JP2002223008A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

Info

Publication number
JP2002223008A
JP2002223008A JP2001319186A JP2001319186A JP2002223008A JP 2002223008 A JP2002223008 A JP 2002223008A JP 2001319186 A JP2001319186 A JP 2001319186A JP 2001319186 A JP2001319186 A JP 2001319186A JP 2002223008 A JP2002223008 A JP 2002223008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light emitting
emitting device
coating
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001319186A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Dr Juestel
ユステル トーマス
Cornelis Reinder Ronda
ラインダー ロンダ コルネリス
Walter Mayr
マイヤー ヴァルター
Peter Schmitt
シュミット ペーター
Volker Ulrich Weiler
ウルリヒ ヴァイラー フォルカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2002223008A publication Critical patent/JP2002223008A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子の耐用年数の向上を図る。 【解決手段】 発光素子１は、発光ダイオード３及び蛍
光層２を具える。発光素子１の耐用年数を延ばすため
に、蛍光層２の蛍光体４は耐水コーティングを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも１個の
発光ダイオード及び蛍光層を設けた発光素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】固体光源、例えば発光ダイオード、特に
半導体ダイオードが従来既知である。半導体ダイオード
の発光は、順方向にバイアスをかけられた半導体のｐｎ
遷移の遷移領域の電子−ホール対（励起子）の再結合に
基づく。半導体のバンドギャップの寸法は、放出された
光の波長を大まかに決定する。
【０００３】可視光を放射する半導体ダイオードは、カ
ラーディスプレイでも使用される。カラーディスプレイ
において、３原色の赤色、緑色及び青色を、赤色発光半
導体ダイオード、緑色発光半導体ダイオード及び青色発
光半導体ダイオードのアレイによって発生させる。しか
しながら、この場合、本物に近いカラー画像描写、特に
画像中の緑色及び青色の真の描写を達成する方法が問題
となる。
【０００４】ＵＶ放射を行う半導体ダイオードの開発に
よって、ダイオードのアドレス指定を行うカラー画像ス
クリーン上における真のカラー画像表示の可能性が増大
している。ＵＶ放射を行う半導体ダイオードとＵＶ放射
を可視光に変換する発光体を組み合わせることによっ
て、半導体ダイオードによる所望の可視光のうちの任意
の色及び白色を表現することができる。そのようなカラ
ーディスプレイは、例えばドイツ国特許番号第１９８０
０９８３号から既知である。この原理は、適切な発光体
を使用する場合には、紫色又は青色光を出射する半導体
ダイオードにも当てはまる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のランプと比較し
た場合における発光半導体ダイオードの主な利点は、高
い安定性及びそれに伴う長い耐用年数である。ダイオー
ドのアドレス指定を行うカラー画像スクリーンの制限要
因は、蛍光層で用いられる蛍光体の安定性である。蛍光
体が周辺雰囲気から完全に分離されないので、水に反応
する蛍光体は、空気からの水分によって加水分解される
おそれがある。比較的安定な蛍光体も、高温及び高湿度
の影響下で加水分解されるおそれがある。蛍光層中の蛍
光体の劣化によって、発光素子の耐用年数が短縮する。
【０００６】本発明の目的は、発光ダイオード及び蛍光
層が設けられた耐用年数が向上した発光素子を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、少なくとも
１個の発光ダイオード及び蛍光層を設け、この蛍光体
が、コーティングを有する少なくとも一つの蛍光体を具
えることを特徴とする発光素子によって達成される。
【０００８】空気中の水分によって生じる劣化は、高密
度の耐水フィルムを有する蛍光体粒子のコーティングに
よって防止される。
【０００９】好適には、前記コーティングを、有機材
料、無機材料及びガラス材料からなる群から選択する。
【００１０】更に好適には、前記有機材料を、ラテック
ス及びポリオルガノシロキサンからなる群から選択す
る。
【００１１】更に好適には、前記ガラス材料を、ホウケ
イ酸塩、ホスホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩からなる群
から選択する。
【００１２】更に好適には、前記無機材料を、酸化物、
ホウ酸塩、リン酸塩及びこれら材料の組合せからなる群
から選択する。
【００１３】これら有機材料、ガラス材料及び無機材料
は、蛍光体粒子に対して肉薄で水に対して不溶性のコー
ティングを形成し、そのコーティングは蛍光体と反応せ
ず、かつ、ＵＶ放射すなわち４１０−４５０ｎｍの波長
を有する放射によって劣化されない。さらに、コーティ
ングは無色であり、したがって、蛍光体の色の値に影響
を及ぼさない。
【００１４】好適例は、前記リン酸塩を、ＭをＡｌ，Ｌ
ａ，Ｓｃ，Ｙ及びＬｕからなる群から選択したオルトリ
ン酸塩ＭＰＯ４、又は、１０１と１０６との間の鎖長ｎ
及びＭをＣａ，Ｓｒ及びＢａから選択した組成（Ｍ
０．５ＰＯ３）を有するポリリン酸塩としたことを特徴
とする。
【００１５】これらリン酸塩は、蛍光体上に高密度の表
面を有する十分に閉ざされた薄膜を形成する。
【００１６】好適には、前記発光体を、酸化発光体、硫
化発光体、アルミン酸発光体、ホウ酸発光体、バナジン
発光体及びケイ酸発光体からなる群から選択する。
【００１７】これら発光体を適切な活性剤と組み合わせ
ることによって、ＵＶ放射又は青色光を、更に長い波長
の可視光に変換する。
【００１８】好適には、前記アルミン酸発光体を、Ｙ３
Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ，（Ｙ，Ｇｄ） ３（Ａｌ，Ｇａ）５
Ｏ１２：Ｃｅ及びＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ
からなる群から選択する。
【００１９】特に、特別なコーティングを有するＹ３Ａ
ｌ５Ｏ１２は、青色光によって励起されると黄色を発す
る蛍光体となる。
【００２０】更に好適には、前記硫化発光体を、Ｓｒ
Ｓ：Ｅｕ，ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ，（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂ
ａ）（Ａｌ，Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ，ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅ
ｕ，（Ｍｇ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ，ＳｒＳ：Ｃｅ，ＣａＳ：
Ｃｅ，ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ及びＣａＳ：Ｃｅ，Ｅｕか
らなる群から選択する。
【００２１】特に、ＳｒＳ：Ｅｕのような硫化物を含む
蛍光体は、以下の反応式に基づいて空気中の水分によっ
て加水分解される。 ＳｒＳ＋２Ｈ２Ｏ→Ｓｒ（ＯＨ）２＋Ｈ２Ｓ したがって、好適には硫化物を有するコーティングによ
って蛍光体が安定化される。
【００２２】更に好適には、前記発光素子が、ＳｉＯ２
及びケイ酸塩のコーティングを有するＳｒＳ：Ｅｕを含
む。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１に示すように、発光素子１
は、最も簡単な場合において、ＵＶ放射又は青色光を発
するダイオード２と、ダイオード３に設けられた蛍光層
２とを具える。本実施の形態では、蛍光層２は、耐水コ
ーティングを行った蛍光体４を有する透明層５を具え
る。透明層５の材料を、例えば、ポリアクリレート(pol
yacrylate)、ポリスチロール(polystyrol)、エポキシ樹
脂(epoxide resin)、ポリプロピレン、ポリカーボネー
ト又は他の一部の重合体とすることができる。
【００２４】大量生産される製品のような発光素子１
は、通常、エポキシ樹脂のレンズが成形されるエポキシ
ハウジング６によって保護される。このレンズは、発光
素子１からの光の案内を向上させる役割を果たす。本実
施の形態では、蛍光層２を透明層５とエポキシハウジン
グ６との間に設けてもよい。蛍光層２を、エポキシハウ
ジング６の外側のコーティングとして設けることもでき
る。これらの場合において、蛍光層２は、コーティング
を設けた蛍光体４を具える蛍光体混合物(phosphor)を含
む。他の実施の形態では、蛍光層２がエポキシ樹脂から
形成され、蛍光体４にコーティングを設ける。本実施の
形態では、蛍光層２はエポキシハウジング６を形成す
