JPH0735879A
(ja)
*
|
1993-07-22 |
1995-02-07 |
Yukiro Kawashima |
時刻・年月日信号を出力する電波時計
|
US6635923B2
(en)
*
|
2001-05-24 |
2003-10-21 |
International Business Machines Corporation |
Damascene double-gate MOSFET with vertical channel regions
|
JP4870288B2
(ja)
*
|
2001-09-11 |
2012-02-08 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法と集積回路と半導体システム
|
JP4870291B2
(ja)
*
|
2001-09-26 |
2012-02-08 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法および集積回路および半導体システム
|
TWI261358B
(en)
*
|
2002-01-28 |
2006-09-01 |
Semiconductor Energy Lab |
Semiconductor device and method of manufacturing the same
|
US7358121B2
(en)
*
|
2002-08-23 |
2008-04-15 |
Intel Corporation |
Tri-gate devices and methods of fabrication
|
US6818952B2
(en)
*
|
2002-10-01 |
2004-11-16 |
International Business Machines Corporation |
Damascene gate multi-mesa MOSFET
|
DE10248722A1
(de)
|
2002-10-18 |
2004-05-06 |
Infineon Technologies Ag |
Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
|
KR100474850B1
(ko)
*
|
2002-11-15 |
2005-03-11 |
삼성전자주식회사 |
수직 채널을 가지는 비휘발성 sonos 메모리 및 그 제조방법
|
JP2006511091A
(ja)
*
|
2002-12-19 |
2006-03-30 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション |
反転型FinFET薄膜トランジスタを用いたFinFETSRAMセル
|
JP2004214413A
(ja)
|
2002-12-27 |
2004-07-29 |
Toshiba Corp |
半導体装置
|
JP2004214379A
(ja)
|
2002-12-27 |
2004-07-29 |
Toshiba Corp |
半導体装置、ダイナミック型半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法
|
KR100483425B1
(ko)
*
|
2003-03-17 |
2005-04-14 |
삼성전자주식회사 |
반도체소자 및 그 제조 방법
|
KR100769418B1
(ko)
|
2003-03-20 |
2007-10-22 |
마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 |
반도체장치 및 그 제조방법
|
WO2004090992A1
(ja)
*
|
2003-04-09 |
2004-10-21 |
Nec Corporation |
高移動度シリコンチャネルを有する縦型misfet半導体装置
|
JP2005005465A
(ja)
*
|
2003-06-11 |
2005-01-06 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置及びその製造方法
|
WO2004109790A1
(ja)
*
|
2003-06-04 |
2004-12-16 |
Tadahiro Ohmi |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2005006127A
(ja)
*
|
2003-06-12 |
2005-01-06 |
Toyota Industries Corp |
ミキサ回路
|
JP2005056870A
(ja)
*
|
2003-06-12 |
2005-03-03 |
Toyota Industries Corp |
ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路、その半導体集積回路及びダイレクトコンバージョン受信機
|
JP4723797B2
(ja)
*
|
2003-06-13 |
2011-07-13 |
財団法人国際科学振興財団 |
Cmosトランジスタ
|
JP2005005622A
(ja)
*
|
2003-06-13 |
2005-01-06 |
Toyota Industries Corp |
リミッタ回路及びその半導体集積回路
|
JP2005005621A
(ja)
*
|
2003-06-13 |
2005-01-06 |
Toyota Industries Corp |
Dcアンプ及びその半導体集積回路
|
JP2005005620A
(ja)
*
|
2003-06-13 |
2005-01-06 |
Toyota Industries Corp |
スイッチトキャパシタ回路及びその半導体集積回路
|
JP4105044B2
(ja)
|
2003-06-13 |
2008-06-18 |
株式会社東芝 |
電界効果トランジスタ
|
US7095065B2
(en)
*
|
2003-08-05 |
2006-08-22 |
Advanced Micro Devices, Inc. |
Varying carrier mobility in semiconductor devices to achieve overall design goals
|
US6970373B2
(en)
*
|
2003-10-02 |
2005-11-29 |
Intel Corporation |
Method and apparatus for improving stability of a 6T CMOS SRAM cell
|
US7612416B2
(en)
|
2003-10-09 |
2009-11-03 |
Nec Corporation |
Semiconductor device having a conductive portion below an interlayer insulating film and method for producing the same
|
FR2861501B1
(fr)
*
|
2003-10-22 |
2006-01-13 |
Commissariat Energie Atomique |
