TW200804565A - Process for the preparation of a line-emitter phosphor - Google Patents

Process for the preparation of a line-emitter phosphor Download PDF

Info

Publication number
TW200804565A
TW200804565A TW096120576A TW96120576A TW200804565A TW 200804565 A TW200804565 A TW 200804565A TW 096120576 A TW096120576 A TW 096120576A TW 96120576 A TW96120576 A TW 96120576A TW 200804565 A TW200804565 A TW 200804565A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
phosphor
light
light source
doc
mol
Prior art date
Application number
TW096120576A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Winkler
Tim Vosgroene
Original Assignee
Merck Patent Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent Gmbh filed Critical Merck Patent Gmbh
Publication of TW200804565A publication Critical patent/TW200804565A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7794Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

200804565 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於由銪(III)摻雜之氧化物組成之新穎直線射 極%光體,係關於其製造方法,且係關於包含根據本發明 之直線射極磷光體之白色發射照明單元。此外,本發明係 關於將直線射極磷光體用作將藍色或近11¥發射轉換成可 見白輻射之轉換磷光體的用途,且係關於將其用作白色 led或所謂按所需色彩之應用之LED轉換磷光體的用途。 【先前技術】 按所需色彩概念乃意謂藉由使用一或多個磷光體之 PCLED來產生特定色彩點之光。舉例而言,使用此概念以 便產生(例如)用於經照明之公司標誌、商標等之某些企業 設計。 一 ^ 白色LED為非常有效之光源,其由主要包含㈣^之藍 色電致發光晶片及鋪設在該晶片上之鱗光體組成。此鱗光 體由藍光激發且執行至較長波長的波長轉換。一部份藍光 穿過磷光體(透射)且加成性地與來自磷光體之螢光組合以 提供白光。所使用之磷光體尤其為諸如石榴石之系統、尤 其為YAG:Ce(在黃色區中發射)及正矽酸鹽(在綠黃至黃橙 區中發射)。迄今尚無易達成且穩定之磷光體調配物能够 在被來自mGaN之藍光(440至48〇 nm)激發時,亦在暗紅區 (61〇至620 nm)中強烈發射以便與至少一其他磷光體(例 如,以上所提及之石榴石或矽酸鹽)組合來產生,,暖,,白光。 高功率LED(>3GIm/_此僅能夠產生具有冷光溫度[相關 120573.doc 200804565 色溫(CCT)>5 000 K]之白光。然而,對於舒適之室内照明 而言,尤其有必要達成CCT=4200至3000 Κ之”較暖”色溫, 該等色溫具有與迄今尚未超過之鹵素燈泡(CCT=3 000-4200 κ)類似之光品質("感覺良好效果”)。另外,對於人工照 明’有必要促進在整個可見光區中之良好之色彩再現,使 得在被自然光照明時,經照明之物件對肉眼顯示相同色 彩。此態樣不僅對於室内照明係重要的,而且對於交通部
門亦係重要的。預期自2009年將可購得汽車之LED前燈。 此處,極其重要的係經照明之物件之色彩再現非常良好, 使得在夜晚由LED前燈照明之紅色物件(交通標誌)實際呈 現紅色而非棕色。用於廣泛照明目的之螢光燈含有紅色磷 光體YOX(Y2〇3:Eu3 + )。基於Eu3 +之紅色直線發射磷光體由 於其極1¾效率及穩定性而著稱,但是此等磷光體無法用於 藍色led中,因為有效激發必須在11¥區(波長短於3〇〇 中發生,且藍色LED在440至470 nm之範圍中發射。雖然 存在所謂,,UV"LED之概念,,然而,此等LED非常低效且具 有較紐使用壽命,且,另外,發射之波長通常在39〇至切5 nm之範圍中。 現今有-種不能令人滿意的解決方法乃以Eu2+推雜之硫
化物及硫代鎵酸鹽用作LED(例如,lumiLED)中之紅帶發L 射磷光體。然而,此等鱗光體不具有長期穩定性,因:: 會發生水解分解。此情形甚至在led之密封環境中發生, 因為濕氣能夠擴散穿過塑膠封裝。因Λ,自具備此等構光 體之LED發射之光中的紅色部 田於水解過程而不斷地減 120571.doc 200804565 少,進而導致由LED發射之光之色彩點變化。尚有一併發 性因素為水解產物具有腐|虫性作用且損害鱗光體之環境, 此意謂LED之使用壽命為相當有限的。 解決紅色Eu(II)摻雜之帶射極之上述問題的嘗試乃在於 使用紅色Ειι(Π)摻雜之直線射極磷光體,在19世紀6〇年代 首次描述該等磷光體·· 在 Hans J. Borchardt 之 1963 年出版之 J. Chem phys 第外 期第5〇4>511頁及196S年出版之第42期第374弘3745頁中, 描述一種藉由使用對應氧化物之反應作用的習知”混合及 燃燒’’方法來製造此等磷光體(例如,Gd2(w〇4)3:Eu3+、
