CN1349262A - 有包膜荧光粉的发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种含有发光二极管和荧光粉层的发光器件(1)。为了延长该发光器件(1)的使用寿命,荧光粉层(2)中的荧光粉(4)有防水包膜。

Description

有包膜荧光粉的发光器件
发明领域
本发明涉及一种具有至少一个发光二极管和一个荧光粉层的发光器件。
技术背景
多年来人们早已知道固态光源,例如发光二极管,尤其是半导体二极管。半导体二极管的光发射是基于正向偏置的半导体中pn跃迁的跃迁区域中电子空穴对(激子)的重组。半导体带宽的大小大体上决定了发射光的波长。
发射可见光的半导体二极管也被用于彩色显示器中。这些彩色显示器中,红、绿和蓝三种基本色由发红光、绿光和蓝光的半导体二极管的阵列产生。但是,问题是,如何能实现逼真地再现彩色图像,尤其是真正再现图像中的绿色和蓝色。
发出UV辐射的半导体二极管的发展已使用二极管寻址的彩色图像荧光屏上显示真实彩色图像的可能性增加了。可发出UV辐射的半导体二极管与可将UV辐射转换为可见光的荧光粉的组合致使利用半导体二极管显示任意所需要的可见光的颜色以及白色成为可能。这种彩色显示器是已知的,例如从DE19800983 A1可获知。假如使用适宜的荧光粉,此原理也适用于发射紫光或蓝光的半导体二极管。
与常规的灯相比,发光半导体二极管主要的优点是它们稳定性好,进而其使用寿命长。对于用二极管寻址的彩色图像荧光屏,其限制因素可能是在荧光粉层中使用的荧光粉的稳定性。由于荧光粉没有与周围环境完全隔离,水敏性荧光粉可被空气中的湿气水解。在高温高湿环境的影响下相对稳定的荧光粉也可被水解。荧光粉层中荧光粉的降解缩短了发光器件的使用寿命。
发明概述
本发明的目的是提供一种发光器件,它具有发光二极管和荧光粉层,并且使用寿命有所改善。
该目的是通过具有至少一个发光二极管和荧光粉层的发光器件来实现的,上述荧光粉层包含一种包膜的荧光粉。
由空气中的湿气导致的降解可通过在荧光粉颗粒上涂覆致密的防水膜来抑制。
优选的涂层选自包含有机材料、无机材料和玻璃材料的组中。
优选的有机材料选自包含乳胶和聚有机硅氧烷的组中。
此外优选的玻璃材料选自包含硼硅酸盐、磷硅酸盐和碱金属硅酸盐的组中。
此外优选的无机材料选自包含氧化物、硼酸盐、磷酸盐,以及这些材料的组合的组中。
这些有机、玻璃型或无机材料在荧光粉颗粒上形成了薄的不溶于水的涂层,它们不与荧光粉反应,并且UV辐射或波长在410-450nm之间的辐射不会使它们降解。而且,它们是无色的,因而不会影响荧光粉的色度值。
一种有利的实施方式,其特征在于磷酸盐是正磷酸盐MPO4,其中M选自包含Al、La、Sc、Y和Lu的组中;或是链长n在101~106之间并且组成为(M0.5PO3)n的多磷酸盐,其中M选自Ca、Sr和Ba的组中。
上述磷酸盐在荧光粉上形成了特别令人满意的具有致密表面的密闭膜。
 优选的荧光粉选自包含氧化物荧光粉、硫化物荧光粉、铝酸盐荧光粉、硼酸盐荧光粉、钒酸盐荧光粉和硅酸盐荧光粉的组中。
上述荧光粉与适当的激活剂合并可以有效地将UV辐射或蓝光转换成波长较长的可见光。
选自包含Y3Al5O12∶Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12∶Ce和BaMgAl10O17∶Eu,Mn的组中的铝酸盐荧光粉是优选的。
尤其是,具有特殊涂层的Y3Al5O12∶Ce当用蓝光激发时是高效的发黄光的荧光粉。
选自包含SrS∶Eu、SrGa2S4∶Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4∶Eu、SrY2S4∶Eu、(Ca,Sr)S∶Eu、(Mg,Ca)S∶Eu、SrS∶Ce、CaS∶Ce、CaLa2S4∶Ce和CaS∶Ce,Eu的组中的硫化物荧光粉是特别优选的。
尤其是含有硫化物例如SrS∶Eu的荧光粉可被空气中的湿气水解,其反应方程式为
因此相应地通过包膜,优选用硅酸盐包膜使其稳定。
特别优选的荧光粉层包含用SiO2和硅酸盐包膜的SrS∶Eu。发明详述
下面将参考附图和四个实施方式详细地解释本发明,其中:
图1表示一个发光器件。
如图1所示,在最简单的情况下,发光器件1包括一个可发射UV辐射或蓝光的二极管2以及涂覆于二极管3上的荧光粉层2。此实施方式中荧光粉层2含有一个透明层5,该透明层5中包含具有防水涂层的荧光粉4。透明层5的材料可以是,例如,聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、环氧树脂、聚丙烯、聚碳酸酯或一些其它的聚合物。
作为一种大规模生产的制品,这样的发光器件1通常被封装在环氧外壳6中,即那里模压的环氧树脂透镜。该透镜用于改善从发光器件1发出的光的导向。此实施方式中的荧光粉层2可选择性地涂覆于透明层5和环氧外壳6之间。该荧光粉层也可作为一种涂层涂覆在环氧外壳6的外部。此时,荧光粉层2可包含由包膜的荧光粉4制备出的荧光粉。另外一个实施方式中,荧光粉层2由环氧树脂和添加的包膜荧光粉4形成。该实施方式中荧光粉层2形成了环氧外壳6。
例如,如果该发光器件要发白光,则荧光粉层将含有一种发红光、发蓝光和发绿光的荧光粉的物理混合物。
大尺寸的平面显示器可以很容易地通过发光二极管3的阵列制得。发光二极管3的此阵列可以用压印有荧光粉层2的玻璃板罩着。该荧光粉层2含有发红、绿和蓝光的荧光粉,它们以排列成三角形的三点方式涂覆。
发UV光的二极管3可含有,例如,InGaN或GaN。该UV发光二极管3的最大发射波长在370~410nm之间,其半宽度值FWHM<50nm。发出的蓝光波长在410~450nm之间的二极管3可含有,例如,InGaN/AlGaN结构。为发UV或蓝光的二极管3提供了电能供应装置以维持光的发射。这些装置包含至少两个电极。
用于荧光粉层2的荧光粉可以是,例如,氧化物荧光粉、硫化物荧光粉、铝酸盐荧光粉、硼酸盐荧光粉、钒酸盐荧光粉或硅酸盐荧光粉。尤其是,可用下面的荧光粉:Y3Al5O12∶Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12∶Ce、BaMgAl10O17∶Eu,Mn、Y2O2S∶Eu,Bi、YVO4∶Eu,Bi、YBO3∶Ce,Tb、(Sr,Ba)2SiO4∶Eu、Ca2MgSi2O7∶Eu、Sr2CeO4∶Eu、SrS∶Eu、SrGa2S4∶Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4∶Eu、SrY2S4∶Eu、(Ca,Sr)S∶Eu、(Mg,Ca)S∶Eu、SrS∶Ce、CaS∶Ce、CaLa2S4∶Ce或CaS∶Ce,Eu。
