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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Modul mit einem
Trägerkörper, auf
dem elektrische Bauelemente angeordnet sind. Als elektrische Bauelemente
kommen insbesondere optoelektronische Bauelemente, wie beispielsweise
Lumineszenzdiodenbauelemente in Frage. Zudem ist ein Verfahren zum
Herstellen eines derartigen elektronischen Moduls angegeben.
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Derartige
elektronische Module weisen häufig
elektrische Bauelemente auf, die oberflächenmontierbar sind, sodass
sie sich mittels einer standardisierten SMD-Montage (Surface Mountable
Device-Montage) beispielsweise auf einer mit elektrischen Leiterbahnen
versehenen Trägerplatte
elektrisch und mechanisch montieren lassen. Die SMD-Montage umfasst
in der Regel einen Lötprozess.
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Zudem
weisen elektronische Module häufig elektrische
Bauelemente auf, deren elektrische Anschlusselektroden mittels Bonddrähten elektrisch
leitend mit Leiterbahnen des Trägerkörpers verbunden sind.
Weiterhin werden bei elektronischen Modulen auch Bauelemente verwendet,
die mittels einer Bump-Montage elektrisch und mechanisch montiert werden.
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektronisches
Modul der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die elektrischen Bauelemente
auf eine besonders kostengünstig
zu realisierende Weise elektrisch leitend montiert und verschaltet
sind. Zudem soll ein universell einsetzbares und kostengünstiges
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls angegeben
werden.
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Diese
Aufgabe wird durch ein elektrisches Modul gemäß Anspruch 1 und durch ein
Verfahren gemäß Anspruch
12 gelöst.
Bevorzugte Ausführungsformen
und vorteilhafte Weiterbildungen des elektronischen Moduls und des
Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Es
wird ein elektronisches Modul mit mindestens zwei elektrischen Bauelementen
und einem Trägerkörper, auf
dem die Bauelemente angeordnet sind, angegeben. Die Bauelemente
und der Trägerkörper sind
mit einer elektrischen Isolierschicht bedeckt, auf der eine elektrische
Leiterbahnstruktur ausgebildet ist.
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Die
Leiterbahnstruktur kann grundsätzlich beliebig
aufgebaut und strukturiert sein, sie kann im Einzelfall insbesondere
auch aus einer unstrukturierten elektrisch leitfähigen Schicht bestehen. Bevorzugt
umfasst die Leiterbahnstruktur mehrere Leiterbahnen, die sowohl
miteinander verbunden als auch elektrisch voneinander isoliert sein
können.
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Die
Bauelemente weisen jeweils mindestens eine elektrische Anschlussfläche auf,
die mit der Leiterbahnstruktur verbunden ist. Die elektrischen Anschlussflächen sind
insbesondere elektrisch leitend mit der Leiterbahnstruktur verbunden.
Bevorzugt sind die Anschlussflächen
zudem auch mechanisch mit der Leiterbahnstruktur verbunden.
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Gemäß einer
besonders vorteilhaften Ausführungsform
sind die mindestens zwei elektrischen Bauelemente verschiedenartig.
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„Verschiedenartig" heißt, dass
sich die Bauelemente in funktionellen und/oder strukturellen Merkmalen
unterscheiden, wobei sie insbesondere unterschiedliche Zwecke erfüllen, in
ihrer Wirkungsweise auf unterschiedlichen physikalischen Effekten
beruhen, unterschiedlich geformte elektrische Anschlussflächen aufweisen
oder auf unterschiedliche Weise montierbar sein können.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform weist
mindestens eines der Bauelemente eine Lumineszenzdiode auf. Mit
besonderem Vorteil liegt die Lumineszenzdiode als ein Diodenchip
mit einer Anschlusselektrode vor, wobei die Anschlusselektrode eine
Anschlussfläche
des Bauelements ist. Bei dem elektronischen Modul können Bauelemente
mit einer Lumineszenzdiode besonders vorteilhaft mittels der Isolierschicht
und der darauf aufgebrachten Leiterbahnstruktur mit verschiedenartigen
weiteren Bauelementen elektrisch leitend montiert und verschaltet sein.
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In
einer zweckmäßigen Ausführungsform
ist der Diodenchip auf einem Chipträger montiert und der Chipträger auf
dem Trägerkörper aufgebracht. Durch
die Verwendung eines separaten Chipträgers kann beispielsweise bei
geeigneter Auswahl von Materialien eine besonders gute Wärmeabfuhr
von dem Diodenchip realisiert werden. Der Chipträger kann auch ein Gehäusekörper eines
Lumineszenzdioden-Bauelements sein, wobei eine vollständige elektrische
Montage des Diodenchips an dem Chipgehäuse mit Vorteil zwar möglich, aber
nicht erforderlich ist. Vielmehr können die Diodenchips erst nach
dem Aufbringen des Chipträgers
auf dem Trägerkörper mittels
der Leiterbahnstruktur elektrisch leitend angeschlossen werden.
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Gemäß einer
weiteren vorteilhaften Ausführungsform
ist mindestens eines der Bauelemente ein passives Bauelement und/oder
ein integrierter Schaltkreis. Das passive Bauelement ist zweckmäßigerweise
ein Widerstand, ein Kondensator oder ein Varistor. Eine weitere
zweckmäßige Ausführungsform
sieht als integrierten Schaltkreis einen Logikchip oder einen Speicherchip
vor. Kombinationen der genannten passiven Bauelemente und integrierten Schaltkreise
sind bei dem elektronischen Modul ebenfalls mit Vorteil vorgesehen.