る。
【００２５】発光素子が例えば白色光を出射すべき場
合、蛍光層は、赤色を発する蛍光体、青色を発する蛍光
体及び緑色を発する蛍光体の物理的な混合を含む。
【００２６】大型の２次元ディスプレイを、発光ダイオ
ード３のアレイによって容易に製造することができる。
そのような発光ダイオード３のアレイを、蛍光層２によ
って押しつけられたガラスプレートによってカバーする
ことができる。蛍光層２は、三角形に配置した３点パタ
ーンで設けられた赤色発光体、緑色発光体及び青色発光
体を具える。
【００２７】ＵＶを出射するダイオード３は、例えば、
ＩＮＧａＮ又はＧａＮを含む。このＵＶを出射するダイ
オード３は、半値幅ＦＷＨＭ＜５０ｎｍである３７０ｎ
ｍと４１０ｎｍの間の最大発光(emission maximun)を有
する。４１０ｎｍと４５０ｎｍの間の波長を有する青色
光を出射するダイオード３は、例えば、ＩｎＧａＮ／Ａ
ｌＧａＮ構造を有する。ＵＶ又は青色光を出射するダイ
オード３に電気的なエネルギーを供給する手段を、発光
を維持するために設ける。その手段は、少なくとも２個
の電極を有する。
【００２８】蛍光層２で使用される蛍光体を、例えば、
酸化蛍光体、硫化蛍光体、アルミン酸蛍光体、ほう酸蛍
光体、バナジン酸蛍光体又は珪酸蛍光体とする。特に、
以下の蛍光体が使用される：Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ，
（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ，ＢａＭ
ｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ，Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｂ
ｉ，ＹＶＯ４：Ｅｕ，Ｂｉ，ＹＶＯ４：Ｅｕ，Ｂｉ，Ｙ
ＢＯ３：Ｃｅ，Ｔｂ，（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅ
ｕ，Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ，Ｓｒ２ＣｅＯ ４：Ｅ
ｕ，ＳｒＳ：Ｅｕ，ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ，（Ｓｒ，Ｃ
ａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ，ＳｒＹ
２Ｓ４：Ｅｕ，（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，（Ｍｇ，Ｃ
ａ）Ｓ：Ｅｕ，ＳｒＳ：Ｃｅ，ＣａＳ：Ｃｅ，ＣａＬａ
２Ｓ４：Ｃｅ又はＣａＳ：Ｃｅ，Ｅｕ。
【００２９】蛍光体４の粒子は、肉薄で平坦な耐水層に
よって被覆される。対数コーティングの層の厚さは、通
常、０．００１−０．２μｍであり、したがって、非常
に薄いので、光子が、エネルギーをほとんど損失するこ
となく層を通過することができる。
【００３０】コーティングの形成は、コーティング材料
に応じて種々の方法に従う。
【００３１】蛍光体をラテックスで被覆するために、ラ
テックスを有機溶媒で溶解する。その後、蛍光体４がこ
の溶媒中で懸濁(suspend)される。ラテックスは、ラテ
ックスが溶解しない溶媒を加えることによって、蛍光体
２の粒子に沈殿(precipitate)される。コーティングさ
れた蛍光体を濾過及び乾燥した後、ラテックスは高温で
溶融(fuse)される。
【００３２】ポリシロキサンを含むコーティングは、ポ
リシロキサンを蛍光体４に直接混合することによって得
られる。代わりに、ポリシロキサンを有機溶媒に溶融
し、その後、蛍光体４をこの溶媒に懸濁させることもで
きる。溶媒の蒸発後、蛍光体４の粒子に接着するポリシ
ロキサンを、過熱、触媒又はラディカルな開始(radical
initiation)によって交差結合させる。
【００３３】ホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩(phosphosi
licate)又はアルカリケイ酸塩からガラスタイプのコー
ティングを製造するために、例えば珪酸カリウム又は珪
酸ナトリウムの珪酸塩のコロイド溶液を、水酸化アンモ
ニウム溶媒に加える。蛍光体４を加えた後、結果的に得
られる混合物を強力にかき混ぜる。コーティングを有す
る蛍光体４を濾過して取り出すとともに、１００℃で乾
燥する。
【００３４】所定の場合には、珪酸塩に加えてＳｉＯ２
を含むのがコーティングに有利である。そのようなコー
ティングを製造するためには、ホウケイ酸塩、ホスホケ
イ酸塩又はアルカリケイ酸塩のコロイド溶液を水酸化ア
ンモニウム溶液に加える。蛍光体４を加えた後、エタノ
ール中のテトラエチルオルトケイ酸塩(tetraethyl orth
osilicate)の溶液を混合物に加え、結果的に得られた混
合物を強力にかき混ぜる。コーティングを有する蛍光体
４は、取り出されるとともに１００℃で乾燥される。
【００３５】安定性を増大させるために、第２のコーテ
ィング層を設けることができる。このために、既に説明
したように、ホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩又はアルカ
リケイ酸塩のコロイド溶液を水酸化アンモニウム溶液に
加える。先ず、既にコーティングを設けた蛍光体４をこ
の混合物に加え、その後、エタノール中のテトラエチル
オルトケイ酸塩(tetraethyl orthosilicate)の溶液を加
える。強力にかき混ぜた後、二重コーティングした蛍光
体４を取り出すとともに１００℃で乾燥する。
【００３６】無機材料のコーティングを形成するため
に、所望のコーティング材料、例えば、酸化物、ホウ酸
塩、リン酸塩又はこれらコーティング材料の組合せを含
む懸濁液を作る。
【００３７】代わりに、懸濁液は、本発明によるコーテ
ィング材料の前駆物質も含み、それは、その後、熱処理
によって所望の粒子に転化される。したがって、例え
ば、Ｍｇ（ＯＨ）２を含む懸濁液は、先ず、蛍光体４の
粒子の上に設けられ、その後、ＭｇＯの層に熱的に転化
される。
【００３８】ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２のような酸
化物を含むコーティングに使用される開始化合物を、水
溶性の金属塩、特に、水溶性の硝酸塩、酢酸塩、又はク
エン酸塩とする。これら金属塩の一つ以上が、コーティ
ング溶液を作る間に水中で溶解され、ｐＨ値が７に調整
される。被覆すべき蛍光体４はこの溶液中で拡散する。
このようにして得られた蛍光体４の水性懸濁液は、懸濁
液のｐＨ値が９．５まで上昇するとともに酸化物又は水
酸化物が蛍光体粒子に沈殿するまで、かき混ぜながらア
ンモニアを含む雰囲気に接触し続ける。コーティングを
有する蛍光体４が取り除かれ及び乾燥される。蛍光体が
水酸化物で被覆された場合、それは、段階的に上昇する
温度で焼成されて、水酸化物が、対応する酸化物に転化
される。
【００３９】蛍光体４をＳｉＯ２で被覆するために、好
適には、単量体の加水分解可能な無水ケイ酸、例えば、
テトラエチルオルトケイ酸を最初に調合する。蛍光体４
を加えた後、結果的に得られる混合物を強力にかき混
ぜ、その後、溶媒、例えばエタノールを除去する。コー
ティングを有する蛍光体４は、高密度のＳｉＯ２のコー
ティングを得るために８０℃の水蒸気で飽和した雰囲気
に露出する。
【００４０】加水分解可能な無水ケイ酸を予め既に部分
的に凝縮してもよい。このために、単量体の無水ケイ酸
を、希薄ＨＣｌの触媒量に混合し、還流下で２４時間加
熱する。その後、溶媒を、予め凝縮された無水ケイ酸を
含むことなく、蒸留によって除去する。
【００４１】正リン酸塩を含むコーティングに対して用
いられる開始化合物を、組成ＭＸ３・Ｈ２Ｏを有する可
溶性金属塩とする。この場合、Ｍは、金属Ａｌ，Ｓｃ，
Ｙ，Ｌｕ及びＬａのうちの一つを表し、Ｘは、陰イオン
ＣＨ３ＣＯＯ−，ＲＯ−，ＮＯ３ −，Ｃｌ−，ＣＨ３Ｃ
ＯＣＨ＝Ｃ（Ｏ−）ＣＨ３及びーＯＯＣＣＨ２ＣＨ（Ｏ
Ｈ）（ＣＯＯ−）ＣＨ２ＣＯＯ−のうちの一つ以上を表
し、ｙは、零以上の数を表す。溶媒としては一般に水が
用いられる。
【００４２】リン酸、好適には８５％リン酸及び尿素を
この溶液に加える。結果的に得られる溶液を好適には薄
膜ナイロンフィルタによって濾過した後、蛍光体４を加
える。懸濁液を、そのｐＨ値が７になるまでかき混ぜな
がら加熱する。室温まで冷却した後、コーティング４を
有する蛍光体４は、取り出され、すすがれ、かつ、乾燥
される。
【００４３】ポリリン酸塩から構成したコーティングを
形成するために、ポリリン酸塩の水溶液を、被覆すべき
蛍光体４の懸濁液に加える。ポリリン酸塩は、組成（Ｍ
０． ５ＰＯ３）ｎを有し、この場合、Ｍを、Ｃａ，Ｓｒ
及びＢａの群から選択し、鎖長ｎは１０１と１０６の間
にある。Ｃａ，Ｓｒ又はＢａの水溶性の塩の水溶液を、
この懸濁液に加える。懸濁液のｐＨ値は、アンモニア又
はナトリウムの苛性アルカリ溶液を加えることによっ
て、アルカリ領域に保持される。コーティングを有する
蛍光体４は、取り出され、すすがれ、かつ、乾燥され
る。
【００４４】ほう酸塩から構成したコーティングを形成
するために、ほう酸エステルのアルコール溶液に、被覆
すべき蛍光体４の懸濁液を加え、そのエステルは、一般
式Ｈ ｎ−２ＢｎＯ２ｎ−１を有する多ほう酸(polyboric
acid)から得られる。この場合、ｎ≦３である。結果的
に得られる反応混合物は、２−２４時間室温でかき混ぜ
られ、コーティングを有する蛍光体４が取り出され、か
つ、乾燥される。
【００４５】本発明の実施例を、以下で詳細に説明す
る。
【００４６】実施例１ 先ず、４０．０ｍｌ無水エタノール中のテトラエチルオ
ルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）３０．０ｇを、０．１Ｍ Ｈ