荧光粉4的颗粒上包覆着薄的均匀防水层。防水层的厚度通常为0.001~0.2μm,它如此薄以致于光子可以穿过而基本没有什么能量损失。
进行包膜可用不同的方法,这将取决于所用的包膜材料。
用乳胶对荧光粉4包膜时,将乳胶溶解于有机溶剂中。然后使荧光粉4悬浮在该溶液中。通过加入一种乳胶不溶解于其中的溶剂将乳胶沉积在荧光粉2的颗粒上。过滤并干燥包膜的荧光粉后,将乳胶在更高的温度下熔化。
将聚硅氧烷与荧光粉4直接混合可得到用聚硅氧烷包膜的荧光粉。或者也可将聚硅氧烷先溶于有机溶剂中,随后将荧光粉4悬浮于该溶液中。溶剂蒸发后,可用热引发、催化引发或自由基引发使粘附在荧光粉4颗粒上的聚硅氧烷交联。
为了从硼硅酸盐、磷硅酸盐或碱金属硅酸盐生产玻璃型涂层,将硅酸盐的胶体溶液,例如硅酸钾或硅酸钠加入氢氧化铵溶液中。加入荧光粉4后,激烈搅拌得到的混合物。将包膜的荧光粉4过滤出来并且在100℃下干燥。
在有些情况下,除硅酸盐材料外还含有SiO2的涂层可能会更有利。为生产这种涂层将硼硅酸盐、磷硅酸盐或碱金属硅酸盐的胶体溶液加入氢氧化铵溶液中。加入荧光粉4后,将溶于乙醇中的正硅酸四乙基酯溶液加入该混合物中,激烈搅拌得到的混合物。将包膜的荧光粉4吸干并且在100℃下干燥。
为了增强稳定性,也可提供第二包膜层。为了达到此性能,同上所述将硼硅酸盐、磷硅酸盐或碱金属硅酸盐的胶体溶液加入氢氧化铵溶液中。首先将已包膜的荧光粉4加入该混合物中,随后加入溶于乙醇中的正硅酸四乙基酯溶液。经激烈搅拌后,将二次包膜的荧光粉4吸干并且在100℃下干燥。
为了用无机材料进行包膜,制备了含有所需包膜材料,例如氧化物、硼酸盐、磷酸盐或这些包膜材料组合的悬浮液。
另外,根据本发明,悬浮液中也可含有包膜材料的前体,随后通过热处理将它们转变成所需要的颗粒。因此,例如含有Mg(OH)2的悬浮液可先包覆在荧光粉4颗粒上,接着通过热处理将它们转变成MgO层。
用氧化物例如MgO、Al2O3、或SiO2包膜时,所用的起始化合物是一种水溶性金属盐,尤其是水溶性硝酸盐、醋酸盐、乙酰丙酮或柠檬酸盐。将这些金属盐中的一种或几种溶解在水中制得了包膜溶液,并且将PH值调至7。将欲包膜的荧光粉4分散在该溶液中。在搅拌的同时使由此得到的荧光粉4的水悬浮液与氨气氛保持接触,直至悬浮液的PH值增至9.5,并且有氧化物或者氢氧化物沉淀在荧光粉颗粒上。将包膜的荧光粉4过滤并且干燥。如果此时荧光粉是被氢氧化物包膜,随后可在更高的温度下煅烧以使氢氧化物转变成相应的氧化物。
对于用SiO2包膜的荧光粉4,优选首先制备可水解的硅酸酯单体,例如正硅酸四乙基酯的溶液。加入荧光粉4后,对得到的混合物进行激烈搅拌,接着将溶剂,如乙醇除去。将包膜的荧光粉4暴露在80℃下充满饱和水蒸气的环境中,从而得到致密、封闭的SiO2包膜。
此外可水解的硅酸酯可以预先部分地浓缩。为此,硅酸酯单体溶液与催化量的稀盐酸混合,并且在回流条件下加热24小时。接着通过蒸馏将溶剂和任何未预先浓缩的硅酸酯除去。
用正磷酸盐包膜时,所用的起始化合物是具有组成为MX3·yH2O的一种可溶解的金属盐,其中M代表金属Al、Sc、Y、Lu和La中的一种,X代表这些阴离子CH3COO-、RO-、NO3 -、Cl-、CH3COCH=C(O-)CH3和-OOCCH2CH(OH)(COO-)CH2COO-中的一种或几种,y代表大于或等于0的数。水通常用作溶剂。
在该溶液中加入磷酸,优选85%的磷酸和尿素。将所得的溶液过滤,优选用薄的尼龙滤膜过滤,然后加入荧光粉4。在搅拌的同时加热该悬浮液直至悬浮液的PH值为7。冷却至室温后,将包膜的荧光粉4过滤、洗涤并且干燥。
为了用多磷酸盐进行包膜,将多磷酸盐的水溶液加入待涂覆的荧光粉4的悬浮液中。多磷酸盐的组成为(M0.5PO3)n,其中M选自Ca、Sr和Ba的组中,并且链长n在101~106之间。将Ca、Sr和Ba的水溶性盐的水溶液加入此悬浮液中。通过添加氨或钠的碱液使悬浮液的PH值保持在碱性区域内。将包膜的荧光粉4过滤、洗涤并且干燥。
为了用硼酸盐进行包膜,将硼酸酯的乙醇溶液加入待涂覆的荧光粉4的悬浮液中,该酯源自通式为Hn-2BnO2n-1且n≤3的多硼酸。将得到的反应混合物在室温下搅拌2~24小时,并将包膜的荧光粉4过滤和干燥。
下面将更加详细地解释本发明的实施方式,它们是代表本发明如何实施的实施例。
实施例1
首先将溶于40.0ml无水乙醇中的30.0g正硅酸四乙基酯(TEOS)与0.864ml0.1M的HCl混合。在回流条件下将得到的反应混合物加热24h。接着通过蒸馏将未浓缩的TEOS和乙醇除去。
10.0g SrS∶Eu悬浮在50.0ml无水乙醇中。将预先已浓缩的2.04g的TEOS加入到此悬浮液中,并且将得到的混合物搅拌15分钟。真空蒸馏去除溶剂后,将所得的用TEOS包膜的SrS∶Eu暴露在80℃温度下含有水蒸气的气氛中。SiO2包膜层的厚度为100nm。
表1表明将SrS∶Eu荧光粉颗粒用厚度为100nm的SiO2层包膜后其量子效率仅稍有减小。
表1:SrS∶Eu和用SiO2包膜的SrS∶Eu的量子效率(Q.E.)、吸收率(Abs.)、以及表面组成。
            QE     Abs.    Sr      S       O       Si      C
           [%]   [%]  [at.%] [at.%] [at.%]  [at.%] [at.%]SrS∶Eu        100    76.4   16.3    14.2     66.3     -      3.2SiO2-SrS∶Eu  97     77.6    -       -       46.3    12.5    41.2
之后用发射蓝光的二极管3和包含用SiO2包膜的SrS∶Eu荧光粉层2制作发光器件1。为此,用聚丙烯酸酯透明层5环绕InGaN/AlGaN二极管3。透明层5还包含有用SiO2包膜的SrS∶Eu作为荧光粉4。随后将发光器件1封装在环氧外壳6中。
