
で、それらの有する面のうちの少なくとも傾斜面の何れ
か一面が反射面とされているものを使用するので、半導
体発光素子の発光領域から上方へ向かう光を効果的に下
端面側へ向かわせる。請求項１８の表示装置の製造方法
によれば、半導体発光素子として、ＧａＮ系半導体の六
方晶からなり、（１−１０１）面に平行に活性層が設け
られているものを使用するので、（１−１０１）面に設
けられる電極面を反射面として優れた発光性を示す。請
求項１９の表示装置の製造方法によれば、半導体発光素
子として、前記成長の基板上で（０００１）面を下端面
とし、（１−１０１）面を傾斜面として、六角錐または
六角錐台に結晶成長されたＧａＮ系半導体であり、（１
−１０１）面に平行に活性層が設けられているものを使
用するので、（１−１０１）面に設けられる電極面を反
射面として優れた発光性を示す。
ば、半導体発光素子として、角錐形状または角錐台形状
で、それらの有する面のうちの少なくとも傾斜面の何れ
か一面が反射面とされているものを使用するので、半導
体発光素子の発光領域から上方へ向かう光を効果的に下
端面側へ向かわせる。請求項１８の表示装置の製造方法
によれば、半導体発光素子として、ＧａＮ系半導体の六
方晶からなり、（１−１０１）面に平行に活性層が設け
られているものを使用するので、（１−１０１）面に設
けられる電極面を反射面として優れた発光性を示す。請
求項１９の表示装置の製造方法によれば、半導体発光素
子として、前記成長の基板上で（０００１）面を下端面
とし、（１−１０１）面を傾斜面として、六角錐または
六角錐台に結晶成長されたＧａＮ系半導体であり、（１
−１０１）面に平行に活性層が設けられているものを使
用するので、（１−１０１）面に設けられる電極面を反
射面として優れた発光性を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】微小なサイズのＧａＮ系半導体発光素子が上端
部と下端面を除いて第一絶縁層（エポキシ樹脂）に埋め
込まれている状態を示す断面図である。
部と下端面を除いて第一絶縁層（エポキシ樹脂）に埋め
込まれている状態を示す断面図である。
【図２】図１に続いて、第一絶縁層の上面からＧａＮ系
半導体発光素子の下端部電極に至る接続開孔を穿設し
て、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを
施した後、フォトリソグラフィにより要部を残してエッ
チングし、上端部のｐ電極と下端部のｎ電極とを第一絶
縁層の上面に引き出した状態を示す。
半導体発光素子の下端部電極に至る接続開孔を穿設し
て、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを
施した後、フォトリソグラフィにより要部を残してエッ
チングし、上端部のｐ電極と下端部のｎ電極とを第一絶
縁層の上面に引き出した状態を示す。
【図３】六角錐形状に結晶成長されたＧａＮ系半導体発
光素子の詳細を示す図であり、Ａは縦断面図、Ｂは平面
図である。
光素子の詳細を示す図であり、Ａは縦断面図、Ｂは平面
図である。
【図４】図２に示したＧａＮ系半導体発光素子が一定の
間隔をあけて表示装置の透明な基体上に配置され、透明
接着剤で固定された後、ＧａＮ系半導体発光素子を覆っ
て第二絶縁層（エポキシ樹脂）が形成された状態を示す
断面図である。
間隔をあけて表示装置の透明な基体上に配置され、透明
接着剤で固定された後、ＧａＮ系半導体発光素子を覆っ
て第二絶縁層（エポキシ樹脂）が形成された状態を示す
断面図である。
【図５】図４に続いて、第二絶縁層の所要箇所に接続開
孔を穿設し、第一絶縁層の上面の引き出されているｐ電
極とｎ電極が続いて第二絶縁層の上面に引き出され、更
に、ｐ電極は基体面の接続用電極に導かれた状態を示
す。
孔を穿設し、第一絶縁層の上面の引き出されているｐ電
極とｎ電極が続いて第二絶縁層の上面に引き出され、更
に、ｐ電極は基体面の接続用電極に導かれた状態を示
す。
【図６】第一絶縁層に埋め込まれない裸のＧａＮ系半導
体発光素子が一定の間隔をあけて表示装置の透明な基体
上に配置され、透明接着剤で固定された後、ＧａＮ系半
導体発光素子を覆って第二絶縁層が形成された状態を示
す断面図である。
体発光素子が一定の間隔をあけて表示装置の透明な基体
上に配置され、透明接着剤で固定された後、ＧａＮ系半
導体発光素子を覆って第二絶縁層が形成された状態を示
す断面図である。
【図７】図６に続いて、第二絶縁層の所要箇所に接続開
孔を穿設して、裸のＧａＮ系半導体発光素子のｐ電極と
ｎ電極が第二絶縁層の上面に引き出され、更にｎ電極が
基体面の接続用電極に導かれた状態を示す。
孔を穿設して、裸のＧａＮ系半導体発光素子のｐ電極と
ｎ電極が第二絶縁層の上面に引き出され、更にｎ電極が
基体面の接続用電極に導かれた状態を示す。
【図８】六角錐台形状に結晶成長されたＧａＮ系半導体
発光素子の断面図である。
発光素子の断面図である。
【図９】ＧａＮ系半導体発光素子を所定の方向に長い矩
形のマスク開口から成長させた場合の六角錐台形状の斜
視図である。
形のマスク開口から成長させた場合の六角錐台形状の斜
視図である。
【図１０】従来の発光ダイオ−ドによる表示装置の要部
の裏面側の斜視図であり、比較的大きい寸法に規格化さ
れたＬＥＤモジュールが密に配列されている。
の裏面側の斜視図であり、比較的大きい寸法に規格化さ