Dispositif microelectronique a effet de champ apte a former un ou plusiseurs canaux de transistors
|
KR100506460B1
(ko)
*
|
2003-10-31 |
2005-08-05 |
주식회사 하이닉스반도체 |
반도체소자의 트랜지스터 및 그 형성방법
|
US6962843B2
(en)
*
|
2003-11-05 |
2005-11-08 |
International Business Machines Corporation |
Method of fabricating a finfet
|
KR100521384B1
(ko)
*
|
2003-11-17 |
2005-10-12 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자 및 그 제조 방법
|
US7268058B2
(en)
*
|
2004-01-16 |
2007-09-11 |
Intel Corporation |
Tri-gate transistors and methods to fabricate same
|
KR100526889B1
(ko)
*
|
2004-02-10 |
2005-11-09 |
삼성전자주식회사 |
핀 트랜지스터 구조
|
EP1566844A3
(en)
*
|
2004-02-20 |
2006-04-05 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Multi-gate transistor and method for manufacturing the same
|
KR100585131B1
(ko)
|
2004-02-20 |
2006-06-01 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자 및 그 제조 방법
|
US7701018B2
(en)
|
2004-03-19 |
2010-04-20 |
Nec Corporation |
Semiconductor device and method for manufacturing same
|
US7056773B2
(en)
*
|
2004-04-28 |
2006-06-06 |
International Business Machines Corporation |
Backgated FinFET having different oxide thicknesses
|
JP3964885B2
(ja)
|
2004-05-19 |
2007-08-22 |
株式会社東芝 |
半導体装置及びその製造方法
|
US7830703B2
(en)
*
|
2004-06-04 |
2010-11-09 |
Nec Corporation |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
JP4675585B2
(ja)
|
2004-06-22 |
2011-04-27 |
シャープ株式会社 |
電界効果トランジスタ
|
JPWO2006006438A1
(ja)
|
2004-07-12 |
2008-04-24 |
日本電気株式会社 |
半導体装置及びその製造方法
|
US20090014795A1
(en)
*
|
2004-07-29 |
2009-01-15 |
Risho Koh |
Substrate for field effect transistor, field effect transistor and method for production thereof
|
US7442609B2
(en)
*
|
2004-09-10 |
2008-10-28 |
Infineon Technologies Ag |
Method of manufacturing a transistor and a method of forming a memory device with isolation trenches
|
US20060071270A1
(en)
*
|
2004-09-29 |
2006-04-06 |
Shibib Muhammed A |
Metal-oxide-semiconductor device having trenched diffusion region and method of forming same
|
KR100672826B1
(ko)
|
2004-12-03 |
2007-01-22 |
삼성전자주식회사 |
핀 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
|
TWI263328B
(en)
*
|
2005-01-04 |
2006-10-01 |
Samsung Electronics Co Ltd |
Semiconductor devices having faceted channels and methods of fabricating such devices
|
JP4527552B2
(ja)
*
|
2005-01-17 |
2010-08-18 |
富士通セミコンダクター株式会社 |
半導体装置とその製造方法
|
JP2006196821A
(ja)
*
|
2005-01-17 |
2006-07-27 |
Fujitsu Ltd |
半導体装置とその製造方法
|
KR100610421B1
(ko)
*
|
2005-03-25 |
2006-08-08 |
주식회사 하이닉스반도체 |
반도체 소자의 제조 방법
|
JP4551811B2
(ja)
*
|
2005-04-27 |
2010-09-29 |
株式会社東芝 |
半導体装置の製造方法
|
US9153645B2
(en)
|
2005-05-17 |
2015-10-06 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
|
US8324660B2
(en)
|
2005-05-17 |
2012-12-04 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
|
JP2007005568A
(ja)
|
2005-06-23 |
2007-01-11 |
Toshiba Corp |
半導体装置
|
JP4842609B2
(ja)
|
2005-10-06 |
2011-12-21 |
パナソニック株式会社 |
半導体装置
|
JP2007123415A
(ja)
*
|
2005-10-26 |
2007-05-17 |
Sharp Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
JPWO2007063990A1
(ja)
|
2005-12-02 |
2009-05-07 |
日本電気株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2007194465A
(ja)
|
2006-01-20 |