Gd2(Mo〇4)3:Eu、Υ2(Μο04)3:Ειι及 GdP04:Eu)之方法。
Boixhardt方法之缺點在於··所得磷光體在化學計量組合 物(濃度梯度,尤其可導致濃度消光之活化劑Eu3 +之濃度梯 度)、顆粒大小及顆粒形態具有較低均勻性。在LED晶片上 以此等顆粒進行均勻且尤其可再現之塗佈因此係不可能 的。 【發明内容】 由於白色LED可僅替代諸如室内照明、交通照明及運載 工具照明之區域中的現有照明技術(白熾燈泡、鹵素燈、 螢光燈)’因此本發明之目標係在能夠取得具有較長使用 可印且有效之LED的紅色磷光體情況下,研發不具有以上 提及之缺點之方法。 【實施方式】 7人I °牙地,可藉由使用濕式化學方法來使對應起始材 120571.doc 200804565 料反應且隨後使產物經受熱處理 _ + 4 致供紅色直線射極磷光 體來達成本發明之目標。 因此,本發明係關於一種用於 碌光體之方法: “具有幻之直線射極 其中
MaMb,Mc"Md,":EUe3+,Sr产,〜2+ 5 Pb, (I) Μ 為元素Li、Na及/或κ:中之一或多者, M,為三價稀土金屬La、Y及/或〇〇1中之一或多者, M"為陰離子m〇〇42-、w〇42-中之一戋兩者& M"’等於p〇43-陰離子, (h001Se$20莫耳 %, 〇3$3〇莫耳%, 0$8$30莫耳%, 0ShS30莫耳。/〇 且此外 a)d=0, a+b=l, b)a=0 , 1^:〇:(1等於2.4:3:2, 其特徵在於:藉由使用濕式化學方法、、日 予乃/2:此合對應起始材料 來製造磷光體且隨後對其進行熱處理。 濕式化學製造通常具有優點在於:所得材料在化學計量 組合物、顆粒大小及顆粒形態方面具有較高均句性。顆= 120571.doc 200804565 因此允許較均勻地塗佈於led晶片上且促進非常高之内部 量子產量。 為了製造紅色直線射極磷光體,可用於混合物之起始材 料為無機及/或有機物質,諸如,硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸 • 氫鹽、磷酸鹽、羧酸鹽、醇鹽、醋酸鹽、草酸鹽、硫酸 • 鹽、有機金屬化合物、氫氧化物及/或金屬、半金屬、過 渡金屬及/或稀土之氧化物,其溶解於及/或懸浮於無機及/ _ 或有機液體中。此處所利用之起始材料較佳為對應金屬、 半金屬、過渡金屬及/或稀土之硝酸鹽、鹵化物及/或磷酸 5^ 〇 所利用之金屬、半金屬、過渡金屬及/或稀土較佳為以 下元素:釓、鎢、銪、鉬、釔、磷及/或鈉。 根據本發明,加熱經溶解或懸浮之起始材料與表面活性 劑、較佳二元醇歷時若干小日夺,且在室溫下使用有機沈澱 劑來隔離所得中間物。在純化並乾燥該中間物之後,中間 Φ 物在600與1200 C之間的溫度下經受熱處理歷時若干小 時既而提供作為最後產物之紅色直線射極鱗光體。 在該方法之較佳變化中,所利用之表面活性劑為乙二 • 醇0 _ 在該方法之另一變化中,所溶解或懸浮之起始材料(較 佳為氧化物及/或硝酸鹽)與多元羧酸(較佳檸檬酸)錯合, 且,在添加其他起始材料溶液之後,蒸發混合物至乾燥。 在於600。(:與1200。(:之間的溫度下進行熱處理之後,獲得 作為最後產物之紅色直線射極磷光體。 120571.doc -10- 200804565 在該方法之另一較佳變化中,經溶解或懸浮之起始材 料,較佳為氯化物及錯合氧化物(諸如,鉬酸鹽及/或鎢酸 鹽以及視需要添加磷酸鹽),在高溫下沈澱於弱鹼性溶液 中。純化且乾燥沈澱物,且接著使其在6〇〇與12⑽。c之間 的溫度下經受熱處理歷時若干小時,既而提供紅色直線射 極磷光體作為最後產物。 根據本發明之磷光體顆粒之顆粒大小分布的中位數 [Q(x=50%)]在[Q(X=50%)] = 50 nn]^[Q(x=5〇%)卜2〇 _、較 佳[Q(x 二 50%)] = ;!㈣至[Q(x=50%)] = i5,之範圍中。基於 SEM顯微照相術、藉由自數位化SEM影像人工地確定顆粒 直徑來確定顆粒大小。 此外本發明係關於具有式I之磷光體:
MaMb’Me’Md"’:Eue3+,Srf2+,Bag2+,Pbh2+ ⑴、 其中 Μ 為元素Li、Na及/或Κ中之一或多者, Μτ為三價稀土金屬La、Υ及/或Gd中之一或多者, M”為陰離子m〇042' W042-中之一或兩者, M"’等於PO,陰離子, 0.001$e$2〇莫耳%, 〇£匕30莫耳%, 0SgS30莫耳%, 0^^30莫耳%, 且此外 120571.doc -11 - 200804565 a+b=l j b)a=0 , 匕〇:(1係等於2.4:3:2。 與諸如錄、鎖或錯之較大二價陽離子共推 可激發性及光致發光。在另—實施财,f=g=㈣二: S胃根據本發明之鱗光體不含有共摻雜騎、Ba或Pb。
此外,本發明係關於具有式][之磷光體:
MaMb’Me”Md’”:Eue3 +,Srf2+,Bag2+5 Pbh2+ (I) 其中 5 M 為元素Li、Na及/或K中之一或多者, Μ’為三價稀土金屬La、Υ及/或Gd中之一或多者, M”為陰離子Mo〇42-、W〇42-中之一或兩者, M’”等於P0,陰離子, 0.001$620莫耳%, 0SK30莫耳%, 〇2$30莫耳%, 0$1^30莫耳% 且此外 a) d=0, a+b=l, b)a=0 ^ b:c:d係等於 2·4:3:2, 120571.doc -12 - 200804565 其可藉由對應起始材料之濕式化學混合以提供罐光體前 驅物且經文猎以將磷光體前.驢物轉換成完工磷光體的後續 熱處理而獲得。 此外,本發明係關於一種將來自發光元件(例如,半導 - 體元件’諸如^⑽或施⑽)之藍色或近uv發射以高色 . ¥再現轉換成可見白輻射的磷光體,其中磷光體由石榴石 磷光體與根據本發明之具有之磷光體的混合物組成, 具有式1之磷光體係藉由根據本發明之濕式化學方法來製 造。 紅色直線射極較佳具有在59〇與7〇〇 nm之間、較佳在6〇〇 與660 nm之間的較窄結構化之發射。 採用術語”石榴石磷光體"來意謂具有立方石榴石結構之 三元結晶組合物,諸如lAhO^YAG),其可由(例如)鈽摻 雜。 此外,本發明係關於一種將來自發光元件(例如,半導 • 體元件)之藍色或近UV發射以高色彩再現轉換成可見白輻 射的碟光體,其中碟光體由正石夕酸鹽碟光體與根據本發明 之具有式I之紅色磷光體的混合物組成,具有式1之紅色磷 - 光體係藉由根據本發明之濕式化學方法來製造。 _ 採用術語”正矽酸鹽磷光體"來意謂具有正矽酸鹽基質(尤 其為經混合之鹼土金屬正矽酸鹽)之銪(11)摻雜之磷光體。 通常,根據本發明之紅色直線射極磷光體可與所有普通 石榴石及正矽酸鹽磷光體混合,如熟習此項技術者自文獻 (例如,CRC Press於2004年出版之William M· Yen等人之 12057I.doc -13- 200804565
Inorganic Phosphors)已知。 此外,本發明係關於一種具有至少--次光源之照明單 元,該一次光源之發射最大值在19〇至350 nm及/或365至 430 nm及/或430至480 nm及/或520至560 nm之範圍中,其 中一次輻射由根據本發明之轉換磷光體與發射銪(111)活化 氧化物之混合物部分或全部轉換成較長波長之輻射。昭 〇、、
明單兀較佳為白色發射型的。轉換磷光體涵蓋石榴石磷光 體、正矽酸鹽磷光體及/或硫化物磷光體。然而,石榴石 磷光體及正矽酸鹽鱗光體為較佳的。 在根據本發明之照明單元之較佳實施例中,光源為發光 銦鋁鎵氮化物’尤其為具有式IniGa,lkN之氮化物,其中 、〇幻、〇殳且i+j+k=1。照明單元較佳為白色發射型 的0 在根據本發明之照明單元之另一較佳實施例中,光源為 基於ZnO、透明導電氧化物(TC〇)、以以或之發光=合 物或為基於有機發光層之材料。 在根據本發明之照明單元之另—較佳實施例中,光源為 一呈現電致發光及/或光致發光的源。光源亦可另外為雷 聚或放電源。 ” 取決於應用,根據本發明之填光體可分散於樹脂(例 如’孩乳樹脂或聚石夕氧樹脂)中’或在給定適合大小停件 的狀況下直接配置於—次光源上,或者配置於遠離_ = 源之處(後-配置亦包括"遠端鱗光體技術,,)。熟習 術者已知遠端碟井,# % i 、、 員技 ㈣先體技術之優點,且(例如)由以下公告揭 120571.doc -14· 200804565
路返端構光體技術之彳I ^ T 义何义 k 點· Japanese JoUrn· 〇fAppl p 第 44卷,第 21 期(2005),L649sL65i。 在另“也例中’較佳磷光體與一次光源之間的照明 元之光學耦合藉由光傳導署也 Μ ^ 專^配置來達成。此使一次光源能夠 安裝在中央位置處且葬由伞德 处且稭由先傳導裝置(諸如,光傳導纖維) 來光學耦合至磷先體。Γ/ &^ 此方式’可達成與照明期望匹配 之燈,其僅由一個或不同鱗光體組成,4光體可經配置以 形成-遮光板及-_合至—次光源之光傳㈣。以此方 式有可此將較強一次光源置放於有利於電子安裝之位置 處且在無需其他顧而僅藉由布置光傳㈣來將包含鱗光 體之燈安裝於任何所要位置處,其中燈_合至光傳導器。 此外本鲞明係關於將根據本發明之直線射極磷光體用 於將藍色或近υν發射轉換成可見白輻射的用途。此外, 首選將根據本發明之碟光體用於藉由按需色彩概念而將一 次輻射轉換成特定色彩點的用途。 自激發光譜(參看圖2及圖4)可知,不同情形在根據本發 明之直線射極磷光體情況下比(例如)在諸如Y203:Eu3+或 YV〇4:Eu3之傳統紅色磷光體情況下更盛行。在傳統紅色 ~光體^況下’激發光譜由波長範圍25〇至3〇〇 nm之密集 ▼支配其構成各別電荷轉移狀態,而波長範圍> 300 nm 之Eu3 +離子吸收帶僅在非常敏感量測情況下可達成,因為 八產生自在畺子機械方面被禁止的過渡。 然而,在根據本發明之Gd2(w〇4)3:Eu3+情況下,此等過 度係非常明顯的(圖2 ·,在自38〇 nm至420 nm及自450 nm至 120571.doc 200804565 470 nm及自530 nms55〇 nm&波長處),另外,其強度在 電荷轉移過渡之強度區中。因此,根據本發明之鱗光體可 被藍色LED.刺激以發射強烈紅色發光。此尤其適用於£^ + 之過渡(λ466 nm),其可藉由使用具有46〇随^至 • 470 nm之發射波長之藍色LED來激發。舉例而言,自圖! • 之發射光譜而清楚,根據本發明之紅色直線射極磷光體實 際上排他地發射非常強烈的在波長範圍61〇至62〇 nm中之 ⑩ 紅色直線,其產生自Ειι3 +之5D0->7F2過渡。 