JP2001504273A - 改良されたリードフレーム構造および集積回路のパッケージ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 改良されたリードフレーム構造（７５）、改良されたＩＣ（２５）パッケージおよびこのような構造を用いたプロセスが開示される。改良されたリードフレーム構造はプラスチックパッケージで用いられるリードフレームに通常認められるダンバーをなくす。ポリマー構造（１６０）が主としてエポキシの包封プロセスの間のフラッシュに対するバリア（１６５、１７０）として作用し、第２にはリード（８５）に対する支持を提供する役割を果たすものとして形成され用いられる。ポリマー構造はモールディング後のＩＣパッケージの永久的部分として残る。改良されたリードフレーム設計を用いた改良されたＩＣのパッケージング方法は通常のダンバー、デジャンクおよびデフラッシュ動作をなくし、この結果投資費用が削減され歩留りが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】 改良されたリードフレーム構造および集積回路のパッケージ方法 発明の背景 １．発明の分野 本発明は、一般に半導体集積回路のパッケージングに関連し、より詳細には、 パッケージされた集積回路と外部環境との間に電気的接続を提供する「リードフ レーム」に関連する。 ２．背景および関連技術 半導体集積回路（ＩＣ）は、損傷および汚染から保護する目的で、プラスティ ックのパッケージに収めるか、包封(encapsulate)されることが多い。典型的に は、パッケージされたＩＣは、包封されたＩＣと外部環境との間の電気的接続の 手段を提供する複数の導電性のリードを含む。リードを含むＩＣのパッケージン グによって、印刷配線基板（ＰＷＢ）としても知られる、ＩＣの印刷回路基板（ ＰＣＢ）上への配置、取付けが容易になる。 現在のＩＣパッケージングまたは「アセンブリ」工程は、典型的には以下のス テップの内のいくつかまたは全部を含む。 １．リードフレームの形成 ２．ＩＣダイをリードフレームのボンディングパッドに取付ける ３．リード線を配置 ４．接続配線をＩＣとリードにボンディング ５．プラスティックエポキシ（型）に包封 ６．デバー（debar）およびデジャンク（dejunk） ７．デフラッシュ（deflash） ８．外側のリードをめっき ９．トリム/成形 １０．再加工(必要な場合) 実際のパッケージング工程には、他のステップおよびサブステップを含むこと が多いが、上に述べたステップを簡単に検証すれば、現在の工程におけるある種 の重大な欠点および短所を説明するのに十分である。 多数の組立てステップおよび特にリードの形成および接続に関連するステップ には、高価な装置、工具一式、材料、人員、空間およびユーティリティが必要で ある。実際、現在のパッケージング工程は、ＩＣ自体の完成品のコスト同様のコ ストを占めることが多い。２０８ピンクワドフラットパック（ＱＦＰ）等のリー ドカウントが高い現在のＩＣパッケージでは、リードに関連するステップだけで 、一般に全パッケージングコストの２０％から２５％を占める。 さらに、パッケージング工程で使用されるサブコンポーネントの材料および設 計のいくつかは、回路の機能性、保護および性能に相対的に真の値を加算するも のであり、他は、パッケージに組込まれるか、または後にかなりの追加費用をか けて取扱うか取り外す必要がある、工程の補助としての役割をし、歩留りの低下 が伴う。その顕著な例が、主にプラスティック成形や包封工程を容易にする目的 で、かつ第２にはリードにさらに支持を与える目的で、現在のリードフレーム設 計に一般に使用されるダンバー（damber）構造である。包封工程の際に、ダンバ ーは、型のエッジ用のクランピング表面としてかつ型からリードへエポキシ樹脂 が漏れたり「フラッシング」（flashing）するのを防ぐ障壁として機能すること になっている。しかしながら、残念なことに、一般に使用されるクランプ力が高 い時でも、ダンバーと型のエッジとの間に常に完全に均一な密封が形成されるわ けではない。その理由の一つは、一般に、各成形作業において、リードフレーム の複数の細片が、同時に処理されることが上げられる。細片間のばらつきにより ガスケットと型のエッジの間の密封に不連続な部分が生じ得る。その上、エポキ シの微粒子が型のクランプダウン表面に蓄積または堆積して、完全な密封の形成 を阻止する可能性がある。したがって、型のキャビティから密封が完全でない領 域において、エポキシの「すじ」ができ、外側のリードに「フラッシング」が生 じることもまれではない。 めっき材料で完全かつ均一に覆うためには、包封に続いて、ダンバーを物理的 に取除き、リードを電気的に個別化する必要があるだけでなく、リードをその後 めっきする前に、「フラッシング」も取除く必要がある。したがって、追加の 「デバー」および「デジャンク」または代替的にはダンバーの除去および「デフ ラッシュ」することが必要である。このデバー、デジャンクおよびデフラッシュ 作業が（１）必要であること、（２）高価であること、（３）時間がかかること および（４）歩留りに悪影響をおよぼすことが、現在のリードフレームの設計お よびこの設計を利用するパッケージング工程の重大な欠点である。 たとえば、ダンバーは、一般に、かなり高いトン数の押し抜き機を使用して機 械的に取除かれる。典型的には、リードカウントが高いパッケージの場合、２段 式工具アセンブリが使用される。たとえば、２０８リードパッケージでは、工具 は２０８の押し抜き器を有することになる。しかしながら、成形キャリアリング （ＭＣＲ）構成等の２重のダンバーと内側および外側のリードを有するある種の 構成では、倍の押し抜き器が必要である。たとえば、２０８リードＭＣＲパッケ ージでは、工具は４１６の押し抜き器を必要とする。第１段では、半分の押し抜 き器が、リード１本おきの間のダンバー部分を削り取る。第２段では、残りの押 し抜き器がダンバーの残りの部分を削り取る。 今日、０．０２５インチ以上のピッチで２０８入/出力リードフレームをデバ ーする工作にかかる一般的なコストは、１００，０００ドルである。２０８リー ドＭＣＲパッケージでは、工具一式のコストは、これよりかなり高い。外側のリ ードのピッチが、０．０２０インチ以下まで低減すると、工具一式のコストは、 さらにより劇的に上昇する。 