实施例2
250g氨与750g水混合,将25g胶体硅酸钾溶液(硅酸钾的重量百分数为15%)加入此混合物中。接着加入60g SrS∶Eu,并且激烈搅拌得到的悬浮液。溶于750ml乙醇中的10ml正硅酸四乙基酯溶液在少于15分钟的时间内滴入悬浮液中。所得的反应混合物在室温下搅拌90分钟。将包膜的SrS∶Eu过滤并在100℃下干燥。然后将包膜后的荧光粉再次悬浮在由溶于750g水中的250g氨与25g胶体硅酸钾溶液组成的混合物中。将1升乙醇,然后是500ml乙醇中的10ml正硅酸四乙基酯混合物陆续滴加到该悬浮液中。得到的反应混合物在室温下搅拌60分钟。将用硅酸钾包膜的SrS∶Eu过滤并在100℃下干燥。
之后用发射蓝光的二极管3和包含用硅酸钾包膜的SrS∶Eu荧光粉层2制作发光器件1。为此,用聚丙烯酸酯透明层5环绕InGaN/AlGaN二极管3。用硅酸钾包膜的SrS∶Eu荧光粉层2作为荧光粉4涂覆在透明层5上。随后将发光器件1封装在环氧外壳6中。
实施例3
将4.45gAl(NO3)3·9H2O溶解于1.251软化水中。将1.37g85%的H3PO4和36.04g的尿素加入此溶液中。用0.2μm的尼龙滤膜过滤得到的混合物后,加入50gSrGa2S4∶Eu。在90℃下搅拌该悬浮液直至溶液的PH值为7。将悬浮液冷却至室温,过滤AlPO4包膜的SrGa2S4∶Eu荧光粉,用软化水洗涤数次,然后在100℃下干燥1小时。
之后用发射蓝光的二极管3和包含用AlPO4包膜的SrGa2S4∶Eu荧光粉层2制作发光器件1。为此,用聚丙烯酸酯透明层5环绕InGaN/AlGaN二极管3。透明层5还可包含AlPO4包膜的SrGa2S4∶Eu作为荧光粉4。随后将发光器件1封装在环氧外壳6中。
实施例4
1.0g Mg(NO3)2·6H2O(3.9毫摩尔)溶解于50ml水中。8.0g Y3Al5O12∶Ce悬浮于50ml水中,接着将硝酸镁溶液加入此悬浮液中。激烈搅拌得到的PH值为7.5的悬浮液。用浓的氨溶液将悬浮液的PH值提高到PH值为9.1,以产生Mg(OH)2沉淀。经2小时的激烈搅拌后,过滤包膜的荧光粉,在80℃下干燥,并且最后在250℃下煅烧2小时。
之后用发射蓝光的二极管3和包含MgO包膜的Y3Al5O12∶Ce的荧光粉层2制作发光器件1。为此,用聚丙烯酸酯透明层5环绕InGaN/AlGaN二极管3。透明层5还可包含MgO包膜的Y3Al5O12∶Ce作为荧光粉4。随后将发光器件1封装在环氧外壳6中。

Claims (10)

1.一种发光器件(1),它具有至少一个发光二极管(3)和荧光粉层(2),该荧光粉层(2)包含至少一种包膜的荧光粉(4)。
2.如权利要求1的发光器件,其特征在于涂层选自包含有机材料、无机材料和玻璃材料的组中。
3.如权利要求2的发光器件,其特征在于有机材料选自包含乳胶和聚有机硅氧烷的组中。
4.如权利要求2的发光器件,其特征在于玻璃材料选自包含硼硅酸盐、磷硅酸盐和碱金属硅酸盐的组中。
5.如权利要求2的发光器件,其特征在于无机材料选自包含氧化物、硼酸盐、磷酸盐、以及这些材料的组合的组中。
6.如权利要求5的发光器件,其特征在于磷酸盐是正磷酸盐MPO4,其中M选自包括Al、La、Sc、Y和Lu的组中,或是链长n在101~106之间并且组成为(M0.5PO3)n的多磷酸盐,其中M选自Ca、Sr和Ba的组中。
7.如权利要求1的发光器件,其特征在于荧光粉(4)选自包含氧化物荧光粉、硫化物荧光粉、铝酸盐荧光粉、硼酸盐荧光粉、钒酸盐荧光粉和硅酸盐荧光粉的组中。
8.如权利要求7的发光器件,其特征在于铝酸盐荧光粉选自包含Y3Al5O12∶Ce,(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12∶Ce和BaMgAl10O17∶Eu,Mn的组中。
9.如权利要求7的发光器件,其特征在于硫化物荧光粉选自包含SrS∶Eu、SrGa2S4∶Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4∶Eu、SrY2S4∶Eu、(Ca,Sr)S∶Eu、(Mg,Ca)S∶Eu、SrS∶Ce、CaS∶Ce、CaLa2S4∶Ce和CaS∶Ce,Eu的组中。
10.上述权利要求中的任何一种发光器件,其特征在于荧光粉层(2)含有用SiO2和硅酸盐包膜的SrS∶Eu。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7227190B2 (en) 2002-09-30 2007-06-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. White light emitting device
CN100385690C (zh) * 2004-07-08 2008-04-30 光宝科技股份有限公司 可调整色温的白光发光方法
CN101074368B (zh) * 2006-05-16 2011-01-12 索尼株式会社 发光组合物、光源装置以及显示装置
CN102725872A (zh) * 2010-03-10 2012-10-10 松下电器产业株式会社 Led包封树脂体,led装置和led装置的制造方法
CN103717701A (zh) * 2011-06-03 2014-04-09 科锐 涂布的磷光体和包含该磷光体的发光装置
CN104509526A (zh) * 2014-12-19 2015-04-15 鹤山市顺鑫实业有限公司 一种高光效的led驱蚊灯
CN105073946A (zh) * 2013-02-25 2015-11-18 皇家飞利浦有限公司 经涂覆的发光颗粒、发光转换器元件、光源、照明器以及制造经涂覆的发光颗粒的方法
CN110684418A (zh) * 2019-10-30 2020-01-14 苏州大乘环保新材有限公司 防潮型水性夜光涂料
CN113061433A (zh) * 2021-03-17 2021-07-02 黄石 一种荧光体材料的制造方法及照明设备
CN113403064A (zh) * 2021-06-25 2021-09-17 佛山安亿纳米材料有限公司 耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法