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Bevorzugt
sind Anschlussflächen
der Bauelemente über
die Leiterbahnstruktur elektrisch leitend miteinander verbunden.
Zusätzlich
oder alternativ ist die Anschlussfläche von mindestens einem der
Bauelemente mit einem Anschlussbereich des Trägerkörpers über die Leiterbahnstruktur
elektrisch leitend verbunden. Bei dem elektronischen Modul ist es grundsätzlich möglich, Leiterbahnen,
die bei herkömmlichen
Modulen ein Bestandteil des Trägerkörpers sind,
teilweise oder vollständig
durch die auf der Isolierschicht aufgebrachten Leiterbahnstruktur
zu ersetzen. Dies ermöglicht
zum einen eine technisch einfach zu realisierende elektrische Montage
der Bauelemente und zum anderen die Verwendung von kostengünstigeren
Trägerkörpern.
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Eine
vorteilhafte Ausführungsform
des Moduls sieht vor, dass mindestens eines der Bauelemente für eine SMD-Montage
geeignet ist. Zusätzlich oder
alternativ ist mindestens eines der Bauelemente für eine Montage
geeignet, die eine Verwendung von Bonddrähten beinhaltet. Derartige
Bauelemente können
in dem elektronischen Modul mit Vorteil statt mittels Lot oder mittels
Bonddrähten
zumindest teilweise anhand der Leiterbahnstruktur elektrisch leitend
angeschlossen sein.
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Bei
der Verwendung mindestens eines Bauelements, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung
zu emittieren oder zu detektieren, weist die Isolierschicht mit
Vorteil ein Lumineszenz-Konversionsmaterial auf. Mittels des Lumineszenz-Konversionsmaterials
lässt sich
eine von dem Bauelement zu emittierende oder zu detektierende Strahlung
aus einem ersten Wellenlängenbereich
in eine elektromagnetische Strahlung aus einem zweiten Wellenlängenbereich
konvertieren.
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Beispielsweise
lässt sich
auf diese Weise blaue Strahlung teilweise in gelbe Strahlung konvertieren.
Bei geeignetem Intensitätsverhältnis von
blauer und gelber Strahlung lässt
sich so weißes
Licht erzeugen. Bei einer derartigen Lumineszenzkonversion ist es
im Hinblick auf die Effizienz besonders vorteilhaft, wenn die Isolierschicht
unmittelbar an die zur Strahlungsauskopplung vorgesehene Oberfläche des
Bauelements angrenzt. Als Bauelement ist insbesondere ein Lumineszenzdiodenchip
geeignet.
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Zweckmäßigerweise
sind die Bauelemente mittels der Isolierschicht verkapselt und somit
vor äußeren chemischen
oder mechanischen Einflüssen geschützt.
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Besonders
bevorzugt weist die Isolierschicht Glas auf, sie kann insbesondere
auch aus einer Glasschicht bestehen. Glas als Material hat den Vorteil, dass
es in der Regel einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist,
der beispielsweise an Halbleitermaterialien besser angepasst ist
als bei einem Kunststoff. Dadurch werden temperaturbedingte mechanische
Spannungen, die insbesondere bei Bauelementen mit einer hohen Wärmeentwicklung zu
Rissen in der Isolierschicht oder sogar zu einem Ablösen der
Isolierschicht führen könnten, vorteilhaft vermindert.
Ebenfalls wird durch die Verwendung von Glas ein durch Temperaturspannungen
bedingtes Ablösen
der Leiterbahnstruktur von der Isolierschicht vermieden. Weiterhin
zeichnet sich Glas durch eine im Vergleich zu einem Kunststoff geringere
Aufnahme von Feuchtigkeit aus.
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Zusätzlich oder
alternativ weist die Isolierschicht einen Kunststoff auf. Es kann
insbesondere eine Kunststoffschicht verwendet werden, die sich beispielsweise
durch Auflaminieren einer Kunststofffolie, durch Aufdrucken oder
Aufsprühen
einer Polymerlösung
aufbringen lässt.
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Bevorzugt
ist in der Isolierschicht zusätzlich oder
alternativ Silikon enthalten, das sich durch eine hohe Strahlungsbeständigkeit,
insbesondere gegenüber
UV-Licht, auszeichnet.
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Mit
Vorteil ist auf die Leiterbahnstruktur eine elektrisch isolierende
Deckschicht aufgebracht, die bevorzugt ein Glas aufweist oder aus
einem Glas besteht. Zusätzlich
oder alternativ enthält
die Deckschicht einen Lack. Durch eine derartige isolierende Deckschicht
kann eine potentialfreie Oberfläche
der elektrischen Bauelemente erzielt werden.
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Es
wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Moduls angegeben,
bei dem ein Trägerkörper und
mindestens zwei elektrische Bauelemente bereitgestellt werden. Bevorzugt
sind die elektrischen Bauelemente verschiedenartig, es können jedoch
auch gleichartige Bauelemente verwendet werden. Die Bauelemente
werden auf dem Trägerkörper aufgebracht.
Auf die Bauelemente und dem Trägerkörper wird
eine Isolierschicht aufgebracht. In der Isolierschicht werden Ausnehmungen ausgebildet,
mittels derer mindestens jeweils eine elektrische Anschlussfläche der
Bauelemente teilweise oder vollständig freigelegt wird. Auf die
Isolierschicht wird elektrisch leitfähiges Material derart aufgebracht, dass
es mit den elektrischen Anschlussflächen verbunden wird, zum Ausbilden
einer elektrischen Leiterbahnstruktur.