さらに、デバー作業の際に、ダムに閉じ込めたエポキシには、簡単にひびが入 り破損する可能性がある。こうして、裂け目ができ、後のめっき作業の際その中 でリード間にはんだが堆積する可能性がある。このことは、リードの短絡または 少なくとも電気的性能がそこなわれる恐れがある。さらに、さまようエポキシ片 が押し抜き器の上に留まり、損傷を引き起こしたり工具の再加工を必要とするよ うな事態が考えられる。再加工を含め、典型的な押し抜き器の典型的な有効寿命 は、通常、およそ７５０，０００回である。明らかに、連続的な動作を維持する には、一方の工具が再加工されるかさもなくば使用されている間、第２の工具が 必要である。第２の工具が必要であると言うことは、ダンバーの除去作業に起因 するさらなる設備投資を意味する。また、押し抜き工具の再加工は、時間がかか り効果である。さらに、リード間の空間（ピッチ）は、リードフレームの設計に 応じて変るので、新たな工具が必要となり、したがってさらなる設備投資が必要 となる。 工具にかかる直接的なコストに加え、典型的なデバー工程は、工具とリードの オフセットによる歩留りの低減を生じ得る。このようなオフセットによって、リ ードおよびダンバーから予期しない材料の除去を生じ、リードが許容できないレ ベルまで弱くなったり切断されたりする可能性がある。このようなオフセットは 、たとえば、リードフレーム上に穴を工作（配置）する際のばらつきおよび工具 のミスアライメントから生じる。半導体製造工程のこのようなほとんど最終段階 での損失は、特に高くつく。デバー/デジャンク作業の際には直ちに却下されな いオフセットでさえ、後のトリム/成形作業の際には外側のリードの共面からの ゆがみおよび/またはずれの原因となり得る。このような問題を呈する部品は、 はんだリフロー作業等の後の取付け作業の際にＰＣＢ上に適切にはまるよう、手 作業で再加工しなければならない。手作業による再加工には、時間がかかりまた 費用がかかることは明らかである。 デバー作業は、またパッケージング工程の後のステップ、たとえばめっきおよ びトリム/成形作業にも悪影響をおよぼす。たとえば、トリム/成形作業では、リ ードの外側の部分がトリミングされ、リードがよく知られた「ガルウイング」形 状に成形される。ダンバーの切断によって、リード上のある領域に粗いエッジが できる可能性がある。めっき工程の際、この粗いエッジを含む領域は、より多く の電流を引き寄せる傾向にあり、したがって、より多くのめっき材料が蓄積され 、「ボール」またはこぶのような形状になることが多い。これらのこぶは、トリ ム/成形作業で使用した工具に移って、工具を磨耗かつ汚染するので、より頻繁 に洗浄およびメンテナンスが必要となる。 このデバー作業に続いて、包封作業の際に外側のリードに「フラッシュ」した 可能性があるエポキシを取除くために「デフラッシュ」作業が必要となる。デフ ラッシュ作業は、デバー作業の際に発生する残滓を取除く役割もする。デフラッ シュ作業は、一般に、それ自体は、大きな歩留りの損失にはつながらないが、非 常に望ましくない副作用を示す。たとえば、デフラッシュに使用する媒質（スラ リーもしくは乾燥状態）または化学薬品は、リードから望ましくない「フラッシ ュ」を取除く一方で、成形されたパッケージの「皮膚」を破壊するという望まし くない副作用を有し得る。「皮膚」は、通常、非常に多孔性の基礎構造に対する 擬似「湿気障壁」として機能する。したがって、皮膚を除去すれば基礎構造が露 出し、後のめっき工程の様々な化学処理の際の化学物質の侵入を受けやすくなる 。さらに、デフラッシュ作業の際に、「媒質」であれ化学薬品であれ、使用した 媒質/プラスティックおよび/または溶剤の廃棄を必要とする。廃棄にかかるコス トに加え、「媒質」および/または溶媒自体のコストがかかることはもちろんで ある。溶媒の場合には、汚染およびかなりの安全性にかかる懸念についての工場 内コストも存在する。 上記より、コストを下げ、歩留りを改善し、スループットを改善して様々な技 術的欠点をなくすために、リードフレームの構造およびこれに関連するＩＣパッ ケージング作業における改良が大いに求められていることがわかる。ダンバーに 関連する作業のいくつかまたはそのすべてをなくすことで設備投資およびＩＣの パッケージングにかかる運転経費がかなり減り、これらの工程のステップに関連 する歩留りの損失がなくなり、生産にかかる時間も減ると考えられる。 したがって、本発明の目的は、公知のリードフレーム構造の様々な欠点および 短所ならびにそのようなリードフレームを使用する従来技術のＩＣパッケージン グ工程に伴う欠点および短所を克服する改良されたリードフレーム構造を提供す ることである。 本発明のもう一つの目的は、ＩＣの組立て作業の規模をかなり低減し、設備投 資および運転経費を低減し、かつ製造歩留りを上げる改良されたリードフレーム 構造を提供することである。 本発明のもう一つの目的は、公知のリードフレーム設計のダンバー構造をなく す改良されたリードフレーム構造を提供することである。 本発明のさらにもう一つの目的は、エポキシ成形工程におけるフラッシングを 低減またはなくしかつＩＣのパッケージングにおいて、従来技術のデバー、デジ ャンクおよびデフラッシュ作業の必要性を低減またはなくす改良されたリードフ レーム設計を提供することである。 本発明のさらにもう一つの目的は、光化学(エッチング)製造工程に関連するこ とが多い、リード幅を横方向に低減する必要なしに非常に微細な外側リードピッ チのリードフレームの製造を容易にする改良されたリードフレーム設計を提供す ることである。 発明の概要 本発明の一局面は、改良されたリードフレーム構造およびこれの製造方法に関 連する。改良されたリードフレーム構造は、フレーム、集積回路チップを装着す るようになっているパッドおよび複数のリードを有し、内側端部がパッドに隣接 し、外側端部がフレームに隣接する。改良されたリードフレームは、リードの少 なくともいくつかとその内側と外側の端部の中間との間にポリマー構造を設けら れる。ポリマー構造は、ＩＣの包封工程において、障壁を提供し、エポキシのリ ードの外側端部へのフラッシングを防ぎまた第２には、リードに支持を与える。 本発明のもう一つの局面は、改良されたＩＣパッケージと改良されたリードフ レーム構造を使用するパッケージング工程に関する。改良されたＩＣパッケージ は、パッド、内側および外側端部を有する複数のリード（内側端部がパッドに隣 接）および内側端部と外側端部の中間のリードの少なくともいくつかの間にポリ マー構造を有するリードフレームを含む。