JP6492596B2 - フェライト焼結磁石 - Google Patents

Description

本発明は、フェライト焼結磁石に関する。

酸化物からなる永久磁石の材料としては、六方晶系のＭ型（マグネトプランバイト型）ＳｒフェライトまたはＢａフェライトが知られている。これらのフェライトからなるフェライト磁性材料は、フェライト焼結体やボンド磁石の形で永久磁石として供されている。近年、電子部品の小型化、高性能化に伴って、フェライト磁性材料からなる永久磁石に対しても、小型でありながら高い磁気特性を有することが要求されつつある。

永久磁石の磁気特性の指標としては、一般に、残留磁束密度（Ｂｒ）および保磁力（ＨｃＪ）が用いられ、これらが高いほど高い磁気特性を有していると評価される。従来、永久磁石のＢｒおよびＨｃＪを向上させる観点から、フェライト磁性材料に所定の元素を含有させるなど、組成を変えて検討が行われてきた。

例えば、特許文献１には、ＣａＬａＣｏフェライトが、ＳｒＬａＣｏフェライトを上回る異方性磁界を有することに着目して検討を行った結果、高いＢｒおよびＨｃＪを有し、かつ高い角型比を有する六方晶のＭ型マグネトプランバイト構造を有するＣａＬａＣｏフェライトを主相とする酸化物磁性材料および該酸化物磁性材料を含有する焼結磁石が得られることが示されている。

ところで、フェライト焼結磁石は一般的に、粉末を成型した後、焼成することで得られる。焼成工程では焼成条件を調整することによりＢｒやＨｃＪなどの磁石特性を好適に制御することができる。しかし、工業的な製造規模においては、焼成工程の条件、特に焼成温度を一定に制御することは困難である。そのため、磁石特性が安定したフェライト焼結磁石を工業的に得ることは難しい。

さらに、磁石特性（特にＨｃＪ）が高いフェライト焼結磁石は、磁石特性（特にＨｃＪ）の焼成温度依存性も高くなる傾向にある。そのため、高性能なフェライト焼結磁石ほど焼成時の温度の微妙な変化により磁石特性が変化し、安定した磁石特性を有するフェライト焼結磁石を得にくくなる。

前記特許文献１の実施例３では、焼結温度を１１５０℃から１１７０℃に２０℃上昇させるとＨｃＪが３７０．０ｋＡ／ｍから３００．２ｋＡ／ｍに低下している。すなわち、前記特許文献１の焼結磁石は高性能ではあるが、ＨｃＪの焼成温度依存性が非常に高く、ＨｃＪのバラツキが大きいという問題がある。

したがって、フェライト焼結磁石においては、高い磁石特性を得るとともに、磁石特性（特にＨｃＪ）の焼成温度依存性を低くすることが好ましい。しかしながら、磁石特性を向上させると、磁石特性の焼成温度依存性も高くなる。そのため、高磁石特性と低焼成温度依存性とを両立させたフェライト焼結磁石を得ることは従来、決して容易なことではなかった。

特開２００６−１０４０５０号公報

そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、高い磁石特性を有し、しかも磁石特性（特にＨｃＪ）の焼成温度依存性が低いフェライト焼結磁石を提供することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明のフェライト焼結磁石は、六方晶構造を有するフェライト相からなる主相を有するフェライト焼結磁石であって、
前記フェライト焼結磁石を構成する前記主相の組成は下記式（１）で表され、
Ｃａ_{１−ｗ−ｘ}Ｒ_ｗＡ_ｘＦｅ_ｚＭ_ｍＯ_１９ ・・・（１）
Ｒは希土類元素およびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＬａを少なくとも含み、ＡはＳｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＣｏを少なくとも含み、
前記式（１）中、ｗ、ｘ、ｚおよびｍは、下記式（２）、（３）、（４）、および（５）を満たし、
０．２４≦ｗ≦０．６０ ・・・（２）
０．０２≦ｘ≦０．４１ ・・・（３）
８．００≦ｚ≦１１．００ ・・・（４）
１．０≦ｗ／ｍ≦２．４ ・・・（５）
少なくともＳを含み、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。

上記本発明のフェライト焼結磁石は、前記フェライト焼結磁石を構成する主相の組成が式（１）で表され、各元素が式（２）〜（５）の条件を満たすとともに、Ｓ成分を更に含み、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ以下である。そのため、本発明のフェライト焼結磁石は、ＨｃＪの焼成温度依存性が改善され、高いＨｃＪを安定的に有する。

本発明のフェライト焼結磁石は、少なくともＳｉを含むことが好ましい。

Ｓｉを含むことにより、焼結性が良好となり、また焼結体の結晶粒径が適度に調整され、良好に磁気特性が制御されたフェライト焼結磁石が得られる。

本発明のフェライト焼結磁石は、少なくともＳｉを含み、Ｓｉの含有量が、ＳｉＯ_２換算で０．６０質量％以上１．２０質量％以下であることが好ましい。

Ｓｉの含有量を、ＳｉＯ_２換算で０．６０質量％以上１．２０質量％以下とすることにより、焼結性がさらに良好となり、また焼結体の結晶粒径がさらに適度に調整され、さらに良好に磁気特性が制御されたフェライト焼結磁石が得られる。

本発明のフェライト焼結磁石は、少なくともＳｉを含み、Ｓｉの含有量をＳｉＯ_２換算でａ（質量％）、Ｓの含有量をｂ（ｐｐｍ）とし、物理量ＨＩＮを下記式（６）で表した場合に、ＨＩＮが１００以上１７８０以下であることが好ましい。
ＨＩＮ＝ｂ＋１３０００×（ａ―０．９０）^２ ・・・（６）

物理量ＨＩＮを１００以上とすることによりＨｃＪの焼成温度依存性が改善される。ＨＩＮを１７８０以下とすることにより、得られるフェライト焼結磁石のＨｃＪを向上させることができる。

図１はフェライト焼結磁石のＳ含有量とＨｃＪの焼成温度依存性との関係を示す図である。 図２はフェライト焼結磁石のＳ含有量、Ｓｉ含有量、物理量ＨＩＮおよびＨｃＪの関係を示す図である。

以下、本発明の実施形態を説明する。

（フェライト焼結磁石）
本発明の一実施形態に係るフェライト焼結磁石は、六方晶構造を有するフェライト相からなる主相を有するものである。前記フェライト相としてはマグネトプランバイト型（Ｍ型）フェライト（以下では、「Ｍ型フェライト」とする。）が好ましい。ここで「フェライト相からなる主相」とは、通常、フェライト焼結磁石は「主相（結晶粒子）」と「粒界部分」とからなるところ、この「主相」がフェライト相であることを意味する。焼結体に占める主相の割合としては、好ましくは９０質量％以上である。