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Zweckmäßigerweise
wird das elektrisch leitfähige
Material in Form einer Schicht aufgebracht. Diese Schicht kann,
je nach Ausführung
und Form der zu realisierenden Leiterbahnstruktur, nachfolgend zweckmäßigerweise
strukturiert werden, sodass insbesondere auch elektrisch voneinander
isolierte Leiterbahnen der Leiterbahnstruktur hergestellt werden
können.
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Mit
besonderem Vorteil werden mehrere Module gemeinsam und im Wesentlichen
gleichzeitig hergestellt. Insbesondere das Aufbringen der Isolierschicht,
das Ausbilden von Ausnehmungen und das Aufbringen von elektrisch
leitfähigem
Material lässt sich
in einer Reihe von Batch-Prozessen durchführen. In diesen Batch-Prozessen
kann eine Vielzahl von elektronischen Modulen parallel prozessiert
werden, was eine kostengünstige
Alternative zu der Verwendung von Einzelprozessen ist, wie sie zum
Beispiel beim Bonden unter Verwendung von Bonddrähten nötig sind. Bei einem Einsatz
von Batch-Prozessen kann zudem auch der Investitionsbedarf für notwendige
Betriebsanlagen gering gehalten werden.
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Die
Batch-Prozesse sind flexibel auf verschiedene Produkte einzurichten.
Es ist grundsätzlich
möglich,
verschiedene Produkte auf einer Fertigungslinie herzustellen. Das
kann sowohl nacheinander, nach einer Umstellung von sich unterscheidenden
Verfahrensparametern oder auch parallel erfolgen. Das Verfahren
lässt sich
insbesondere zum elektrisch leitenden Kontaktieren und Anschließen von
Bauelementen verschiedener Bauteilklassen verwenden.
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Mit
Vorteil umfasst das Aufbringen der Isolierschicht ein Aufbringen
einer vorgefertigten Schicht. Zusätzlich oder alternativ umfasst
das Aufbringen der Isolierschicht mit Vorteil ein Aufdrucken, ein
Aufsprühen
oder Aufschleudern eines Materials für die Isolierschicht. Durch
diese Maßnahmen
lässt sich
das Aufbringen der Isolierschicht auf technisch einfache und kostengünstige Weise
realisieren.
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Bei
einer besonders bevorzugten Variante des Verfahrens wird zum Aufbringen
der Isolierschicht zunächst
eine Precursor-Schicht
auf die Bauelemente und den Trägerkörper aufgebracht.
Dies erfolgt beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Verfahrens, durch
Aufdampfen oder durch Aufschleudern (Spincoating) einer Suspension.
Eine erste Temperaturbehandlung wird vorgenommen, die geeignet ist, organische
Bestandteile aus der Precursor-Schicht zu
entfernen. Nachfolgend wird das Material einer zweiten Temperaturbehandlung
unterzogen, die dazu geeignet ist, die Precursor-Schicht zu verdichten.
Durch dieses Verfahren lässt
sich insbesondere eine dünne
und gleichmäßige Glasschicht
erzeugen.
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Die
Ausnehmungen in der Isolierschicht werden vorzugsweise durch einen
Verfahrensschritt hergestellt, der eine Laserbearbeitung umfasst.
Dabei wird die Isolierschicht in den Bereichen der herzustellenden
Ausnehmungen unter Verwendung von Laserstrahlung abgetragen. Bei
einer Laserbearbeitung kann die Größe, Form und Tiefe der Ausnehmungen präzise eingestellt
und unmittelbar erzeugt werden.
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Das
Aufbringen von elektrisch leitfähigem Material
umfasst vorteilhaft das Aufbringen einer Metallschicht mittels eines
PVD-Verfahrens und ein Verstärken
der Metallschicht mittels galvanischer Abscheidung. Ein geeignetes
PVD-Verfahren ist beispielsweise Sputtern.
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Alternativ
kann das elektrisch leitfähige
Material auch unter Verwendung eines Druckverfahrens, insbesondere
eines Siebdruckverfahrens, aufgebracht werden. Ferner kann das elektrisch
leitfähige Material
auch unter Verwendung eines Aufsprühverfahrens oder eines Aufschleuderverfahrens (Spincoating)
erzeugt werden.
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Weitere
Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen
und Zweckmäßigkeiten
des elektrischen Moduls und des Verfahrens ergeben sich aus den
im nachfolgenden im Zusammenhang mit den Figuren näher erläuterten
Ausführungsbeispielen.
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt eines elektrischen
Moduls gemäß eines
ersten Ausführungsbeispiels,
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2 eine
schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt eines elektrischen
Moduls gemäß eines
zweiten Ausführungsbeispiels,
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3 eine
schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt eines elektrischen
Moduls gemäß eines
dritten Ausführungsbeispiels,
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4 bis 9 schematische
Schnittansichten verschiedener Verfahrensstadien zur Herstellung
des in 1 dargestellten elektrischen Moduls gemäß eines
ersten Ausführungsbeispiels
des Verfahrens,
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10 eine
schematische Schnittansicht eines Verfahrensstadiums zur Herstellung
des in 1 dargestellten elektrischen Moduls gemäß eines
zweiten Ausführungsbeispiels
des Verfahrens,
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11 bis 17 schematische
Schnittansichten verschiedener Verfahrensstadien eines dritten Ausführungsbeispiels
des Verfahrens zur Herstellung des in 2 dargestellten
elektrischen Moduls.