ＩＣは、パッドの上に装着され、導電 体がＩＣとリードフレームとを接続する。エポキシパッケージ構造にＩＣ、導電 体、およびリードの内側端部が包封される。リードの外側端部は、エポキシ構造 の外側に延びる。包封工程の際に、ポリマー構造が障壁の役割をしてエポキシ材 料が型から逃げて外側のリードにフラッシングしないようにする。包封工程に続 いて、ポリマー構造は、ＩＣパッケージの永久な部分となり、そのためダンバー の除去およびデフラッシングに関連する工程のステップが不要となる。 簡単な図面の説明 図１は、プラスティッククワドフラットパック（ＱＦＰ）ＩＣパッケージ用の 公知の２０８ピンリードフレームの平面図である。 図２は、図１に示すような典型的なリードフレーム構造の一部を示す拡大平面 図であって、リードのダンバー構造と相互接続を示す図である。 図３は、ダンバーのないリードフレームの好ましい実施例の平面図である。 図４は、ダンバーのないリードフレームの好ましい実施例の平面図で、リード の内側端部を相互接続する接続バー構造を示す図である。 図５は、典型的パッケージ成形プロセスにおける典型的成形およびリードフレ ームアセンブリの断面図である。 図６は、オーバーレイを有する公知のリードフレーム構造の断面の平面図であ って、公知のパッケージ成形工程の際に、ダンバーに対する型の典型的クランプ ダウン領域を示す図である。 図６ａは、公知のパッケージ成形工程における、公知のリードフレーム構造の 断面と、型の半分の外側エッジの断面を示す立面斜視図である。 図７は、ダンバーのないリードフレームの好ましい実施例の平面図で、リード の内側および外側端部の中間にポリマー構造が位置するところを示す図である。 図８は、ポリマー構造により包封されたいくつかのリードを示す、図７の断面 の図である。 図９ａおよび図９ｂは、それぞれ典型的なダンバーを含むリードフレームの断 面の平面図およびポリマー構造を有する好ましい、ダンバーのないリードフレー ムの対応する断面を示す図で、型のクランプダウン領域に対する相対的な位置決 めを示す図である。 図１０は、典型的なダンバーを含むリードフレームに対する型のクランプダウ ンを示す断面図である。 図１１は、ポリマー構造を有する、好ましい、ダンバーのないリードフレーム に対する型のクランプダウンを示す断面図である。 図１２は、ポリマー構造を有する、ダンバーのないリードフレームの好ましい 実施例を用いて成形した後のICのパッケージの一部を示す断面図である。 図１３は、好ましい、ダンバーのないリードフレームのいくつかのリードの平 面図で、ポリマー構造とこれに連結するリードの突出部を示す図である。 図１４ａから図１４ｄは、好ましい、ポリマー構造を有するダンバーのないリ ードフレームのいくつかのリードを示す平面図であり、リードの突出部と切込部 とを連結するいくつかのバリエーションを示す図である。 好ましい実施例の詳細な説明 本発明による改良されたリードフレームの好ましい実施例は、公知のスタンピ ングもしくはエッチング方法または他の適当な方法を用いて製造できる。本発明 は、リードフレームが形成される態様にのみ限定されない。リードフレームには 、様々な銅またはニッケルの合金等公知の材料を含む何らかの適当な材料を使用 してよい。本発明の応用は、リードフレームに使用される特定の材料によって限 定されない。 また、リードフレームは、基本的には、公知のクワドフラットパック（ＱＦＰ ）、成形キャリアリング（ＭＣＲ）、スモールアウトライン（ＳＯ）、チップキ ャリア（ＣＣ）またはデュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）構成を含むいず れの構成にも形成することができる。本発明の応用は、リードフレームの構成、 リードカウント、またはリードピッチにより限定されない。 ＱＦＰ構成の典型的なリードフレームの例を図１に示す。図示のとおり、リー ドフレーム１０は、典型的には、外側フレーム１５を含む。公知の方法に従い、 共通の材料の細片から数百数千のリードフレームを形成でき、かつ個々のリード フレームが切り離されるまで、外側フレーム１５は、同じ細片の全リードフレー ムに対し共通である。外側フレーム１５は、典型的には１以上の配置および位置 選定開口２０を含む。リードフレームの機能素子のすべてが、開口２０に正確に 相対的に配置されて、リードフレームの形成時およびＩＣの組立て工程の際の素 子の正確な位置決めを容易にする。リードフレームは、パッドまたはパドル２５ も含み、その上に、ＩＣチップが装着され、複数のリード３０、この場合には２ ０８のリードが装着される。 各リード３０は、パッド２５に隣接する内側自由端３２と、外側端部３４とを 有する。内側自由端は、パッド上に装着されると、ＩＣへの電気的接続用のポイ ントを提供する。リードの内部自由端３２は、典型的にはＩＣに沿って包封され る。外側端部３４は、典型的には、ＩＣパッケージの外に延び、外部電気部品と 回路との電気的接続点を提供する。 図１および図２を参照して、現在のリードフレーム設計において、典型的には 、「ダンバー」構造４０が設けられており、内側および外側端部の中間のポイント でリードを相互接続する。ダンバー４０の主要な目的は、成形または包封工程の 際に障壁の役割をして、エポキシが型から逃げて外側リードに「フラッシング」し ないようにすることである。第２には、ダンバーは、リードに支持を与えて、Ｉ Ｃ組立て工程の際に、リードの相対的位置の維持を助ける。 ＭＣＲ等の、ある種の入/出力（Ｉ/Ｏ）が高いまたはリードカウントが高いリ ードフレーム構成では、第２のダンバーを備えて、リードを支持を高めて、最終 的形状または場所にリードをトリミングしたり成形したりせずに、ＩＣ装置を成 形されたキャリアリングへ移送することができる。この中間ステージにより、リ ードを印刷回路基板の表面に装着するための「ガルウイング」形状に「成形」す る前にテストすることが可能となる。たとえば、外側リードを第２のダンバーの 内側の部分と外側部分と反対の方向から取付けたテストリードに接続してもよい 。テストリードの外側端部は、プラスティックリングの適所に支持かつ保持され 、同リングはリードフレームとＩＣアセンブリ全体を取り囲む。この設計によっ て、ＰＣＢに取付けに先立ち、所望の形状に成形する前の外側リードを損傷する ことなしにテストすることが可能となる。