CN113444520A (zh) * 2021-06-25 2021-09-28 佛山安亿纳米材料有限公司 具有包覆层的硫化物荧光体及制备具有包覆层的硫化物荧光体的磁控溅射法

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4191937B2 (ja) * 2002-02-15 2008-12-03 株式会社日立製作所 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2004253747A (ja) * 2002-02-27 2004-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
US6734466B2 (en) * 2002-03-05 2004-05-11 Agilent Technologies, Inc. Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP4529349B2 (ja) * 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
EP1560274B1 (en) * 2002-11-08 2010-01-06 Nichia Corporation Light emitting device, phosphor and method for preparing phosphor
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
DE10307281A1 (de) 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
DE10329081A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005068169A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sumitomo Chemical Co Ltd Eu付活蛍光体
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP2009141374A (ja) * 2003-12-05 2009-06-25 Toshiba Corp 発光装置
EP1566426B1 (en) * 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US20070040502A1 (en) * 2004-04-20 2007-02-22 Gelcore Llc High CRI LED lamps utilizing single phosphor
US7701124B2 (en) * 2004-04-23 2010-04-20 Harvatek Corporation White light-emitting device having a cap layer formed from a mixture of silicon and a phosphor blend
US7737635B2 (en) * 2004-05-28 2010-06-15 Harvatek Corporation High efficiency white light emitting diode and method for manufacturing the same
WO2005124878A1 (ja) * 2004-06-22 2005-12-29 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光ダイオード及びその製造方法
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
JP4786886B2 (ja) * 2004-08-11 2011-10-05 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4516378B2 (ja) * 2004-08-13 2010-08-04 ローム株式会社 半導体発光装置
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
JP2006188700A (ja) * 2005-01-03 2006-07-20 Samsung Electro Mech Co Ltd 硫化物系蛍光体の被膜形成方法及び表面コーティング硫化物系蛍光体
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP4760082B2 (ja) * 2005-03-25 2011-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2006307083A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 青色励起黄色蛍光体及びそれを用いた白色発光素子
JP4528947B2 (ja) * 2005-06-02 2010-08-25 独立行政法人産業技術総合研究所 無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
WO2007020798A1 (ja) * 2005-08-18 2007-02-22 Sumitomo Chemical Company, Limited 蛍光体粒子、蛍光体ペースト及び発光素子
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
CN101248157A (zh) * 2005-08-24 2008-08-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 固体二氧化碳物质的形成
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