Ｃｌ０．８６４ｍｌに混合する。結果的に得られる反応
混合物は、還流下で２４時間加熱される。その後、凝縮
が行われなかったＴＥＯＳ及びエタノールが、蒸留によ
って除去される。
【００４７】ＳｒＳ：Ｅｕ１０ｇを、無水エタノール５
０．０ｍｌで懸濁する。予め凝縮されたＴＥＯＳをこの
懸濁に加え、結果的に得られる混合物を１５分間かき混
ぜる。真空における溶媒の蒸留後、結果的に得られるＴ
ＥＯＳを被覆したＳｒＳ：Ｅｕを、８０℃の温度の水蒸
気を含む空気に露出する。ＳｉＯ２のコーティングの膜
厚を１００ｎｍとする。
【００４８】表１は、１００ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ
２の層によるＳｒＳ：Ｅｕの蛍光体粒子のコーティング
によって量子効率がほとんど減少しないことを示す。
【００４９】表１：ＳｉＯ２を被覆したＳｒＳ：Ｅｕ及
びＳｒＳ：Ｅｕの量子効率（Ｑ．Ｅ．）、吸収（Ａｂ
ｓ．）及び表面組成
【表１】
【００５０】次に、青色光を発するダイオード３及びＳ
ｉＯ２を被覆したＳｒＳ：Ｅｕを含む蛍光層２を有する
発光素子１を製造する。このために、ＩｎＧａＮ／Ａｌ
ＧａＮダイオード３を、ポリアクリレートの透明層５に
よって包囲する。透明層５は、蛍光体４としてＳｉＯ２
を被覆したＳｒＳ：Ｅｕを更に含む。その後、発光素子
１はエポキシハウジング６によって保護される。
【００５１】実施例２ アンモニア２５０ｇを水７５０ｇに混合し、（１５重量
％の）コロイド状のケイ酸カリウム溶液２５ｇをこの混
合物に加える。その後、ＳｒＳ：Ｅｕを加え、結果的に
得られる懸濁液を強力にかき混ぜる。エタノール７５０
ｍｌ中のテトラエチルオルトケイ酸塩１０ｍｌの溶液
を、１５分未満の期間に亘って懸濁液に滴下する。結果
的に得られる反応混合物は、室温で９０分間かき混ぜら
れる。被覆されたＳｒＳ：Ｅｕが取り出され、１００℃
で乾燥される。被覆された蛍光体は、水７５０ｇ中のア
ンモニア２５０ｇ及びコロイド上のケイ酸カリウム２５
ｇの混合物中で再び懸濁される。エタノール１リットル
と、エタノール５００ｍｌ中のテトラエチルオルトケイ
酸１０ｍｌとの混合物を、この懸濁液に滴下する。結果
的に得られる反応混合物を、室温で６０分間かき混ぜ
る。ケイ酸カリウムのコーティングを有するＳｒＳ：Ｅ
ｕが取り出され、１００℃で乾燥される。
【００５２】次いで、青色光を発するダイオード３及び
ケイ酸カリウムを被覆したＳｒＳ：Ｅｕを含む蛍光層２
を有する発光素子１を製造する。このために、ＩｎＧａ
Ｎ／ＡｌＧａＮダイオード３は、ポリアクリレートの透
明層５によって包囲される。蛍光体４が透明層５の上に
設けられると、ケイ酸カリウムを被覆したＳｒＳ：Ｅｕ
を含む蛍光層２が設けられる。その後、発光素子１は、
エポキシハウジング６によって保護される。
【００５３】実施例３ Ａｌ（ＮＯ３）３・９Ｈ２Ｏ４．４５ｇを、純水１．２
５リットル中に溶解する。８５％Ｈ３ＰＯ４１．３７ｇ
及び尿素３６．０４ｇをこの溶液に加える。結果的に得
られる混合物を膜厚０．２μｍのナイロンフィルタに濾
過した後、ＳｒＧａ２Ｓ４を加える。懸濁液を、溶液の
ｐＨ値が７になるまで９０℃でかき混ぜる。懸濁液を室
温まで冷却することができ、ＡｌＰＯ４を被覆した蛍光
体ＳｒＧａ２Ｓ４を取り出し、純水で数回洗浄し、か
つ、１００℃で１時間加熱する。
【００５４】次いで、青色光を発するダイオード３及び
ＡｌＰＯ４を被覆したＳｒＧａ２Ｏ ４を含む蛍光層２を
有する発光素子１を製造する。このために、ＩｎＧａＮ
／ＡｌＧａＮダイオード３を、ポリアクリレートの透明
層５によって包囲する。透明層５は、蛍光体４としての
ＡｌＰＯ４を被覆したＳｒＧａ２Ｓ４を更に含む。その
後、発光素子１はエポキシハウジング６によって保護さ
れる。
【００５５】実施例４ （３．９モルの）Ｍｇ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ１．０ｇ
を、水５０ｍｌ中に溶解する。Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２を水５
０ｍｌ中で懸濁し、窒化マグネシウム溶液をこの懸濁液
に加える。７．５のｐＨ値を有する結果的に得られた懸
濁液を強力にかき混ぜる。懸濁液のｐＨ値は、濃縮アン
モニア溶液によってｐＨ９．１まで上昇し、その結果、
Ｍｇ（ＯＨ）２が沈殿し始める。強力に２時間かき混ぜ
た後、コーティングが施された蛍光体が取り出され、８
０℃で乾燥され、最終的には２５０℃で２時間焼成され
る。
【００５６】青色光を発するダイオード３及びＭｇＯを
被覆したＹ３Ａｌ５Ｏ１２を含む蛍光層２を有する発光
素子１を製造する。このために、このために、ＩｎＧａ
Ｎ／ＡｌＧａＮダイオード３を、ポリアクリレートの透
明層５によって包囲する。透明層５は、蛍光体４として
のＭｇＯを被覆したＹ３Ａｌ５Ｏ１２を更に含む。その
後、発光素子１はエポキシハウジング６によって保護さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 発光素子を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＭ Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＭ ＣＰＰ ＣＰＰ 11/84 11/84 // Ｃ０３Ｂ 8/02 Ｃ０３Ｂ 8/02 Ａ (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 コルネリス ラインダー ロンダ ドイツ国 52072 アーヘン シェナウア ー フリーデ 81 (72)発明者 ヴァルター マイヤー ドイツ国 52477 アルスドルフ ザール シュトラーセ 115 (72)発明者 ペーター シュミット ドイツ国 52064 アーヘン ズュートシ ュトラーセ 62 (72)発明者 フォルカー ウルリヒ ヴァイラー ドイツ国 52066 アーヘン ビスマルク シュトラーセ 176 Ｆターム(参考） 4G014 AH02 AH06 4H001 CC02 CC05 CC09 CC11 CC12 CC13 XA05 XA08 XA12 XA13 XA14 XA16 XA20 XA23 XA31 XA38 XA39 XA56 XA57 XA64 YA25 YA58 YA63 5F041 AA11 AA44 CA40 DA46 DA57 DA58 EE25

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１個の発光ダイオード及び蛍
    光層を設け、この蛍光体が、コーティングを有する少な
    くとも一つの蛍光体を具えることを特徴とする発光素
    子。
  2. 【請求項２】 前記コーティングを、有機材料、無機材
    料及びガラス材料からなる群から選択したことを特徴と
    する請求項１記載の発光素子。
  3. 【請求項３】 前記有機材料を、ラテックス及びポリオ
    ルガノシロキサンからなる群から選択したことを特徴と
    する請求項２記載の発光素子。
  4. 【請求項４】 前記ガラス材料を、ホウケイ酸塩、ホス
    ホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩からなる群から選択した
    ことを特徴とする請求項２記載の発光素子。
  5. 【請求項５】 前記無機材料を、酸化物、ホウ酸塩、リ
    ン酸塩及びこれら材料の組合せからなる群から選択した
    ことを特徴とする請求項２記載の発光素子。
  6. 【請求項６】 前記リン酸塩を、ＭをＡｌ，Ｌａ，Ｓ
    ｃ，Ｙ及びＬｕからなる群から選択したオルトリン酸塩
    ＭＰＯ４、又は、１０１と１０６との間の鎖長ｎ及びＭ
    をＣａ，Ｓｒ及びＢａから選択した組成（Ｍ０．５ＰＯ
    ３）を有するポリリン酸塩としたことを特徴とする請求
    項５記載の発光素子。
  7. 【請求項７】 前記発光体を、酸化発光体、硫化発光
    体、アルミン酸発光体、ホウ酸発光体、バナジン発光体
    及びケイ酸発光体からなる群から選択したことを特徴と
    する請求項１記載の発光素子。
  8. 【請求項８】 前記アルミン酸発光体を、Ｙ３Ａｌ５Ｏ
    １２：Ｃｅ，（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：
    Ｃｅ及びＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎからなる
    群から選択したことを特徴とする請求項７記載の発光素
    子。
  9. 【請求項９】 前記硫化発光体を、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｒ
    Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ，（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇ
    ａ）２Ｓ４：Ｅｕ，ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ，（Ｍｇ，Ｃ
    ａ）Ｓ：Ｅｕ，ＳｒＳ：Ｃｅ，ＣａＳ：Ｃｅ，ＣａＬａ
    ２Ｓ４：Ｃｅ及びＣａＳ：Ｃｅ，Ｅｕからなる群から選
    択したことを特徴とする請求項７記載の発光素子。
  10. 【請求項１０】 前記発光素子が、ＳｉＯ２及びケイ酸
    塩のコーティングを有するＳｒＳ：Ｅｕを含むことを特
    徴とする請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の
    発光素子。