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In
den Ausführungsbeispielen
und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils
mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente
sowie die Größenverhältnisse
der Elemente untereinander sind nicht notwendigerweise als maßstabsgerecht
anzusehen. Vielmehr sind einige Details der Figuren zum besseren
Verständnis übertrieben
groß dargestellt.
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Das
in 1 dargestellte elektronische Modul weist ein optoelektronisches
Bauelement 50 und ein passives Bauelement 100 auf.
Diese verschiedenartigen elektrischen Bauelemente sind auf einem Trägerkörper 10 angeordnet.
Wie in der Schnittansicht von 9 zu erkennen
ist, sind die Bauelemente 50, 100 und der Trägerkörper 10 mit
einer elektrischen Isolierschicht 3 bedeckt. Auf der Isolierschicht 3 ist
eine elektrische Leiterbahnstruktur 14 ausgebildet. Das
optoelektronische Bauelement 50 und das passive elektrische
Bauelement 100 weisen jeweils zwei elektrische Anschlussflächen 7, 6, 106 auf,
die mit der Leiterbahnstruktur 14 verbunden ist.
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Das
optoelektronische Bauelement 50 weist einen Chipträger 20 mit
einer elektrischen Anschlussfläche 7 auf.
Auf einem Teil der elektrischen Anschlussfläche 7 ist ein Lumineszenzdiodenchip 1 aufgebracht,
der auf einer der elektrischen Anschlussfläche 7 des Chipträgers 20 abgewandten Seite
eine elektrische Anschlussfläche 6 aufweist. Diese
elektrische Anschlussfläche 6 und
der von dem Lumineszenzdiodenchip 1 nicht bedeckte Teil
der elektrischen Anschlussfläche 7 bilden
jeweils eine elektrische Anschlussflächen des optoelektronischen Bauelements 50.
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Das
passive Bauelement 100 ist beispielsweise ein Widerstand,
ein Varistor oder ein Kondensator. Eine seiner elektrischen Anschlussflächen 106 ist über eine
elektrische Leiterbahn der Leiterbahnstruktur 14 elektrisch
leitend mit der elektrischen Anschlussfläche 6 des optoelektronischen
Bauelements 50 verbunden. Die zweite elektrische Anschlussfläche 106 ist
ebenfalls mit einer Leiterbahn der Leiterbahnstruktur 14 elektrisch
leitend verbunden, wobei diese Leiterbahn jedoch nicht unmittelbar zu
dem optoelektronischen Bauelement 50 führt.
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Auch
die auf dem Chipträger 20 ausgebildete elektrische
Anschlussfläche 7 des
optoelektronischen Bauelements 50 ist mit einer Leiterbahn
der Leiterbahnstruktur 14 elektrisch leitend verbunden. Die
elektrischen Anschlussflächen 6, 7, 106 sind
bevorzugt alle sowohl elektrisch leitend als auch mechanisch unmittelbar
mit der Leiterbahnstruktur 14 verbunden.
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Das
in 1 dargestellte elektronische Modul kann beispielsweise
mit einem Trägerkörper 10 gefertigt
sein, der keine elektrischen Leiterbahnen oder elektrischen Anschlussflächen aufweist.
Sämtliche
elektrische Leiterbahnen des Moduls sind beispielsweise mit Vorteil
als ein Teil der Leiterbahnstruktur 14 auf der isolierenden
Schicht 3 ausgebildet.
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Alternativ
ist es auch möglich,
die auf der isolierenden Schicht 3 ausgebildete Leiterbahnstruktur 14 mit
Leiterbahnen und/oder Anschlussflächen eines entsprechenden Trägerkörpers 10 zu
kombinieren, das heißt
die elektrische Verschaltung der Bauelemente umfasst sowohl die
Leiterbahnstruktur 14 als auch Leiterbahnen und/oder Anschlussflächen des Trägerkörpers 10.
Ein Beispiel für
ein derartiges Modul ist in 2 dargestellt.
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Das
in 2 dargestellte elektronische Modul weist einen
Trägerkörper 10 mit
einer elektrischen Anschlussfläche 7 auf,
auf der ein optoelektronisches Bauelement 50 in Form eines
Lumineszenzdiodenchips 1 aufgebracht ist. Die der elektrischen Anschlussfläche 7 zugewandte
Seite des Lumineszenzdiodenchips 1 ist elektrisch leitfähig mit
der Anschlussfläche 7 verbunden.
Die der elektrischen Anschlussfläche 7 abgewandte
Seite des Lumineszenzdiodenchips 1 weist eine elektrische
Anschlussfläche 6 auf,
die über
eine Leiterbahn der Leiterbahnstruktur 14 elektrisch leitend
mit einem elektrischen Anschlussbereich 8 des Trägerkörpers 10 verbunden ist.
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Eine
weitere Leiterbahn der Leiterbahnstruktur 14 verbindet
die elektrische Anschlussfläche 7 mit einer
Anschlussfläche 106 eines
ebenfalls auf dem Trägerkörper 10 befindlichen passiven
Bauelements 100. Dieses passive Bauelement 100 weist
zwei elektrische Anschlussflächen 106 auf,
wobei auch die zweite elektrische Anschlussfläche mit einer Leiterbahn der
Leiterbahnstruktur 14 elektrisch leitend verbunden ist.
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Es
ist zum Beispiel möglich,
dass die Leiterbahnstruktur 14 keine Leiterbahnen aufweist,
die elektrische Anschlussflächen
von Bauelementen des Moduls unmittelbar elektrisch leitend miteinander verbindet.