CN103925521A (zh) 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
EP1995294A4 (en) 2006-02-10 2012-06-06 Mitsubishi Chem Corp FLUORESCENT, MANUFACTURING METHOD, COMPOUND COMPOSITION, LIGHT-EMITTING DEVICE, IMAGE DISPLAY AND LIGHTING DEVICE
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US20090114939A1 (en) * 2006-04-27 2009-05-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
JP2007324475A (ja) 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
JP5090802B2 (ja) * 2006-06-28 2012-12-05 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 蛍光体及びその製造方法並びに発光ダイオード
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
EP2056364A4 (en) 2006-08-11 2013-07-24 Mitsubishi Chem Corp LIGHTING APPARATUS
US8502364B2 (en) 2006-08-22 2013-08-06 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same
US8084855B2 (en) 2006-08-23 2011-12-27 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit tampering protection and reverse engineering prevention coatings and methods
US8617913B2 (en) 2006-08-23 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
US7915527B1 (en) 2006-08-23 2011-03-29 Rockwell Collins, Inc. Hermetic seal and hermetic connector reinforcement and repair with low temperature glass coatings
US8581108B1 (en) 2006-08-23 2013-11-12 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated integrated circuit assemblies
US8166645B2 (en) 2006-08-23 2012-05-01 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated, thermally protected integrated circuit assemblies
US8637980B1 (en) 2007-12-18 2014-01-28 Rockwell Collins, Inc. Adhesive applications using alkali silicate glass for electronics
US8076185B1 (en) 2006-08-23 2011-12-13 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit protection and ruggedization coatings and methods
TWI414583B (zh) 2006-09-15 2013-11-11 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其製造方法,暨含有螢光體之組成物,發光裝置,圖像顯示裝置及照明裝置
JP2008115223A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Nec Lighting Ltd 蛍光体含有ガラスシート、その製造方法及び発光装置
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
EP2111651A4 (en) 2007-02-13 2011-08-17 3M Innovative Properties Co LED DEVICES HAVING ASSOCIATED LENSES AND METHODS OF MANUFACTURE
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
KR20090037385A (ko) * 2007-03-09 2009-04-15 가부시끼가이샤 도시바 형광체의 표면 처리 방법 및 평면 표시 장치의 제조 방법
JP4266234B2 (ja) * 2007-03-29 2009-05-20 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
KR101414243B1 (ko) * 2007-03-30 2014-07-14 서울반도체 주식회사 황화물 형광체 코팅 방법 및 코팅된 황화물 형광체를채택한 발광 소자
EP2135920B1 (en) 2007-04-18 2016-12-21 Mitsubishi Chemical Corporation Process for producing inorganic compound, fluorescent material, fluorescent-material-containing composition, luminescent device, illuminator, and image display