JP2001319186A 2000-10-17 2001-10-17 発光素子 Pending JP2002223008A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10051242:9 2000-10-17
DE10051242A DE10051242A1 (de) 2000-10-17 2000-10-17 Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002223008A true JP2002223008A (ja) 2002-08-09

Family

ID=7659966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001319186A Pending JP2002223008A (ja) 2000-10-17 2001-10-17 発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7202598B2 (ja)
EP (1) EP1199757A3 (ja)
JP (1) JP2002223008A (ja)
CN (1) CN1255883C (ja)
DE (1) DE10051242A1 (ja)
TW (1) TWI254958B (ja)

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2004161807A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系蛍光体および発光装置
JP2004253747A (ja) * 2002-02-27 2004-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2005303289A (ja) * 2004-02-23 2005-10-27 Lumileds Lighting Us Llc 燐光体変換型発光デバイス
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP2006052345A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Rohm Co Ltd 発光色変換部材およびそれを用いた半導体発光装置
JP2006054313A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JPWO2004056940A1 (ja) * 2002-12-20 2006-04-20 豊田合成株式会社 発光体およびこれを用いた光デバイス
JP2006520836A (ja) * 2003-03-17 2006-09-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 放射源及び蛍光物質を有する照明システム
JP2006269938A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2006335873A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体
WO2007020798A1 (ja) * 2005-08-18 2007-02-22 Sumitomo Chemical Company, Limited 蛍光体粒子、蛍光体ペースト及び発光素子
US7227190B2 (en) 2002-09-30 2007-06-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. White light emitting device
WO2007091687A1 (ja) 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
JP2007308537A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
JP2008007779A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに発光ダイオード
WO2008018548A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
WO2008023746A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
WO2008032812A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
WO2008132954A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、並びに窒素含有化合物
WO2008133077A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
WO2009005035A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、並びに発光装置
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP2009102524A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Nichia Corp 蛍光体及びそれを用いた蛍光ランプ
WO2009063915A1 (ja) 2007-11-12 2009-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation 照明装置
JP2009132902A (ja) * 2007-11-08 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及びその製造方法並びに該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
JP2009141374A (ja) * 2003-12-05 2009-06-25 Toshiba Corp 発光装置
WO2009119841A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置
JP2010007085A (ja) * 2005-08-23 2010-01-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 複合蛍光体粉末、及びこれを用いた発光装置並びに複合蛍光体粉末の製造方法
WO2010114061A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2010229363A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Econet Engineering:Kk 耐水性蓄光材及び蛍光材、その製造方法、これらを用いた塗料組成物及びインキ組成物
JP2011017024A (ja) * 2010-09-27 2011-01-27 Toshiba Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2011040779A (ja) * 2010-10-12 2011-02-24 Nichia Corp 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2011216907A (ja) * 2002-09-02 2011-10-27 Samsung Led Co Ltd 発光ダイオード
US8138666B2 (en) 2006-06-02 2012-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion member and light-emitting device
WO2012077656A1 (ja) 2010-12-09 2012-06-14 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
KR101229832B1 (ko) 2009-08-26 2013-02-04 서울옵토디바이스주식회사 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
JP2013505346A (ja) * 2009-09-23 2013-02-14 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料
JP2013525259A (ja) * 2010-05-07 2013-06-20 オスラム ゲーエムベーハー アルカリ不含及びハロゲン不含の金属リン酸塩を含むオプトエレクトロニク半導体デバイス
JP2014141684A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体の表面処理方法
JP2014519540A (ja) * 2011-06-03 2014-08-14 クリー インコーポレイテッド 被覆燐光体及びこれ含む発光デバイス
JP2015515118A (ja) * 2012-02-16 2015-05-21 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 半導体ｌｅｄ用のコーティングされた狭帯域赤色発光フルオロケイ酸塩
US9166119B2 (en) 2011-04-05 2015-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Light-emitting device
KR20160114640A (ko) 2014-03-27 2016-10-05 미쓰이금속광업주식회사 형광체 및 그 용도
