JP2001223104A

JP2001223104A - 焼結磁石の製造方法

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Publication number: JP2001223104A
Application number: JP2000030489A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Minachi; 良彦皆地
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-02-08
Filing date: 2000-02-08
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】フェライト焼結磁石を製造する際に、残留磁
束密度を低下させずに保磁力の向上を実現する。【解決手段】仮焼体を得る仮焼工程と、前記仮焼体を
粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、前記仮焼粉末を成
形して成形体を得る成形工程と、前記成形体を焼結する
焼成工程とを有し、前記粉砕工程において、Ｒ（希土類
元素およびＢｉから選択される少なくとも１種の元素で
あってＬａを必ず含む）を含む出発原料の少なくとも一
部、および／または、Ｍ（ＣｏであるかＣｏおよびＺ
ｎ）を含む出発原料の少なくとも一部を添加し、前記焼
成工程の昇温過程において、９００℃から最高温度に至
る温度範囲での昇温速度を１〜５℃／分とする焼結磁石
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト焼結磁
石を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にＳｒ系のマグネトプランバイト型
（Ｍ型）フェライト磁石は、安価でしかも高い磁気特性
を有するという特徴から、家電製品や自動車に搭載され
る電装用モータなどに広く利用されている。

【０００３】フェライト磁石は、一般に、原料粉末を混
合して仮焼し、次いで、適度な粒度となるまで粉砕して
仮焼粉末とした後、必要な形状に成形し、焼結すること
により製造する。異方性焼結磁石を製造するためには、
磁場中で成形を行う。成形方法は湿式法と乾式法とに大
別され、高磁気特性を目標とするものには湿式成形法が
用いられる。

【０００４】例えば、特開平１１−１５４６０４号公報
には、Ｍ型のＳｒ系フェライトの主成分の一部をＬａお
よびＣｏで置換することにより、高飽和磁化および高保
磁力を両立させる提案がなされており、湿式成形を用い
た実施例において高特性が確認されている。

【０００５】永久磁石において重要な特性は、残留磁束
密度（Ｂｒ）および保磁力（ＨcJ）である。Ｂｒは、磁
石の密度およびその配向度と、その結晶構造で決まる飽
和磁化（４πＩｓ）とで決定され、Ｂｒ＝４πＩｓ×配向度×密度で表わされる。一方、ＨcJは、異方性磁場｛Ｈ_A（＝２
Ｋ₁／Ｉｓ）｝と単磁区粒子比率（ｆｃ）との積（Ｈ_A×
ｆｃ）に比例する。ここで、Ｋ₁は結晶磁気異方性定数
であり、Ｉｓと同様に結晶構造で決まる定数である。フ
ェライト粒子が単磁区状態となれば、磁化を反転させる
ためには異方性磁場に逆らって磁化を回転させる必要が
あるから、最大のＨcJが期待される。しかし、高Ｂｒを
得るために高密度化すると同時に、高ＨcJを得るために
微細な結晶粒を実現することは困難である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、フェライト
焼結磁石を製造する際に、残留磁束密度を低下させずに
保磁力の向上を実現することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３）の本発明により達成される。（１）六方晶マグネトプランバイト型フェライトを主
相として有し、Ｓｒ、Ｂａ、ＣａおよびＰｂから選択さ
れる少なくとも１種の元素であって、Ｓｒを必ず含むも
のをＡとし、希土類元素（Ｙを含む）およびＢｉから選
択される少なくとも１種の元素であってＬａを必ず含む
ものをＲとし、ＣｏであるかＣｏおよびＺｎをＭとした
とき、Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭを含有する焼結磁石を製造
する方法であって、仮焼体を得る仮焼工程と、前記仮焼
体を粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、前記仮焼粉末
を成形して成形体を得る成形工程と、前記成形体を焼結
する焼成工程とを有し、前記粉砕工程において、前記Ｒ
を含む出発原料の少なくとも一部、および／または、前
記Ｍを含む出発原料の少なくとも一部を添加し、前記焼
成工程の昇温過程において、９００℃から最高温度に至
る温度範囲での昇温速度を１〜５℃／分とする焼結磁石
の製造方法。（２）前記仮焼体中において、粒径０．５〜１．５μ
mの一次粒子が一次粒子全体の８０質量％以上を占める
ように仮焼を行う上記（１）の焼結磁石の製造方法。（３）前記焼成工程の昇温過程において、室温から９
００℃に至る温度範囲での昇温速度を０．５〜１０℃／
分とする上記（１）または（２）の焼結磁石の製造方
法。