以下貫例意欲說明本發明。然而,決不應將其視作限 制。可用於組合物中之所有化合物或組分可為已知且市售 的或可藉由已知方法合成。實例中始終以。c指示溫度。此 外,不言而喻,在描述及亦在實例中,組合物中組分之添 加量始終總計100%。所給出之百分比資料始終被視作在 給疋炀況下。然而,其通常始終與所指示之部分量或總量 之重量相關。 • 實例 實例1 :製造磷光體NauGduEiiuWh 將2.708 g之六水硝酸釓及1 784 g之六水硝酸銪溶解於 . 1〇〇 ml之乙二醇中[溶液!]。同時,製造1.550 g之二水鎢酸 - 鈉於50 ml之去離子水中之溶液[溶液2]。初始引入40 ml之 溶液1,且逐滴添加45 ml之溶液2、45 ml之乙二醇及3 ml 之NaOH溶液(1 Μ)之混合物。在逐滴添加之後(溶液具有 pH值7.5),回流該混合物歷時6小時。 在冷卻反應溶液之後,逐滴添加2〇〇 ml之丙酮,隨後離 120571.doc -16- 200804565 心該沈澱物,再次以丙酮清洗且以空氣流乾燥,轉移至瓷 皿中且在6 0 0 C下锻燒歷時5小時。 實例2 : 製造鱗光體 Na〇.5 Υ0 4Ειχ〇.ιΜο〇4 .將3.06 g之六水硝酸釔及0·892 g之六水硝酸銪溶解於1〇〇 ml之乙二.醇中[溶液1]:。同時,製造121〇 §之二水鉬酸鈉 於50 ml之去離子水中之溶液[溶液2]。初始引入2〇 ml之溶 ❿ 液1,且逐滴添加4 5 ml之溶液2、45 ml之乙二醇及3 ml之
NaOH溶液(1 M)之混合物。在逐滴添加之後,回流該混合 物歷時6小時。 在冷卻反應溶液之後,逐滴添加2〇〇 ml之丙酮,隨後離 心該沈澱物,再次以丙酮清洗且以空氣流乾燥。 該批料被轉移至馬弗(muffle)爐中且在其中在6〇〇緞燒 歷時5小時。 實例3 :製造磷光體NaG.5LaG.3EuG2W〇4(沈澱反應) φ 將2·120 g之六水氣化鑭及l467 g之六水氯化銪溶解於 100 ml之去離子水中[溶液1]。,同時,製造4 948 g之二水鶴 酸納於100 ml之去離子水中之溶液[溶液2]。初始.引入ι〇〇 • ml之溶液1,將溶液2逐滴添加至其中(監視pH值,應在7.5 至8之範圍中,若必要,使用NaOH溶液(1 M)來校正)。 隨後回流該混合物歷時6小時。 在冷卻反應溶液之後,藉由吸力濾出沈澱物且進行乾 燥,既而提供白色沈澱物。 在600°C下煅燒該批料歷時5小時。 120571.doc 17 200804565 實例4:藉由與檸檬酸錯合來製造磷光體Na〇sLa〇3Eu〇2M〇〇4 藉由輕度加溫將丨.024 g之氧化鉬(IV)溶解於1〇 μ之 H2〇2(30%)中。將4.608 g之檸檬酸與1〇瓜丨之蒸餾H2〇 一起 添加至黃色溶液。 隨後添加 1.040 g 之 La(N03)x6 H2〇 及 0.714 g 之
Eu(N03)x6 H2〇以及0·340 giNaN〇3,且使混合物高達仙 ml。在真空乾燥箱中乾燥該黃色溶液;藍色泡沫初始形 成,最終自其產生藍色粉末。隨後在8〇(rc下煅燒該固體 歷時5小時。 實例 5 ·製造磷光體 Na〇.5La ❶ 5 將2.120 g之六水氯化鑭及1467 g之六水氯化銪溶解於 100 ml之乙二醇中[溶液1]。同時,製造1815 g之二水鉬酸 納及2.474 g之二水鶬酸鈉於1〇〇 mi之去離子水中之溶液 [溶液2]。初始引入100 ml之溶液1,將溶液2逐滴添加至其 中(pH值應在7.5至8之範圍中,若必要,使用Na〇H溶液(1 M)來校正)。 隨後回流該混合物歷時6小時。 在冷卻反應溶液之後,藉由吸力濾出沈澱物且進行乾 燥,且隨後在600°C下煅燒歷時5小時。 實例6 :藉由與檸檬酸錯合來製造磷光體Lai 2Ει1ϋ 8M〇〇4 藉由輕度加溫將1·〇24 g之氧化鉬(IV)溶解於1〇 ―之 H2〇2(30°/〇)中。將4.608 g之擰檬酸與1〇 mi之蒸餾h2〇一起 添加至黃色溶液。 隨後添加 1·〇40 g 之 La(N03)x6 H20 及 0.714 g 之 120571.doc 18 200804565
Eu(N03)x6 H20以及0.340 g之NaN〇3,且使混合物高達4〇 ml。在真空乾燥箱中乾燥該黃色溶液;藍色泡沫初始形 成’最終自其產生藍色粉末。隨後在6〇0它下煅燒該固體 歷時5小時。 實例7 ··藉由與檸檬酸錯合來製造磷光體Lai 2Eu& 8 w〇4 藉由輕度加溫將〇·9711 g之氧化鎢(IV)溶解於1〇 ―之 H2O2(30%)中。同時,製造 〇·7797 giLa(N〇3)3 · 6 %〇、 0.5353 g 之 Eu(N03)3 · 6 h20 及 1.8419 g 之檸檬酸於 40 -之 H2〇中之溶液且將其添加至藍色鎢酸鹽溶液。 在真空乾燥箱中乾燥該藍色溶液;藍色泡洙初始形成, 最終自其產生藍色粉末。隨後在60(rc下煅燒該固體歷時5 小時。 實例 8 :製造磷光體(Gd06Eu04MW〇4)i sP()4 將 2.23 g 之 GdCl3 x 6 H20 及 1.465 g 之 EuC13 X 6 H20 溶解 於100 ml之乙二醇中(溶液J)。 將1.73 g之NajCU溶解於7〇 ml之h2〇中(溶液2)。 將0.74 g之K3P〇4溶解於7〇 mi之乙二醇中(溶液3)。 初始將100 ml之溶液!引入至錐形瓶中。首先,將7〇 — 之/谷/夜3添加至其中。溶液變得混濁,但在簡單攪拌之後 再次變得清澈。隨後逐滴添加7〇 mi之溶液2與5 mltNa〇H 溶液(1 Μ)之混合物。 將反應混合物轉移至三頸燒瓶中且藉由攪拌來回流歷時 至少6小時。 將250 ml之丙酮逐滴添加至反應溶液。隨後離心出沈澱 120571.doc -19- 200804565 物且再次以丙_清洗。接著,在爐中在65〇。〇下煅燒該產 物歷時4小時。 【圖式簡單說明】 圖1展示碟光體Nao.sGdojEuojWO4之發射光譜 圖2展示磷光體Na^GduEuwWCU之激發光譜 圖3展示磷光體(Gd〇 6Eu〇 jhwO4)〗 5P〇4之發射光譜 圖4展示碟光體(Gd〇5p〇4之激發光譜