WO2017078015A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 宇部興産株式会社 被覆ケイ酸塩蛍光体及びその製造方法並びに白色ｌｅｄ装置
JP2020073655A (ja) * 2013-02-25 2020-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． コーティングされた発光粒子、発光変換素子、光源、照明機器、およびコーティングされた発光粒子を製造する方法
US10899965B2 (en) 2015-03-30 2021-01-26 Nichia Corporation Fluorescent material particles, method for producing the same, and light emitting device
JP2021061416A (ja) * 2017-02-02 2021-04-15 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734466B2 (en) 2002-03-05 2004-05-11 Agilent Technologies, Inc. Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler
DE60330892D1 (de) * 2002-11-08 2010-02-25 Nichia Corp Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
DE10307281A1 (de) 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10329081A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005068169A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sumitomo Chemical Co Ltd Ｅｕ付活蛍光体
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US20070040502A1 (en) * 2004-04-20 2007-02-22 Gelcore Llc High CRI LED lamps utilizing single phosphor
US7701124B2 (en) * 2004-04-23 2010-04-20 Harvatek Corporation White light-emitting device having a cap layer formed from a mixture of silicon and a phosphor blend
US7737635B2 (en) * 2004-05-28 2010-06-15 Harvatek Corporation High efficiency white light emitting diode and method for manufacturing the same
WO2005124878A1 (ja) * 2004-06-22 2005-12-29 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光ダイオード及びその製造方法
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
CN100385690C (zh) * 2004-07-08 2008-04-30 光宝科技股份有限公司 可调整色温的白光发光方法
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
JP2006188700A (ja) * 2005-01-03 2006-07-20 Samsung Electro Mech Co Ltd 硫化物系蛍光体の被膜形成方法及び表面コーティング硫化物系蛍光体
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP2006307083A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 青色励起黄色蛍光体及びそれを用いた白色発光素子
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
WO2007023410A2 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Formation of solid carbon dioxide objects
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 照明装置
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
WO2007125453A2 (en) * 2006-04-27 2007-11-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US8084855B2 (en) 2006-08-23 2011-12-27 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit tampering protection and reverse engineering prevention coatings and methods
US8581108B1 (en) 2006-08-23 2013-11-12 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated integrated circuit assemblies
US8166645B2 (en) 2006-08-23 2012-05-01 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated, thermally protected integrated circuit assemblies
US8076185B1 (en) 2006-08-23 2011-12-13 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit protection and ruggedization coatings and methods
US8637980B1 (en) 2007-12-18 2014-01-28 Rockwell Collins, Inc. Adhesive applications using alkali silicate glass for electronics
US8617913B2 (en) 2006-08-23 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
US7915527B1 (en) 2006-08-23 2011-03-29 Rockwell Collins, Inc. Hermetic seal and hermetic connector reinforcement and repair with low temperature glass coatings
JP2008115223A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Nec Lighting Ltd 蛍光体含有ガラスシート、その製造方法及び発光装置
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
EP2111651A4 (en) * 2007-02-13 2011-08-17 3M Innovative Properties Co LED DEVICES HAVING ASSOCIATED LENSES AND METHODS OF MANUFACTURE
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
EP2123735A4 (en) * 2007-03-09 2010-07-28 Toshiba Kk SURFACE TREATMENT PROCESS FOR PHOSPHORES AND METHOD FOR PRODUCING A FLAT DISPLAY
JP4266234B2 (ja) * 2007-03-29 2009-05-20 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
KR101414243B1 (ko) * 2007-03-30 2014-07-14 서울반도체 주식회사 황화물 형광체 코팅 방법 및 코팅된 황화물 형광체를채택한 발광 소자
JP2008274028A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 蛍光体材料、発光部材および画像形成装置
TW200903851A (en) * 2007-07-10 2009-01-16 Univ Nat Central Phosphor package of light emitting diodes
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
JP5262545B2 (ja) * 2007-10-29 2013-08-14 日立電線株式会社 窒化物半導体自立基板及びそれを用いたデバイス
DE102007056342A1 (de) * 2007-11-22 2009-05-28 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Konversionsleuchtstoffe