【０００８】

【作用および効果】本発明では、ＬａおよびＣｏを含有
するフェライト焼結磁石を製造する際に、焼成工程の昇
温過程において、９００℃から最高温度までの間で昇温
速度が所定範囲となるように制御する。これにより、Ｂ
ｒを低下させずにＨcJを向上させることができる。さら
に本発明では、出発原料の一部を仮焼後にも添加し、そ
の後に上記条件で焼成するので、ＨcJをさらに向上させ
ることができる。

【０００９】また、本発明において、粒径０．５〜１．
５μmの仮焼体粒子が全体の８０質量％以上を占めるよ
うに仮焼条件を制御すれば、ＨcJをさらに向上させるこ
とができる。

【００１０】ところで、特開平４−５８０２号公報に
は、酸化物永久磁石を製造するに際し、本焼成時に、最
高温度に対して７０〜９５％の温度範囲内の初期焼結段
階において、昇温速度を０．１〜１０℃／分の範囲内に
設定して焼成する方法が記載されている。この方法にお
ける作用効果は、縮率の制御が可能となることである。
具体的には、昇温速度を５〜１０℃／分とすれば磁化容
易軸方向の縮率が減少し、昇温速度を０．１〜５℃／分
とすれば磁化困難軸方向の縮率が減少する。同公報記載
の方法における昇温速度は、本発明で限定する昇温速度
と重複する。しかし、同公報に記載された第３図に関す
る説明では、磁気特性（残留磁束密度Ｂｒおよび固有保
磁力ｉＨｃ）は焼成時の最高温度に依存し、昇温速度と
はほとんど関係しない、と述べられている。

【００１１】しかし、本発明者は、前記特開平１１−１
５４６０４号公報に記載されているようなＬａおよびＣ
ｏを含有する焼結磁石においては、焼成工程における最
高温度が、Ｂｒを決定する因子ではあるがＨcJを一義的
に決定するものではないことを見いだした。本発明で
は、ＬａおよびＣｏを含有するフェライト焼結磁石を製
造するに際し、昇温過程において焼結が開始される温度
から最高温度までの区間において、昇温速度を制御する
ことにより保磁力を向上させる。

【００１２】これに対し上記特開平４−５８０２号公報
では、ＬａおよびＣｏを含有するフェライト焼結磁石に
ついての記載はなく、当然、昇温速度制御によるＨcJ向
上については記載されていない。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明では、六方晶Ｍ型フェライ
トを主相とする焼結磁石が製造される。本発明の製造方
法における昇温速度制御による保磁力向上は、Ｌａおよ
びＣｏを含有する焼結磁石において実現する。

【００１４】ＬａおよびＣｏを含有するフェライト磁石
としては、Ｓｒ、Ｂａ、ＣａおよびＰｂから選択される
少なくとも１種の元素であって、Ｓｒを必ず含むものを
Ａとし、希土類元素（Ｙを含む）およびＢｉから選択さ
れる少なくとも１種の元素であってＬａを必ず含むもの
をＲとし、ＣｏであるかＣｏおよびＺｎをＭとしたと
き、Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭを含有するものが好ましい。

