JP2001126237A

JP2001126237A - 記録媒体用基板および記録媒体ならびに情報記録装置

Info

Publication number: JP2001126237A
Application number: JP29952599A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kuriwada; 健栗和田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 1999-10-21
Publication date: 2001-05-11

Abstract

(57)【要約】【課題】Ａｌ又はＡｌ合金製基板を使用した記録媒体用
基板であって、研磨工程の短縮化を図ることが可能な樹
脂塗布法によって表面平滑性が付与され且つ非塗布部に
おける耐蝕性などの問題が解決された記録媒体用基板を
提供する。【解決手段】Ａｌ又はＡｌ合金製基板の全面にアルマイ
ト層を設け、当該アルマイト層の少なくとも片面に耐熱
性樹脂層を設けて成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体用基板お
よび記録媒体ならびに情報記録装置に関し、詳しくは、
平滑性に優れて高密度記録媒体に適した記録媒体用基板
および当該基板を使用した記録媒体ならびに当該記録媒
体を搭載した情報記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録媒体は基板上に記録層を形成して構
成され、記録層の構成により種々の記録媒体がある。そ
して、何れの記録媒体の場合においても、記録密度の向
上に伴い、一層高い表面平滑性を有する基板が求められ
ている。

【０００３】基板に表面平滑性を付与する方法の一つと
して、基板上にポリイミド樹脂の前駆体溶液などを塗布
し、溶液の表面張力による自己レベリング効果によって
平滑な表面（熱硬化後の樹脂表面）を形成する方法があ
る（特開昭５６−９４５２１号公報）。斯かる樹脂被覆
方法は、中仕上げ状態の基板にも適用することが出来
（特開平９−１６１２５８号公報）、その場合は、機械
研磨を中心とする従来の研磨工程の大幅な短縮化が可能
であり、基板のコストダウンを達成することが出来る。
そして、樹脂の塗布方法としては、通常、平滑な樹脂表
面が得られ易いスピンコート法が採用される。

【０００４】ところで、Ａｌ又はＡｌ合金製基板にスピ
ンコート法によって樹脂を塗布せんとした場合、スピン
コート時に固定機構によって基板を保持する関係から非
塗布部が存在する。特にドーナツ状基板の場合は、セン
ターホールの周囲やその周縁部は塗布することが出来な
い。そのため、基板の非塗布部においては、耐蝕性など
が問題となる。斯かる問題は、基板の片面のみに樹脂層
と記録層を形成した片面型記録媒体の場合に顕著であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、Ａｌ又はＡｌ合
金製基板を使用した記録媒体用基板であって、研磨工程
の短縮化を図ることが可能な樹脂塗布法によって表面平
滑性が付与され且つ非塗布部における耐蝕性などの問題
が解決された記録媒体用基板を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、上記の基板を使用した記録媒
体ならびに当該記録媒体を搭載した情報記録装置を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の要旨は、Ａｌ又はＡｌ合金製基板の全面にアルマイト
層を設け、当該アルマイト層の少なくとも片面に耐熱性
樹脂層を設けて成ることを特徴とする記録媒体用基板に
存する。

【０００７】本発明の第２の要旨は、上記の記録媒体用
基板の耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて成ることを特
徴とする記録媒体に存する。

【０００８】そして、本発明の第３の要旨は、記録媒体
と、記録媒体を記録／再生方向に駆動させる駆動部と、
記録部と再生部を含む情報記録／再生ヘッドと、当該ヘ
ッドを記録媒体に対して相対運動させる手段と、当該ヘ
ッドへの記録信号入力と当該ヘッドからの再生信号出力
を行うための記録再生信号処理手段を有する情報記録装
置において、記録媒体が上記の記録媒体であることを特
徴とする情報記録装置に存する。

【０００９】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の記録媒体用基板に
ついて説明する。本発明の記録媒体用基板は、Ａｌ又は
Ａｌ合金製基板の全面にアルマイト層を設け、当該アル
マイト層の少なくとも片面に耐熱性樹脂層を設けて成
る。