本発明は、そのような複数ダンバー構 成に適用可能である。 ダンバー構造に加えて、現在のリードフレーム設計のいくつかにおいては、安 定化テープ(図示せず)の細片をリードの内側部分の一方側に付与して、リードの 位置的安定性を高めるようにしてもよい。カプトン（Kapton）がこの用途にあっ た適切なテープである。本発明は、特定のリードフレームの構成および特定のパ ッケージング工程の用件に応じて、このようなテープを使用して、または使用せ ずに適用可能である。 リードフレーム形成後、ＩＣを、銀含有化合物等の導電性接着化合物を用いて 、リードフレームパッド２５に装着する。多くの適切な化合物および装着工程が 当該技術分野において周知である。 ＩＣを装着すると自動化された装置を用いて、リード３４を目視で配置し、微 細な導電性のボンディングワイアを用いて、ＩＣ上のボンディングサイトをリー ド３４の内側端部３２に電気的に相互接続する。配線は、一般に、金、銅、アル ミニウムまたは他の適当な導電材料である。配置およびボンディング装置ならび に使用する工程については、当該技術分野において周知であり、本発明の完全な 理解にあたって、これらを詳細に説明する必要はない。 図３は、本発明の改良されたリードフレーム構造の好ましい実施例を示す。図 示されるこのリードフレーム７５は、ＱＦＰ構成で形成されている。構造上は、 外側フレーム８０、パッド１００、およびリード８５を含み、外側端部９０がフ レームに接続されかつ内側端部９５が、パッドに隣接して自由になっている点が 、従来技術のＱＦＰリードフレームと類似する。しかしながら、主要な相違点は 、本発明の改良されたリードフレームが、好ましくはダンバー構造を伴わずに形 成される点である。 代替的には、図４に示すとおり、リードフレーム７５に、パッド１００のいく つかまたはすべての内側端部９５を相互接続する、１以上の配線バー１０５を設 けてもよい。図示した特定のリードフレームでは、たとえば、各象限（quadrant ）１００ａからｄのリードが相互接続されるが、リードフレームは、象限同士を 超えては相互接続されない。もちろん、必要なら、リードフレームを形成するス タンピング工具やエッチングマスクを変更するだけで象限同士にまたがる相互接 続ができる。この代替的構造は、ＭＣＲ構成等、リードの先端からレールまでの 距離が特に長く、かつリードがパッケージング工程の際に特に壊れやすく簡単に 損傷し得るいくつかの構成において望ましい。そのような構成においては、相互 接続バー１０５が、リードに付加的な支持を与える。相互接続バー１０５は、パ ッケージング工程においてパッドをダウンセットする作業と同時に除去すること が可能である。典型的には２段階による作業であるこの作業のための工具は、周 知であるため、本発明の十分な理解にあったって、その詳しい説明は必要ではな い。 ＩＣをリードフレームに取付けて、ＩＣとリードをボンディングした後、アセ ンブリ全体を型のなかに入れ、その型のキャビティの形状と寸法によって、ＩＣ を収めるパッケージが規定される。図５は、上型１２０ａと下型１２０ｂを有す る型１２０を示す。型１２０は、装着したＩＣ１２５と、ボンディングワイヤ１ ３０とリード８５の内部部分９５を包封し、これらは、典型的には厚さ約０．０ ０５から０．０２０インチである。型のエッジ１４０および１４５は、クランピ ング領域またはゾーンを規定する。ダンバーを有するリードフレームの場合、型 のエッジ１４０および１４５がダンバーまで延び、先にも述べたとおり、包封用 のエポキシが逃げないように障壁として作用する。液体エポキシ/シリカ混合物 を型の開口または「ゲート」１３５を介して導入する。開口または「ゲート」は 、型の上型および下型（図示のとおり）のいずれかに配置可能なため、現在では よく知られる「トップゲーティング」または「ボトムゲーティング」という言葉 は、当該技術分野において周知である。本発明は、その両方に適用可能である。 いくつもの適切なエポキシ化合物と包封工程が当該技術分野において周知であり 、本発明の完全な理解にあたって、その詳しい説明は必要ではない。 ダンバーを有するリードフレームを含む典型的な成形作業では、上型および下 型１２０ａと１２０ｂの外側エッジ１４０、１４５が、ダンバーに対し部分的に クランプダウンするように寸法決めおよび位置決めされる。図６および図６ａに 示すように、エッジは、クランプゾーン１５０において、参照番号１４８で示す 幅約０．０２０インチから０．０３０インチでクランプダウンする。ダンバー４ ０が、リード３０間を溶融したエポキシのスラリーが漏れたり流れ出したりしな いように障壁として機能するように、クランプゾーン１５０は、ダンバー４０に 部分的に重なる。型のエッジ１４０および１４５は、参照番号１５５で示すよう にリード３０の内側部分３２に約０．０１０±０．００３インチ重なることが好 ましい。エポキシが、高圧力下、典型的には平方インチ当たり３００ポンド（Ｐ ＳＩ）の範囲の圧力下に型に導入されるので、比較的高いクランプ力を使用する ことが一般的である。たとえば、およそ１３５、０００ＰＳＩまたは約４トン部 のクランプ力が、典型的な２０８リードプラスティッククワドフラットパッケー ジ（ＰＱＦＰ）には、一般的である。ダンバー４０は、クランプダウンされると 、上型および下型１４０および１４５のエッジ１４０および１４５の間に保持器 と金属ガスケットのシールを形成する。しかしながら、先に述べた理由で、ダン バーはエポキシがリードの間から流れ出し、外側リード３４の平坦な表面に至る のを完全に防止することはできない。 ここで、図７から図９を参照して、本発明の主要な特徴は、ポリマー構造１６ ０を設ける点である。ポリマー構造１６０の主要な機能は、エポキシの包封(成 形)工程において、フラッシングを防ぐ障壁を提供することである。第２には、 ポリマー構造１６０は、リード８５を相互接続し支持し、非常に正確にかつ均一 に横方向の位置決めを維持し、かつねじれを防止する。ポリマー構造１６０は、 各リードの間に材料からなる「プラグ」(栓)１６５を形成し、かつプラグ１６５と リード８５の上に重なりかつこれらを相互接続する隣接した材料からなる「リン グ」１７０を形成するよう形成され寸法決めされることが好ましい。リング１７ ０は、一般に（必ずしもそうとはかぎらないが）、リード８５を横切る方向に延 び、構造の領域において、その上および下表面１７５および１８０を覆うことが 好ましい。