【００１５】前記Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭそれぞれの金属
元素の総計の構成比率は、全金属元素量に対し、好まし
くはＡ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、
Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％であ
り、より好ましくは、Ａ：３〜１１原子％、Ｒ：０．２
〜６原子％、Ｆｅ：８３〜９４原子％、Ｍ：０．３〜４
原子％であり、さらに好ましくは、Ａ：３〜９原子％、
Ｒ：０．５〜４原子％、Ｆｅ：８６〜９３原子％、Ｍ：
０．５〜３原子％である。

【００１６】上記各構成元素において、Ａは、Ｓｒ、Ｂ
ａ、ＣａおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素であって、Ｓｒを必ず含む。Ａが小さすぎると、Ｍ型
フェライトが生成しないか、α−Ｆｅ₂Ｏ₃等の非磁性
相が多くなる。Ａが大きすぎるとＭ型フェライトが生成
しないか、ＳｒＦｅＯ_3-x等の非磁性相が多くなる。Ａ
中のＳｒの比率は、好ましくは５１原子％以上、より好
ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは１００原子
％である。Ａ中のＳｒの比率が低すぎると、飽和磁化向
上と保磁力の著しい向上とを共に得ることができなくな
る。

【００１７】Ｒは、希土類元素（Ｙを含む）およびＢｉ
から選択される少なくとも１種の元素である。Ｒには、
Ｌａが必ず含まれる。Ｒが小さすぎると、Ｍの固溶量が
少なくなり、Ｍ添加による効果が得られにくくなる。Ｒ
が大きすぎると、オルソフェライト等の非磁性の異相が
多くなる。Ｒ中においてＬａの占める割合は、好ましく
は４０原子％以上、より好ましくは７０原子％以上であ
り、飽和磁化向上のためにはＲとしてＬａだけを用いる
ことが最も好ましい。これは、六方晶Ｍ型フェライトに
対する固溶限界量を比較すると、Ｌａが最も多いためで
ある。したがって、Ｒ中のＬａの割合が低すぎるとＲの
固溶量を多くすることができず、その結果、元素Ｍの固
溶量も多くすることができなくなる。また、Ｂｉを併用
すれば仮焼温度および焼結温度を低くすることができる
ので、生産上有利である。

【００１８】元素Ｍは、ＣｏであるかＣｏおよびＺｎで
ある。Ｍが少なすぎると、Ｍ添加による効果が不十分と
なり、Ｍが多すぎると、ＢｒやＨcJがかえって低下して
しまう。Ｍ中のＣｏの比率は、好ましくは１０原子％以
上、より好ましくは２０原子％以上である。Ｃｏの比率
が低すぎると、保磁力向上が不十分となる。

【００１９】本発明により製造される焼結磁石におい
て、主成分組成を式Ａ_1-xＲ_x（Ｆｅ_12-yＭ_y）_zＯ₁₉ （ｘ，ｙ，ｚはモル数を表す）で表したとき、好ましく
は０．０４≦ｘ≦０．９、特に０．０４≦ｘ≦０．６、０．０４≦ｙ≦０．５、０．７≦ｚ≦１．２であり、より好ましくは０．０４≦ｘ≦０．５、０．０４≦ｙ≦０．５、０．７≦ｚ≦１．２であり、さらに好ましくは０．１≦ｘ≦０．４、０．１≦ｙ≦０．４、０．８≦ｚ≦１．１であり、特に好ましくは０．９≦ｚ≦１．０５である。

【００２０】上記式において、ｘが小さすぎると、すな
わち元素Ｒの量が少なすぎると、六方晶フェライトに対
する元素Ｍの固溶量を多くできなくなり、飽和磁化向上
効果および／または異方性磁場向上効果が不十分とな
る。ｘが大きすぎると六方晶フェライト中に元素Ｒが置
換固溶できなくなり、例えば元素Ｒを含むオルソフェラ
イトが生成して飽和磁化が低くなってしまう。ｙが小さ
すぎると飽和磁化向上効果および／または異方性磁場向
上効果が不十分となる。ｙが大きすぎると六方晶フェラ
イト中に元素Ｍが置換固溶できなくなる。また、元素Ｍ
が置換固溶できる範囲であっても、異方性定数（Ｋ₁）
や異方性磁場（Ｈ_A）の劣化が大きくなってしまう。ｚ
が小さすぎるとＳｒおよび元素Ｒを含む非磁性相が増え
るため、飽和磁化が低くなってしまう。ｚが大きすぎる
とα−Ｆｅ₂Ｏ₃相または元素Ｍを含む非磁性スピネルフ
ェライト相が増えるため、飽和磁化が低くなってしま
う。なお、上記式は不純物が含まれていないものとして
規定されている。