【００１０】Ａｌ合金としては、従来公知のＡｌ合金、
例えばＡｌ−Ｍｇ合金などが使用される。Ａｌ又はＡｌ
合金製基板は、表面粗さＲaが１〜２０ｎｍ且つＲmax
が１００ｎｍ以下のものを使用するのが好ましい。更に
は、表面うねりＷaが１〜４ｎｍ且つＷmax が３０ｎｍ
以下のものを使用するのが一層好ましい。すなわち、本
発明においては、仕上げ研磨（最終研磨）を施していな
い段階の基板を使用するのが基板のコストダウンが図ら
れる点において推奨される。そして、上記の様な表面特
性は、片面型記録媒体の場合には、耐熱性樹脂層を設け
られる片面のみについて要求される。代表的な基板であ
るドーナツ状基板の寸法の一例を示せば次の表１の通り
である。斯かるドーナツ状基板の場合、表面うねりＷa
およびＷmax は、記録方向とラジアル方向の両者につい
て存在するが、上記の各値は、この両者について満足す
るのが好ましい。

【００１１】

【表１】

【００１２】アルマイト層（陽極酸化被膜層）は、例え
ば、クロム酸、硫酸、シュウ酸、ホウ酸、スルファミン
酸などの酸性浴中での陽極酸化処理により形成される
が、硫酸中での陽極酸化処理が最も良好な結果を与え
る。硫酸中での陽極酸化の場合、硫酸濃度は１００〜３
００ｇ／ｌ、溶存アルミニウム濃度は２〜１５ｇ／ｌ、
液温は１５〜３０℃、電解電圧は５〜２０Ｖ、電流密度
は０．５〜３Ａ／ｄｍ² の範囲に設定するのがよい。

【００１３】酸性浴中にドーナツ状基板を浸漬する際に
使用する保持具としては、例えば、「ディッピング法に
より磁気ディスクの表面を処理する際に使用する磁気デ
ィスクの保持具」として本出願人によって提案された次
の様な保持具を使用することが出来る。

【００１４】（１）昇降ポールより水平方向に突出した
左右１対のアームから成り、各アームは、その上部が片
刃状に形成され且つ刃面同士を対向させて同一高さで平
行に配置され、刃線に沿った左右のアームの同一位置に
複数のＶ型溝を備え、そして、上記片刃の刃先角度は３
０°未満になされ、しかも、上記Ｖ型溝の底部には当該
Ｖ型溝に連なる凹状のスリットを備えている磁気ディス
クの保持具（特開平８−２８１１８９号公報）。

【００１５】（２）昇降ポールより水平方向に突出した
左右１対の１組のアームの複数組みから成り、各アーム
は、その上部が片刃状に形成され且つ同一高さで平行に
配置され、刃線に沿った各アームの同一位置に複数のＶ
型溝を備え、そして、左右１対の各アームの間隔は、デ
ィッピング処理液から引き上げる際に毛管現象によりデ
ィッピング処理液を吸引除去し得るに十分な距離になさ
れている磁気ディスクの保持具（特開平８−２８１１９
０号公報）。

【００１６】上記の様な保持具の使用により、ドーナツ
状基板の全面にアルマイト層が設けられる。アルマイト
層の厚さは、通常１〜２０μｍ、好ましくは３〜１０μ
ｍとされる。アルマイト層の厚さが１μｍ未満の場合
は、樹脂非塗布部の耐蝕性などを十分に高めることが困
難であり、２０μｍを超える場合は記録媒体の薄型化が
困難である。

【００１７】アルマイト層は多孔性の状態でもよいが、
必要に応じて封孔処理を施こしてもよい。封孔処理は、
加圧水蒸気または沸騰水による処理によっても行い得る
が、封孔処理剤を使用するのが効率的であり好ましい。
封孔処理剤を使用した封孔処理としては、例えば、主成
分としてフッ化ニッケルを含有する水溶液を使用する低
温封孔処理、例えば、主成分として酢酸ニッケルを含有
する水溶液を使用する高温封孔処理が挙げられる。

【００１８】低温封孔処理の場合、フッ化ニッケル水溶
液の濃度は、適宜選択し得るが、３〜６ｇ／ｌの範囲内
が最も効果的である。フッ化ニッケル水溶液のｐＨは、
４．５〜６．５、好ましくは５．５〜６．０の範囲がよ
い。ｐＨ調節剤としては、シュウ酸、ホウ酸、蟻酸、酢
酸、水酸化ナトリウム、酢酸ナトリウム、アンモニア水
等を用いることができる。