圖5展示對具有含磷光體之塗層之發光二極體的圖形描 繪。組件包含作為輻射源的類晶片發光二極體(LED) 1。發 光二極體容納於杯形反射器中,該杯形反射器由調整框架 2固持。as片1經由扁平電纜7連接至第一接觸點6且直接連 接至第二電接觸點6,\包含根據本發明之轉換磷光體之塗 層已鋪設至反射杯内曲面。磷光體可獨立於彼此而被利用 或以混合物形式被利用。(件號清單:i發光二極體、2反 射器、3樹脂、4轉換磷光體、5漫射體、6電極、7扁平電 缆) 圖6展示InGaN類型之板上晶片(c〇B)封裝,其充當白光 之光源(LED)(1 =半導體晶片·?、;—蕾 丁守曰日月,2、3-電連接件;4 =轉換磷 光體’· 7=板)。磷光體分布在黏合劑透鏡中,其同時表示 一人光學元件且作為透鏡而影響光發射特徵。 圖7展示InGaN類型之板上晶片(c〇B)封裝,其充當白光 之光源(LED)(1 =半導體晶片;2、3=電連接件;4 =轉換鱗 先體;7=板)。4光體直接分布於晶片上之較薄黏合 劑層中。由透明材料組成之二次光學元件可置放於其上。 120571.doc -20- 200804565 圖8展示一封裝,其充當白光之光源(LeD)(1 =半導體晶 片;2、3 =電連接件;4 =反射器空腔中之轉換磷光體)。轉 換碟光體分散於黏合劑中,其中混合物填充空腔。 圖9展示一封裝,其中卜外殼;2=電連接件·,3 =透鏡; 4=半導體晶片。此設計具有優點在於:其為覆晶設計,其 中較大比例之來自晶片之光可經由基座上之透明基板及反 射器而用於照明目的。另外,在此設計中,有利於熱耗 散。 圖10展示一封裝,其中外殼;2=電連接件;心半導體 曰曰片,且在透鏡下方之空腔完全由根據本發明之轉換磷光 體填充。此封裝具有優點在於:可使用較大量之轉換磷光 體。此亦可充當遠端磷光體。 圖11展示SMD(表面黏著)封裝,其中1==外殼;2、>電 連接件;扣轉換層。半導體晶片完全由根據本發明之填光 體覆蓋。SMD設計具有優點在於··其具有較小實體形狀且 因此適配於習知燈。 圖12展不T5封裝,其中1=:轉換磷光體;晶片;3、— 電連接件;5 =具有透明樹脂之透鏡。轉換磷光體位於咖 晶片之背面上’其具有優點在於構光體經由金屬連接件而 冷卻。 圖13展示對發光二極體之圖形描繪,其中卜半導體晶 片;2、3=電連接件…轉㈣光體; >接合線,其中黏 合劑中之填光體被鋪設為頂部球體。此形式之構光體/黏 合劑層可充當二次光學元件且可影響(例如)光傳播。 120571.doc -21 - 200804565 圖14展不對發光二極體之圖形描繪,其中卜半導體晶 片’ 2 3電連接件,4=轉換碟光體; >接合線,其中鱗 光體被鋪設為分散於黏合劑中之薄層。充#:次光學_ (諸如,透鏡)之另-組件可易於鋪設於此層。 圖15展不另一應用之音加
。用之貝例,如大體上自美國專利第B
6’700’322#b中已知。此處,根據本發明之填光體與沉肋 -起使用。光源為有機發光二極體31,其由實際有機膜% 及透明基板32組成。膜3〇尤其發射藍色一次光,其(例如) 由pvk:PBD ··香豆素(PVKn乙烯 PBD ’ 2-(4-聯三苯)_5_(心第^丁基苯基二哇之 細寫)產生。由自根據本發明之磷光體層33形成之頂層將 發射部分地轉換成黃色二次發射光,既而經由一次及二次 發射光之色彩混合整個導致白色發射。〇LED基本上由發 光聚a物之至少一層或以由本身已知之材料組成之兩俩電 極(諸如,ιτο(”氧化銦錫”之縮寫)作為陽極及諸如^或Ca 之高度反應性金屬作為陰極)之間的所謂小分子組成。在 電極之間亦頻繁使用複數個層,其充當小分子區中之電洞 傳輸層或亦充當電子傳輸層。所使用之發射聚合物(例如) 為聚i或聚螺材料。 圖16展示類似於冒〇 2〇〇5/〇61659之低壓燈2〇,其具有無 汞氣體填料21 (圖解)、銦填料及緩衝氣體,其中已鋪設根 據本發明之磷光體層22。 【主要元件符號說明】 1 類晶片發光二極體/半導體晶片/外 12057I.doc -22- 200804565
2 3 4 5 6 7 20 22 30 31 32 33 殼/轉換磷光體 反射器/電連接件/晶片 樹脂/電連接件/透鏡/電連接件 轉換磷光體/半導體晶片/電連接件 漫射體/透鏡/接合線 電極 扁平電纜/板 低壓燈 無果氣體填料 磷光體層 有機膜 有機發光二極體 透明基板 磷光體層
120571.doc -23 -

Claims (1)