CN103254900B (zh) 2007-04-18 2014-12-17 三菱化学株式会社 荧光体及其发光装置
JP2008274028A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 蛍光体材料、発光部材および画像形成装置
EP2175007A4 (en) 2007-06-29 2011-10-19 Mitsubishi Chem Corp LUMINOPHORE, METHOD FOR PRODUCING LUMINOPHORE, COMPOSITION CONTAINING LUMINOPHORE, AND LIGHT EMITTING DEVICE
TW200903851A (en) * 2007-07-10 2009-01-16 Univ Nat Central Phosphor package of light emitting diodes
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
US20100213822A1 (en) 2007-08-01 2010-08-26 Satoshi Shimooka Phosphor and production method thereof, crystalline silicon nitride and production method thereof, phosphor-containing composition, and light emitting device, display and illuminating device using the phosphor
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
JP5092686B2 (ja) * 2007-10-24 2012-12-05 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた蛍光ランプ
JP5262545B2 (ja) * 2007-10-29 2013-08-14 日立電線株式会社 窒化物半導体自立基板及びそれを用いたデバイス
JP5369295B2 (ja) * 2007-11-08 2013-12-18 住友金属鉱山株式会社 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及びその製造方法並びに該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
AU2008321873A1 (en) 2007-11-12 2009-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating Device
DE102007056342A1 (de) * 2007-11-22 2009-05-28 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Konversionsleuchtstoffe
KR200440554Y1 (ko) * 2007-11-27 2008-06-17 광성전기산업(주) 벌브형 교류 전원용 발광 다이오드 램프
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8363189B2 (en) * 2007-12-18 2013-01-29 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass for displays
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
WO2009119841A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US9638807B2 (en) 2008-08-07 2017-05-02 Koninklijke Philips N.V. Scintillating material and related spectral filter
WO2010015955A2 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Scintillating material and related spectral filter
JP4854716B2 (ja) * 2008-08-25 2012-01-18 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
WO2010036383A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Rockwell Collins, Inc. Applications and methods for alkali silicate glass
US8119040B2 (en) 2008-09-29 2012-02-21 Rockwell Collins, Inc. Glass thick film embedded passive material
US20100111800A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Westinghouse Electric Company Llc PRODUCTION OF NUCLEAR GRADE ENRICHED GADOLINIUM AND ERBIUM USING VOLATILE Gd OR Er SPECIES USING AN AERODYNAMIC PROCESS
JP2010229363A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Econet Engineering:Kk 耐水性蓄光材及び蛍光材、その製造方法、これらを用いた塗料組成物及びインキ組成物