フェライト焼結磁石は、前述の如く、焼結体の形態であり、結晶粒子（主相）と粒界とを含む構造を有している。この焼結体における結晶粒子の平均結晶粒径は、好ましくは２．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５〜１．６μｍである。このような平均結晶粒径を有することで、高いＨｃＪが得られ易くなる。なお、ここで述べた平均結晶粒径とは、Ｍ型フェライトの焼結体における結晶粒子において、磁化困難軸（ａ軸）方向の粒子径の相加平均値のことである。フェライト焼結体の結晶粒径は、走査型電子顕微鏡によって測定することができる。

本実施形態のフェライト焼結磁石は、下記式（１）で表される主相の組成を有する。
Ｃａ_{１−ｗ−ｘ}Ｒ_ｗＡ_ｘＦｅ_ｚＭ_ｍＯ_１９ （１）

ここで、式（１）中、Ｒは希土類元素およびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＬａを少なくとも含み、ＡはＳｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＣｏを少なくとも含む。

式（１）中、ｗ、ｘ、ｚおよびｍは、それぞれ、Ｒ、Ａ、ＦｅおよびＭの原子比率を示しており、下記式（２）、（３）、（４）および（５）の全てを満たす。
０．２４≦ｗ≦０．６０ ・・・（２）
０．０２≦ｘ≦０．４１ ・・・（３）
８．００≦ｚ≦１１．００ ・・・（４）
１．０≦ｗ／ｍ≦２．４ ・・・（５）

また、フェライト焼結磁石は、前述した主相の組成以外に少なくともＳを含み、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ以下である。

なお、酸素の組成比は、各金属元素の組成比、各元素（イオン）の価数に影響され、結晶内で電気的中性を維持するように増減する。また、後述する焼成工程の際に、焼成雰囲気を還元性雰囲気にすると酸素欠損が生じる場合もある。

以下、前述したフェライト焼結磁石の組成について、より詳細に説明する。

前述のフェライト焼結磁石を構成する金属元素の組成におけるＣａの原子比率（１−ｗ−ｘ）は、０．２０以上、０．６２以下であると好ましく、０．２６以上、０．５９以下であるとより好ましい。Ｃａの原子比率が小さすぎると、フェライト相がＭ型フェライトとならない場合がある。また、α−Ｆｅ_２Ｏ_３等の非磁性相の割合が増加する他、Ｒが余剰となってオルソフェライト等の非磁性の異相が生成し、磁気特性（特にＢｒやＨｃＪ）が低下するおそれがある。

一方、Ｃａの原子比率が大きすぎると、Ｍ型フェライトとならない場合がある他、ＣａＦｅＯ_３−ｘ等の非磁性相が多くなって、磁気特性が低下するおそれがある。

本実施形態のフェライト焼結磁石は、後述するようにＳを含む。また、その他に副成分を更に含んでいても良く、主相にも含まれる成分を副成分として含んでいても良い。例えば、副成分としてＣａを含有させた場合、フェライト焼結磁石から分析されるＣａの量は主相および副成分の総量となる。すなわち、副成分としてＣａ成分を用いた場合には、一般式（１）におけるＣａの原子比率（１−ｗ−ｘ）は副成分をも含んだ値となる。原子比率（１−ｗ−ｘ）の範囲は、焼成後に分析された組成に基づいて特定されるものであるから、副成分としてＣａ成分を含む場合と含まない場合との両方に適用できる。

Ｒで示される元素は、Ｌａを少なくとも含むほか、Ｌａ以外としては、希土類元素およびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種がより好ましい。ただし、Ｌａの含有量は、Ｒの含有量を１００原子％とした場合に５１原子％以上であることが好ましく、Ｌａのみを含む（Ｌａの含有量が、Ｒの含有量を１００原子％とした場合に１００原子％である）ことが、異方性磁界を向上させる観点から特に好適である。またＲは副成分としても含んでいてもよい。

前記フェライト焼結磁石を構成する主相の組成中のＲの原子比率（ｗ）は、０．２４以上、０．６０以下であり、この範囲であると、Ｂｒ、ＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪ（角型比）が良好なフェライト焼結磁石を得られる。Ｒの原子比率が小さすぎると、フェライト焼結磁石におけるＭの固溶量が不十分となり、ＢｒおよびＨｃＪが低下する。一方、大きすぎると、オルソフェライト等の非磁性の異相が生じ、Ｈｋ／ＨｃＪが低くなって実用的な磁石を得ることが困難となる。このような観点から、Ｒの原子比率は、０．２５以上０．６０未満であると好ましく、０．２８以上０．５５未満であるとより好ましく、さらには０．３０以上０．５３未満であると好ましい。

Ａで示される元素はＳｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素である。Ｓｒの含有量は、Ａの含有量を１００原子％とした場合に５１原子％以上であることが好ましく、Ｓｒのみを含む（Ｓｒの含有量が、Ａの含有量を１００原子％とした場合に１００原子％である）ことが特に好ましい。

Ａの原子比率（ｘ）は、０．０２以上、０．４１以下であり、この範囲であることで、良好なＢｒ、ＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪが満たされる。Ａの原子比率が大きすぎると、ＢｒおよびＨｃＪが不十分となる。Ａの原子比率が小さすぎると、ＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪが不十分となる。このような観点から、Ａの原子比率は、０．０３以上０．３９未満であると好ましく、０．０５以上０．３７未満であるとより好ましく、さらには０．１０以上０．３１未満であると好ましい。

Ｆｅの原子比率（ｚ）は、８．００以上、１１．００以下であり、この範囲であることで、良好なＢｒ、ＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪが満たされる。Ｆｅの原子比率が小さすぎても大きすぎても、ＢｒおよびＨｃＪが不都合に低下する。Ｆｅの原子比率は、８．５０以上１０．５０未満であると好ましく、８．５０以上９．９０未満であるとより好ましく、さらには８．７０以上９．５０未満であると好ましい。

Ｍで示される元素は、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｃｏを少なくとも含む。Ｃｏ以外のＭを含有する場合には、Ｍｎ、ＮｉおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。ただし、Ｃｏの含有量は、Ｍの含有量を１００原子％とした場合に５１原子％以上であることが好ましく、Ｃｏのみを含む（Ｃｏの含有量が、Ｍの含有量を１００原子％とした場合に１００原子％である）ことが、異方性磁界を向上させる観点から特に好適である。