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Bei
den in den 1 und 2 dargestellten Ausschnitten
eines elektronischen Moduls handelt es sich beispielsweise um optoelektronische
Module, die geeignet sind, Licht zu emittieren. Als Lichtquelle dienen
hierbei optoelektronische Bauelemente 50 mit mindestens
einem Lumineszenzdiodenchip 1, wobei bevorzugt mehrere
Lumineszenzdiodenchips verwendet werden. Beispielsweise weist das
optoelektronische Bauelement 50 zwischen einschließlich vier und
einschließlich
zehn Lumineszenzdiodenchips auf. Alternativ weist das elektronische
Modul beispielsweise zwischen einschließlich vier und einschließlich zehn
optoelektronische Bauelemente auf, die jeweils mindestens einen
Lumineszenzdiodenchip 1 enthalten.
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Bei
derartigen optoelektronischen Modulen dienen die passiven Bauelemente
beispielsweise zur Stabilisierung der an die optoelektronischen
Bauelemente angelegten elektrischen Spannung. Hierfür werden
zweckmäßigerweise
Varistoren verwendet. Zusätzlich
oder alternativ können
weitere elektrische Bauelemente, die zu den optoelektronischen Bauelementen 50 verschiedenartig
sind, für
beliebige Zwecke wie beispielsweise zur Ausbildung geeigneter elektrischer
Ansteuerungsschaltungen in dem Modul enthalten sein. Dies umfasst
insbesondere auch logische Schaltkreise, die unter Verwendung integrierter Schaltkreise
gebildet sind. Beispielsweise können Logikchips
und/oder Speicherchips auf dem Trägerkörper 10 angeordnet
und mit der Leiterbahnstruktur 14 elektrisch leitend verbunden
sein.
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Ein
Ausschnitt eines beispielhaften elektronischen Moduls, das einen
integrierten Schaltkreis 200 aufweist, ist in 3 dargestellt.
Der integrierte Schaltkreis 200 ist beispielsweise mit
einem Gehäuse
versehen und geeignet, ähnlich
wie ein SMD-Bauelement montiert und angeschlossen zu werden. Zusätzlich oder
alternativ können
auch integrierte Schaltkreise ohne Gehäuse ("bare dies") verwendet werden. Derartige bare dies
werden in der Regel mittels Kleben oder Auflöten mechanisch montiert und durch
einen wire bonding-Prozess
elektrisch leitend angeschlossen. Darüber hinaus können auch
integrierte Schaltkreise verwendet werden, die geeignet sind, über eine
Bump-Montage angeschlossen zu werden.
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Bei
dem in 3 dargestellten elektronischen Modul ist ein derartiger
integrierter Schaltkreis 200 auf dem Trägerkörper 10 aufgebracht
und unter Verwendung der auf einer Isolierschicht 3 aufgebrachten
Leiterbahnstruktur 14 elektrisch leitend angeschlossen.
Beispielsweise sind alle elektrischen Anschlussflächen 206 des
integrierten Schaltkreises 200 unmittelbar elektrisch leitend
mit Leiterbahnen der Leiterbahnstruktur 14 verbunden.
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Die
isolierende Schicht ist aus Gründen
der Übersichtlichkeit
in den 1, 2 und 3 nicht dargestellt.
Sie ist zwischen der Leiterbahnstruktur 14 und den übrigen in
den Figuren dargestellten Elementen angeordnet, wobei die isolierende Schicht
in den Bereichen der zu kontaktierenden Anschlussflächen Ausnehmungen
für Durchkontaktierungen
aufweist. Verdeutlicht wird dieser Aufbau durch die nachfolgende
Beschreibung beispielhafter Verfahren zur Herstellung eines elektronischen
Moduls mit Einbeziehung der 4 bis 17.
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In
den 4 bis 9 sind schematische Schnittansichten
verschiedener Verfahrensstadien eines beispielhaften Verfahrens
zur Herstellung des in 1 dargestellten elektronischen
Moduls enthalten. Die in 9 dargestellte Schnittansicht
ist eine Darstellung auf einen Schnitt entlang der in 1 eingezeichneten
gestrichelten Linie. Die in den 4 bis 8 dargestellten
Schnittansichten sind Darstellungen eines entsprechenden Schnittes
während vorhergehender
Verfahrensstadien des beispielhaften Verfahrens.
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In 4 ist
der Verfahrensschritt einer Bereitstellung eines Trägerkörpers 10 dargestellt.
Der Trägerkörper 10 weist
beispielsweise die Form einer ebenen Platte auf. Alternativ kann
der Trägerkörper auch
Strukturen und Unebenheiten aufweisen. Er enthält zum Beispiel ein keramisches
Material, einen Kunststoff und/oder ein Metall oder besteht im Wesentlichen
aus einem dieser Materialien. Beispielsweise besteht der Trägerkörper aus
Aluminiumnitrid.
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Auf
den Trägerkörper 10 werden
mindestens zwei verschiedenartige elektrische Bauelemente 50, 100 aufgebracht.
Zweckmäßigerweise
werden diese Bauelemente an dem Trägerkörper 10 befestigt.
Obgleich eine elektrisch leitende Anbindung der Bauelemente an den
Trägerkörper 10 nicht
erforderlich ist, kann eine Verbindung mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit
zwischen den Bauelementen und dem Trägerkörper 10 vorteilhaft
sein. Die Bauelemente 50, 100 sind beispielsweise
mittels Klebstoff und/oder mittels eines Lotes mit dem Trägerkörper 10 verbunden.
Auf eine derartige Verbindung kann jedoch grundsätzlich auch verzichtet werden.