  1. 200804565 十、申請專利範圍: 1. 一種具有式I之磷光體: MaMb’Mc’Md’”:Eue3 +,Srf2+,Bag2+,Pbh2+ ⑴ 其中 Μ 為元素Li、Na及/或Κ中之一或多者, Μ?為三價稀土金屬La、Υ及/或Gd中之一或多者, M”為陰離子Mo042·、W042·中之一或兩者, 等於一ρ〇43·陰離子, • 0.GG1 把20莫耳 %, 〇Sf^30莫耳 %, 〇$g$30莫耳%, 〇Sh$3〇莫耳 % 且此外 a) d=0, a+b=l 5 • C=1 b) a==0, b:c:d等於 2.4:3:2。 , 2.如請求項1之磷光體,其特徵在於:。 3.如請求項丨及/或2之磷光體,其特徵在於:其由轉換磷光 體及一具有該式I之磷光體之一混合物組成。 4· 一種具有式I之磷光體: MaMb’Mc’Md’”:EV' Srf2+,Bag2+,pbh2+ ⑴ .其中 120571.doc 200804565 M 為元素Li、Na及/或K中之一或多者, Μ,為三價稀土金屬La、Υ及/或Gd中之一或多者 M”為陰離子m〇042·、W042·中之一戋兩者, 等於一 p〇43·陰離子, 0.001Se$2〇莫耳。/〇, 0$匕30莫耳%, 〇SgS30莫耳%, OShSO莫耳% 且此外 a)d=0, a+b^l 5 c=l b)a=0 , b:c:d 等於 2.4:3:2, 其可藉由對應起始材料之渴式化與、θ “ &化+混合以提供鱗光體前
    驅物且經受後續熱處理而獲得。 5 · —種製造一具有式I之直線射極罐光體之方法 (I) MaMb,Mc”Md”,:Eue3+,Srf2' Ba 2+ · ag ,Pbh2+ M 為元素Li、Na及/或K中之一或多者 Μ,為三價稀土金屬La、Υ及/或〇€1中之—口夕 M,,為陰離子Mo042-、W042·中之——、 或多者, 或兩者, M’"等於一p〇43·陰離子, 0.001$62〇莫耳 %, 120571.doc 200804565 〇Sf^3〇莫耳%, 0SgS30莫耳 %, 0ShS30莫耳 〇/0 且此外 a)d = 0, a+b=l 5 c=l
    b)a=:0 » 13:〇:(1等於2.4:3:2, 該方法之特徵在於:_光體係 來混合對應起始材料而,迕且〜使用濕式化學方法 ,^社出s 咐蒗&且心後党到熱處理。 .喷,項5之方法,其特徵在於:用 I Ϊ A » t 用於該混合物之兮莖 5。材料為無機及/或有機物 醯山么 貝老如,硝酸鹽、碳酸 鹽、石反酸氫鹽、磷酸鹽、 1羧l鹽、醇鹽、醋酸鹽、草酸 1、硫酸鹽、有機金屬务人斗 · “屬化“勿、氧氧化物及/或金屬、半 孟廣、過渡金屬及/或蘇+ ㈣土之減物,^等物質溶解於 及/或懸洋於無機及/或有機液體中。 月农貝5及/或6之方法’其特徵在於:所利用之該等起 始材料為對應金屬、半金屬、過渡金屬及/或稀土之確酸 鹽、南化物及/或磷酸鹽。 月來項5至7中一或多項之方法,其特徵在於··所利用 之該等金屬、半金屬、過渡金屬及/或稀土為Gcl、w、 Eu、M〇、Y、P及 /或 Na。 9·如請求項5至8中一或多項之方法,其特徵在於··加熱該 12057I.doc 200804565 等經溶解或懸浮之起始材料舆—表面活性劑(乙二醇), 且所得中間物被隔離。 1 〇·如請求項5至9中一或吝馆夕十、丄 ^ 二 王丫 A夕項之方法,其特徵在於:所利用 之該表面活性劑為二元醇。 11·如請求項5至H)中-或多項之方法,其特徵在於:該中 間物在600與1200 C之間經受熱處理歷時若干小時。
    12. -種具有至少—個—次光源之照明單元,該光源之發射 最大值在190至35〇 nm及/或365至43〇 _及/或43〇至48〇 nm及/或52〇至560 nm之範圍中,其中此輻射由轉換磷光 體與-發射销⑽活化氧化物《混合物部分地或全部地 轉換成較長波長輻射。 13·如請求項12之照明單元,其特徵在於:該光源為一發光 銦銘叙氮化物,尤其為具有式ΙηπΑΑια之氮化物,其 中 〇Si、0幻、〇$k且 i+j+k=l。 14.如請求項12及/或13之照明單元,其特徵在於:該光源為 一基於ZnO、透明導電氧化物(TC0)、ZnSe4Sic之發光 化合物。 15·如請求項12及/或13之照明單元,其特徵在於··該光源為 一基於一有機發光層之材料。 16·如請求項12及/或13之照明單元,其特徵在於:該光源為 一呈現電致發光及/或光致發光之源。 17·如請求項12及/或13之照明單元,其特徵在於:該光源為 一電漿或放電源。 1 8 ·如請求項12至1 7中一或多項之照明單元,其特徵在於· 120571.doc 200804565 該磷光體直接配置於該一次弁泝卜男 人尤/原上及/或遠離該一次光源 而配置。 i9.如請求項!2至17中—或多項之照明單元,其特徵在於: 該碟光體與該-次光源之間的光學叙合係藉由—光傳導 配置達成。 20. -種㈣求項⑴中—或多項之碟光體之用途 於將監色或近UV發射轉換成可見白輻射。
    + 11至4之—或多項之鱗光體之用it,其係用 :::?所需色彩概念將一次輕射轉換成-特定色彩點 的轉換磷光體。
    120571.doc
TW096120576A 2006-06-08 2007-06-07 Process for the preparation of a line-emitter phosphor TW200804565A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006027026A DE102006027026A1 (de) 2006-06-08 2006-06-08 Verfahren zur Herstellung eines Linienemitter-Leuchtstoffes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200804565A true TW200804565A (en) 2008-01-16