れたＬＥＤモジュールが密に配列されている。
【図１１】発光ダイオードを模式的に示す断面図であ
る。
る。
１１……半導体発光素子、１４……ｎ型半導体、１５…
…活性層、１６……ｐ型半導体、１８……ｐ電極、１９
……ｎ電極、２１……第一絶縁層、３１……透明な基
体、３２……接続用電極、３３……透明接着剤、３４…
…第二絶縁層。
…活性層、１６……ｐ型半導体、１８……ｐ電極、１９
……ｎ電極、２１……第一絶縁層、３１……透明な基
体、３２……接続用電極、３３……透明接着剤、３４…
…第二絶縁層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳澤 喜行 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岩渕 寿章 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA25 AA37 AA42 AA47 CA04 CA05 CA13 CA23 CA34 CA40 CA49 CA93 CB15 DA13 DA44 DA46 DA58 DA82 DA92 DB08 FF01 FF11 5F058 AD03 AD04 AD08 AF04 AH01 AH02
Claims (19)
- 【請求項１】 複数の半導体発光素子が基体面上に配置
されて取り付けられた表示装置において、前記半導体発
光素子が第一絶縁層で埋め込まれた状態、または埋め込
まれない裸の状態で間隔をあけて前記基体面上に配置さ
れて固定され、更に前記半導体発光素子を覆って前記基
体面に第二絶縁層が形成されており、前記第一絶縁層お
よび前記第二絶縁層の所要箇所に穿設された接続開孔を
介して前記半導体発光素子の上端部電極および下端部電
極が引き出されていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記半導体発光素子が前記基体面上に配
置され、上端部と下端面を除いて前記第一絶縁層で埋め
込まれて固定されており、かつ前記上端部電極と前記下
端部電極とが前記第一絶縁層の上面に引き出され、続い
て前記第二絶縁層の上面へ引き出されており、更に何れ
か一方の電極が前記基体面上に設けられた接続用電極に
導かれていることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項３】 前記半導体発光素子が裸で前記基体面上
に配置されて固定され、前記半導体発光素子を覆って前
記基体面に前記第二絶縁層が形成されており、かつ前記
上端部電極および前記下端部電極が前記第二絶縁層の上
面に引き出されており、更に何れか一方の電極が前記基
体面上に設けられた接続用電極に導かれていることを特
徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記第一絶縁層および前記第二絶縁層が
ポリイミド樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂、また
は合成ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合物からな
ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記半導体発光素子が発光領域から前記
基体面上の前記下端面へ向かう方向を主たる発光方向と
するものであり、前記発光領域より上部に下方への反射
面を有していることを特徴とする請求項１に記載の表示
装置。 - 【請求項６】 前記半導体発光素子が角錐形状または角
錐台形状に形成されており、それらが有する面のうち少
なくとも傾斜面の何れか一面が前記反射面とされている
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記半導体発光素子が窒化ガリウム系半
導体の六方晶からなり、（１−１０１）面に平行な活性
層を備えていることを特徴とする請求項６に記載の表示
装置。 - 【請求項８】 前記半導体発光素子が成長の基板上で
（０００１）面を前記下端面とし、（１−１０１）面お
よびこれと等価な面を前記傾斜面として、六角錐形状ま
たは六角錐台形状に結晶成長された窒化ガリウム系半導
体であり、（１−１０１）面およびこれと等価な面に平
行な活性層を備えていることを特徴とする請求項７に記
載の表示装置。 - 【請求項９】 前記表示装置が単色の前記半導体発光素
子のみ、または異なる色を発光する複数種の前記半導体
発光素子の組み合わせを配置した画像表示装置または照
明装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項１０】 複数の半導体発光素子を基体面上に配
置し取り付ける表示装置の製造方法において、 前記半導体発光素子を第一絶縁層で埋め込み、前記第一
絶縁層に所要の接続開孔を穿設して前記半導体発光素子
の上端部電極および下端部電極を引き出す工程と、 前記電極の引き出された前記半導体発光素子を前記基体
面上に間隔をあけて配置し固定する工程と、 前記第一絶縁層で埋め込まれた前記半導体発光素子を覆
って前記基体面に第二絶縁層を形成する工程と、 前記第二絶縁層に所要の接続開孔を穿設して、前記第一
絶縁層の上面に引き出されている前記上端部電極と前記
下端部電極を引き出す工程とからなることを特徴とする