構造の幅寸法１８５、すなわち、リード８５の長さに沿って内向きに パッケージの中心に向かって延びる寸法は、リード８５との良好な表面接触を与 えかつ構造の小さい穴または他の裂け目にを良好に防止するに十分であることが 好ましい。こうして、ポリマー構造は、リード８５をリング１７０の領域に包封 し、ある種の隣接する合成構造を形成することが好ましい。プラグ１６５および リング１７０は、共に、フラッシングに対する優れた障壁とリードの横方向およ びねじれ支持および空間を提供する。 ポリマー１６０の形状および寸法は、一般に予め選択されたＩＣパッケージの 形状または外形により決まる。典型的には、パッケージは、四角形または矩形で あるが、発明は、これに限定されない。ポリマー構造１６０がそれ自体閉じてい ることが好ましいが、ポリマー構造と部分的なダンバーや他のリードフレーム構 造とを組合せることが望ましいリードフレーム構成があるかもしれない。たとえ ば、部分ダンバー（図示せず）を、包封工程の際に型のキャビティから空気を出 す息抜穴を形成するために、リードの１象限以上の角に形成することも可能であ る。この場合、ポリマー構造は、それ自体が閉じるのではなく、部分ダンバーと 組合されることになる。代替的には、部分ダンバーを、ある種のリードフレーム 構成に保持して、リードの支持をさらに高めることもあり得る。この方法は、必 ずしももっとも好ましい方法ではないが、ダンバーおよびダンバーを取り除く工 程がパッケージング工程全体に与える悪影響を減らすことによって、本発明の目 的を本質的に満たす。 好ましくは、図７に示すように、ポリマー構造１６０は、リード８５の外部端 部９０と内部の自由端９５の中間に位置する。図９ａおよび図９ｂに示すように 、ポリマー構造１６０を一般に従来ダンバー４０があるべき場所の近くで、ただ しダンバーの位置よりパッケージの中心に向かってさらに内向きに少し間隔を開 けてに置くと効果的であることが分かっている。これは、ダンバー構造の場合、 ダンバー４０のほとんどがパッケージのエッジの外側に残って露出され、次のデ バー作業が容易になるように、型のエッジが内側エッジ４０ａの付近でダンバー に接触することが好ましいためである。対照的に、ポリマー構造１６０は、型の エッジがその外側のエッジ１６０ａの近くでポリマー構造１６０に接触するよう に、型のエッジに相対的に位置決めされることが好ましい。こうしてポリマー構 造１６０は、包封工程が完了すると極わずかにのみエポキシのパッケージのエッ ジ上に延びており、これは、ポリマー構造１６０がその後除去されず、ＩＣパッ ケージの永久的な部分となることが好ましいため望ましい。 ポリマー構造１６０は、幅寸法１８５を有する、すなわち概してリードの長さ 方向におよそ０．０１０インチから０．０２０インチ程度延びることが効果的で あるとわかっており、この幅は、一般にリード間の空間を埋めかつ参照番号１９ ０が示す約０．００１から０．０１０インチだけ平坦な表面上に蓄積するのに十 分である。 図１０ないし１２を参照して、典型的には幅が約０．０１６０インチであるモ ールドリップまたはエッジ１４０、１４５がリング１７０の外側０．００３−０ ．００５インチに参照符号１６０ａで示されるように、リングのバランスがモー ルドキャビティの内側に来るようにクランプして位置付けることが効果的である ことがわかっている。これはダンバー(damber)４０があり、モールドのエッジが 図１０に示されるようにダンバーの表面を直接クランプするような状況とは対照 的である。図１２に最もよく示されているように、完成したＩＣパッケージ２０ ０はしたがって好ましくはポリマー構造１６０を少なくとも部分的にエポキシパ ッケージ１９０の外側部分に組み入れ、ＩＣを包み込む実質的に連続した気密か つ液密の構造を形成する。リード８５がこの構造を通って通過する。ポリマー構 造 １６０の部分１８５ａがパッケージエッジ１９５の外側に、好ましくは約．００ ５インチを越えない程度に延在するが、この構造の延在する範囲と厚さとは特定 のプロセスの必要性に依存して大いに変化し得る。 多くのポリマー材料を好ましく用いることができる。使用される特定のポリマ ーシステムは使用されるパッケージモールド用化合物（エポキシ）と両立する物 理的、化学的および電気的特性を有していればポリマー材料をパッケージ周辺に 組み入れた場合にパッケージまたは回路の性能を劣化させることがないので好ま しい。たとえば、パッケージにＩＣ信号が入るときと出て行くときとに起こり得 る電気的な悪影響を避けるために、エポキシと同様の比誘電率を備えたポリマー 材料を使用することが好ましい。また、ＩＣの温度サイクルで材料の膨張および 収縮の率が異なっているとパッケージ故障を引き起こし得るので、これを防ぐた めに、エポキシと等しいまたはそれより低い熱膨張および水分吸収係数を備えた ポリマー材料を用いることが好ましい。さらに、包封プロセスの間にポリマー材 料の粘性流を避けるために、使用されるべきモールディングおよび熱硬化温度と 等しいかまたはそれより高いガラス化温度（Ｔｇ）を備えたポリマー材料を用い ることが好ましい。 好ましいシステムはｘ線または紫外線の照射によってポリマー化可能である。 紫外線（ＵＶ）照射によってポリマー化可能なシステムは好ましくは５秒未満、 さらに好ましくは２秒未満の露光速度でポリマー化する。ポリマーのあるものは 完全にポリマー化すると脆化するため、ＵＶ照射によってシステムを約７０％よ り高くしかし約１００％未満ポリマー化してある程度の塑性を残すようにするこ とが好ましく、こうすればモールド動作におけるクランプダウンまたは締め付け の間にモールド半体間の一種のガスケットとして機能する。図１１に図で示すよ うに、ポリマー構造が包封動作の間にモールドエッジ１４０、１４５によって加 えられる圧力下で、クランプゾーン内で少なくとも部分的に変形可能であること が好ましい。現在好ましい実施例では、ポリマー構造１６０の圧力をかけられた 部分は圧力をかけられていない部分の寸法１９０の約３０から７０％である寸法 １９０ａまで変形し、最も好ましくは約５０％である。構造のポリマー化または 架橋の最終段階は好ましくは典型的には１７０℃を越える温度で起こる製造プロ セス自体の間に熱的に、さらに最長で約８時間の間約１７０℃の温度で典型的に は行なわれるモールド後硬化によって達成される。