フェライト焼結磁石を構成する主相の組成は、Ｍの原子比率（ｍ）について、ｗ／ｍが、１．０以上、２．４以下である条件を満たす。この条件を満たすことで、良好なＢｒ、ＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪが得られる。Ｍの原子比率が小さすぎる場合、良好なＢｒおよびＨｃＪが得られず、特にＣｏの比率が小さすぎると良好なＨｃＪが得られない。一方、Ｍの原子比率が大きすぎる場合、ＢｒおよびＨｃＪがむしろ低下してしまう傾向にある。

この観点から、ｗ／ｍは、１．０以上２．２未満であると好ましく、１．１以上２．０未満がより好ましく、さらには１．２以上２．０未満がより好ましい。また、ｍ／ｚは０．０１７を超え、０．０６５未満であると好ましく、０．０１９以上０．０４４未満であるとより好ましく、０．０２１以上０．０３９未満がより好ましく、さらには０．０２３以上０．０３６未満がより好ましい。

本発明におけるフェライト焼結磁石は、前述した主相の組成に加えてＳを含み、Ｓの含有量が、フェライト焼結磁石全体に対する質量比で、１００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ以下である。Ｓを含むことにより、ＨｃＪの焼成温度依存性が改善され、高いＨｃＪを有するフェライト焼結磁石を安定的に得ることが可能となる。また、Ｓの含有量は１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｍ以上７５０ｐｐｍ以下がより好ましく、１００ｐｐｍ以上４５０ｐｐｍ以下がより好ましく、さらには１００ｐｐｍ以上３２０ｐｐｍ以下がより好ましい。

本発明におけるフェライト焼結磁石は、前述した主相の組成に加えて後述する副成分を含んでもよい。副成分は、フェライト焼結磁石の主相と粒界のどちらにも含まれ得る。フェライト焼結磁石においては、全体のうちの副成分以外が主成分である。十分な磁気特性を得る観点からは、フェライト焼結磁石中、主相の含有割合は９０質量％以上であると好ましく、９５質量％以上であるとより好ましい。

ここで、本願におけるＨｃＪの焼成温度依存性を定義する。

異なる焼成温度で２種類のサンプルを作製する。そして、ＨｃＪが大きい方をＨｃＪ（ａ）、ＨｃＪが小さい方をＨｃＪ（ｂ）とし、その際の焼成温度をＴ（ａ）、Ｔ（ｂ）とする。このときのＨｃＪの焼成温度依存性（％／℃）を（ＨｃＪ（ａ）−ＨｃＪ（ｂ））／ＨｃＪ（ａ）／（Ｔ（ａ）−Ｔ（ｂ））×１００と定義する。

上記の定義によれば、ＨｃＪ：４３０±１５ｋＡ／ｍ、片側７σを基準に考え、大量生産炉で生産する場合に生じる温度の誤差が１０℃とすると、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値は（４３０−４１５）／７／４３０／１０×１００＝０．０５％／℃が許容できる上限である。すなわち、現実の大量生産炉ではＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値は０．０５％／℃以下が望まれ、好ましくは０．０４％／℃以下、さらに好ましくは０．０３％／℃以下、より好ましくは０．０２％／℃以下である。なお、前記した特許文献１の実施例３の場合、焼成温度依存性の絶対値は０．９４％／℃となる。

フェライト焼結磁石は、前述した主相の組成、および少なくともＳ成分を含む。Ｓ成分の含有量は酸素気流中燃焼―赤外線吸収法によって測定することができる。フェライト焼結磁石の組成は、蛍光Ｘ線定量分析によって測定することができる。また、主相の存在は、Ｘ線回折や電子線回折によって確認することができる。

本実施形態のフェライト焼結磁石は、副成分として、Ｓ成分以外の成分を含んでいても良い。その他の副成分としては、例えば、Ａｌおよび／またはＣｒを有していても良い。これらの副成分を含有することにより、フェライト焼結磁石のＨｃＪが向上する傾向にある。良好なＨｃＪの向上効果を得る観点からは、Ａｌおよび／またはＣｒの含有量は、フェライト焼結磁石全体に対し、Ａｌ_２Ｏ_３やＣｒ_２Ｏ_３に換算して合計で０．１質量％以上であることが好ましい。ただし、これらの成分はフェライト焼結磁石のＢｒを低下させる場合があるため、良好なＢｒを得る観点からは、３質量％以下とすることが望ましい。

また、副成分としては、ホウ素Ｂを例えばＢ_２Ｏ_３として含んでいても良い。Ｂを含むことで、フェライト仮焼体を得る際の仮焼温度や、フェライト焼結体を得る際の焼成温度を低くすることができ、フェライト焼結磁石が生産性良く得られるようになる。ただし、Ｂが多すぎるとフェライト焼結磁石の飽和磁化が低下する場合があるため、Ｂの含有量は、フェライト焼結磁石全体に対し、Ｂ_２Ｏ_３に換算して０．５質量％以下であることが好ましい。

また、副成分としては、ケイ素Ｓｉを例えばＳｉＯ_２として含んでいても良い。Ｓｉを含むことで、焼結性が良好となり、また焼結体の結晶粒径が適度に調整され、良好に磁気特性が制御されたフェライト焼結磁石となる。ただし、Ｓｉが多すぎると非磁性成分であるＳｉがフェライト焼結磁石中に多量に含まれることになるため、磁気特性（特にＢｒ）が低くなる場合がある。したがって、Ｓｉの含有量は、フェライト焼結磁石全体に対し、ＳｉＯ_２に換算して２．０質量％以下であることが好ましく、０．６０質量％以上、１．２０質量％以下であることがより好ましい。

そして、本発明者らは、Ｓｉの含有量ａ（質量％）とＳの含有量ｂ（ｐｐｍ）とから算出される物理量ＨＩＮ＝ｂ＋１３０００×（ａ―０．９０）^２を実験的に見出した。

物理量ＨＩＮが小さいほど、ＨｃＪが向上する傾向がある。また物理量ＨＩＮが１００未満ではＨｃＪの焼成温度依存性が高くなるため、１００以上とすることが好ましい。具体的には、ＨＩＮが１００以上１７８０以下であることが好ましく、１００以上１３８０以下であることがより好ましく、１００以上９８０以下であることがより好ましく、１００以上５８０以下であることがより好ましく、１００以上１８０以下であることが更に好ましい。