【００１９】また、低温封孔処理における処理温度は、
封孔処理をスムーズに進めるため、２５〜４０℃、好ま
しくは３０〜３５℃の範囲、フッ化ニッケル水溶液のｐ
Ｈは、４．５〜６．５、好ましくは５．５〜６．０の範
囲がよい。処理時間は、被膜の平均膜厚１μｍ当り１〜
３分の範囲内が好ましい。また、フッ化ニッケル水溶液
には、被膜物性を改良するため、フッ化ニッケル、酢酸
コバルト、硫酸ニッケル、界面活性剤などを添加しても
よい。

【００２０】高温封孔処理の場合は、酢酸ニッケル水溶
液の他、酢酸コバルト、酢酸鉛、酢酸ニッケル−コバル
ト、硝酸バリウム等の金属塩水溶液を使用することが出
来るが、特に酢酸ニッケルを使用するのが好ましい。酢
酸ニッケル水溶液の濃度は、３〜２０ｇ／ｌの範囲内が
好ましい。酢酸ニッケル水溶液のｐＨは、５．０〜６．
０の範囲がよい。ｐＨ調節剤としては、アンモニア水、
酢酸ナトリウム等を使用することが出来る。

【００２１】また、高温封孔処理における処理温度は、
６５〜１００℃、好ましくは８０〜９８℃の範囲がよ
い。この場合も、酢酸ニッケル水溶液には、被膜物性を
改良するため、酢酸ナトリウム、有機カルボン酸塩、ア
ニオン系、ノニオン系界面活性剤などを添加してもよ
い。

【００２２】なお、低温封孔処理や高温封孔処理に好適
に使用される封孔処理剤としては、日科化学（株）製の
「ハードウォール−３」、日本化学産業（株）製の「ア
ルマイトシーラ」、奥野製業（株）製の「トップシール
ＤＸ」等が挙げられる。

【００２３】アルマイト層の少なくとも片面に設けられ
る耐熱性樹脂層の構成樹脂としては、例えば、ポリイミ
ド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂、シリコン樹脂、シリコンポリエステル樹
脂、フッ素樹脂などが挙げられる。これらの中ではポリ
イミド樹脂が好適に使用される。

【００２４】本発明で使用する好ましいポリイミド樹脂
は、次の（ａ）及び（ｂ）の条件を満足する反応生成物
の熱硬化反応で得られる。

【００２５】（ａ）ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物とジアミノジフェニルエーテルとを反応させて得ら
れ、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ジアミノジ
フェニルエーテルポリアミド酸を含有し、（ｂ）芳香環
に直結したＨに対するアミド基のＨのモル比が０．５以
下である反応生成物。

【００２６】上記のジアミノジフェニルエーテルには、
Ｐ，Ｐ’−ジアミノジフェニルエーテル、Ｐ，ｍ’−ジ
アミノジフェニルエーテル等の異性体があるが、その何
れであってもよい。

【００２７】下記の一般式（Ｉ）は、上記の反応生成物
に主成分として含有されるビフェニルテトラカルボン酸
二無水物−ジアミノジフェニルエーテルポリアミド酸
（ポリイミド樹脂の前駆体）の繰返し構造を表す。そし
て、（ａ）〜（ｅ）は芳香環に直結したＨ、（ｆ）アミ
ド基のＨを表す。

【００２８】

【化１】

【００２９】上記のＨモル比は、¹Ｈ−ＮＭＲの測定結
果に基づいて算出した値であり、好ましくは０．２５以
下、更に好ましくは０．１以下である。上記のＨモル比
の下限は通常０．０１である。

【００３０】本発明においては、上記の様な特定の反応
生成物（ポリイミド樹脂の前駆体）を使用することによ
り、表面に泡などが存在しない鏡面状の塗膜が得られ、
表面平滑性に一層優れるポリイミド樹脂層が形成され
る。

【００３１】ポリイミド樹脂層は次の様にして形成され
る。先ず、触媒の存在下、必要に応じ、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン
等の極性溶媒中、室温で上記の出発物質を反応させてポ
リイミド樹脂の前駆体を形成する。この前駆体を含む反
応生成物をそのままワニスとして使用しするか、また
は、前述の極性溶媒と更に混合してワニスを調製する。
次いで、基板の表面に上記のワニスを塗布した後に熱硬
化させる。

【００３２】ポリイミド樹脂の前駆体のワニス中の濃度
（溶液中の濃度）は、塗布ムラを少なくし且つ塗布時間
を短縮する観点から、通常５〜６０重量％、好ましくは
１０〜５０重量％とされる。また、ワニスの粘度（２５
℃における値）は、通常５〜５００ｃｐ、好ましくは１
５０〜２００ｃｐとされる。