KR200440554Y1 (ko) * 2007-11-27 2008-06-17 광성전기산업(주) 벌브형 교류 전원용 발광 다이오드 램프
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8363189B2 (en) * 2007-12-18 2013-01-29 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass for displays
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US9638807B2 (en) 2008-08-07 2017-05-02 Koninklijke Philips N.V. Scintillating material and related spectral filter
WO2010015955A2 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Scintillating material and related spectral filter
US8119040B2 (en) 2008-09-29 2012-02-21 Rockwell Collins, Inc. Glass thick film embedded passive material
WO2010036383A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Rockwell Collins, Inc. Applications and methods for alkali silicate glass
US20100111800A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Westinghouse Electric Company Llc PRODUCTION OF NUCLEAR GRADE ENRICHED GADOLINIUM AND ERBIUM USING VOLATILE Gd OR Er SPECIES USING AN AERODYNAMIC PROCESS
DE102009049056A1 (de) 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
KR101186648B1 (ko) 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조 방법
CN102725872A (zh) * 2010-03-10 2012-10-10 松下电器产业株式会社 Led包封树脂体，led装置和led装置的制造方法
KR101021030B1 (ko) * 2010-03-25 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 코팅방법, 발광장치 제조방법 및 코팅된 형광체
US8593062B2 (en) 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
JP2012230968A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Hitachi Chem Co Ltd 封止材シート及び太陽電池モジュール
US8663501B2 (en) 2011-06-29 2014-03-04 General Electric Company Green emitting phosphor
CN104205376B (zh) * 2012-02-03 2018-04-27 沙特基础全球技术有限公司 发光二极管器件及用于生产其的包括转换材料化学的方法
KR102139777B1 (ko) * 2012-03-29 2020-08-03 루미리즈 홀딩 비.브이. Led 응용들을 위한 무기 바인더 내의 형광체
US9435915B1 (en) 2012-09-28 2016-09-06 Rockwell Collins, Inc. Antiglare treatment for glass
EP2915865B1 (en) 2012-10-31 2017-06-28 Ocean's King Lighting Science&Technology Co., Ltd. Sulfur oxide luminescent material and preparation method therefor
CN104509526B (zh) * 2014-12-19 2017-02-01 鹤山市顺鑫实业有限公司 一种高光效的led驱蚊灯
US10113111B2 (en) 2015-02-06 2018-10-30 Dow Silicones Corporation Treated fillers and uses thereof
RU2664143C2 (ru) * 2016-03-21 2018-08-15 Закрытое Акционерное Общество "Научно-производственная фирма "Люминофор" Способ нанесения защитной пленки на поверхность частиц люминофора
WO2018080936A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-03 Intematix Corporation Coated narrow band green phosphor
JP6932679B2 (ja) * 2017-11-30 2021-09-08 デクセリアルズ株式会社 被覆蛍光体、その製造方法、並びに、蛍光体シート、及び発光装置
WO2019107080A1 (ja) 2017-11-30 2019-06-06 デクセリアルズ株式会社 被覆蛍光体、その製造方法、並びに、蛍光体シート、及び発光装置
DE102018125754A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoff und Verfahren zum Verbessern der Langzeitstabilität eines Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoffes
CN110684418A (zh) * 2019-10-30 2020-01-14 苏州大乘环保新材有限公司 防潮型水性夜光涂料
CN113061433A (zh) * 2021-03-17 2021-07-02 黄石 一种荧光体材料的制造方法及照明设备
CN113444520B (zh) * 2021-06-25 2022-03-25 佛山安亿纳米材料有限公司 具有包覆层的硫化物荧光体及制备具有包覆层的硫化物荧光体的磁控溅射法
CN113403064A (zh) * 2021-06-25 2021-09-17 佛山安亿纳米材料有限公司 耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
JP2838735B2 (ja) * 1991-07-05 1998-12-16 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
WO1998037165A1 (en) * 1997-02-24 1998-08-27 Superior Micropowders Llc Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
DE19800983A1 (de) * 1997-03-04 1998-12-17 Philips Patentverwaltung Diodenadressiertes Farbdisplay mit Lanthanoidphosphoren
US5877589A (en) * 1997-03-18 1999-03-02 International Business Machines Corporation Gas discharge devices including matrix materials with ionizable gas filled sealed cavities
US6322901B1 (en) * 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP2000212554A (ja) * 1998-11-20 2000-08-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 蛍光変換媒体及びそれを用いた表示装置
GB9911781D0 (en) * 1999-05-20 1999-07-21 Isis Innovations Ltd Process for preparing phosphor particles
JP3988309B2 (ja) * 1999-01-14 2007-10-10 ソニー株式会社 蛍光体及びその製造方法

Cited By (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2004253747A (ja) * 2002-02-27 2004-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2011216907A (ja) * 2002-09-02 2011-10-27 Samsung Led Co Ltd 発光ダイオード