更に、本実施形態のフェライト焼結磁石は、副成分として、Ｇａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｗ、Ｍｏ等を、酸化物の形態で含んでいても良い。これら具体的に例示した副成分の含有量は、各原子の化学量論組成の酸化物に換算して、酸化ガリウム５質量％以下、酸化マグネシウム５質量％以下、酸化銅５質量％以下、酸化マンガン５質量％以下、酸化ニッケル５質量％以下、酸化亜鉛５質量％以下、酸化インジウム３質量％以下、酸化リチウム１質量％以下、酸化チタン３質量％以下、酸化ジルコニウム３質量％以下、酸化ゲルマニウム３質量％以下、酸化スズ３質量％以下、酸化バナジウム３質量％以下、酸化ニオブ３質量％以下、酸化タンタル３質量％以下、酸化アンチモン３質量％以下、酸化砒素３質量％以下、酸化タングステン３質量％以下、酸化モリブデン３質量％以下であることが好ましい。ただし、副成分を複数種類組み合わせて含む場合は、磁気特性の低下を避けるため、各原子の化学量論組成の酸化物に換算して、その含有量の合計が５質量％以下となるようにすることが望ましい。

本実施形態のフェライト焼結磁石は、副成分として、アルカリ金属元素（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ等）は含まないことが好ましい。アルカリ金属元素は、焼結磁石の飽和磁化を低下させやすい傾向にある。ただし、アルカリ金属元素は、例えばフェライト焼結磁石を得るための原料中に含まれている場合もあり、そのように不可避的に含まれる程度であれば、フェライト焼結磁石中に含まれていても良い。磁気特性に大きく影響しないアルカリ金属元素の含有量は、各原子の化学量論組成の酸化物に換算して、３質量％以下である。

（フェライト焼結磁石の製造方法）
以下の実施形態では、フェライト焼結磁石の製造方法の一例を示す。本実施形態では、フェライト焼結磁石は、配合工程、仮焼工程、粉砕工程、成形工程および焼成工程を経て製造することができる。また、粉砕工程と成形工程の間に、微粉砕スラリーの乾燥工程、混練工程が含まれる場合があり、成形工程と焼成工程の間に、脱脂工程が含まれる場合がある。各工程について、以下に説明する。

＜配合工程＞
配合工程では、フェライト焼結磁石の原料を配合して、原料混合物を得る。まず、フェライト焼結磁石の原料としては、これを構成する元素のうちの１種または２種以上を含む化合物（原料化合物）が挙げられる。原料化合物は、例えば粉末状のものが好適である。原料化合物としては、各元素の酸化物、または焼成により酸化物となる化合物（炭酸塩、水酸化物、硝酸塩等）が挙げられる。例えばＳｒＣＯ_３、Ｌａ（ＯＨ）_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３およびＣｏ_３Ｏ_４等が例示できる。原料化合物の粉末の平均粒径は、例えば、均質な配合を可能とする観点から、０．１〜２．０μｍ程度とすることが好ましい。

また、フェライト焼結磁石におけるＳ成分の原料としては、特に制限はないが、硫黄元素単体もしくはフェライト焼結磁石に含まれる元素の硫化物または硫酸塩等が挙げられる。また、原料混合物には、必要に応じてその他の副成分の原料（元素単体、酸化物等）を配合しても良い。

配合は、例えば、各原料を、所望とするフェライト焼結磁石の組成が得られるように秤量し、混合した後、湿式アトライタ、ボールミル等を用い、０．１〜２０時間程度、混合、粉砕処理することにより行うことができる。

なお、この配合工程においては、全ての原料を混合する必要はなく、一部を後述する仮焼後に添加するようにしても良い。例えば、Ｓ成分の原料や、主相の組成の構成元素であるＣａの原料（例えばＣａＣＯ_３）は、後述する仮焼後、粉砕（特に微粉砕）工程において添加しても良い。添加の時期は、所望とする組成や磁気特性が得られ易いように調整すれば良い。

＜仮焼工程＞
仮焼工程では、配合工程で得られた原料粉末を仮焼する。仮焼は、例えば、空気中などの酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。仮焼の温度は、１１００〜１４００℃の温度範囲とすることが好ましく、１１００〜１３００℃がより好ましく、１１５０〜１３００℃が更に好ましい。仮焼の時間は、１秒間〜１０時間とすることができ、１秒間〜５時間であると好ましい。仮焼により得られる仮焼体は、前述したような主相（Ｍ相）を７０％以上含む。仮焼体の一次粒子径は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下であり、更に好ましくは２μｍ以下である。

＜粉砕工程＞
粉砕工程では、仮焼工程で顆粒状や塊状となった仮焼体を粉砕し、再び粉末状にする。これにより、後述する成形工程での成形が容易となる。この粉砕工程では、前述したように、配合工程で配合しなかった原料を添加しても良い。粉砕工程は、例えば、仮焼体を粗い粉末となるように粉砕（粗粉砕）した後、これを更に微細に粉砕（微粉砕）する２段階の工程で行っても良い。

粗粉砕は、例えば、振動ミル、ロッドミル等を用いて、平均粒径が０．５〜５．０μｍとなるまで行われる。微粉砕では、粗粉砕で得られた粗粉砕材を、更に湿式アトライタ、ボールミル、ジェットミル等によって粉砕する。微粉砕では、得られた微粉砕材の平均粒径が、好ましくは０．０８〜２．０μｍ、より好ましくは０．１〜１．０μｍ、更に好ましくは０．１〜０．５μｍ程度となるように、微粉砕を行う。微粉砕材の比表面積（例えばＢＥＴ法により求められる。）は、４〜１２ｍ^２／ｇ程度とすることが好ましい。好適な粉砕時間は、粉砕方法によって異なり、例えば湿式アトライタの場合、３０分間〜２０時間程度が好ましく、ボールミルによる湿式粉砕では１〜５０時間程度が好ましい。

粉砕工程で原料の一部を添加する場合、例えば、添加は微粉砕時において行うことができる。本実施形態では、Ｓ成分を含むＳｒＳＯ_４や、Ｃａ成分であるＣａＣＯ_３、Ｓｉ成分を含むＳｉＯ_２などを、微粉砕の際に添加することができるが、これらを配合工程や粗粉砕工程において添加しても良い。

微粉砕工程では、湿式法の場合、分散媒として水の他、トルエン、キシレン等の非水系溶媒を用いることができる。非水系溶媒を用いた方が、後述の湿式成形時において高配向性が得られる傾向がある。一方、水系溶媒を用いる場合、生産性の観点で有利である。