【００２１】組成を表わす上記式において、酸素（Ｏ）
のモル数は１９となっているが、これは、Ｒがすべて３
価であって、かつｘ＝ｙ、ｚ＝１のときの化学量論組成
比を示したものである。Ｒの種類やｘ、ｙ、ｚの値によ
って、酸素のモル数は異なってくる。また、例えば焼成
雰囲気が還元性雰囲気の場合は、酸素の欠損（ベイカン
シー）ができる可能性がある。さらに、ＦｅはＭ型フェ
ライト中においては通常３価で存在するが、これが２価
などに変化する可能性もある。また、Ｃｏ等のＭで示さ
れる元素も価数が変化する可能性があり、これらにより
金属元素に対する酸素の比率は変化する。本明細書で
は、Ｒの種類やｘ、ｙ、ｚの値によらず酸素のモル数を
１９と表示してあるが、実際の酸素のモル数は化学量論
組成比から多少偏倚していてもよい。例えば、Ｓｒフェ
ライト中に二価のＦｅが生成すると、フェライトの比抵
抗は低下すると考えられる（Ｆｅ²⁺→Ｆｅ³⁺＋ｅ^-）。
多結晶体の場合は、通常、粒界抵抗の方が粒内抵抗より
も大きいが、この原因により実際の焼結磁石の比抵抗は
変化する場合がある。

【００２２】焼結磁石には、Ａｌ₂Ｏ₃が含まれていても
よい。Ａｌ₂Ｏ₃は保磁力を向上させるが、飽和磁束密度
を低下させるため、Ａｌ₂Ｏ₃の含有量は好ましくは１．
０質量％以下である。なお、Ａｌ₂Ｏ₃添加の効果を十分
に発揮させるためには、Ａｌ ₂Ｏ₃含有量を０．１質量％
以上とすることが好ましい、

【００２３】焼結磁石には、Ｂ₂Ｏ₃が含まれていてもよ
い。Ｂ₂Ｏ₃を含むことにより仮焼温度および焼結温度を
低くすることができるので、生産上有利である。Ｂ₂Ｏ₃
の含有量は、０．５質量％以下であることが好ましい。
Ｂ₂Ｏ₃含有量が多すぎると、飽和磁化が低くなってしま
う。

【００２４】焼結磁石中には、Ｎａ、ＫおよびＲｂの少
なくとも１種が含まれていてもよい。これらをそれぞれ
Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂ＯおよびＲｂ₂Ｏに換算したとき、これら
の含有量の合計は、焼結磁石全体の３質量％以下である
ことが好ましい。これらの含有量が多すぎると、飽和磁
化が低くなってしまう。これらの元素をＭ^Iで表わした
とき、焼結磁石中においてＭ^Iは例えばＳｒ_1.3-2aＲ_aＭ^I _a-0.3Ｆｅ_11.7Ｍ_0.3Ｏ₁₉ の形で含有される。なお、この場合、０．３＜ａ≦０．
５であることが好ましい。ａが大きすぎると、飽和磁化
が低くなってしまうほか、焼成時に元素Ｍ^Iが多量に蒸
発してしまうという問題が生じる。

