CN101460590A - 线发射体无机发光材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及新型的线发射体无机发光材料、它们的制备方法和包含本发明的线发射体无机发光材料的发白光的照明装置。

Description

线发射体无机发光材料的制备方法
本发明涉及由铕(III)掺杂的氧化物构成的新型线发射体(Linienemitter)无机发光材料、涉及其制备方法、和包含本发明的线发射体无机发光材料的发白光的照明装置。本发明还涉及该线发射体无机发光材料作为用于将蓝光或近紫外光转换成可见白光的转换无机发光材料的用途，还涉及其作为用于白色LED或所谓按需选色(color-on-demand)用途的LED转换无机发光材料的用途。
按需选色概念是指借助使用一种或多种无机发光材料的pcLED产生具有特定色点的光。例如使用该概念制造某些企业设计，例如照明的公司标志、商标等。
白色LED是由主要包含InGaN的蓝色场致发光芯片和施用在该芯片上的无机发光材料构成的非常有效的光源。这种无机发光材料被蓝光激发，并使波长转换成较长波长。一部分蓝光穿过无机发光材料(透射)，并另外与来自无机发光材料的荧光合并，产生白光。所用无机发光材料特别是，例如石榴石、特别是YAG:Ce(在黄光区发射)和原硅酸盐(在黄绿光至黄橙光区发射)之类的系统。迄今还没有在被来自InGaN的蓝光(440-480纳米)激发时还在深红光区(610-620纳米)内强烈发光、以便与至少一种其它无机发光材料(例如上文提到的石榴石或硅酸盐)结合产生“温暖”白光的易得的稳定无机发光材料制剂。高功率LED(>30lm/W)因此只能产生具有冷光温度的白光[CCT(相关色温)>5000K]。但是，对于舒适的室内照明，尤其必须达到具有与卤素灯泡(CCT＝3000-4200)类似的光品质(“舒适效果”)的CCT＝4200至3000K的“更温暖”色温，这迄今尚未超越。此外，对于人工照明，有必要促进在整个可见光范围内的良好颜色再现，从而使被照明的物体对肉眼呈现出与自然光照明时相同的颜色。这一方面不仅对室内照明是重要的，对交通部门也是重要的。从2009年起，汽车的LED前灯预计可供使用。在此极其重要的是，被照明的物体的颜色再现非常好，以致在夜间被LED前灯照射的红色物体(交通信号)实际呈现红色而非棕色。用于非常多种照明用途的荧光灯含有红色无机发光材料YOX(Y2O3:Eu3+)。Eu3+基红色线发射无机发光材料以其极高的效率和稳定性为人所知，但这些无机发光材料不能用在蓝色LED中，因为有效激发必须在UV区内(波长短于300纳米)发生，而蓝色LED在440至470纳米范围内发光。尽管有所谓的“UV”LED的概念，但这些非常低效且寿命短，此外发出的波长通常为390至405纳米。
作为不令人满意的解决方案，如今使用均被Eu2+掺杂的硫化物和硫代没食子酸盐作为LED(例如IumiLEDs)中发射红波段的无机发光材料。但是，这些无机发光材料没有长期稳定性，因为它们发生水解。这即使在LED的包封环境中也发生，因为湿气能够扩散穿过塑料封套。因此，由于水解过程，带有这些无机发光材料的LED发出的光中的红光部分不断减少，从而造成该LED发出的光的色点改变。并发的因素是，水解产物具有腐蚀作用并破坏无机发光材料的环境，这意味着该LED的寿命相对受到限制。
解决红色Eu(II)掺杂波段发射体的上述问题的一种尝试是使用最初在1960年代描述的红色Eu(III)掺杂线发射体无机发光材料。
在Hans J.Borchardt，J.Chem.Phys.1963，39，504-511和1965，42，3743-3745中，描述了通过相应氧化物的反应，通过传统的“混合和烧制”法制备这些无机发光材料(例如Gd2(WO4)3:Eu3+、Gd2(MoO4)3:Eu、Y2(MoO4)3:Eu和GdPO4:Eu)的方法。