また、微粉砕工程では、焼成後に得られる焼結体の配向度を高めるため、例えば公知の多価アルコールや分散剤を添加しても良い。

＜成形・焼成工程＞
成形・焼成工程では、粉砕工程後に得られた粉砕材（好ましくは微粉砕材）を成形して成形体を得た後、この成形体を焼成して焼結体を得る。成形は、乾式成形、湿式成形またはＣＩＭ成形（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｍｏｌｄｉｎｇ（セラミック射出成形））のいずれの方法でも行うことができる。乾式成形法では、例えば、乾燥した磁性粉末を加圧成形しつつ磁場を印加して成形体を形成し、その後に、成形体を焼成する。湿式成形法では、例えば、磁性粉末を含むスラリーを磁場印加中で加圧成形しながら液体成分を除去して成形体を形成し、その後に、成形体を焼成する。

なお、一般的に、乾式成形法では、乾燥した磁性粉末を金型内で加圧成形するので、成形工程に要する時間が短いという利点を有するが、成形時の磁場による磁性粉末の配向度の向上が困難であり、結果として得られる焼結磁石の磁気特性が、湿式成形法により得られる焼結磁石に劣る。また、湿式成形法では、成形時の磁場により磁性粉末が配向し易く、焼結磁石の磁気特性が良好であるが、液体成分を抜きながら加圧を行うために、成形に時間がかかるという課題がある。

また、ＣＩＭ成形法は乾燥させた磁性粉末をバインダ樹脂と共に加熱混練して、形成したペレットを、磁場が印加された金型内で射出成形して予備成形体を得て、この予備成形体を脱バインダ処理した後、焼成する方法である。

前述した実施形態に係るフェライト焼結磁石の成形方法は特に限定されないが、好ましくは、ＣＩＭ成形もしくは湿式成形である。以下ではＣＩＭ成形と、湿式成形について詳細に説明する。

（ＣＩＭ成形・焼成）
ＣＩＭ成形法によってフェライト焼結磁石を得る場合には、湿式粉砕後、磁性粉末を含む微粉砕スラリーを乾燥させる。乾燥温度は、好ましくは８０〜５００°Ｃ、更に好ましくは１００〜４００°Ｃである。また、乾燥時間は、好ましくは１秒間〜１００時間、更に好ましくは１秒間〜５０時間である。乾燥後の磁性粉末の水分量は、好ましくは１．０質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。乾燥後の磁性粉末の一次粒子の平均粒径は、好ましくは０．０８〜２μｍの範囲内、更に好ましくは０．１〜１μｍの範囲内である。

この乾燥後の磁性粉末を、バインダ樹脂、ワックス類、滑剤、可塑剤、昇華性化合物など（以下これらを、「有機成分」とする。）と共に混練し、ペレタイザなどで、ペレットに成形する。前記有機成分は、成形体中に好ましくは３５〜６０体積％、より好ましくは４０〜５５体積％含まれる。混練は、例えば、ニーダーなどで行えば良い。ペレタイザとしては、例えば、２軸１軸押出機が用いられる。また、混練およびペレット成形は、使用する有機成分の溶融温度に応じて、加熱しながら実施しても良い。

バインダ樹脂としては、熱可塑性樹脂などの高分子化合物が用いられ、熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アタクチックポリプロピレン、アクリルポリマー、ポリスチレン、ポリアセタールなどが用いられる。

ワックス類としては、カルナバワックス、モンタンワックス、蜜蝋などの天然ワックス以外に、パラフィンワックス、ウレタン化ワックス、ポリエチレングリコールなどの合成ワックスが用いられる。

滑剤としては、例えば、脂肪酸エステルなどが用いられ、可塑剤としては、例えば、フタル酸エステルが用いられる。

バインダ樹脂の添加量は、磁性粉末１００質量％に対して、好ましくは３〜２０質量％、ワックス類の添加量は、好ましくは３〜２０質量％、滑剤の添加量は、好ましくは０．１〜５質量％である。可塑剤の添加量は、バインダ樹脂１００質量％に対して、好ましくは０．１〜５質量％である。

本実施形態では、たとえば、磁場射出成形装置を用いて、前記ペレットを金型内に射出成形する。金型への射出前に、金型は閉じられ、内部にキャビティが形成され、金型には磁場が印加される。なお、ペレットは、押出機の内部で、たとえば１６０〜２３０°Ｃに加熱溶融され、スクリューにより金型のキャビティ内に射出される。金型の温度は、２０〜８０°Ｃである。金型への印加磁場は８０〜２０００ｋＡ／ｍ程度とすれば良い。

次に、ＣＩＭ成形により得られた予備成形体を、大気中または窒素中において１００〜６００℃の温度で熱処理して、脱バインダ処理を行って成形体を得る。脱バインダ処理が不十分であったり、脱バインダ時の昇温速度が急激であると、前述の有機成分の急激な揮発や分解ガスの発生により、成形体や焼結体にワレやクラックを生じてしまう。そこで、脱バインダ処理する有機成分に応じて、揮発したり分解したりする温度域の昇温速度を、例えば、０．０１〜１℃／分程度のゆっくりとした昇温速度に適宜調整して、脱バインダ処理をすれば良い。逆に、脱バインダ処理が過剰であると、成形体の保形力が不足し、カケを生じるので、熱処理温度や温度プロファイル制御が必要である。また、有機成分を複数種使用している場合、脱バインダ処理を複数回に分けて実施しても良い。

次いで焼成工程において、脱バインダ処理した成形体を、例えば、大気中で好ましくは１１００〜１２５０℃、より好ましくは１１６０〜１２３０℃の温度で０．２〜３時間程度焼成して、本発明に係るフェライト焼結磁石を得る。温度が低温すぎたり、温度保持する時間が短すぎると、十分な焼結体密度が得られなかったり、添加されている元素の反応が不十分である等の原因により、所望の磁気特性が得られない。また、焼成温度が高温すぎたり、温度保持時間が長すぎたりすると、結晶粒子が異常成長したり、Ｍ型フェライト以外の異相が生成したり等の原因により、同じく所望の磁気特性が得られない。なお、焼成工程は、前述の脱バインダ工程と連続で実施しても、一度脱バインダ処理した後に室温まで冷却してから、焼成を実施しても良い。