Family

ID=38235250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096120576A TW200804565A (en) 2006-06-08 2007-06-07 Process for the preparation of a line-emitter phosphor

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20100171413A1 (zh)
EP (1) EP2024466A1 (zh)
JP (1) JP2009540022A (zh)
KR (1) KR20090026796A (zh)
CN (1) CN101460590A (zh)
CA (1) CA2654495A1 (zh)
DE (1) DE102006027026A1 (zh)
TW (1) TW200804565A (zh)
WO (1) WO2007140853A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007039260A1 (de) 2007-08-20 2009-02-26 Merck Patent Gmbh LCD-Hintergrundbeleuchtung mit LED-Leuchtstoffen
TWI385834B (zh) * 2009-02-06 2013-02-11 Yu Nung Shen Light emitting diode chip package and manufacturing method thereof
CN101619214B (zh) * 2009-07-31 2013-10-30 中国地质大学(武汉) 一种白钨矿物相红色荧光粉及其制备方法
US8541793B2 (en) * 2010-02-04 2013-09-24 Yu-Nung Shen Light emitting diode device and method for fabricating the same
CN103222026A (zh) 2011-07-04 2013-07-24 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板
CN102604633B (zh) * 2012-02-07 2016-04-27 中国科学院福建物质结构研究所 一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法
EP2647689A4 (en) * 2012-02-08 2015-01-14 Panasonic Corp Yttrium Aluminum Garnet PHOSPHORUS
JP5391339B1 (ja) * 2012-02-08 2014-01-15 パナソニック株式会社 白色系発光装置
WO2014203483A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 赤色蛍光体材料および発光装置
DE102013109898A1 (de) * 2013-09-10 2015-03-12 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements und Beleuchtungseinrichtung für ein Kraftfahrzeug
TWI575181B (zh) * 2014-09-26 2017-03-21 艾笛森光電股份有限公司 光線發射模組

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6585913B2 (en) * 2001-07-30 2003-07-01 General Electric Company Scintillator compositions of alkali and rare-earth tungstates
EP1447853B1 (en) * 2001-10-01 2012-08-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
US7059927B2 (en) * 2002-08-19 2006-06-13 Lite On Technology Corporation Method for manufacturing white light source
US6982523B2 (en) * 2003-01-28 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho Red light emitting phosphor, its production and light emitting device
JP2005054159A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Kasei Optonix Co Ltd 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子