Borchardt法的缺点在于，所得无机发光材料在粒子的化学计量组成(浓度梯度，特别是活化剂Eu3+的浓度梯度，这会造成浓度衰减)、粒度和形态方面具有低的均匀性。因此，不可能用这些粒子在LED芯片上实现均匀、特别是可再现的涂布。
因此，本发明的目的是开发出没有上述缺点的方法，因为只有在可以获得长寿命和有效的LED所用红色无机发光材料时，白色LED才能在例如室内照明、交通和车辆照明之类的领域中替代现有照明技术(白炽灯泡、卤素灯、荧光灯)。
令人惊讶地，可以如下实现本发明目的：通过湿化学法使相应的原材料反应，并然后对产物施以热处理，产生红色线发射体无机发光材料。
本发明因此涉及式I的线发射体无机发光材料的制备方法
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+           (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2，
其特征在于通过湿化学法将相应的原材料混合而制备无机发光材料，并然后将该无机发光材料热处理。
湿化学制备通常优点在于，所得材料在粒子的化学计量组成、粒度和形态方面具有较高的均匀性。粒子因此能够更均匀涂布在LED芯片上，并促成极高的内量子产额。
对于红色线发射体无机发光材料的制备，该混合物可用的原材料是无机和/或有机物质，如金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素的硝酸盐、碳酸盐、碳酸氢盐、磷酸盐、羧酸盐、醇盐、乙酸盐、草酸盐、卤化物、硫酸盐、有机金属化合物、氢氧化物和/或氧化物，它们溶解和/或悬浮在无机和/或有机液体中。此处所用的原材料优选为相应金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素的硝酸盐、卤化物和/或磷酸盐。
所用金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素优选为元素钆、钨、铕、钼、钇、磷和/或钠。
根据本发明，将溶解或悬浮的原材料与表面活性剂(优选二醇)一起加热多个小时，并在室温下使用有机沉淀试剂(优选丙酮)分离出所得中间体。在中间体的提纯和干燥后，将其在600至1200℃的温度热处理多个小时，产生红色线发射体无机发光材料作为最终产物。
在本方法的一个优选变体中，所用表面活性剂是乙二醇。
在本方法的另一变体中，将溶解或悬浮的原材料(优选以氧化物和/或硝酸盐形式)与多元羧酸(优选柠檬酸)复合，并在添加其它原材料溶液后，将该混合物蒸发至干。在600℃至1200℃的温度热处理后，获得红色线发射体无机发光材料作为最终产物。
在本方法的进一步优选变体中，任选在添加磷酸盐的情况下，使溶解或悬浮的原材料，优选氯化物和复合氧化物，如钼酸盐和/或钨酸盐，在升高的温度下在弱碱性溶液中沉淀出来。将沉淀物提纯并干燥，然后在600至1200℃的温度热处理多个小时，产生红色线发射体无机发光材料作为最终产物。
本发明无机发光材料粒子的粒度分布的中值[Q(x＝50％)]在[Q(x＝50％)]＝50纳米至[Q(x＝50％)]＝20微米，优选[Q(x＝50％)]＝1微米至[Q(x＝50％)]＝15微米的范围内。粒度是基于SEM显微照片通过由数字化SEM图像手工测定粒径而确定的。
本发明还涉及式I的无机发光材料
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+       (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2。
用大的二价阳离子(如锶、钡或铅)共掺杂产生了提高的可激发性和光致发光。在进一步实施方案，f＝g＝h＝0，意味着本发明的无机发光材料不含共掺杂剂Sr、Ba或Pb。