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Eines
der Bauelemente ist ein optoelektronisches Bauelement 50,
das einen Chipträger 20,
eine auf dem Chipträger 20 aufgebrachte
elektrische Anschlussschicht 7 und einen auf der elektrischen
Anschlussschicht 7 aufgebrachten Lumineszenzdiodenchip 1 umfasst.
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Der
Lumineszenzdiodenchip 1 weist auf seiner der elektrischen
Anschlussschicht 7 zugewandten Außenfläche eine elektrische Anschlussfläche auf,
die beispielsweise mittels Anlöten
elektrisch leitend und mechanisch mit der elektrischen Anschlussschicht 7 verbunden
ist, nicht dargestellt. Auf einer der elektrischen Anschlussschicht 7 abgewandten Seite
weist der Lumineszenzdiodenchip 1 eine elektrische Anschlussfläche 6 auf.
Die Anschlussfläche 6 wird
zum Beispiel durch eine Kontaktschicht oder eine Kontaktschichtenfolge
gebildet, die auf einem Grundkörper
des Lumineszenzdiodenchips 1 aufgebracht und beispielsweise
mittels Fotolithografie strukturiert ist.
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Der
Lumineszenzdiodenchip weist eine Dünnfilmschicht mit einer aktiven
Zone, die geeignet ist, bei Beaufschlagung mit einem elektrischen
Strom eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die Dünnfilmschicht
basiert beispielsweise auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien
und ist geeignet, eine elektromagnetische Strahlung aus dem blauen und/oder
ultravioletten Spektrum zu emittieren. Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien sind
Verbindungs halbleitermaterialien, die Stickstoff enthalten, wie
Materialien aus dem System InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x +
y < 1. Die Dünnfilmschicht weist
z.B. mindestens eine Halbleiterschicht aus einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial
auf.
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In
der Dünnfilmschicht
kann beispielsweise ein herkömmlicher
pn-Übergang,
eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder
eine Mehrfach-Quantentopfstruktur
(MQW-Strukur) enthalten sein. Solche Strukturen sind dem Fachmann
bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Beispiele für solche
MQW-Strukturen sind in den Druckschriften
US 5,831,277 und
US 5,684,309 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt
insofern hiermit durch Rückbezug
aufgenommen wird.
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Der
Chipträger 20 weist
mindestens eines der Materialien Keramik, Metall und Kunststoff
auf oder besteht aus einem dieser Materialien. Beispielsweise besteht
er aus Aluminiumnitrid.
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In
einem Abstand zu dem optoelektronischen Bauelement 50 wird
auf dem Trägerkörper 10 ein
passives Bauelement 100 aufgebracht. Das Bauelement weist
zwei elektrische Anschlussflächen 106 auf,
die derart ausgebildet sind, dass das Bauelement 100 für eine SMD-Montage
geeignet ist. SMD steht für „surface
mountable device".
Unter einer SMD-Montage ist eine für SMD-Bauelemente typische
Montage zu verstehen, die in der Regel ein Aufbringen des Bauelements
auf eine Montagefläche und
ein Verlöten
elektrischer Anschlussflächen
des Bauelements mit Anschlussflächen
auf der Montagefläche
umfasst.
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Bei
dem in 6 veranschaulichten Verfahrensstadium wird auf
die elektrischen Bauelemente 50, 100 und auf den
Trägerkörper 10 eine
Isolierschicht 3 aufgebracht. Das Aufbringen der Isolierschicht 3 erfolgt
vorzugsweise durch Aufsprühen oder
Aufschleudern (Spincoating) einer Polymerlösung. Weiterhin kann beispielsweise
auch ein Druckverfahren, insbesondere Siebdruck, zum Aufbringen der
Isolierschicht 3 mit Vorteil verwendet werden.
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Bei
dem in 7 veranschaulichten Verfahrensschritt werden eine
erste Ausnehmung 11, durch die ein Teilbereich der elektrischen
Anschlussfläche 6 des
Lumineszenzdiodenchips 1 freigelegt wird, und zwei zweite
Ausnehmungen 12, durch die jeweils ein Teilbereich der
elektrischen Anschlussflächen 106 des
passiven Bauelements 100 freigelegt werden, in der Isolierschicht 3 erzeugt.
Die Ausnehmungen 11, 12 werden beispielsweise
mittels eines lithografischen Prozesses oder mittels einer Laserbearbeitung
erzeugt, wobei eine Laserbearbeitung bevorzugt ist.
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Nachfolgend
wird elektrisch leitfähiges
Material derart auf die Isolierschicht aufgebracht, dass es mit
den elektrischen Anschlussflächen 6, 106 verbunden
ist. Zweckmäßigerweise
wird das elektrisch leitfähige
Material derart aufgebracht, dass es die Ausnehmungen 11, 12 füllt und
die Isolierschicht 3 bedeckt. Es wird zur Ausbildung einer
elektrischen Leiterbahnstruktur 14 aufgebracht, wie in 8 dargestellt.
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Das
elektrisch leitfähige
Material weist zum Beispiel mindestens ein Metall auf oder besteht
aus einem solchen. Es wird beispielsweise in Form einer Metallschicht
aufgebracht. Dies erfolgt zum Beispiel durch Aufdampfen oder Sputtern.
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Nachfolgend
wird die Metallschicht strukturiert, was beispielsweise mittels
Fotolithografie erfolgt.