包封（エポキシモールド）プ ロセス自体は技術分野において周知であるので、この発明を完全に理解するため にその詳細な説明をする必要はない。 好ましい特性を有する適切なポリマー材料は多くの商業的に入手可能なポリア ミド酸（polyamic acids）、ポリアミド酸エステル（polyamic esters）、ポリ アミド、ポリイミド、アクリレート、メタクリレート化合物、シアン酸エステル およびさまざまな放射線硬化可能エポキシのいずれかを含み得る。 ポリマー構造１６０はスクリーンプリンティング、またはマスクプロセスによ り、または多くの資源から入手可能であり周知の商業的に入手可能なシリンジマ イクロディスペンサによって直接、リードフレーム７５の所望の領域に適用する ことができる。後者の方法が簡便であり適用するのが正確でかつ必要とされる処 理工程数が減じられるため、現在好まれている。リング１７０の幅１８５と材料 のリードの平面上の厚さとは材料の粘度とシリンジの直径、さらに材料の他の関 連のパラメータを制御することによって制御できる。使用される特定の粘度はリ ードのカウントおよびピッチ等のリードフレームの形状とパラメータに依存する 。 ポリマー材料とディスペンサの関連のパラメータの制御は当業者の通常の技量の レベルの範囲内であり、この発明を完全に理解するためにさらなる説明は不要で あろう。しかしながら、単に例として挙げれば、Cabosilという名称で製造販売 されている高級（fine grade）二酸化シリコンを容量で１０−８５％の比率でフ ィラーとして添加すればポリマー材料の粘度を所望のとおり変化させることがで きるであろう。 現在好ましい手順では、ポリマーはまずリードフレームの一方側（上面または 下面）から適用される。その後これは所望の時間だけＵＶ照射を行なうことであ る程度の塑性を保つように予め定められたレベルまで部分的にポリマー化される 。多くの好適な材料にとって約２秒から５秒未満の露光時間が十分であろう。そ の後リードフレームは「フリップ」してひっくり返され、ポリマーを適用する処 理が繰返されて、リード間に適切なフィリングを与えて「プラグ」１６５を形成 するとともにリードの平面上に十分に積み重ねられて所望の高さの「リング」１ ７ ０を形成する。 リードフレーム上のポリマー構造の形成は好ましくはＩＣがパッドに取付けら れるパッケージプロセスにおいて予備的なステップとして達成される。この構造 をプロセスの早期に形成することでリードの位置付けと安定性をプロセスの間中 保つという目的が促進される。内部リードの先端のために接続バー１０５がポリ マー構造と関連して用いられる図４の代替的リードフレーム構造を用いる場合、 接続バー１０５はポリマー構造が定位置に置かれた後かつ包封の前、たとえばプ ラスチックパッケージ内のＩＣのアセンブリに用いられるほとんどのリードフレ ームでは慣用である、パッドのダウンセット動作の間に、切除できる（excised ）。リードフレームの外フレームは好ましくは包封に続いて、たとえばトリミン グとフォルム(forum)動作の間に切除される。 モールド用化合物（エポキシ）はかなり高い圧力、約３００ＰＳＩの下でモー ルドキャビティへゲートを通して導入されるため、ある条件の下では材料の選択 により、ポリマー構造が部分的にまたは全体としてリードからずれて部分的にま たは完全にモールドから押し出されフラッシュ(flashing)を生じることがある。 ポリマー構造の領域におけるリードフレームのリードの設計をさらに修正するこ とで、この可能性を容易に防ぐことができる。図１３および１４ａ−ｃを参照し て、この修正は近接するリード８５の一方または両側に突起２１０を形成するこ とを含む。突起２１０はポリマープラグ１６５と相互にロックする複合構造を形 成し、これが包封プロセスの間ポリマー材料がずれるのを防ぐ。突起２１０は特 定のリードフレームの構造とパラメータ、製造されるＩＣパッケージによって決 定されるアセンブリプロセスの必要性、およびポリマーとの相互ロック構造を形 成する目的と一貫するものであれば、ユーザによって選択されるほとんどいかな る考えられる形状のどれで形成してもよい。突起は近接するリードの一方側また は両側に形成され得る。図で示すとおり、たとえば突起はその形状が方形、矩形 、台形または三角形であってもよく、互いに面して一種の「ゲート」を形成して もよく、また互いに組合されるような形であってもよい。好ましくは突起２１０ はパッケージのエッジ１９５内、すなわちモールドの外部エッジ１４０、１４５ 内のリード８５の領域に形成される。 突起を形成することに代わる別の方法は、図１４ｄに示されるように、リード ８５に小さな切欠きまたは窪みをスタンプによりまたはエッチにより設けること である。ポリマー構造が形成されるときに、ポリマープラグ材料１６５が切欠き ２１５を満たし、リードと共に同様の相互ロック複合構造を形成する。突起２１ ０と同様に、ノッチ２１５もまたほとんどどのような形状であってもよい。この 方策は、リードの短絡の危険なしに意味をなすような突起を設けるのが困難な、 非常に密度の高い、非常に小さなリードピッチのリードフレーム設計においては 有利である。しかしながら切欠きの使用を制限する要因として、これらがリード をかなり弱めるということがある。ポリマープラグ１６５はこれがノッチ２１５ を満たし、ノッチの区域でリードを包封するため、付加的な保護と支持を提供す るという点で、これに関しては有益である。 この発明の現在好ましい実施例の上述の説明は単なる例示であって、発明の範 囲を制限することを意図したものではない。当業者であれば発明の精神から離れ ることなく、材料、設計、寸法等にさまざまな変更が可能であることが明らかで あろう。この発明の範囲は以下のクレームによってのみ規定される。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．集積回路チップのパッケージングに用いられる改良されたリードフレーム構 造であって、 フレーム構造と、 集積回路チップを搭載するためのパッドと、 内部端部および外部端部を有する複数のリードとを含み、前記外部端部は前記 フレーム構造に近接して位置付けられ、前記内部端部は前記パッドに近接して位 置付けられ、さらに 前記内部および外部端部の中間で前記リードの少なくともいくつかの間にポリ マー構造を含む、リードフレーム構造。 ２．