【００２５】また、これらの不純物の他、例えばＳｉ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ａｓ，
Ｗ，Ｍｏ等が、酸化物の形で、それぞれ酸化シリコン１
質量％以下、酸化ガリウム５質量％以下、酸化インジウ
ム３質量％以下、酸化リチウム１質量％以下、酸化マグ
ネシウム３質量％以下、酸化マンガン３質量％以下、酸
化ニッケル３質量％以下、酸化クロム５質量％以下、酸
化銅３質量％以下、酸化チタン３質量％以下、酸化ジル
コニウム３質量％以下、酸化ゲルマニウム３質量％以
下、酸化スズ３質量％以下、酸化バナジウム３質量％以
下、酸化ニオブ３質量％以下、酸化タンタル３質量％以
下、酸化アンチモン３質量％以下、酸化砒素３質量％以
下、酸化タングステン３質量％以下、酸化モリブデン３
質量％以下程度含有されていてもよい。

【００２６】次に、本発明の製造方法を説明する。本発
明の製造方法は、出発原料の混合物を得る混合工程と、
前記混合物を焼成して仮焼体を得る仮焼工程と、前記仮
焼体を粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、前記仮焼粉
末を成形して成形体を得る成形工程と、前記成形体を焼
結する焼成工程とを有する。

【００２７】出発原料としては、焼成により酸化物とな
る各種化合物、例えば炭酸塩、シュウ酸塩等を用いれば
よい。混合工程では、出発原料の一部だけを混合し、元
素Ｒを含む出発原料の少なくとも一部および／または元
素Ｍを含む出発原料の少なくとも一部は、仮焼後に添加
する。

【００２８】仮焼は、空気中等の酸化性雰囲気中におい
て行う。仮焼温度は、好ましくは１０００〜１３５０℃
である。なお、この仮焼温度は、最高温度（安定温度）
である。仮焼時間（最高温度に保持する時間）は、好ま
しくは１秒間〜１０時間、より好ましくは１秒間〜３時
間である。仮焼体は、実質的にマグネトプランバイト型
のフェライト構造をもつ。仮焼体中では、粒径０．５〜
１．５μmの一次粒子が一次粒子全体の８０質量％以
上、特に９０質量％以上を占めることが好ましい。一次
粒子径が０．５μm未満であると、湿式成形の際に脱水
性が悪くなる結果、成形工程に要する時間が長くなり、
生産性が低くなってしまう。また、高Ｂｒが得られにく
くなってしまう。一方、一次粒子径が１．５μmを超え
ると、ＨcJが低くなってしまう。したがって、仮焼体中
における粒径０．５〜１．５μmの一次粒子の比率を上
記範囲とすることにより、保磁力が高く、かつ、生産性
の高い焼結磁石が実現する。なお、仮焼体の一次粒子径
およびその分布の制御は、仮焼温度および仮焼時間の制
御によって行うことができる。なお、仮焼体の一次粒子
径は、走査型電子顕微鏡により測定することができる。
一次粒子径の測定に際しては、全粒子数を測定する必要
はないが、好ましくは５０個以上、より好ましくは１０
０個以上の粒子について測定する。なお、各一次粒子の
径は、（長径＋短径）／２とする。

【００２９】粉砕工程は、一般に顆粒状として得られる
仮焼体を粉砕ないし解砕するために設ける。粉砕工程で
は、まず、乾式粗粉砕を行うことが好ましい。乾式粗粉
砕には、フェライト粒子に結晶歪を導入して、保磁力Ｈ
cBをいったん小さくする効果もある。保磁力の低下によ
り粒子の凝集が抑制され、分散性が向上する。また、粒
子の凝集を抑制することにより、配向度が向上する。粒
子に導入された結晶歪は、後の焼成工程において解放さ
れ、保磁力が回復することによって永久磁石とすること
ができる。

【００３０】なお、乾式粗粉砕の際には、通常、ＳｉＯ
₂と、焼成によりＣａＯとなるＣａＣＯ₃とが添加され
る。ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃は、一部を仮焼前に添加
してもよい。不純物および添加されたＳｉやＣａは、大
部分粒界や三重点部分に偏析するが、一部は粒内のフェ
ライト部分（主相）にも取り込まれる。特にＣａは、Ｓ
ｒサイトにはいる可能性が高い。