表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第一絶縁層において、上端部と下
端面を残して前記半導体発光素子を埋め込み、次いで前
記上端部電極と前記下端部電極を共に前記第一絶縁層の
上面に引き出すことを特徴とする請求項１０に記載の表
示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第二絶縁層において、前記第一絶
縁層の上面に引き出されている前記上端部電極と前記下
端部電極を共に前記第二絶縁層の上面に引き出し、更に
何れか一方の電極を前記基体面に設けられている接続用
電極に導くことを特徴とする請求項１０に記載の表示装
置の製造方法。 - 【請求項１３】 複数の半導体発光素子を基体面上に配
置し取り付ける表示装置の製造方法において、 前記半導体発光素子を裸のまま前記基体面上に間隔をあ
けて配置し固定する工程と、 前記半導体発光素子を覆って前記基体面に第二絶縁層を
形成する工程と、 前記第二絶縁層に所要の接続開孔を穿設して前記半導体
発光素子の上端部電極と下端部電極を引き出す工程とか
らなることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第二絶縁層において、前記裸の半
導体発光素子の上端部電極と下端部電極を共に前記第二
絶縁層の上面に引き出し、更に何れか一方の電極を前記
基体面に設けられている接続用電極に導くことを特徴と
する請求項１３に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第一絶縁層および前記第二絶縁層
として、ポリイミド樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹
脂、または合成ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合
物を使用することを特徴とする請求項１０または請求項
１３に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記半導体発光素子として、発光領域
から前記基体面上の下端面へ向かう方向を主たる発光方
向とし、発光領域より上部に下方への反射面を有するも
のを使用することを特徴とする請求項１０または請求項
１３に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記半導体発光素子として、角錐形状
または角錐台形状に形成されており、それらの有する面
のうちの少なくとも傾斜面の何れか一面が前記反射面と
されているものを使用することを特徴とする請求項１６
に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記半導体発光素子として、窒化ガリ
ウム系半導体の六方晶からなり、（１−１０１）面に平
行な活性層が設けられたものを使用することを特徴とす
る請求項１７に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記半導体発光素子として、成長の基
板上で（０００１）面を前記下端面とし、（１−１０
１）面およびこれと等価な面を前記傾斜面として、六角
錐形状または六角錐台形状に結晶成長された窒化ガリウ
ム系半導体であり、（１−１０１）面およびこれと等価
な面に平行な活性層が設けられたものを使用することを
特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2001067238A JP4876319B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 表示装置およびその製造方法 |
| DE60230486T DE60230486D1 (de) | 2001-03-09 | 2002-02-20 | Display-vorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
| EP02700626A EP1367654B1 (en) | 2001-03-09 | 2002-02-20 | Display apparatus and its manufacturing method |
| KR1020027014620A KR100860102B1 (ko) | 2001-03-09 | 2002-02-20 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| PCT/JP2002/001469 WO2002073706A1 (en) | 2001-03-09 | 2002-02-20 | Display apparatus and its manufacturing method |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP2002270898A5 JP2002270898A5 (ja) | 2008-03-13 |
| JP4876319B2 JP4876319B2 (ja) | 2012-02-15 |
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ID=18925620
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