前記リードの外部端部が前記フレーム構造に接続され、前記リードの内部端 部が自由端である、請求項１に記載のリードフレーム構造。 ３．前記リードの少なくともいくつかが前記ポリマー構造と相互ロックするよう に適合された突起を含む、請求項１に記載のリードフレーム構造。 ４．前記リードの少なくともいくつかが前記ポリマー構造と相互ロックするよう に適合された窪みを含む、請求項１に記載のリードフレーム構造。 ５．前記リードの少なくともいくつかの内部端部が相互に接続されている、請求 項１に記載のリードフレーム構造。 ６．前記ポリマー構造は閉じた構造である、請求項１に記載のリードフレーム構 造。 ７．前記ポリマー構造が近接したリード間のプラグと、前記リードの平面の少な くとも１つに重なるリングとを含む、請求項１に記載のリードフレーム構造。 ８．前記ポリマー構造は環状であり実質的にリードのすべてと相互接続する、請 求項１に記載のリードフレーム構造。 ９．前記ポリマー構造はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリ（アミド− イミド）アクリレート、メタクリレート、シアン酸エステルおよびエポキシを含 む群から選択された材料を含む、請求項１に記載のリードフレーム構造。 １０．前記材料は放射線で硬化可能である、請求項９に記載のリードフレーム構 造。 １１．前記放射線は紫外線である、請求項１０に記載のリードフレーム構造。 １２．集積回路チップのパッケージングに用いられる改良されたリードフレーム 構造を製造するための方法であって、 フレーム構造と、 集積回路チップを搭載するためのパッドと、 内部端部および外部端部を有する複数のリードとを含み、前記外部端部が前記 フレーム構造に近接して位置付けられ、前記内部端部が前記パッドに近接して位 置付けられる、リードフレーム構造を形成するステップと； 前記内部および外部端部の中間で前記リードの少なくともいくつかの間にポリ マー構造を設けるステップとを含む、改良されたリードフレーム構造を製造する 方法。 １３．前記リードの外部端部が前記フレーム構造に接続され、前記リードの内部 端部が自由端である、請求項１２に記載の方法。 １４．前記リードフレーム構造を形成するステップが、前記ポリマー構造と相互 にロックするように適合された突起を前記リードの少なくともいくつかに形成す るステップを含む、請求項１２に記載の方法。 １５．前記リードフレーム構造を形成するステップが、前記ポリマー構造と相互 にロックするように適合された窪みを前記リードの少なくともいくつかに形成す るステップを含む、請求項１２に記載の方法。 １６．前記リードの少なくともいくつかの内部端部が相互に接続されている、請 求項１２に記載の方法。 １７．前記ポリマー構造は閉じた構造である、請求項１２に記載の方法。 １８．前記ポリマー構造を設けるステップが、近接したリード間にプラグを設け かつ前記リードの平面の少なくとも１つと重なるリングを設けるステップを含む 、請求項１２に記載の方法。 １９．前記ポリマー構造は環状であり実質的にリードのすべてと相互接続する、 請求項１２に記載の方法。 ２０．前記ポリマー構造はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリ（アミド −イミド）、アクリレート、メタクリレートおよびエポキシを含む群から選択さ れた材料を含む、請求項１２に記載の方法。 ２１．前記材料は紫外線の放射により硬化可能である、請求項２０に記載の方法 。 ２２．前記放射は紫外線である、請求項２１に記載の方法。 ２３．前記ポリマー構造を設けるステップが、 ポリマー材料を近接したリード間に導入して前記リード間に材料のプラグを形 成するステップと、 ポリマー材料を前記リードの平面の少なくとも１つに導入して前記リード上に かつ前記リード間に延びる材料のリングを形成するステップとを含む、請求項１ ２に記載の方法。 ２４．前記ポリマー構造を設けるステップが、 前記リードの第１の側上に予め選択された経路に沿ってポリマー材料の第１の 部分を導入するステップを含み、前記第１の部分の容量とコンシステンシとは近 接したリード間にポリマー材料のプラグを形成し前記第１の側上で前記リードの 上および前記リード間にポリマー材料のリングを形成するに十分であり、さらに ポリマー材料の前記第１の部分を少なくとも部分的に硬化させるステップと、 前記リードの第２の側上に前記予め選択された経路に沿ってポリマー材料の第 ２の部分を導入するステップとを含み、前記第２の部分の容量とコンシステンシ とは前記第２の側上で前記リード上にかつ前記リード間にポリマー材料のリング を形成するに十分であり、さらに ポリマー材料の前記第２の部分を少なくとも部分的に硬化させるステップを含 み、 前記プラグ、前記リングおよび前記リードが前記経路に沿って複合構造を形成 する、請求項１２に記載の方法。 ２５．改良された集積回路パッケージであって、 集積回路チップを搭載するためのパッドと、 内部端部および外部端部を有する複数個のリードとを含み、前記内部端部が前 記パッドに近接して位置付けられており、さらに 前記内部および外部端部の中間で前記リードの少なくともいくつかの間にポリ マー構造を含む、リードフレームと； 前記パッドに搭載された集積回路チップと； 前記集積回路チップと前記リードフレームとの間に接続された複数個の電気的 導電体と； 前記集積回路チップ、前記パッド、前記電気的導電体および前記リードの前記 内部端部を包封するエポキシ構造とを含み、前記リードの前記外部端部は前記エ ポキシ構造の外側に延在する、改良された集積回路パッケージ。 ２６．前記リードの少なくともいくつかは前記ポリマー構造と相互ロックするよ うに適合された突起を含む、請求項２５に記載の集積回路パッケージ。 ２７．少なくとも前記リードのいくつかは前記ポリマー構造と相互ロックするよ うに適合された窪みを含む、請求項２５に記載の集積回路パッケージ。 ２８．前記突起および窪みは前記エポキシ構造内に包封される、請求項２６また は２７に記載の集積回路パッケージ。 ２９．前記ポリマー構造は閉じた構造である、請求項２５に記載の集積回路パッ ケージ。 ３０．前記ポリマー構造は近接したリード間のプラグと前記リードの平面の少な くとも１つと重なるリングとを含む、請求項２５に記載の集積回路パッケージ。 ３１．前記ポリマー構造は環状であり実質的にリードのすべてと相互接続する、 請求項２５に記載の集積回路パッケージ。 ３２．