【００３３】ワニスの塗布方法は、平滑な樹脂表面が得
られ易いスピンコート法が推奨される。スピンコート法
に使用されるスピンコーター（回転式塗布装置）は、原
理的には、アウターカップ、その内側に配置され且つ回
転軸に支承されたインナーカップ、その中央部に配置さ
れたドーナツ状基板の固定機構、上記ドーナツ状基板の
表面部の中央部にワニスを供給する手段から構成され、
ドーナツ状基板の表面部の中央部に供給されたワニスは
インナーカップの回転（ドーナツ状基板の回転）による
遠心力によって流延される。

【００３４】ワニスを塗布した後の熱硬化は、通常、次
の様に行われる。先ず、塗膜を例えば６０〜２００℃で
乾燥した後、不活性ガス（窒素）雰囲気中、例えば２０
０〜６００℃で焼成して硬化させる。

【００３５】ポリイミド樹脂以外の耐熱性樹脂の場合も
上記と同様にワニスを調製して塗布した後に熱硬化させ
て耐熱性樹脂層が形成される。ワニスを調製時の溶媒や
熱硬化などの条件は、使用する樹脂によって適宜選択さ
れる。更に、本発明においては、ＵＶ硬化型耐熱性樹脂
も使用することが出来る。

【００３６】耐熱性樹脂層の厚さは、通常０．１〜１０
μｍ、好ましくは０．５〜５μｍとされる。耐熱性樹脂
層の厚さが０．１μｍ未満の場合は、Ａｌ又はＡｌ合金
製基板表面に十分に平滑な表面を形成することが困難で
あり、１０μｍを超える場合は耐熱性樹脂層全体の平坦
化が困難である。そして、この様にして形成された耐熱
性樹脂層の表面粗さＲａは、通常１ｎｍ以下、好ましく
は０．５ｎｍ以下である。

【００３７】次に、本発明の記録媒体について説明す
る。本発明の記録媒体は、上記の記録媒体用基板の耐熱
性樹脂層の上に記録層を設けて成る。記録層の種類によ
り種々の記録媒体を構成することが出来る。以下、磁気
記録媒体を例に挙げて説明する。

【００３８】記録媒体、特に磁気記録媒体の場合は、耐
熱性樹脂層上にＮｉＰ、ＮｉＡｌ等の非磁性合金層を形
成することが好ましい。非磁性合金層の形成手段は任意
である。例えば、無電解メッキ法、スパッタリング法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法などの公知の薄膜形成手段を利用
することが出来る。非磁性合金層の厚さは、通常１０〜
２００ｎｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍとされる。

【００３９】耐熱性樹脂層または非磁性合金層の上に
は、例えばＣｒを主成分とする種子層等の下地層を形成
した後、Ｃｏ合金磁性層を形成するのが好ましい。

【００４０】Ｃｒを主成分とする種子層の材料として
は、純Ｃｒや酸化Ｃｒの他、Ｃｏ層との結晶マッチング
等の目的により、Ｖ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂ等の元素が添加された
Ｃｒ等が使用される。これらの中では純Ｃｒが好まし
い。また、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ及びＨｆの群から選択される１種または２以上の元素
が添加されたＣｒも好ましい。添加元素の含有量は、通
常１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子％、更に好
ましくは５〜２０原子％の範囲である。

【００４１】Ｃｒを主成分とする種子層の厚さは、その
異方性を発現させ得るに十分な厚さであればよく、通常
０．１〜５０ｎｍ、好ましくは０．３〜３０ｎｍ、更に
好ましくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とす
る種子層の成膜時は基板加熱を行っても行わなくてもよ
い。

【００４２】Ｃｏ合金磁性層としては、通常、純Ｃｏの
他、ＣｏＮｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金磁性材料が使用される。
これらのＣｏ合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、
Ｂ等の元素やＳｉＯ₂ 等の化合物を添加したＣｏ合金で
あってもよい。斯かるＣｏ合金としては、例えば、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮ
ｉＣｒＰｔＢ等が挙げられる。Ｃｏ合金磁性層の膜厚
は、通常５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍであ
る。

【００４３】本発明においては、前記の下地層（第１下
地層）とＣｏ合金磁性層との間に、Ｃｒを主成分とする
第２下地層を設けてもよい。この第２下地層の材料に
は、Ｃｒを主成分とする種子層と同様の材料を使用する
ことが出来、両者の元素組成は同一であっても異ってい
てもよい。第２下地層の厚さは、目的とする磁気記録媒
体の諸特性にあわせて任意に設定できるが、通常１〜１
００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍである。