（湿式成形・焼成）
湿式成形法によってフェライト焼結磁石を得る場合は、例えば、上述した微粉砕工程を湿式で行うことでスラリーを得た後、このスラリーを所定の濃度に濃縮して、湿式成形用スラリーを得、これを用いて成形を行うことが好ましい。スラリーの濃縮は、遠心分離やフィルタープレス等によって行うことができる。湿式成形用スラリーは、その全量中、微粉砕材が３０〜８０質量％程度を占めるものであると好ましい。スラリーにおいて、微粉砕材を分散する分散媒としては水が好ましい。この場合、スラリーには、グルコン酸、グルコン酸塩、ソルビトール等の界面活性剤を添加しても良い。また、分散媒としては非水系溶媒を使用しても良い。非水系溶媒としては、トルエンやキシレン等の有機溶媒を使用することができる。この場合には、オレイン酸等の界面活性剤を添加することが好ましい。なお、湿式成形用スラリーは、微粉砕後の乾燥状態の微粉砕材に、分散媒等を添加することによって調製しても良い。

湿式成形では、次いで、この湿式成形用スラリーに対し、磁場中成形を行う。その場合、成形圧力は、９．８〜９８ＭＰａ（０．１〜１．０ｔｏｎ／ｃｍ^２）程度であると好ましく、印加磁場は４００〜１６００ｋＡ／ｍ程度とすれば良い。また、成形時の加圧方向と磁場印加方向は、同一方向でも直交方向でも良い。

湿式成形により得られた成形体の焼成は、大気中等の酸化性雰囲気中で行うことができる。焼成温度は、１０５０〜１２７０℃であると好ましく、１０８０〜１２４０℃であるとより好ましい。また、焼成時間（焼成温度に保持する時間）は、０．５〜３時間程度であると好ましい。

以上、フェライト焼結磁石の好適な製造方法について説明したが、製造方法は上記には限定されず、条件等は適宜変更することができる。

本発明により得られるフェライト焼結磁石の形態は特に限定されない。例えば、異方性を有するアークセグメント形状、平板状、円柱状等、種々の形状を有することができる。なお、前記アークセグメント形状とは、平板状のものが一方向に円弧状に湾曲した形状である。本発明のフェライト焼結磁石は、形状によらずＨｃＪの焼成温度依存性が良好であり、高いＢｒおよびＨｃＪを維持しつつ、高いＨｋ／ＨｃＪが得られ、特にアークセグメント形状の磁石であっても、高いＢｒおよびＨｃＪを維持しつつ、高いＨｋ／ＨｃＪが得られる。

本実施形態におけるフェライト磁石は、一般的なモータ、回転機等に使用することができる。

本実施形態におけるフェライト磁石は、例えば、フューエルポンプ用、パワーウィンドウ用、ＡＢＳ（アンチロック・ブレーキ・システム）用、ファン用、ワイパ用、パワーステアリング用、アクティブサスペンション用、スタータ用、ドアロック用、電動ミラー用、駆動用等の自動車用モータの部材として使用することができる。

また、ＦＤＤスピンドル用、ＶＴＲキャプスタン用、ＶＴＲ回転ヘッド用、ＶＴＲリール用、ＶＴＲローディング用、ＶＴＲカメラキャプスタン用、ＶＴＲカメラ回転ヘッド用、ＶＴＲカメラズーム用、ＶＴＲカメラフォーカス用、ラジカセ等キャプスタン用、ＣＤ／ＤＶＤ／ＭＤスピンドル用、ＣＤ／ＤＶＤ／ＭＤローディング用、ＣＤ／ＤＶＤ光ピックアップ用等のＯＡ／ＡＶ機器用モータの部材として使用することができる。

更に、エアコンコンプレッサー用、冷凍庫コンプレッサー用、電動工具駆動用、ドライヤーファン用、シェーバー駆動用、電動歯ブラシ用等の家電機器用モータの部材としても使用することができる。更にまた、ロボット軸、関節駆動用、ロボット主駆動用、工作機器テーブル駆動用、工作機器ベルト駆動用等のＦＡ機器用モータの部材としても使用することが可能である。その他の用途としては、オートバイ用発電器、スピーカ・ヘッドホン用マグネット、マグネトロン管、ＭＲＩ用磁場発生装置、ＣＤ−ＲＯＭ用クランパ、ディストリビュータ用センサ、ＡＢＳ用センサ、燃料・オイルレベルセンサ、マグネトラッチ、アイソレータ、ジェネレータ等の部材が挙げられる。あるいは、磁気記録媒体の磁性層を蒸着法またはスパッタ法等で形成する際のターゲット（ペレット）として用いることもできる。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
＜配合工程＞
まず、出発原料としてフェライト焼結磁石を構成する金属元素の化合物の粉末を準備した。出発原料としては、酸化鉄（Ｆｅ_２ Ｏ_３ ）、水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）_３ ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３ ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３ ）、酸化コバルト（Ｃｏ_３ Ｏ_４ ）を用いた。得られた混合原料にＳｉＯ_２を適宜添加した。

＜仮焼工程＞
ＳｉＯ_２を添加した混合原料をアトライタで湿式配合し、スラリー状の原料組成物を得た。この原料組成物を乾燥した後、大気中にて１２５０℃で２時間保持する仮焼処理を行い、仮焼体を得た。

＜粉砕工程＞
得られた仮焼体をロッドミルにて粗粉砕し、粗粉砕材を得た。焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相が、Ｃａ_０．４７ Ｌａ_０．３９ Ｓｒ_０．１４ Ｆｅ_９．１０ Ｃｏ_０．２５ Ｏ_１９ となり、フェライト焼結磁石全体に対するＳｉの含有量がＳｉＯ_２に換算して０．７６質量％になるように、得られた粗粉砕材に対して、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３ ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３ ）、硫酸ストロンチウム（ＳｒＳＯ_４ ）、水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）_３ ）、酸化コバルト（Ｃｏ_３ Ｏ_４ ）を、それぞれ適宜添加した。次いで、湿式ボールミルにて微粉砕を２８時間行い、固形分濃度３３％のスラリーを得た。ここで硫酸ストロンチウムの添加量を調整することにより、Ｓの含有量を変化させた。微粉砕後に得られたスラリーを、固形分濃度７０〜７５％となるように調整し、湿式成形用スラリーを得た。

＜成形・焼成工程＞
次に、湿式磁場成形機を使用して予備成形体を得た。成形圧力は、５０ＭＰａ、印加磁場は８００ｋＡ／ｍ程度とした。また、成形時の加圧方向と磁場印加方向は、同一方向に設定した。湿式成形で得られた予備成形体は円柱状であり、直径３０ｍｍ、高さ１５ｍｍであった。