2007-08-02 |
Toshiba Corp |
半導体装置及びその製造方法
|
WO2007112066A2
(en)
|
2006-03-24 |
2007-10-04 |
Amberwave Systems Corporation |
Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
|
JP4487266B2
(ja)
*
|
2006-08-30 |
2010-06-23 |
エルピーダメモリ株式会社 |
半導体装置
|
WO2008030574A1
(en)
|
2006-09-07 |
2008-03-13 |
Amberwave Systems Corporation |
Defect reduction using aspect ratio trapping
|
JP2008066562A
(ja)
|
2006-09-08 |
2008-03-21 |
Toshiba Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
US7875958B2
(en)
|
2006-09-27 |
2011-01-25 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures
|
US20080187018A1
(en)
|
2006-10-19 |
2008-08-07 |
Amberwave Systems Corporation |
Distributed feedback lasers formed via aspect ratio trapping
|
JP2008172082A
(ja)
*
|
2007-01-12 |
2008-07-24 |
Toshiba Corp |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
US8518767B2
(en)
*
|
2007-02-28 |
2013-08-27 |
International Business Machines Corporation |
FinFET with reduced gate to fin overlay sensitivity
|
US20080237678A1
(en)
*
|
2007-03-27 |
2008-10-02 |
Suman Datta |
On-chip memory cell and method of manufacturing same
|
JP2008244093A
(ja)
*
|
2007-03-27 |
2008-10-09 |
Elpida Memory Inc |
半導体装置の製造方法
|
US9508890B2
(en)
|
2007-04-09 |
2016-11-29 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Photovoltaics on silicon
|
US7825328B2
(en)
|
2007-04-09 |
2010-11-02 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
|
US8237151B2
(en)
|
2009-01-09 |
2012-08-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Diode-based devices and methods for making the same
|
US8304805B2
(en)
|
2009-01-09 |
2012-11-06 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
|
JP2008263034A
(ja)
|
2007-04-11 |
2008-10-30 |
Oki Electric Ind Co Ltd |
半導体記憶装置の製造方法
|
JP2008282901A
(ja)
*
|
2007-05-09 |
2008-11-20 |
Sony Corp |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
JP5605975B2
(ja)
|
2007-06-04 |
2014-10-15 |
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル |
半導体装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム
|
US8329541B2
(en)
|
2007-06-15 |
2012-12-11 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
InP-based transistor fabrication
|
DE112008002387B4
(de)
|
2007-09-07 |
2022-04-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
Struktur einer Mehrfachübergangs-Solarzelle, Verfahren zur Bildung einer photonischenVorrichtung, Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zelle und Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zellenvorrichtung,
|
JP2009076575A
(ja)
|
2007-09-19 |
2009-04-09 |
Elpida Memory Inc |
半導体装置の製造方法
|
JP2009105195A
(ja)
*
|
2007-10-23 |
2009-05-14 |
Elpida Memory Inc |
半導体装置の構造および製造方法
|
JP5602340B2
(ja)
|
2007-10-30 |
2014-10-08 |
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル |
半導体装置及びその製造方法
|
JP2009117518A
(ja)
*
|
2007-11-05 |
2009-05-28 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置およびその製造方法
|
JP5525127B2
(ja)
|
2007-11-12 |
2014-06-18 |
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル |
半導体装置及びその製造方法
|
EP2073267A1
(en)
*
|
2007-12-19 |
2009-06-24 |
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) |
Method of fabricating multi-gate semiconductor devices and devices obtained