【００４４】通常、磁性層の上には、任意の保護層を形
成し、次いで潤滑層を形成する。保護層としては、炭素
（Ｃ）、水素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ
等の炭素質層、ＳｉＯ₂、Ｚｒ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＮ等が使用
される。また、保護層は、２層以上の層から構成されて
いてもよい。保護層の厚さは、通常１〜５０ｎｍ、好ま
しくは５〜３０ｎｍである。潤滑層に使用する潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤およびびこ
れらの混合物などが挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで
潤滑層を形成する。

【００４５】また、本発明の磁気記録媒体においては、
磁性層が２種以上の積層構造であってもよい。更に、Ｃ
ｒを主成分とする第２下地層と磁性層との間に非磁性Ｃ
ｏＣｒ等の中間層を設けてもよい。

【００４６】磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法と
しては、例えば、直流（マグネトロン）スパッタリング
法、高周波（マグネトロン）スパッタリング法、ＥＣＲ
スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法が挙
げられる。

【００４７】成膜時の条件は、特に制限されず、到達真
空度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタリングガス
圧、バイアス電圧などは、成膜装置により適宜決定すれ
ばよい。例えば、通常のスパッタリング成膜の場合、到
達真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、必要に応じて加熱
される基板の温度は、通常〜４００℃、好ましくは１０
０〜３００℃、更に好ましくは１５０〜２５０℃である
が、耐熱性樹脂層のガラス転移温度以下で行う。スパッ
タリングガス圧は１×１０^-3〜２０×１０^-3Ｔｏｒｒ、
バイアス電圧は一般的には０〜−５００Ｖである。成膜
の際、磁性層のＣｒの偏析を促進するため、基板を１０
０〜３５０℃程度に加熱することが好ましい。基板の加
熱は下地層の形成前に行ってもよい。

【００４８】本発明の記録媒体は、前記の記録媒体用基
板の耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて構成されるた
め、片面のみに耐熱性樹脂層が設けられている記録媒体
用基板を使用した場合は片面型記録媒体が構成される。
従来、Ａｌ又はＡｌ合金製基板の片面のみに記録層を含
む各種の機能層を形成した片面型記録媒体は変形（反
り）が起こる問題があると言われている。しかしなが
ら、本発明の片面型記録媒体の場合は、意外にも、基板
の表面に設けられる耐熱性樹脂層の樹脂としての性質が
作用し、上記の様な変形は皆無である。

【００４９】次に、本発明の情報記録装置について説明
する。本発明の情報記録装置は、前記の本発明に係る記
録媒体を使用する点を除き、従来の情報記録装置と同様
であり、記録媒体と、記録媒体を記録／再生方向に駆動
させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記録／再生
ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対運動させ
る手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該ヘッドか
らの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手段を
有する。

【００５０】そして、磁気ヘッドの再生部をＭＲヘッド
で構成することにより、高記録密度においても十分な信
号強度を得ることが出来、１平方インチ当たり２ガビッ
ト以上の高記録密度を持った磁気記憶装置を実現するこ
とが出来る。また、従来より低い高さで上記の磁気ヘッ
ド浮上させた場合（浮上量：０．０１μm 以上０．０５
μm 未満）は、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得ら
れ、大容量で高信頼性の磁気記憶装置を実現することが
出来る。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合
わせた場合は、更に記録密度が向上し、例えば、トラッ
ク密度１０ｋＴＰＩ以上、線記録密度２００ＫＦＣＩ以
上、１平方インチ当たり２G ビット以上の記録密度の条
件下で記録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られ
る。

【００５１】更に、相互の磁化方向が外部磁界によって
相対的に変化することによって大きな抵抗変化を生じる
複数の導電性磁性層およびその導電性磁性層の間に配置
された導電性非磁性層から成るＧＭＲヘッド、また
は、スピン・バルブ効果を利用したＧＭＲヘッドによ
って磁気ヘッドの再生部を構成した場合は、信号強度を
更に高めることが出来、１平方インチ当たり３ギガビッ
ト以上、２４０ＫＦＣＩ以上の線記録密度を持った信頼
性の高い磁気記憶装置の実現が可能となる。