本发明还涉及式I的无机发光材料
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+   (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2，
其可如下获得：将相应原材料湿化学混合以产生无机发光材料前体，并然后热处理，由此将无机发光材料前体转化成最终无机发光材料。
本发明还涉及用于将发光元件(例如半导体元件，如InGaN或AlInGaN)发出的蓝光或近紫外光转换成具有高的颜色再现性的可见白光的无机发光材料，其中该无机发光材料由石榴石无机发光材料和通过本发明湿化学法制成的本发明式I无机发光材料的混合物构成。
该红色线发射体优选具有在590至700纳米之间、更优选在600至660纳米之间的窄结构化发射。
术语“石榴石无机发光材料”是指具有立方石榴石结构的三元结晶复合物，例如Y3Al5O12(YAG)，其可以被例如铈掺杂。
本发明还涉及用于将发光元件(例如半导体元件)发出的蓝光或近紫外光转换成具有高的颜色再现性的可见白光的无机发光材料，其中该无机发光材料由原硅酸盐无机发光材料和通过本发明湿化学法制成的本发明式I红光无机发光材料的混合物构成。
术语“原硅酸盐无机发光材料”是指具有原硅酸盐基质、特别是混合碱土金属原硅酸盐的铕(II)掺杂的无机发光材料。
本发明的红色线发射体无机发光材料通常可以与本领域技术人员从文献(例如William M.Yen等人，Inorganic Phosphors，CRS Press 2004)中获知的所有普通石榴石和原硅酸盐无机发光材料混合。
本发明还涉及具有至少一个一次光源的照明装置，该一次光源的发射最大值在190至350纳米、和/或365至430纳米、和/或430至480纳米、和/或520至560纳米的范围内，其中初级辐射被转换无机发光材料和本发明的发光铕(III)-活化氧化物的混合物部分或完全转换成较长波长的辐射。这种照明装置优选发白光。该转换无机发光材料包含石榴石无机发光材料、原硅酸盐无机发光材料和/或含硫(sulfidische)无机发光材料。但是，石榴石无机发光材料和原硅酸盐无机发光材料是优选的。
在本发明的照明装置的一个优选实施方案中，光源是发光的氮化铟铝镓，特别具有式IniGajAlkN的氮化铟铝镓，其中0≤i、0≤j、0≤k，且i+j+k＝1。该照明装置优选发白光。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，光源是基于ZnO、TCO(透明导电氧化物)、ZnSe或SiC的发光化合物或基于有机发光层的材料。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，光源是表现出场致发光和/或光致发光性的光源。该光源还可以是等离子体或放电源。
本发明的无机发光材料可以分散在树脂(例如环氧树脂或有机硅树脂)中，或在合适的尺寸条件下，根据用途直接设置在一次光源上或远离一次光源设置(后一种设置也包括“远距无机发光材料技术)。远距无机发光材料技术的优点是本领域技术人员已知的，并例如由下列出版物公开：Japanese Journ.Of Appl.Phys.第44卷，第21号(2005)，L649-L651。
在另一实施方案中，优选通过导光布置实现照明装置在无机发光材料和一次光源之间的光耦合。这能使一次光源安装在中心位置并通过光导装置，例如光导纤维光，耦合到无机发光材料上。由此，可以获得与照明意图匹配的灯，其仅由一种或不同的无机发光材料(其可以排列形成光屏)和连接到一次光源上的光导体构成。由此，可以将强的一次光源置于有利于电气安装的位置，并且不进一步使用电缆而是仅通过铺设光导体而在任何所需位置安装包含无机发光材料的灯，这些灯与光导体连接。