前記予備成形体を大気中、表１の試料１−１〜１４−２に示す温度（１２１０℃または１２２０℃）で１時間保持する焼成を行い、焼結体であるフェライト焼結磁石を得た。

実施例の各フェライト焼結磁石について、蛍光Ｘ線定量分析を行い、各フェライト焼結磁石の主相の組成がそれぞれＣａ_０．４７ Ｌａ_０．３９ Ｓｒ_０．１４ Ｆｅ_９．１０ Ｃｏ_０．２５ Ｏ_１９ となっていることを確認した。また、Ｓｉの含有量は、フェライト焼結磁石全体に対し、ＳｉＯ_２に換算して０．７６質量％であることを確認した。実施例の各フェライト焼結磁石について、酸素気流中燃焼―赤外吸収法によってＳ含有量を測定した。各フェライト焼結磁石のＳ含有量を表１に示す。

＜磁気特性（Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪ）の測定＞
実施例の各試料について、各フェライト焼結磁石の上下面を加工した後、２５℃の大気雰囲気中にて、最大印加磁場１９８９ｋＡ／ｍのＢ−Ｈトレーサを使用して磁気特性（残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨｃＪ、角形比Ｈｋ／ＨｃＪ）を測定した。さらに、ＨｃＪの焼成温度依存性を算出した。以上の結果を表１に示す。ここで、Ｈｋは磁気ヒステリシスループの第２象限において、磁束密度が残留磁束密度の９０％になるときの外部磁界強度である。さらに、各試料中のＳの含有量とＨｃＪの焼成温度依存性との関係をグラフ化して図１とした。ここで、ＨｃＪの焼成温度依存性は−０．０５％／℃〜＋０．０５％／℃を良好とした。図１に点線で±０．０５％／℃を示す線を記載した。Ｂｒは４４０ｍＴ以上を良好とした。４５０ｍＴ以上がより好ましい。ＨｃＪは４００ｋＡ／ｍ以上を良好とした。４１０ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、４２０ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、４３０ｋＡ／ｍ以上がさらに好ましい。Ｈｋ／ＨｃＪは７５％以上を良好とした。８０％以上がより好ましく、８５％以上がさらに好ましい。

表１および図１より、各試料中のＳの含有量が１００ｐｐｍ〜１３００ｐｐｍである試料番号２−１〜１２−２の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。Ｓの含有量が１００ｐｐｍ未満の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が高くなりすぎる結果となった。Ｓの含有量が１３００ｐｐｍを超えると、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪ、Ｂｒのいずれか一つ以上が低下する結果となった。また、表１に示すように、各試料中のＳの含有量が１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍである試料番号２−１〜１１−２の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが４００ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが８０％以上、Ｂｒが４４０ｍＴ以上となり、さらに好ましい結果となった。また、表１に示すように、各試料中のＳの含有量が１００ｐｐｍ〜７５０ｐｐｍである試料番号２−１〜９−２の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが４１０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが８０％以上、Ｂｒが４４０ｍＴ以上となり、さらに好ましい結果となった。また、表１に示すように、各試料中のＳの含有量が１００ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍである試料番号２−１〜８−２の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが４２０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが８５％以上、Ｂｒが４５０ｍＴ以上となり、さらに好ましい結果となった。また、表１に示すように、各試料中のＳの含有量が１００ｐｐｍ〜３２０ｐｐｍである試料番号２−１〜７−２の場合には、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが４３０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが８５％以上、Ｂｒが４５０ｍＴ以上となり、さらに好ましい結果となった。

［実施例２］
試料８−１、８−２（Ｓ含有量４５０ｐｐｍ）について、１２３０℃で焼成する点以外は実施例１と同様にして試料８−３（Ｓ含有量４５０ｐｐｍ）を作製した。試料１０−１、１０−２（Ｓ含有量８４０ｐｐｍ）についても同様にして、試料１０−３（Ｓ含有量８４０ｐｐｍ）を作製した。試料８−１〜１０−３のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表２に示す。全ての試料でＨｃＪが４００ｋＡ／ｍ以上、Ｂｒが４４０ｍＴ以上となった。また、試料８−３、１０−３については、Ｈｋ／ＨｃＪが低下したものの、良好範囲内である７５％以上となった。さらに、各試料間でのＨｃＪの焼成温度依存性は、全て絶対値が０．０５％／℃以下となった。すなわち、焼成温度の範囲を拡大しても、ＨｃＪの焼成温度依存性は良好範囲内となった。

［実施例３］
焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相の組成がそれぞれＣａ_{０．８６−ｗ} Ｌａ_ｗ Ｓｒ_０．１４ Ｆｅ_９．１０ Ｃｏ_０．２５ Ｏ_１９ となるようにｗを変化させた点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料２１〜４０を作製した。試料２１〜４０のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表３に示す。同時に、試料２１〜４０について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定して表３に示す。

０．２４≦ｗ≦０．６０、１．０≦ｗ／ｍ≦２．４を満たす試料２２〜３７は、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。これに対し、０．２４≦ｗ≦０．６０および／または１．０≦ｗ／ｍ≦２．４を満たさない試料２１、３８〜４０はＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪ、Ｂｒのいずれか一つ以上が試料２２〜３７より劣る結果となった。

なお、表３のｗ／ｍの値は小数点以下第２位を四捨五入している。

［実施例４］
焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相の組成がそれぞれＣａ_{０．６１−ｘ} Ｌａ_０．３９ Ｓｒ_ｘ Ｆｅ_９．１０ Ｃｏ_０．２５ Ｏ_１９ となるようにｘを変化させ、フェライト焼結磁石全体に対するＳｉの含有量がＳｉＯ_２に換算して０．８５質量％になるようにした点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料４１〜５５を作製した。試料４１〜５５のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表４に示す。同時に、試料４１〜５５について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定して表４に示す。

０．０２≦ｘ≦０．４１を満たす試料４２〜５３は、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。これに対し、０．０２≦ｘ≦０．４１を満たさない試料４１、５４、５５はＨｃＪおよび／またはＨｋ／ＨｃＪが試料４２〜５３より劣る結果となった。

［実施例５］
焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相の組成がそれぞれＣａ_０．４７ Ｌａ_０．３９ Ｓｒ_０．１４ Ｆｅ_ｚ Ｃｏ_０．２５ Ｏ_１９ となるようにｚを変化させた点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料６１〜７６を作製した。試料６１〜７６のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表５に示す。同時に、試料６１〜７６について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定して表５に示す。

８．００≦ｚ≦１１．００を満たす試料６２〜７５は、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。これに対し、８．００≦ｚ≦１１．００を満たさない試料６１、７６はＨｃＪが試料６２〜７５より劣る結果となった。