US8399944B2 (en) 2002-09-02 2013-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US8536604B2 (en) 2002-09-02 2013-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US8952389B2 (en) 2002-09-02 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US9887315B2 (en) 2002-09-02 2018-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US7227190B2 (en) 2002-09-30 2007-06-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. White light emitting device
JP2004161807A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系蛍光体および発光装置
JP4529349B2 (ja) * 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
JPWO2004056940A1 (ja) * 2002-12-20 2006-04-20 豊田合成株式会社 発光体およびこれを用いた光デバイス
US7828993B2 (en) 2002-12-20 2010-11-09 Tovoda Gosei Co.. Ltd. Phosphor and optical device using same
JP2006520836A (ja) * 2003-03-17 2006-09-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 放射源及び蛍光物質を有する照明システム
JP2009141374A (ja) * 2003-12-05 2009-06-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2005303289A (ja) * 2004-02-23 2005-10-27 Lumileds Lighting Us Llc 燐光体変換型発光デバイス
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
JP2006054313A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4516378B2 (ja) * 2004-08-13 2010-08-04 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2006052345A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Rohm Co Ltd 発光色変換部材およびそれを用いた半導体発光装置
JP2006269938A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2006335873A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体
JP4528947B2 (ja) * 2005-06-02 2010-08-25 独立行政法人産業技術総合研究所 無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体
WO2007020798A1 (ja) * 2005-08-18 2007-02-22 Sumitomo Chemical Company, Limited 蛍光体粒子、蛍光体ペースト及び発光素子
US7832312B2 (en) 2005-08-23 2010-11-16 Samsung Led Co., Ltd. Composite phosphor powder, light emitting device using the same and method for manufacturing composite phosphor powder
US8012792B2 (en) 2005-08-23 2011-09-06 Samsung Led Co., Ltd. Composite phosphor powder, light emitting device using the same and method for manufacturing composite phoshpor powder
JP2010007085A (ja) * 2005-08-23 2010-01-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 複合蛍光体粉末、及びこれを用いた発光装置並びに複合蛍光体粉末の製造方法
WO2007091687A1 (ja) 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
JP2007308537A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
US8138666B2 (en) 2006-06-02 2012-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion member and light-emitting device
US8187498B2 (en) 2006-06-28 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting diode
US8262936B2 (en) 2006-06-28 2012-09-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting diode
JP2008007779A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに発光ダイオード
WO2008018548A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
WO2008023746A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
WO2008032812A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
WO2008132954A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、並びに窒素含有化合物
WO2008133077A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
WO2009005035A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、並びに発光装置
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP2009102524A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Nichia Corp 蛍光体及びそれを用いた蛍光ランプ
JP2013091801A (ja) * 2007-11-08 2013-05-16 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及び該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
JP2009132902A (ja) * 2007-11-08 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及びその製造方法並びに該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
WO2009063915A1 (ja) 2007-11-12 2009-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation 照明装置
WO2009119841A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
JP2010229363A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Econet Engineering:Kk 耐水性蓄光材及び蛍光材、その製造方法、これらを用いた塗料組成物及びインキ組成物
WO2010114061A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
KR101229832B1 (ko) 2009-08-26 2013-02-04 서울옵토디바이스주식회사 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
US9543481B2 (en) 2009-09-23 2017-01-10 Nanoco Technologies Ltd. Semiconductor nanoparticle-based materials
JP2013505346A (ja) * 2009-09-23 2013-02-14 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料
US8847197B2 (en) 2009-09-23 2014-09-30 Nanoco Technologies Ltd. Semiconductor nanoparticle-based materials
JP2013525259A (ja) * 2010-05-07 2013-06-20 オスラム ゲーエムベーハー アルカリ不含及びハロゲン不含の金属リン酸塩を含むオプトエレクトロニク半導体デバイス