本发明还涉及本发明的线发射体无机发光材料的用途，用于将蓝光或近紫外光转换成可见白光。还优选本发明无机发光材料通过按需选色概念将初级辐射转换成特定色点的用途。
从激发光谱(见图2和4)中可以看出，在本发明的线发射体无机发光材料的情况下，占优势的情形与典型红光无机发光材料，如Y2O3:Eu3+或YVO4:Eu3+的情况下不同。在后一情况下，激发光谱以波长范围250-300纳米的强谱带为主，其归因于各自的电荷转移态，而波长范围>300纳米的Eu3+离子的吸收谱带仅在极灵敏的测量中才可得，因为它们来自在量子-机械方面受禁止的跃迁。但是，在本发明的Gd2(WO4)3:Eu3+的情况下，这些跃迁显而易见(图2；在380纳米至420纳米，和450纳米至470纳米，和530纳米至550纳米的波长下)，此外它们的强度在电荷转移跃迁的强度范围内。本发明的无机发光材料因此可以被蓝色LED激发以发出强的红光。这特别适用于Eu3+的7F0.1→5D2跃迁(λ≈466纳米)，其可以使用具有460纳米-470纳米发射波长的蓝色LED激发。从图1中的发射光谱清楚看出，例如，本发明的红色线发射体无机发光材料几乎只发出在610-620纳米波长范围内的极强红色线，其来自Eu3+的5D0→7F2跃迁。
下列实施例旨在例示本发明。但是，它们无论如何不应该被视为限制性。该组合物中可用的所有化合物或组分是已知和可购得的或可以通过已知方法合成。实施例中所示的温度始终是℃。此外，在说明书和在实施例中，组合物中各组分的总量当然始终总计为100％。所给出的百分比数据始终在给定背景下考量。但是，它们通常始终与该部分的重量或所示总量相关。
实施例
实施例1：无机发光材料Na0.5Gd0.3Eu0.2WO4的制备
将2.708克六水合硝酸钆和1.784克六水合硝酸铕溶解在100毫升乙二醇中[溶液1]。同时，制备1.550克二水合钨酸钠在50毫升去离子水中的溶液[溶液2]。先引入40毫升溶液1，并逐滴加入45毫升溶液2、45毫升乙二醇和3毫升NaOH溶液(1M)的混合物。在逐滴添加后(溶液具有7.5的pH值)，将该混合物回流6小时。
在反应溶液已经冷却后，逐滴加入200毫升丙酮，然后离心出沉淀物，再用丙酮洗涤，并在空气流中干燥，转移到瓷皿中并在600℃下煅烧5小时。
实施例2：无机发光材料Na0.5Y0.4Eu0.1MoO4的制备
将3.06克六水合硝酸钇和0.892克六水合硝酸铕溶解在100毫升乙二醇中[溶液1]。同时，制备1.210克二水合钼酸钠在50毫升去离子水中的溶液[溶液2]。先引入20毫升溶液1，逐滴加入45毫升溶液2、45毫升乙二醇和3毫升NaOH溶液(1M)的混合物。在逐滴添加后，将该混合物回流6小时。
在反应溶液已经冷却后，逐滴加入200毫升丙酮，然后离心出沉淀物，再用丙酮洗涤，并在空气流中干燥。
将该批料转移到马弗炉中并在此在600℃煅烧5小时。
实施例3：无机发光材料Na0.5La0.3Eu0.2WO4的制备(沉淀反应)
将2.120克六水合氯化镧和1.467克六水合氯化铕溶解在100毫升去离子水中[溶液1]。同时，制备4.948克二水合钨酸钠在100毫升去离子水中的溶液[溶液2]。先引入100毫升溶液1，向其中逐滴加入溶液2(监测pH值，应该为7.5-8，如果必要，使用NaOH溶液(1M)校正)。
然后将该混合物回流6小时。
在将反应溶液冷却后，在抽吸下滤出沉淀物并干燥，产生白色沉淀物。
将批料在600℃下煅烧5小时。
实施例4：通过与柠檬酸络合，制备无机发光材料Na0.5La0.3Eu0.2MoO4
将1.024克氧化钼(IV)在温和升温下溶解在10毫升H2O2(30％)中。将4.608克柠檬酸与10毫升蒸馏水一起添加到该黄色溶液中。