CN1239673C (zh) * 2003-10-23 2006-02-01 北京有色金属研究总院 一种led用红色荧光粉及其制备方法和所制成的电光源
JP2005179498A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Nec Lighting Ltd 赤色蛍光体材料、赤色蛍光体材料を用いた白色発光ダイオードおよび白色発光ダイオードを用いた照明機器
DE112005000370T5 (de) * 2004-02-18 2006-12-07 Showa Denko K.K. Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung desselben und lichtmittierende Vorrichtung unter Verwendung des Leuchtstoffs

Also Published As

Publication number Publication date
CN101460590A (zh) 2009-06-17
US20100171413A1 (en) 2010-07-08
KR20090026796A (ko) 2009-03-13
CA2654495A1 (en) 2007-12-13
EP2024466A1 (de) 2009-02-18
DE102006027026A1 (de) 2007-12-13
JP2009540022A (ja) 2009-11-19
WO2007140853A1 (de) 2007-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200804565A (en) Process for the preparation of a line-emitter phosphor
EP2688978B1 (en) Color stable manganese-doped phosphors
JP5941243B2 (ja) 発光装置、それを用いた車両用灯具、およびヘッドランプ
TWI364449B (en) Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations
TWI254958B (en) Light-emitting device with coated phosphor
TWI479010B (zh) 磷光體和發光裝置
JP4760082B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP4725008B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体および発光素子用蛍光体の製造方法
TW200952225A (en) Light emitting device
TW200814377A (en) LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP2008538652A (ja) セラミック発光コンバーターを含む照明システム
TW200907026A (en) Process for the preparation of phosphors consisting of orthosilicates for pcLEDs
TW200916557A (en) Phosphor, production method thereof, and light-emitting apparatus using phosphor
JP2003533852A (ja) Ledデバイス用白色光放出性発光体
KR20120037034A (ko) 형광체 및 그 제조 방법, 및 그것을 이용한 발광 장치
EP2128219A1 (en) Fluorescent substance, method for production thereof, and wavelength converter, light-emitting device and lighting device
CN104282827A (zh) 波长转换结构、包括波长转换结构的设备及相关制造方法
TW200907025A (en) Process for the preparation of phosphors based on orthosilicates for pcLEDs
JP2005082788A5 (zh)
CN101233210B (zh) 红磷光体及其制造方法以及使用红磷光体的发光器件
TW201110415A (en) Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
JP5683625B2 (ja) 発光装置、それを用いた車両用灯具、およびヘッドランプ
Lyons et al. Color stable manganese-doped phosphors
TWI313705B (en) Light emitting diode component having phosphor whose chemical formula is (ca1-x-yeuxmy)se
Lyons et al. Color stable manganese-doped phosphors