前記ポリマー構造はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリ（アミド −イミド）、アクリレート、メタクリレートおよびエポキシを含む群から選択さ れた材料を含む、請求項２５に記載の集積回路パッケージ。 ３３．前記材料は放射線で硬化可能である、請求項３２に記載の集積回路パッケ ージ。 ３４．前記放射線は紫外線である、請求項３３に記載の集積回路パッケージ。 ３５．前記エポキシ構造は外部エッジを有し、前記エポキシ構造と前記ポリマー 構造とは前記外部エッジで複合構造を形成する、請求項２５に記載の集積回路パ ッケージ。 ３６．前記ポリマー構造は外部エッジを有し、前記ポリマー構造の前記外部エッ ジは前記エポキシ構造の前記外部エッジから外側に延びる、請求項３５に記載の 集積回路パッケージ。 ３７．集積回路をパッケージする改良された方法であって、 集積回路チップを搭載するパッドと、 内部端部および外部端部を有する複数個のリードとを含み、前記内部端部は前 記パッドに近接して位置付けられており、さらに 前記外部および内部端部の中間に前記リードの少なくともいくつかの間にポリ マー構造を含む、 リードフレームフレームを形成するステップと； 前記パッドに集積回路チップを搭載するステップと； 前記集積回路チップと前記リードフレームとを複数の電気的導電体で接続する ステップと； 前記集積回路チップ、前記パッド、前記電気的導電体および前記リードの前記 内部端部をエポキシ構造内に包封するステップとを含み、 前記リードの前記外部端部は前記エポキシ構造の外側に延びる、集積回路のパ ッケージング方法。 ３８．リードフレームを形成するステップが、前記リードの前記外部端部をフレ ーム構造に近接させてフレーム構造を形成するステップを含み、さらに前記集積 回路チップを包封するステップに続いてこのフレーム構造を切除するステップを 含む、請求項３７に記載の方法。 ３９．前記リードの前記外部端部は前記フレーム構造に接続される、請求項３８ に記載の方法。 ４０．リードフレームを形成するステップが、前記リードの少なくともいくつか の前記内部端部を相互接続するステップを含み、さらに前記集積回路と前記リー ドフレームとを接続するに先立って相互接続を切除するステップを含む、請求項 ３７に記載の方法。 ４１．前記リードフレーム構造を形成するステップが、前記ポリマー構造と相互 ロックするように適合された突起を前記リードの少なくともいくつかに形成する ステップを含む、請求項３７に記載の方法。 ４２．前記リードフレーム構造を形成するステップが、前記ポリマー構造と相互 ロックするように適合された窪みを前記リードの少なくともいくつかに形成する ステップを含む、請求項３７に記載の方法。 ４３．前記ポリマー構造は閉じた構造である、請求項３７に記載の方法。 ４４．前記ポリマー構造は近接したリード間のプラグと、前記リードの平面の少 なくとも１つに重なるリングとを含む、請求項３７に記載の方法。 ４５．前記ポリマー構造は環状であり実質的にリードのすべてと相互接続する、 請求項３７に記載の方法。 ４６．前記ポリマー構造はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリ（アミド −イミド）、アクリレート、メタクリレートおよびエポキシを含む群から選択さ れた材料を含む、請求項３７に記載の方法。 ４７．前記材料は放射線で硬化可能である、請求項４６に記載の方法。 ４８．前記放射線は紫外線である、請求項４７に記載の方法。 ４９．前記ポリマー構造を備えてリードフレーム構造を形成するステップが、 近接したリード間にポリマー材料を導入して前記リード間に材料のプラグを形 成するステップと、 前記リードの平面の少なくとも１つの上にポリマー材料を導入して前記リード の上にかつ前記リード間に延びる材料のリングを形成するステップとを含む、請 求項３７に記載の方法。 ５０．前記ポリマー構造を備えたリードフレームを形成するステップが、 前記リードの第１の側上に予め選択された経路に沿ってポリマー材料の第１の 部分を導入するステップを含み、前記第１の部分の容量とコンシステンシとは近 接したリード間にポリマー材料のプラグと、前記第１の側上で前記リード上にか つ前記リード間に延びるポリマー材料のリングとを形成するに十分であり、さら に ポリマー材料の前記第１の部分を少なくとも部分的に硬化するステップと、 前記リードの第２の側上に前記予め定められた経路に沿ってポリマー材料の第 ２の部分を導入するステップとを含み、前記第２の部分の容量とコンシステンシ とは前記第２の側上で前記リード上にかつ前記リード間に延びるポリマー材料の リングを形成するに十分であり、さらに ポリマー材料の前記第２の部分を少なくとも部分的に硬化させるステップを含 み、 前記プラグ、前記リングおよび前記リードが前記経路に沿って複合構造を形成 する、請求項３７に記載の集積回路のパッケージング方法。 ５１．集積回路をエポキシ構造で包封するステップが、 予め定められたパッケージ形状と容積を備えたキャビティを有するモールドを 設けるステップを含み、前記モールドはクランプ区域を規定する外側エッジを有 しており、さらに 前記リードフレーム上に搭載された前記集積回路チップを前記モールドに、前 記リードの前記内部端部がモールドキャビティ内に位置しかつ前記リードの前記 外部端部がモールドキャビティの外側に延びるようにして導入するステップと、 前記モールドエッジと前記ポリマー構造とを前記クランプ区域が前記ポリマー 構造の少なくとも一部と重なるように整列させるステップと、 前記モールドエッジを前記ポリマー構造上に、前記モールドエッジと前記ポリ マー構造との間にクランプ区域においてシールが形成されるようにクランプする ステップと、 前記モールドにエポキシ材料を導入するステップと、 前記エポキシ材料を硬化させるステップとを含む、請求項３７に記載の方法。 ５２．前記モールドエッジが前記ポリマー構造の外側部分と、ポリマー構造の大 部分がエポキシパッケージ内に包封されるように整列させられる、請求項５１に 記載の方法。 ５３．前記モールドエッジは前記ポリマー材料がクランプ区域において部分的に 変形するに十分な力で前記ポリマー構造上にクランプされる、請求項５１に記載 の方法。 ５４．前記力はクランプ区域においてポリマー構造がその本来の寸法の約３０な いし７０％だけ変形するのに十分である、請求項５３に記載の方法。