然后加入1.040克La(NO3)×6H2O和0.714克Eu(NO3)×6H2O和0.340克NaNO3，并将该混合物补充至40毫升。
将该黄色溶液在真空干燥箱中干燥；最初形成蓝色泡沫，最终由其产生蓝色粉末。然后将该固体在800℃煅烧5小时。
实施例5：无机发光材料Na0.5La0.3Eu0.2(WO4)0.5(MoO4)0.5的制备
将2.120克六水合氯化镧和1.467克六水合氯化铕溶解在100毫升去离子水中[溶液1]。同时，制备1.815克二水合钼酸钠和2.474克二水合钨酸钠在100毫升去离子水中的溶液[溶液2]。先引入100毫升溶液1，向其中逐滴加入溶液2(pH值应该为7.5-8，如果必要，使用NaOH溶液(1M)校正)。
然后将该混合物回流6小时。
在将反应溶液冷却后，在抽吸下滤出沉淀物并干燥，然后在600℃煅烧5小时。
实施例6：通过与柠檬酸络合，制备无机发光材料La1.2Eu0.8MoO4
将1.024克氧化钼(IV)在温和升温下溶解在10毫升H2O2(30％)中。将4.608克柠檬酸与10毫升蒸馏水一起添加到该黄色溶液中。
然后加入1.040克La(NO3)×6H2O和0.714克Eu(NO3)×6H2O和0.340克NaNO3，并将该混合物补充至40毫升。
将该黄色溶液在真空干燥箱中干燥；最初形成蓝色泡沫，最终由其产生蓝色粉末。然后将该固体在600℃煅烧5小时。
实施例7：通过与柠檬酸络合，制备无机发光材料La1.2Eu0.8WO4
将0.9711克氧化钨(IV)在温和升温下溶解在10毫升H2O2(30％)中。同时，制备0.7797克La(NO3)3·6H2O、0.5353克Eu(NO3)3·6H2O和1.8419克柠檬酸在40毫升H2O中的溶液，并添加到蓝色钨酸盐溶液中。
将该蓝色溶液在真空干燥箱中干燥；最初形成蓝色泡沫，最终由其产生蓝色粉末。然后将该固体在600℃煅烧5小时。
实施例8：无机发光材料(Gd0.6Eu0.4)2(WO4)1.5PO4的制备
将2.23克GdCl3×6H2O和1.465克EuCl3×6H2O溶解在100毫升乙二醇中(溶液1)。
将1.73克Na2WO4溶解在70毫升H2O中(溶液2)。
将0.74克K3PO4溶解在70毫升乙二醇中(溶液3)。
将100毫升溶液1先引入锥形瓶中。首先向其中加入70毫升溶液3。该溶液变混浊，但在简短搅拌后再变清澈。然后逐滴加入70毫升溶液2和5毫升NaOH溶液(1M)的混合物。
将反应混合物转移到三颈烧瓶中并在搅拌下回流至少6小时。
将250毫升丙酮逐滴添加到反应溶液中。然后离心出沉淀物并再用丙酮洗涤。然后将产物在炉中在650℃下煅烧4小时。
附图描述
下面参照多个实施例更详细解释本发明。
图1显示了无机发光材料Na0.5Gd0.3Eu0.2WO4的发射光谱。
图2显示了无机发光材料Na0.5Gd0.3Eu0.2WO4的激发光谱。
图3显示了无机发光材料(Gd0.6Eu0.4)2(WO4)1.5PO4的发射光谱。
图4显示了无机发光材料(Gd0.6Eu0.4)2(WO4)1.5PO4的激发光谱。
图5显示了具有含无机发光材料的涂层的发光二极管的示意图。该组件包含芯片状发光二极管(LED)1作为辐射源。该发光二极管装在用调节框2支承的杯形反射体中。将芯片1经由扁平电缆7与第一接点6连接，并直接与第二电接点6’连接。已经在反射体杯的内曲面上施用了包含本发明的转换无机发光材料的涂层。无机发光材料彼此单独使用或以混合物形式使用(部件号名单：1发光二极管，2反射体，3树脂，4转换无机发光材料，5漫射体，6电极，7扁平电缆)
图6显示了InGaN类型的COB(芯片直接贴装)封装件，其充当白光光源(LED)(1＝半导体芯片；2、3＝电连接；4＝转换无机发光材料；7＝板)。将无机发光材料分布在粘合剂透镜中，粘合剂透镜代表二次光学元件，并同时作为透镜影响发光特性。