［実施例６］
焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相の組成がそれぞれＣａ_０．４６ Ｌａ_０．３９ Ｓｒ_０．１５ Ｆｅ_９．２５ Ｃｏ_ｍ Ｏ_１９ となるようにｍを変化させ、フェライト焼結磁石全体に対するＳｉの含有量がＳｉＯ_２に換算して０．８５質量％になるようにした点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料８１〜９９を作製した。試料８１〜９９のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表６に示す。同時に、試料８１〜９９について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定して表６に示す。

１．０≦ｗ／ｍ≦２．４を満たす試料８３〜９５は、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。これに対し、１．０≦ｗ／ｍ≦２．４を満たさない試料８１、８２、９６〜９９はＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪ、Ｂｒのいずれか一つ以上が試料８３〜９５より劣る結果となった。

なお、表６のｍの値は小数点以下第３位を、ｗ／ｍの値は小数点以下第２位を、それぞれ四捨五入している。例えば、表６では試料８２と試料８３とでｍの値が等しいように見える。しかし、実際には小数点以下第３位まで表記するとｍの値が相違している。そのために試料８２と試料８３とではｗ／ｍの値が相違している。

［実施例７］
焼成後のフェライト焼結磁石全体に対するＳｉの含有量を、ＳｉＯ_２換算で０．６０〜１．２０質量％になるように変化させた点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料１１１〜１１９を作製した。試料１１１〜１１９のＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪおよびＢｒを表７に示す。同時に、試料１１１〜１１９について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定して表７に示す。

試料１１１〜１１９は全て、ＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値が０．０５％／℃以下、ＨｃＪが３８０ｋＡ／ｍ以上、Ｈｋ／ＨｃＪが７５％以上、Ｂｒが４３０ｍＴ以上となった。

［実施例８］
焼成後のフェライト焼結磁石の物理量ＨＩＮ＝ｂ＋１３０００×（ａ―０．９０）^２を変化させた点以外は実施例１の試料４−１と同様にして試料１２１〜１３９を作製し、ＨｃＪを測定した。

実施例１のうち焼成温度が１２１０℃である試料、実施例７にて作製した試料１１１〜１１９、および上記試料１２１〜１３９についてＨｃＪを測定した結果を表８および図２に記載した。表８および図２より、物理量ＨＩＮが低くなるほどＨｃＪが高くなる傾向にあることがわかる。具体的には、１００≦ＨＩＮ≦１７８０を満たす試料はＨｃＪが３８５ｋＡ／ｍ以上である。１００≦ＨＩＮ≦１３８０を満たす試料はＨｃＪが４００ｋＡ／ｍ以上である。１００≦ＨＩＮ≦９８０を満たす試料はＨｃＪが４１５ｋＡ／ｍ以上である。１００≦ＨＩＮ≦５８０を満たす試料はＨｃＪが４３０ｋＡ／ｍ以上である。１００≦ＨＩＮ≦１８０を満たす試料はＨｃＪが４４５ｋＡ／ｍ以上である。

また、上記試料１２１〜１３９について、焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定した。さらに、試料１２１〜１３９について、Ｓの含有量を１００ｐｐｍ未満とする点以外は同一の条件で各試料を作製し、Ｓの含有量を１００ｐｐｍ未満とする場合におけるＨｃＪの焼成温度依存性を測定した。

試料１２１〜１３９におけるＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値は、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ未満である場合におけるＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値より低下した。

［実施例９］
焼成後のフェライト焼結磁石を構成する主相の組成がそれぞれＣａ_０．４７ Ｒ_０．３９ Ａ_０．１４ Ｆｅ_９．１０ Ｍ_０．２５ Ｏ_１９ （Ｒは希土類元素およびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＬａを少なくとも含み、ＡはＳｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＣｏを少なくとも含む）となるようにＲ、Ａ、Ｍを変化させた点以外は実施例１の試料４−１（Ｓ含有量１４０ｐｐｍ）と同様にして種々の試料を作製した。同時に、各試料について焼成温度を１２１０℃から１２２０℃に変更した点以外は同一の条件で試料を作製し、ＨｃＪの焼成温度依存性を測定した。さらに、各試料について、Ｓの含有量を１００ｐｐｍ未満とする点以外は同一の条件で試料を作製し、Ｓの含有量を１００ｐｐｍ未満とする場合におけるＨｃＪの焼成温度依存性を測定した。

Ｌａ以外の希土類元素およびＢｉの原料としては、各希土類元素およびＢｉの水酸化物を用いた。Ｂａの原料としては、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）および／または硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）を用いた。Ｃｏ以外のＭの原料としては、各元素の酸化物を用いた。

Ｒ、Ａ、Ｍを変化させて作製した全ての試料について、Ｓの含有量が１４０ｐｐｍである場合におけるＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値は、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ未満である場合におけるＨｃＪの焼成温度依存性の絶対値より低下した。

Claims (4)

1. 六方晶構造を有するフェライト相からなる主相を有するフェライト焼結磁石であって、
   前記主相の組成は下記式（１）で表され、
   Ｃａ_{１−ｗ−ｘ}Ｒ_ｗＡ_ｘＦｅ_ｚＭ_ｍＯ_１９ ・・・（１）
   Ｒは希土類元素およびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＬａを少なくとも含み、ＡはＳｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であってＣｏを少なくとも含み、
   前記式（１）中、ｗ、ｘ、ｚおよびｍは、下記式（２）、（３）、（４）、および（５）を満たし、
   ０．２４≦ｗ≦０．６０ ・・・（２）
   ０．０２≦ｘ≦０．４１ ・・・（３）
   ８．００≦ｚ≦１１．００ ・・・（４）
   １．０≦ｗ／ｍ≦２．４ ・・・（５）
   少なくともＳを含み、Ｓの含有量が１００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ以下であることを特徴とするフェライト焼結磁石。
2. 少なくともＳｉを含むことを特徴とする請求項１に記載のフェライト焼結磁石。
3. 少なくともＳｉを含み、Ｓｉの含有量が、ＳｉＯ_２換算で０．６０質量％以上１．２０質量％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のフェライト焼結磁石。
4. 少なくともＳｉを含み、Ｓｉの含有量をＳｉＯ_２換算でａ（質量％）、Ｓの含有量をｂ（ｐｐｍ）とし、物理量ＨＩＮを下記式（６）で表した場合に、ＨＩＮが１００以上１７８０以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフェライト焼結磁石。
   ＨＩＮ＝ｂ＋１３０００×（ａ―０．９０）^２ ・・・（６）

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