|
KR101416318B1
(ko)
*
|
2008-01-15 |
2014-07-09 |
삼성전자주식회사 |
소자 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법
|
JP4518180B2
(ja)
|
2008-04-16 |
2010-08-04 |
ソニー株式会社 |
半導体装置、および、その製造方法
|
JP2009283685A
(ja)
*
|
2008-05-22 |
2009-12-03 |
Panasonic Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
US8183667B2
(en)
|
2008-06-03 |
2012-05-22 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
Epitaxial growth of crystalline material
|
US8274097B2
(en)
|
2008-07-01 |
2012-09-25 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
|
US8981427B2
(en)
|
2008-07-15 |
2015-03-17 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Polishing of small composite semiconductor materials
|
JP5301912B2
(ja)
*
|
2008-07-31 |
2013-09-25 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
JP2010098081A
(ja)
*
|
2008-09-16 |
2010-04-30 |
Hitachi Ltd |
半導体装置
|
CN102160145B
(zh)
|
2008-09-19 |
2013-08-21 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
通过外延层过成长的元件形成
|
US20100072515A1
(en)
|
2008-09-19 |
2010-03-25 |
Amberwave Systems Corporation |
Fabrication and structures of crystalline material
|
US8253211B2
(en)
|
2008-09-24 |
2012-08-28 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
|
JP2010199161A
(ja)
*
|
2009-02-23 |
2010-09-09 |
Renesas Electronics Corp |
半導体集積回路装置及びその製造方法
|
CN102379046B
(zh)
|
2009-04-02 |
2015-06-17 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法
|
JP5099087B2
(ja)
*
|
2009-07-31 |
2012-12-12 |
ソニー株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
US8110466B2
(en)
|
2009-10-27 |
2012-02-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Cross OD FinFET patterning
|
US9953885B2
(en)
|
2009-10-27 |
2018-04-24 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
STI shape near fin bottom of Si fin in bulk FinFET
|
US8313999B2
(en)
*
|
2009-12-23 |
2012-11-20 |
Intel Corporation |
Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain
|
JP2011181686A
(ja)
*
|
2010-03-01 |
2011-09-15 |
Renesas Electronics Corp |
半導体装置及びその製造方法
|
JP5714831B2
(ja)
*
|
2010-03-18 |
2015-05-07 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
JP5172893B2
(ja)
*
|
2010-04-23 |
2013-03-27 |
株式会社東芝 |
トランジスタの製造方法
|
US9130058B2
(en)
|
2010-07-26 |
2015-09-08 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Forming crown active regions for FinFETs
|
JP2011054985A
(ja)
*
|
2010-10-28 |
2011-03-17 |
Sharp Corp |
電界効果トランジスタの製造方法
|
US9006065B2
(en)
*
|
2012-10-09 |
2015-04-14 |
Advanced Ion Beam Technology, Inc. |
Plasma doping a non-planar semiconductor device
|
JP5553276B2
(ja)
*
|
2013-02-26 |
2014-07-16 |
国立大学法人東北大学 |
相補型mis装置の製造方法
|
EP2866264A1
(en)
*
|
2013-10-22 |
2015-04-29 |
IMEC vzw |
Method for manufacturing a field effect transistor of a non-planar type
|
JP6373686B2
(ja)
*
|
2014-08-22 |
2018-08-15 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置
|
KR102277398B1
(ko)
|
2014-09-17 |
2021-07-16 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자 및 이의 제조 방법
|
JP6506973B2
(ja)
*
|
2015-01-21 |
2019-04-24 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
CN108022841B
(zh)
|
2016-10-31 |
2020-08-25 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
半导体装置的制造方法
|