【００５２】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。なお、表面粗さＲａの測
定は、テンコール社製の「Ｐ−１２」を使用し、測定
長：２４０μｍ、針押し付け力：３ｍｇ、走査速度：１
０μｍ／ｓ、サンプリング周期：２００Ｈｚ、カットオ
フ値：１．４〜８０μｍの条件で行った。また、表面う
ねりＷａの測定は、テンコール社製の「Ｐ−１２」を使
用し、測定長：５０００μｍ、針押し付け力：３ｍｇ、
走査速度：１００μｍ／ｓ、サンプリング周期：１００
Ｈｚ、カットオフ値：８０〜４５０μｍの条件で行っ
た。

【００５３】実施例１基板として、仕上げ研磨工程前の
Ａｌ合金製３．５インチディスク（外径：９５ｍｍ、内
径：２５ｍｍ、厚さ：０．８ｍｍ、表面粗さＲａ：１
１．０ｎｍ、Ｒｍａｘ：６８ｎｍ、記録方向およびラジ
アル方向の表面うねりＷａ：２．３ｎｍ、Ｗｍａｘ：１
８．０ｎｍ）を使用した。

【００５４】（１）アルマイト層の形成：次の要領で上
記の基板の全面にアルマイト層を設けた。先ず、脱脂剤
（キザイ（株）製「ＮＧ−＃３０」）の３０ｇ／ｌ水溶
液中、６０℃で５分間脱脂洗浄を行なった後、７％硝酸
に２５℃で１分間浸漬し、更に、水洗後、１８０ｇ／ｌ
の硫酸電解液中（溶存アルミニウム濃度７ｇ／ｌ）で
１．２Ａ／ｄｍ²の電流密度で陽極酸化を行ない、平均
膜厚６μｍの陽極酸化被膜を形成した。次いで、水洗
後、酢酸ニッケルを主成分とする高温封孔剤（奥野製薬
工業（株）製「トップシールＤＸ−５００」）の１０ｇ
／ｌ水溶液に９５℃で３０分間浸漬した後、略常温に冷
却した前記高温封孔剤を基板に振り掛けながら引き上げ
て封孔処理を行なった。

【００５５】上記の各処理は、特開平８−２８１１８９
号公報の図１〜４に示されたのと同様の保持具、すなわ
ち、昇降ポールより水平方向に突出した左右１対のアー
ムから成り、各アームは、その上部が片刃状に形成され
且つ刃面同士を対向させて同一高さで平行に配置され、
刃線に沿った左右のアームの同一位置に複数のＶ型溝を
備え、そして、上記片刃の刃先角度は３０°未満になさ
れ、しかも、上記Ｖ型溝の底部には当該Ｖ型溝に連なる
凹状のスリットを備えている保持具を使用し、左右１対
のアームの複数のＶ字型溝に複数の基板の各センターホ
ールの周縁部を係止させることにより、複数の基板を互
いに接触させることなく垂直に保持して行った。基板の
係止部における液溜まりは殆ど無く、従って、均一厚さ
で且つ基板の全面に亘ってアルマイト層が形成された。

【００５６】（２）耐熱性樹脂層の形成：先ず、次の要
領で耐熱性樹脂層形成用のワニスを調製した。すなわ
ち、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジ
フェニルエーテルとをＮ−メチルピロリドン１００重量
部中にて反応させ、ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物−ｐ，ｍ’−ジアミノジフェニルエーテルポリアミド
酸（ポリイミド樹脂の前駆体）４５重量部を含有する反
応生成物を得た。これとＮ−メチルピロリドンとを混合
し、粘度（２５℃）１６０ｃｐのワニスを調製した。ポ
リイミド樹脂の前駆体の、芳香環に直結したＨ（本文中
の一般式（Ｉ）におけるａ〜ｅ）に対するアミド基のＨ
（本文中の一般式（Ｉ）におけるｆ）のモル比（¹Ｈ−
ＮＭＲの測定値から算出）は０．０３であった。なお、
¹Ｈ−ＮＭＲの測定条件は次の通りである。

【００５７】＜¹Ｈ−ＮＭＲの測定条件＞試料５．０ｍ
ｇを重水素化ジメチルスルホキシド０．６ｍｌに溶解
し、バリアン社製の核磁気共鳴装置「Ｉｎｏｖａ５０
０」を使用して行なった。