【００３１】粉砕工程では、元素Ｒを含む出発原料の少
なくとも一部および元素Ｍを含む出発原料の少なくとも
一部の一方、好ましくは両方を、仮焼粉末に添加する。
このように特定の出発原料の一部または全部を仮焼後に
添加することにより、保磁力を向上させることができ
る。粉砕工程において添加する出発原料の量は、それぞ
れの出発原料について使用量全体の好ましくは２０モル
％以上、より好ましくは５０モル％以上である。この添
加量が少なすぎると、粉砕工程において添加したことに
よる効果が不十分となる。なお、粉砕工程では、最終組
成を調整するために、元素Ａを含む出発原料の一部およ
び／またはＦｅを含む出発原料の一部も、必要に応じ添
加してよい。

【００３２】乾式粗粉砕後、粉砕粉と水とを含む粉砕用
スラリーを調製し、これを用いて湿式粉砕を行うことが
好ましい。

【００３３】成形は、乾式で行っても湿式で行ってもよ
いが、配向度を高くするためには、湿式成形を行うこと
が好ましい。

【００３４】成形を湿式で行う場合、湿式粉砕後に、粉
砕用スラリーを濃縮して成形用スラリーを調製する。濃
縮は、遠心分離やフィルタープレス等によって行えばよ
い。

【００３５】成形圧力は１０〜５０MPa程度とする。成
形は、必要に応じ磁場中で行う。印加磁場強度は、０．
５〜１．５T程度とすればよい。

【００３６】湿式成形では、非水系の分散媒を用いても
よく、水系の分散媒を用いてもよいが、環境への負荷を
考慮すると、水系の分散媒を用いることが好ましい。非
水系の分散媒を用いる場合には、例えば特開平６−５３
０６４号公報に記載されているように、トルエンやキシ
レンのような有機溶媒に、例えばオレイン酸のような界
面活性剤を添加して、分散媒とする。このような分散媒
を用いることにより、分散しにくいサブミクロンサイズ
のフェライト粒子を用いた場合でも最高で９８％程度の
高い磁気的配向度を得ることが可能である。一方、水系
の分散媒としては、水に各種界面活性剤を添加したもの
を用いればよいが、好ましくは、ＷＯ９８／２５２７８
に記載されている分散剤を用いることが好ましい。この
分散剤は、水酸基およびカルボキシル基を有する有機化
合物またはその中和塩もしくはそのラクトンであるか、
ヒロドキシメチルカルボニル基を有する有機化合物であ
るか、酸として解離し得るエノール型水酸基を有する有
機化合物またはその中和塩であって、前記有機化合物
が、炭素数３〜２０であり、酸素原子と二重結合した炭
素原子以外の炭素原子の５０％以上に水酸基が結合して
いる化合物、例えばグルコン酸やアスコルビン酸、であ
る。また、このほか、クエン酸またはその中和塩も上記
ＷＯ９８／２５２７８に挙げられている。

【００３７】成形工程と焼成工程との間には、成形体を
大気中または窒素中において１００〜５００℃の温度で
熱処理して、添加したバインダや分散剤などを十分に分
解除去するための工程が、必要に応じて設けられる。な
お、この分解除去は、焼成工程の昇温過程において行う
こともできる。

【００３８】焼成工程では、空気中等の酸化性雰囲気中
において焼成する。焼成工程における最高温度（安定温
度）は、好ましくは１１５０〜１２７０℃、より好まし
くは１１６０〜１２４０℃の範囲内に設定する。最高温
度に保持する時間（安定時間）は、０．５〜３時間程度
とすることが好ましい。