图7显示了InGaN类型的COB(芯片直接贴装)封装件，其充当白光光源(LED)(1＝半导体芯片；2、3＝电连接；4＝转换无机发光材料；7＝板)。将无机发光材料直接分布在LED芯片上的薄粘合剂层中。可以在其上放置由透明材料构成的二次光学元件。
图8显示了充当白光光源(LED)的封装件(1＝半导体芯片；2、3＝电连接；4＝在由反射体形成的空腔内的转换无机发光材料)。将转换无机发光材料分散在粘合剂中，其中该混合物填充空腔。
图9显示了一种封装件，其中1＝外壳；2＝电连接；3＝透镜；4＝半导体芯片。这种设计的优点在于其是倒装芯片设计，其中较大比例的来自芯片的光可经由透明基底和基座上的反射体用于光用途。此外，在此设计中有利于热耗散。
图10显示了一种封装件，其中1＝外壳；2＝电连接；4＝半导体芯片，且透镜下方的空腔被本发明的转换无机发光材料完全填充。这种封装件的优点在于可以使用较大量的转换无机发光材料。这也可以充当远距无机发光材料。
图11显示了SMD(表面安装)封装件，其中1＝外壳；2、3＝电连接；4＝转换层。该半导体芯片完全被本发明的无机发光材料覆盖。该SMD设计的优点在于，其具有小的物理形状并因此适合装入传统灯中。
图12显示了T5封装件，其中1＝转换无机发光材料；2＝芯片；3、4＝电连接；5＝带有透明树脂的透镜。该转换无机发光材料位于LED芯片的背面，其优点在于该无机发光材料经由金属接点冷却。
图13显示了发光二极管的示意图，其中1＝半导体芯片；2、3＝电连接；4＝转换无机发光材料；5＝接合线，其中在粘合剂中的无机发光材料作为顶部球体施用。这种形式的无机发光材料/粘合剂层可以充当二次光学元件，并可以影响例如光传播。
图14显示了发光二极管的示意图，其中1＝半导体芯片；2、3＝电连接；4＝转换无机发光材料；5＝接合线，其中无机发光材料作为分散在粘合剂中的薄层施用。另一充当二次光学元件的组件，例如透镜，可以容易地施用到该层上。
图15显示了原则上已经从US-B 6,700,322中获知的进一步应用的一个实例。本发明的无机发光材料在此与OLED一起使用。光源是由实际有机薄膜30和透明基底32构成的有机发光二极管31。该薄膜30特别发出例如借助PVK:PBD:香豆素(PVK，聚(正乙烯基咔唑)的缩写；PBD，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑的缩写)产生的蓝色一次光。通过由本发明的无机发光材料的层33形成的顶层，发光被部分转换成黄色的二次发射光，从而通过一次和二次发射光的颜色混合产生总体白光。OLED基本由在两个电极之间的至少一层发光聚合物或所谓的小分子构成，这两个电极由本身已知的材料构成，例如作为阳极的ITO(“氧化铟锡”的缩写)和作为阴极的高反应性金属，如Ba或Ca。通常也在电极之间使用多个层，它们在小分子区域中充当空穴传输层或也充当电子传输层。所用发光聚合物是例如聚芴或聚螺环材料。
图16显示了与WO 2005/061659类似地具有无汞气体填充物21(图示性的)、铟填充物和缓冲气体的低压灯20，其中已经施加了本发明的无机发光材料的层22。

Claims (21)

1.式I的无机发光材料：
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+         (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2。
2.根据权利要求1的无机发光材料，其特征在于f＝g＝h＝0。
3.根据权利要求1和/或2的无机发光材料，其特征在于其由转换无机发光材料和式I无机发光材料的混合物组成。
4.式I的无机发光材料
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+        (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2，