JP5754374B2 (ja) 2009-03-31 2015-07-29 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
KR101229832B1 (ko) 2009-08-26 2013-02-04 서울옵토디바이스주식회사 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
GB0916699D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
DE102009049056A1 (de) 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
KR101186648B1 (ko) 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그의 제조 방법
KR101021030B1 (ko) * 2010-03-25 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 코팅방법, 발광장치 제조방법 및 코팅된 형광체
US8593062B2 (en) * 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
DE102010028776A1 (de) 2010-05-07 2011-11-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
JP5606246B2 (ja) * 2010-09-27 2014-10-15 株式会社東芝 蛍光体の製造方法
JP5234080B2 (ja) * 2010-10-12 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
KR101482674B1 (ko) * 2010-12-09 2015-01-14 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 ZnO 화합물 피복 황 함유 형광체
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
CN103348497B (zh) 2011-04-05 2016-08-17 三井金属矿业株式会社 发光器件
JP2012230968A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Hitachi Chem Co Ltd 封止材シート及び太陽電池モジュール
US8663501B2 (en) 2011-06-29 2014-03-04 General Electric Company Green emitting phosphor
EP2810309A1 (en) * 2012-02-03 2014-12-10 SABIC Innovative Plastics IP B.V. Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry
BR112014020044B1 (pt) 2012-02-16 2021-03-02 Lumileds Holding B.V. unidade de iluminação; método de preparação de um material luminescente particulado; e material luminescente particulado
WO2013144777A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for led applications
US9435915B1 (en) 2012-09-28 2016-09-06 Rockwell Collins, Inc. Antiglare treatment for glass
CN104736668A (zh) * 2012-10-31 2015-06-24 海洋王照明科技股份有限公司 硫氧化物发光材料及其制备方法
EP2774966B1 (en) * 2012-12-28 2018-04-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Method for surface treatment of phosphor
WO2015146231A1 (ja) 2014-03-27 2015-10-01 三井金属鉱業株式会社 蛍光体及びその用途
US10113111B2 (en) 2015-02-06 2018-10-30 Dow Silicones Corporation Treated fillers and uses thereof
US10899965B2 (en) 2015-03-30 2021-01-26 Nichia Corporation Fluorescent material particles, method for producing the same, and light emitting device
JP6798501B2 (ja) * 2015-11-06 2020-12-09 宇部興産株式会社 被覆ケイ酸塩蛍光体及びその製造方法並びに白色led装置
RU2664143C2 (ru) * 2016-03-21 2018-08-15 Закрытое Акционерное Общество "Научно-производственная фирма "Люминофор" Способ нанесения защитной пленки на поверхность частиц люминофора
KR102323340B1 (ko) * 2016-10-31 2021-11-08 인터매틱스 코포레이션 코팅된 협대역 녹색 형광체
WO2018143437A1 (ja) 2017-02-02 2018-08-09 シチズン電子株式会社 Ledパッケージおよびその製造方法