【００３９】本発明では、焼成工程の昇温過程におい
て、室温から９００℃に至る温度範囲での昇温速度を
０．５〜１０℃／分とする。この温度範囲における昇温
速度を０．５℃／分未満とした場合、得られる効果は特
になく、焼成工程の時間が長くなって生産性が低くな
る。一方、１０℃／分を超える昇温速度とすると、昇温
過程の前半部で脱バインダを行う場合に、成形体にクラ
ックが発生しやすくなる。

【００４０】また、本発明では、９００℃から最高温度
に至る温度範囲での昇温速度を１〜５℃／分とする。９
００℃付近は焼結が開始される温度であり、この温度範
囲における昇温速度を上記範囲内とすることにより、Ｈ
cJを向上させることができる。昇温速度が低すぎても高
すぎても、ＨcJ向上効果が不十分となる。

【００４１】なお、焼成工程の降温過程における降温速
度は特に限定されず、従来と同様であってよいが、通
常、１〜２０℃／分の範囲から選択することが好まし
い。

【００４２】本発明により製造される焼結磁石は、所定
の形状に加工され、例えば下記に示すような幅広い用途
に使用される。

【００４３】例えば、フュエルポンプ用、パワーウィン
ドウ用、ＡＢＳ用、ファン用、ワイパ用、パワーステア
リング用、アクティブサスペンション用、スタータ用、
ドアロック用、電動ミラー用等の自動車用モータ；ＦＤ
Ｄスピンドル用、ＶＴＲキャプスタン用、ＶＴＲ回転ヘ
ッド用、ＶＴＲリール用、ＶＴＲローディング用、ＶＴ
Ｒカメラキャプスタン用、ＶＴＲカメラ回転ヘッド用、
ＶＴＲカメラズーム用、ＶＴＲカメラフォーカス用、ラ
ジカセ等キャプスタン用、ＣＤ，ＬＤ，ＭＤスピンドル
用、ＣＤ，ＬＤ，ＭＤローディング用、ＣＤ，ＬＤ光ピ
ックアップ用等のＯＡ、ＡVI機器用モータ；エアコンコ
ンプレッサー用、冷蔵庫コンプレッサー用、電動工具駆
動用、扇風機用、電子レンジファン用、電子レンジプレ
ート回転用、ミキサ駆動用、ドライヤーファン用、シェ
ーバー駆動用、電動歯ブラシ用等の家電機器用モータ；
ロボット軸、関節駆動用、ロボット主駆動用、工作機器
テーブル駆動用、工作機器ベルト駆動用等のＦＡ機器用
モータ；その他、オートバイ用発電器、スピーカ・ヘッ
ドホン用マグネット、マグネトロン管、ＭＲＩ用磁場発
生装置、ＣＤ−ＲＯＭ用クランパ、ディストリビュータ
用センサ、ＡＢＳ用センサ、燃料・オイルレベルセン
サ、マグネットラッチ等に好適に使用される。

【００４４】

【実施例】原料粉末として、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＳｒＣＯ₃
を用意し、これらをＳｒＯ・ｎＦｅ₂Ｏ₃ においてｎ＝６．０となるように秤量し、水を分散媒と
して用いて湿式混合した。

【００４５】次いで、空気中において表１に示す温度で
２時間仮焼し、仮焼体を得た。仮焼体中における粒径
０．５〜１．５μmの一次粒子の比率を、表１に示す。
なお、一次粒子径は、１００個の粒子について走査型電
子顕微鏡により測定した。次いで仮焼体を振動ミルで乾
式粗粉砕し、平均粒径３μmの粗粉砕粉を得た。

【００４６】この粗粉砕粉に、主成分の出発原料として
Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｌａ（ＯＨ）₃およびＣｏ₃Ｏ₄を添加した。
これらの添加量は、焼結後の主成分組成が式Ｓｒ_1-xＬａ_x（Ｆｅ_12-yＣｏ_y）_zＯ₁₉ においてｘ＝０．１９２１、ｙ＝０．１８５２、ｚ＝０．９９５１となるものとした。また、同時に、副成分の出発原料と
してＳｉＯ₂粉末およびＣａＣＯ₃粉末を添加した。副成
分の出発原料の添加量は、主成分に対しＳｉＯ₂が０．
４２質量％、ＣａＣＯ₃が１．１１質量％である。次い
で、全体の平均粒径が１μmとなるまで湿式アトライタ
で粉砕した。なお、この粉砕における分散媒には水を用
いた。