其可通过将相应原材料湿化学混合产生无机发光材料前体并然后热处理而获得。
5.式I的线发射体无机发光材料的制备方法
MaMb’Mc”Md”’:Eue 3+，Srf 2+，Bag 2+，Pbh 2+      (I)
其中
M是元素Li、Na和/或K中的一种或多种，
M’是三价稀土金属La、Y和/或Gd中的一种或多种，
M”是阴离子MoO4 2-、WO4 2-中的一种或两种，
M”’等于PO4 3-阴离子，
0.001≤e≤20摩尔％，
0≤f≤30摩尔％，
0≤g≤30摩尔％，
0≤h≤30摩尔％，
并且
a)d＝0，
a+b＝1，
c＝1
b)a＝0，
b∶c∶d等于2.4∶3∶2，
其特征在于通过湿化学法将相应的原材料混合而制备无机发光材料，并然后将该无机发光材料热处理。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于所述混合物所用的原材料是无机和/或有机物质，如金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素的硝酸盐、碳酸盐、碳酸氢盐、磷酸盐、羧酸盐、醇盐、乙酸盐、草酸盐、卤化物、硫酸盐、有机金属化合物、氢氧化物和/或氧化物，其溶解和/或悬浮在无机和/或有机液体中。
7.根据权利要求5和/或6的方法，其特征在于所用原材料是相应金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素的硝酸盐、卤化物和/或磷酸盐。
8.根据权利要求5至7的一项或更多项的方法，其特征在于所用金属、半金属、过渡金属和/或稀土元素是Gd、W、Eu、Mo、Y、P和/或Na。
9.根据权利要求5至8的一项或更多项的方法，其特征在于将溶解或悬浮的原材料与表面活性剂(乙二醇)一起加热，并分离出所得中间体。
10.根据权利要求5至9的一项或更多项的方法，其特征在于所用表面活性剂是二醇。
11.根据权利要求5至10的一项或更多项的方法，其特征在于在600至1200℃将所述中间体热处理多个小时。
12.具有至少一个一次光源的照明装置，该一次光源的发射最大值在190至350纳米和/或365至430纳米和/或430至480纳米和/或520至560纳米的范围内，其中该辐射被转换无机发光材料和发光铕(III)-活化氧化物的混合物部分或完全转换成较长波长的辐射。
13.根据权利要求12的照明装置，其特征在于所述光源是发光的氮化铟铝镓，特别是具有式IniGajAlkN的氮化铟铝镓，其中0≤i、0≤j、0≤k，且i+j+k＝1。
14.根据权利要求12和/或13的照明装置，其特征在于所述光源是基于ZnO、TCO(透明导电氧化物)、ZnSe或SiC的发光化合物。
15.根据权利要求12和/或13的照明装置，其特征在于所述光源是基于有机发光层的材料。
16.根据权利要求12和/或13的照明装置，其特征在于所述光源是表现出场致发光和/或光致发光性的光源。
17.根据权利要求12和/或13的照明装置，其特征在于所述光源是等离子体或放电源。
18.根据权利要求12至17的一项或更多项的照明装置，其特征在于无机发光材料直接位于所述一次光源上和/或远离所述一次光源。
19.根据权利要求12至17的一项或更多项的照明装置，其特征在于无机发光材料和一次光源之间的光耦合是通过光导布置实现的。
20.根据权利要求1至4的一项或更多项的无机发光材料的用途，用于将蓝光或近紫外光转换成可见白光。
21.根据权利要求1至4的一项或更多项的无机发光材料的用途，用作通过按需选色原理将初级辐射转换成特定色点所用的转换无机发光材料。
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