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Alternativ
wird zunächst
eine vergleichsweise dünne
Metallschicht, die beispielsweise 100 nm dick ist, ganzflächig auf
die Isolierschicht 3 aufgebracht. Die Metallschicht wird
in Bereichen, die zur Ausbildung der Leiterbahnstruktur 14 vorgesehen sind,
selektiv galvanisch verstärkt
und nachfolgend so lange geätzt,
bis die unverstärkten
Bereiche abgetragen sind. Dies erfolgt beispielsweise durch Aufbringen
einer Fotolackschicht auf die Metallschicht, in der mittels Fototechnik
Ausnehmungen in den für die
Leiterbahnstruktur 14 vorgesehenen Bereichen erzeugt werden
(nicht gezeigt).
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In
dem Bereich der Ausnehmungen in der Fotolackschicht wird die zuvor
aufgebrachte Metallschicht durch eine galvanische Abscheidung verstärkt. Dies
erfolgt vorteilhaft derart, dass die Metallschicht in dem galvanisch
verstärkten
Bereich wesentlich dicker ist als die zuvor ganzflächig aufgebrachte
Metallschicht. Beispielsweise kann die Dicke der Metallschicht in
dem galvanisch verstärkten
Bereich mehrere Mikrometer betragen. Nachfolgend wird die Fotolackschicht
entfernt und ein Ätzprozess durchgeführt, mit
dem die Metallschicht in nicht galvanisch verstärkten Bereichen vollständig abgetragen
wird. In den galvanisch verstärkten
Bereichen wird die Metallschicht aufgrund ihrer größeren Dicke dagegen
nur teilweise abgetragen, sodass sie in diesen Bereichen zur Bildung
der elektrischen Leiterbahnstruktur 14 verbleibt.
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Als
weitere Alternative ist es auch möglich, dass die elektrische
Leiterbahnstruktur direkt in einer strukturierten Form auf die Isolierschicht 3 aufgebracht
wird. Dies kann beispielsweise unter Verwendung eines Druckverfahrens,
insbesondere unter Verwendung eines Siebdruckverfahrens, erfolgen.
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Alternativ
zu einem Metall wird beispielsweise mit Vorteil ein transparentes
elektrisch leitfähiges Material
verwendet, das insbesondere für
eine von dem Lumineszenzdiodenchip 1 emittierte elektromagnetische
Strahlung durchlässig
ist. Als ein derartiges elektrisch leitfähiges transparentes Material
ist insbesondere ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO) wie beispielsweise
ein Indium-Zinn-Oxid (ITO) geeignet. Alternativ wird beispielsweise
eine transparente elektrisch leitfähige Kunststoffschicht verwendet.
Das elektrisch leitfähige
transparente Material wird vorzugsweise durch Aufdampfen, Aufdrucken, Aufsprühen oder
Aufschleudern (Spincoating) aufgebracht.
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Nach
dem Ausbilden der elektrischen Leiterbahnstruktur 14, siehe 8,
kann in einem optionalen weiteren Verfahrensschritt eine elektrisch
isolierende Deckschicht 15 auf die Leiterbahnstruktur aufgebracht
werden. Die isolierende Deckschicht 15 ist vorzugsweise
eine Kunststoffschicht, zum Beispiel eine Lackschicht. Sie bedeckt
insbesondere die Leiterbahnstruktur 14, um eine potentialfreie
Oberfläche zu
erzeugen.
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Eine
alternative Variante des Aufbringens der Isolierschicht 3,
wie es vorhergehend unter Bezugnahme auf 6 erläutert ist,
ist in 10 veranschaulicht. Hierbei
wird die elektrisch isolierende Schicht vor dem Aufbringen auf den
Trägerkörper 10 vorgefertigt.
Beispielsweise wird sie in Form einer flexiblen Folie bereitgestellt,
die nachfolgend auf die Bauelemente und den Trägerkörper 10 aufgebracht wird.
Die Folie lässt
sich beispielsweise unter Verwendung eines Klebstoffes aufkleben
oder auflaminieren. Im Übrigen
kann die Durchführung
des Verfahrens wie vorhergehend beschrieben erfolgen.
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Eine
weitere alternative Variante des Aufbringens der Isolierschicht 3 wird
nachfolgend im Rahmen der Beschreibung des anhand der 11 bis 17 veranschaulichten
Ausführungsbeispiels
des Verfahrens erläutert.
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Im
Unterschied zu dem vorhergehend anhand der 4 bis 10 erläuterten
Verfahren wird ein Trägerkörper 10 bereitgestellt,
der zwei Anschlussbereiche 7, 8 aufweist. Die
elektrischen Anschlussbereiche 7, 8 sind elektrisch
voneinander isoliert. Sie sind beispielsweise durch Metallschichten gebildet,
die auf einem Grundkörper
des Trägerkörpers 10 aufgebracht
sind. Der Trägerkörper 10 kann beispielsweise
ein PCB (printed circuit board), insbesondere ein MCPCB sein.
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Auf
dem ersten Anschlussbereich 7 ist ein Lumineszenzdiodenchip 1 aufgebracht
und elektrisch leitend mit dem Anschlussbereich 7 verbunden,
was beispielsweise durch Anlöten
oder Aufkleben der dem Anschlussbereich zugewandten Fläche des
Lumineszenzdiodenchips mittels eines Lotes oder eines elektrisch
leitfähigen
Klebstoffes erfolgt. Auf seiner dem Anschlussbereich 7 abgewandten Seite
weist der Lumineszenzdiodenchip 1 eine elektrische Anschlussfläche 6 auf.
Der Lumineszenzdiodenchip 1 ist ein Beispiel für ein optoelektronisches Bauelement,
das auf dem Trägerkörper 10 aufgebracht
wird.