JP6932679B2 (ja) * 2017-11-30 2021-09-08 デクセリアルズ株式会社 被覆蛍光体、その製造方法、並びに、蛍光体シート、及び発光装置
WO2019107080A1 (ja) 2017-11-30 2019-06-06 デクセリアルズ株式会社 被覆蛍光体、その製造方法、並びに、蛍光体シート、及び発光装置
DE102018125754A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoff und Verfahren zum Verbessern der Langzeitstabilität eines Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoffes

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
JP2838735B2 (ja) * 1991-07-05 1998-12-16 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
WO1998037166A1 (en) * 1997-02-24 1998-08-27 Superior Micropowders Llc Sulfur-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
DE19800983A1 (de) * 1997-03-04 1998-12-17 Philips Patentverwaltung Diodenadressiertes Farbdisplay mit Lanthanoidphosphoren
US5877589A (en) * 1997-03-18 1999-03-02 International Business Machines Corporation Gas discharge devices including matrix materials with ionizable gas filled sealed cavities
US6322901B1 (en) * 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP2000212554A (ja) * 1998-11-20 2000-08-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 蛍光変換媒体及びそれを用いた表示装置
GB9911781D0 (en) * 1999-05-20 1999-07-21 Isis Innovations Ltd Process for preparing phosphor particles
JP3988309B2 (ja) * 1999-01-14 2007-10-10 ソニー株式会社 蛍光体及びその製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7227190B2 (en) 2002-09-30 2007-06-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. White light emitting device
CN100428505C (zh) * 2002-09-30 2008-10-22 丰田合成株式会社 白色发光装置
CN100385690C (zh) * 2004-07-08 2008-04-30 光宝科技股份有限公司 可调整色温的白光发光方法
CN101074368B (zh) * 2006-05-16 2011-01-12 索尼株式会社 发光组合物、光源装置以及显示装置
CN102725872A (zh) * 2010-03-10 2012-10-10 松下电器产业株式会社 Led包封树脂体,led装置和led装置的制造方法
CN103717701B (zh) * 2011-06-03 2016-08-31 科锐 涂布的磷光体和包含该磷光体的发光装置
CN103717701A (zh) * 2011-06-03 2014-04-09 科锐 涂布的磷光体和包含该磷光体的发光装置
TWI582211B (zh) * 2011-06-03 2017-05-11 科銳股份有限公司 經塗覆之磷光體及包含該磷光體之發光元件
CN105073946A (zh) * 2013-02-25 2015-11-18 皇家飞利浦有限公司 经涂覆的发光颗粒、发光转换器元件、光源、照明器以及制造经涂覆的发光颗粒的方法
CN109971459A (zh) * 2013-02-25 2019-07-05 皇家飞利浦有限公司 经涂覆的发光颗粒、发光转换器元件、光源、照明器以及制造经涂覆的发光颗粒的方法
CN104509526A (zh) * 2014-12-19 2015-04-15 鹤山市顺鑫实业有限公司 一种高光效的led驱蚊灯
CN104509526B (zh) * 2014-12-19 2017-02-01 鹤山市顺鑫实业有限公司 一种高光效的led驱蚊灯
CN110684418A (zh) * 2019-10-30 2020-01-14 苏州大乘环保新材有限公司 防潮型水性夜光涂料
CN113061433A (zh) * 2021-03-17 2021-07-02 黄石 一种荧光体材料的制造方法及照明设备
CN113403064A (zh) * 2021-06-25 2021-09-17 佛山安亿纳米材料有限公司 耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法
CN113444520A (zh) * 2021-06-25 2021-09-28 佛山安亿纳米材料有限公司 具有包覆层的硫化物荧光体及制备具有包覆层的硫化物荧光体的磁控溅射法
CN113444520B (zh) * 2021-06-25 2022-03-25 佛山安亿纳米材料有限公司 具有包覆层的硫化物荧光体及制备具有包覆层的硫化物荧光体的磁控溅射法

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