【００５８】次いで、アルマイト層が設けられた前記の
基板の片面（アルマイト層面）に上記のワニスを塗布し
た。塗布は、スピンコーターのインナーカップの中央部
に配置された固定機構で基板を保持し、２０００ｒｐ
ｍ、１０ｓｅｃの条件下でスピンコートした。得られた
塗膜は、表面に泡などが存在しない鏡面状の塗膜であっ
た。次いで、窒素雰囲気中、徐々に昇温し約８０℃で３
０分乾燥した後、更に、徐々に昇温し３００℃で３０分
間焼成して硬化させ、平均厚さ２．０μｍのポリイミド
樹脂層を形成した。ポリイミド樹脂層の平均表面粗さＲ
ａは０．５ｎｍであった。

【００５９】（３）磁気記録媒体の製造および磁気記録
装置の組み立て：上記で得られた記録媒体用基板を使用
し、次の要領で磁気記録媒体を製造した。先ず、スパッ
タリングにより、記録媒体用基板の片面のポリイミド樹
脂層の表面に、順次、ＮｉＰ層（１００ｎｍ）、Ｃｒ層
（２０ｎｍ）、ＣｏＣｒＴａ層（１５ｎｍ）、Ｃ層（１
０ｎｍ）を成膜した。次いで、Ｃ層の表面に潤滑層を塗
布し、片面型磁気記録媒体を得た。そして、得られた片
面型磁気記録媒体と、記録媒体を記録／再生方向に駆動
させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記録／再生
ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対運動させ
る手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該ヘッドか
らの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手段を
有する磁気記録装置を組み立てた。

【００６０】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、Ａｌ又は
Ａｌ合金製基板を使用した記録媒体用基板であって、研
磨工程の短縮化を図ることが可能な樹脂塗布法によって
表面平滑性が付与され且つ非塗布部における耐蝕性など
の問題が解決された記録媒体用基板が提供され、本発明
の工業的価値は大きい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4F100 AA19B AB10A AB31A AB31E AK01C AK01D AK49C AK49D AS00E BA05 BA06 BA07 BA10A BA10E BA13 DD07A DD07C DD07D GB90 JA20B JA20C JA20D JB02 JG06E JJ03C JJ03D JK15 YY00A YY00B YY00C YY00D 5D006 CA01 CB02 CB03 CB04 CB07 CB08 FA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａｌ又はＡｌ合金製基板の全面にアルマ
イト層を設け、当該アルマイト層の少なくとも片面に耐
熱性樹脂層を設けて成ることを特徴とする記録媒体用基
板。
【請求項２】アルマイト層が封孔処理されている請求
項１に記載の記録媒体用基板。
【請求項３】耐熱性樹脂がポリイミド樹脂である請求
項１又は２に記載の記録媒体用基板。
【請求項４】ポリイミド樹脂が次の（ａ）及び（ｂ）
の条件を満足する反応生成物の熱硬化反応で得られたも
のである請求項３に記載の記録媒体用基板。（ａ）ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノ
ジフェニルエーテルとを反応させて得られ、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物−ジアミノジフェニルエーテ
ルポリアミド酸を含有し、（ｂ）芳香環に直結したＨに
対するアミド基のＨのモル比が０．５以下である反応生
成物。
【請求項５】Ａｌ又はＡｌ合金製基板の表面粗さＲa
が１〜２０ｎｍ且つＲmax が１００ｎｍ以下、アルマイ
ト層の厚さが１〜２０μｍ、耐熱性樹脂層の厚さが０．
１〜１０μｍ、耐熱性樹脂層の表面粗さＲａが１ｎｍ以
下である請求項１〜４の何れかに記載の記録媒体用基
板。
【請求項６】Ａｌ又はＡｌ合金製基板の表面うねりＷ
aが１〜４ｎｍ且つＷmax が３０ｎｍ以下である請求項
５に記載の記録媒体用基板。
【請求項７】請求項１〜６の何れかに記載の記録媒体
用基板の耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて成ることを
特徴とする記録媒体。
【請求項８】耐熱性樹脂層と記録層との間に非磁性合
金層を有する請求項７に記載の記録媒体。
【請求項９】記録層が磁気記録層である請求項７又は
８に記載の記録媒体。
【請求項１０】記録媒体と、記録媒体を記録／再生方
向に駆動させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記
録／再生ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対
運動させる手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該
ヘッドからの再生信号出力を行うための記録再生信号処
理手段を有する情報記録装置において、記録媒体が請求
項７〜９の何れかに記載の記録媒体であることを特徴と
する情報記録装置。