【００４７】次いで、分散媒として水を、分散剤として
仮焼体に対し０．６質量％のグルコン酸を用い、これら
と上記仮焼体とを混合して粉砕用スラリーを調製した。
グルコン酸添加の際には、グルコン酸の中和当量の５倍
に相当するアンモニア水を加えて粉砕時のｐＨを調整し
た。なお、グルコン酸の添加量は、グルコン酸イオンに
換算した値である。

【００４８】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを遠心分離し
て、成形用スラリーとした。この成形用スラリーから水
を除去しながら圧縮成形を行った。この成形は、圧縮方
向に約１Tの磁場を印加しながら行った。得られた成形
体は、直径３０mm、高さ１５mmの円柱状であった。

【００４９】次に、空気中において、室温から安定温度
までの昇温速度を表１に示す値として焼成し、焼結体を
得た。なお、室温までの降温速度は５℃／分とした。焼
成温度（安定温度）を表１に示す。なお、安定時間は１
時間とした。各焼結体の上下面を加工した後、残留磁束
密度（Ｂｒ）および保磁力（ＨcJ）を調べた。結果を表
１に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、昇温速度を本発明で限定する範囲内とするこ
とにより、仮焼温度および焼成温度によらずＨcJが臨界
的に向上することがわかる。また、仮焼体中において粒
径０．１〜１．５μmの一次粒子の比率を本発明で限定
する範囲内とすることにより、焼成温度が同じであって
もＨcJがより向上することがわかる。

【００５２】なお、表１において焼成温度が同じ場合に
は、昇温速度によらずＢｒが同じとなっている。これ
は、各昇温速度について複数のサンプルを作製し、ＨcJ
についての厳密な比較を行うために、同条件で作製した
複数のサンプルからＢｒが同じサンプルを選択して表１
に示したからである。ただし、同条件で作製した複数の
サンプルにおいてＢｒのばらつきはほとんどなかった。
したがって、Ｂｒが焼成温度に依存し、昇温速度には実
質的に依存しないことが明らかである。

【００５３】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】六方晶マグネトプランバイト型フェライ
トを主相として有し、Ｓｒ、Ｂａ、ＣａおよびＰｂから
選択される少なくとも１種の元素であって、Ｓｒを必ず
含むものをＡとし、希土類元素（Ｙを含む）およびＢｉ
から選択される少なくとも１種の元素であってＬａを必
ず含むものをＲとし、ＣｏであるかＣｏおよびＺｎをＭ
としたとき、Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭを含有する焼結磁石
を製造する方法であって、仮焼体を得る仮焼工程と、前記仮焼体を粉砕して仮焼粉
末を得る粉砕工程と、前記仮焼粉末を成形して成形体を
得る成形工程と、前記成形体を焼結する焼成工程とを有
し、前記粉砕工程において、前記Ｒを含む出発原料の少なく
とも一部、および／または、前記Ｍを含む出発原料の少
なくとも一部を添加し、前記焼成工程の昇温過程において、９００℃から最高温
度に至る温度範囲での昇温速度を１〜５℃／分とする焼
結磁石の製造方法。
【請求項２】前記仮焼体中において、粒径０．５〜
１．５μmの一次粒子が一次粒子全体の８０質量％以上
を占めるように仮焼を行う請求項１の焼結磁石の製造方
法。
【請求項３】前記焼成工程の昇温過程において、室温
から９００℃に至る温度範囲での昇温速度を０．５〜１
０℃／分とする請求項１または２の焼結磁石の製造方
法。