US8772821B2 (en) 2010-05-07 2014-07-08 Osram Gmbh Optoelectronic semiconductor part containing alkali-free and halogen-free metal phosphate
JP2011017024A (ja) * 2010-09-27 2011-01-27 Toshiba Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2011040779A (ja) * 2010-10-12 2011-02-24 Nichia Corp 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
WO2012077656A1 (ja) 2010-12-09 2012-06-14 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
JP5466771B2 (ja) * 2010-12-09 2014-04-09 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
US9312454B2 (en) 2010-12-09 2016-04-12 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Sulfur-containing phosphor coated with ZnO compound
US9166119B2 (en) 2011-04-05 2015-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Light-emitting device
JP2014519540A (ja) * 2011-06-03 2014-08-14 クリー インコーポレイテッド 被覆燐光体及びこれ含む発光デバイス
US9580643B2 (en) 2012-02-16 2017-02-28 Koninklijke Philips N.V. Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor LEDS
JP2015515118A (ja) * 2012-02-16 2015-05-21 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 半導体ｌｅｄ用のコーティングされた狭帯域赤色発光フルオロケイ酸塩
JP2014141684A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体の表面処理方法
JP2020073655A (ja) * 2013-02-25 2020-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． コーティングされた発光粒子、発光変換素子、光源、照明機器、およびコーティングされた発光粒子を製造する方法
KR20160114640A (ko) 2014-03-27 2016-10-05 미쓰이금속광업주식회사 형광체 및 그 용도
US10550321B2 (en) 2014-03-27 2020-02-04 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Phosphor and use thereof
US10899965B2 (en) 2015-03-30 2021-01-26 Nichia Corporation Fluorescent material particles, method for producing the same, and light emitting device
WO2017078015A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 宇部興産株式会社 被覆ケイ酸塩蛍光体及びその製造方法並びに白色ｌｅｄ装置
JP2021061416A (ja) * 2017-02-02 2021-04-15 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP7164586B2 (ja) 2017-02-02 2022-11-01 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
US11626546B2 (en) 2017-02-02 2023-04-11 Citizen Electronics Co., Ltd. LED package and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1255883C (zh) 2006-05-10
US7202598B2 (en) 2007-04-10
CN1349262A (zh) 2002-05-15
EP1199757A2 (de) 2002-04-24
DE10051242A1 (de) 2002-04-25
US20020105266A1 (en) 2002-08-08
TWI254958B (en) 2006-05-11
EP1199757A3 (de) 2007-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002223008A (ja) 発光素子
JP5446511B2 (ja) 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP4799549B2 (ja) 白色発光ダイオード
JP4725008B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体および発光素子用蛍光体の製造方法
KR101172143B1 (ko) 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
JP5036975B2 (ja) 窒素を含有する蛍光体およびその製造方法、並びに発光装置
JP5503854B2 (ja) （オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法
JP2016181705A (ja) 発光ダイオード用途に使用するための赤色線放出蛍光体
JPWO2014104143A1 (ja) 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2009013186A (ja) 被覆蛍光体粒子、被覆蛍光体粒子の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
CN101657521A (zh) 制备基于用于pcLED的原硅酸盐的磷光体的方法
JP2005082788A5 (ja)
TW200907026A (en) Process for the preparation of phosphors consisting of orthosilicates for pcLEDs
JP2009540022A (ja) ライン発光蛍光体の製造方法
JP2015143318A (ja) フッ化物蛍光体及びその製造方法
JP2010270196A (ja) 蛍光体及び蛍光体の製造方法、並びに、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置及び蛍光塗料
JP4972957B2 (ja) 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置
JP6201848B2 (ja) 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び液晶表示装置
JP4904694B2 (ja) 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置
JP2010163555A (ja) 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにこれを用いた発光装置
CN105567221A (zh) 红光荧光材料及其制备方法、应用、白光led设备
JP4098354B2 (ja) 白色発光装置
JP2009287027A (ja) （オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法
JP2001270733A (ja) 青色発光及び可視発光ゾルゲルガラス
TW201109422A (en) Process for producing surface-treated fluorescent-substance particles, and surface-treated fluorescent-substance particles

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070320

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070426

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070903

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070913

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20071019

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080212

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080512