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Alternativ
kann das optoelektronische Bauelement auch ein Gehäuse aufweisen,
in dem der Lumineszenzdiodenchip 1 montiert ist und gegebenenfalls
auch eingekapselt ist. Das Gehäuse
kann beispielsweise für
eine SMD-Montage geeignet sein.
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Die 11 bis 17 entsprechen
Darstellungen eines Schnittes des in 2 dargestellten elektronischen
Moduls entlang der in 2 eingetragenen gestrichelten
Linie während
verschiedenen Verfahrensstadien zur Herstellung des Moduls. Die
in 17 dargestellte Schnittansicht entspricht einer Darstellung
des Schnittes durch das fertige Modul.
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Auf
den Trägerkörper 10 und
die darauf aufgebrachten Bauelemente wird eine Precursor-Schicht 9 aufgebracht,
die sowohl organische als auch anorganische Bestandteile enthält, siehe 12.
Das Aufbringen der Precursor-Schicht erfolgt beispielsweise mittels
eines Sol-Gel-Verfahrens, durch Aufdampfen, Sputtern, Aufsprühen oder
durch Aufschleudern (Spincoating) einer Suspension.
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Nachfolgend
wird die Precursor-Schicht einer ersten Temperaturbehandlung unterzogen.
Dabei wird sie beispielsweise bei einer Temperatur T1 von vorzugsweise
etwa 200° C
bis 400° C
für etwa
vier Stunden bis acht Stunden in einer neutralen oder geringfügig sauerstoffhaltigen
Atmosphäre
belassen. Hierfür
eignet sich beispielsweise eine reine Stickstoffatmosphäre oder
eine neutrale Atmosphäre,
die einen geringen Sauerstoff-Partialdruck aufweist. Bei dieser
ersten Temperaturbehandlung werden organische Bestandteile der Precursor-Schicht 9 entfernt, wie
in 13 durch die Pfeile 18 angedeutet ist.
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Die
so entstandene Schicht wird nachfolgend, wie in 14 schematisch
dargestellt ist, mit einer zweiten Temperaturbehandlung verdichtet,
um die Isolierschicht 3 herzustellen. Die zweite Temperaturbehandlung
umfasst ein Sintern, das bei einer Temperatur T2 von
vorzugsweise etwa 300° C
bis 500° C
für etwa
vier Stunden bis fünf
Stunden erfolgt. Die zweite Temperaturbehandlung wird vorzugsweise
unter einer reduzierenden oder einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt. Durch
dieses Verfahren lassen sich insbesondere Glasschichten erzeugen.
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Die
so hergestellte Isolierschicht 3 wird nachfolgend mit Ausnehmungen 11, 12 versehen,
um Teilbereiche elektrischer Anschlussflächen 6 oder elektrische
Anschlussbereiche des Trägerkörpers 8 freizulegen,
siehe 15. Nachfolgend wird auf die
isolierende Schicht 3 ein elektrisch leitfähiges Material zur
Ausbildung einer Leiterbahnstruktur 14 aufgebracht, siehe 16.
Auf die elektrische Leiterbahnstruktur 14 wird nachfolgend
optional eine isolierende Deckschicht 15 aufgebracht, was
in 17 veranschaulicht ist.
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Die
Herstellung der Deckschicht 15 kann in analoger Weise wie
die Herstellung der Isolierschicht 3 erfolgen. Sie kann
insbesondere ein Glas aufweisen oder aus einem Glas bestehen. In
diesem Fall werden die vorhergehend anhand der 12 bis 14 beschriebenen
Verfahrensschritte bevorzugt ein erstes Mal durchgeführt, um
eine Isolierschicht 3 zu erzeugen, und nach dem Aufbringen
der Leiterbahnstruktur 14 wiederholt, um die Deckschicht 15 auszubilden.
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Durch
eine mehrfache Wiederholung des Aufbringens einer elektrisch isolierenden
Schicht und einer elektrisch leitfähigen Schicht kann auch eine mehrlagige
Leiterbahnstruktur realisiert werden. Dies ist insbesondere vorteilhaft,
wenn eine komplexe Verschaltung mehrerer elektrischer Bauelemente
auf engem Raum realisiert werden soll.
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Bei
den beschriebenen Verfahren und elektronischen Modulen kann die
isolierende Schicht und/oder die isolierende Deckschicht ein Lumineszenz-Konversionsmaterial
aufweisen. Dieses liegt beispielsweise als mindestens ein Leuchtstoff
in Form eines Pulvers vor. Geeignete Lumineszenz-Konversionsmaterialien sind beispielsweise alle
für die
Anwendung bei LEDs bekannten Konverter.
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Beispiele
für derartige
als Konverter geeignete Leuchtstoffe und Leuchtstoffmischungen sind:
- – Chlorosilikate,
wie beispielsweise in DE 10036940 und
dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart,
- – Orthosilikate,
Sulfide, Thiometalle und Vanadate wie beispielsweise in WO 2000/33390
und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart,
- – Aluminate,
Oxide, Halophosphate, wie beispielsweise in US 6,616,862 und dem dort beschriebenen
Stand der Technik offenbart,
- – Nitride,
Sione und Sialone wie beispielsweise in DE 10147040 und dem dort beschriebenen
Stand der Technik offenbart, und
- – Granate
der Seltenen Erden wie YAG:Ce und der Erdalkalielemente wie beispielsweise
in US 2004-062699 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart.
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Die
Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand
der Ausführungsbeispiele
auf diese beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie der Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen
beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst
nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen
angegeben ist.