JPS6211407B2 - - Google Patents
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- JPS6211407B2 JPS6211407B2 JP12762779A JP12762779A JPS6211407B2 JP S6211407 B2 JPS6211407 B2 JP S6211407B2 JP 12762779 A JP12762779 A JP 12762779A JP 12762779 A JP12762779 A JP 12762779A JP S6211407 B2 JPS6211407 B2 JP S6211407B2
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- magnetic
- thin film
- magnetic recording
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- metal
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気記録装置に用いられる磁気デイス
ク等の磁気記録体にかかる。 近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がめ
つき法により作製されためつき磁気デイスクが用
いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツドお
よび磁気記録体の主構成部から構成され、磁気記
録体は高速で回転し記録再生ヘツドは磁気記録体
より微小間隔浮上している。磁気記録装置の高性
能化に伴い、この浮上間隔を小さくする為に記録
再生ヘツドの荷重を小さくすると同時に接触始
動・停止（コンタクト・スタート・ストツプ、以
下CSSと称す）型のヘツド浮揚システムが採用さ
れている。 一般に金属磁性薄膜を記録媒体とする磁気デイ
スクは、アルミニウム合金等の金属を素板とし、
その素板又はその素板上に付与した非磁性金属層
を、機械的平坦性および表面粗さを満たすために
機械加工した非磁性基板が用いられる。この非磁
性基板表面は機械加工による応力、研磨軌跡な
ど、その上に付与する金属磁性薄膜の特性に不均
一性を与える要因が存在するため、この非磁性基
板と金属磁性薄膜との間に非磁性金属薄膜が形成
される。 非磁性金属薄膜形成技術として現在無電解Ni
―Ｐめつきが多く用いられるが、無電解Ni―Ｐ
めつき膜により非磁性基板表面の応力、研磨軌跡
などが緩和される反面、その表面に多数の異常突
起が発生する。現在機械加工により表面粗さを
0.02μｍ程度に小さくすることが可能であるが、
この場合でも非磁性基板表面の応力、研磨軌跡な
どの緩和のためには0.3μｍ以上の厚さの非磁性
金属薄膜が必要であり、これを無電解Ni―Ｐめ
つきにより行うと直径0.5〜1.0μｍ、高さ0.2〜
0.4μｍの突起物が多数発生するという現象が見
られる。これら突起は磁気記録体から微小間隔浮
上しているヘツドの安定性を低下させ、ヘツドク
ラツシユを招きやすく、ヘツドクラツシユに至ら
ずともスタート・ストツプ時にヘツドが磁気記録
体に接触摺動する際にヘツドがこれら突起部分と
衝突し保護膜剥離の原因になるという欠点をもつ
ている。 本発明の目的は、これらの欠点を改善して突起
物の高さが低くかつその数が少ない磁気記録体を
提供することにある。 本発明による磁気記録体は、非磁性基板上の非
磁性金属薄膜を従来のNi―Ｐめつきを用いるか
わりに、Cuの混入により非常に細かい粒子構造
をもち平滑性、光沢性に優るNi―Cu―Ｐめつき
を用いて形成し、その非磁性金属薄膜上に金属磁
性薄膜を形成した後、保護膜を形成したもので、
これにより突起物の高さが低くかつその数が少な
い磁気記録体が得られ、保護膜の耐久性が向上さ
れる。 以下、本発明による磁気記録体の特長を比較例
および実施例により説明する。 比較例 表面粗さ0.02μｍに機械加工された非磁性基板
（ドーナツ状円板、外径356mm、内径168mm、板厚
1.9mm）に下表の各種無電解Ni―Ｐめつき条件で
非磁性金属薄膜（膜厚0.3μｍ）を形成し、その
上に磁性金属薄膜（膜厚0.05μｍ）を形成した後
保護膜（膜厚0.1μｍ）を形成して磁気記録体を
得た。こうして得られた磁気記録体の表面を光学
顕微鏡にて観察を行つたところ多数の班点が見ら
れ、１cm2あたりの個数であらわすと下表第４欄に
示す結果であつた。
ク等の磁気記録体にかかる。 近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がめ
つき法により作製されためつき磁気デイスクが用
いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツドお
よび磁気記録体の主構成部から構成され、磁気記
録体は高速で回転し記録再生ヘツドは磁気記録体
より微小間隔浮上している。磁気記録装置の高性
能化に伴い、この浮上間隔を小さくする為に記録
再生ヘツドの荷重を小さくすると同時に接触始
動・停止（コンタクト・スタート・ストツプ、以
下CSSと称す）型のヘツド浮揚システムが採用さ
れている。 一般に金属磁性薄膜を記録媒体とする磁気デイ
スクは、アルミニウム合金等の金属を素板とし、
その素板又はその素板上に付与した非磁性金属層
を、機械的平坦性および表面粗さを満たすために
機械加工した非磁性基板が用いられる。この非磁
性基板表面は機械加工による応力、研磨軌跡な
ど、その上に付与する金属磁性薄膜の特性に不均
一性を与える要因が存在するため、この非磁性基
板と金属磁性薄膜との間に非磁性金属薄膜が形成
される。 非磁性金属薄膜形成技術として現在無電解Ni
―Ｐめつきが多く用いられるが、無電解Ni―Ｐ
めつき膜により非磁性基板表面の応力、研磨軌跡
などが緩和される反面、その表面に多数の異常突
起が発生する。現在機械加工により表面粗さを
0.02μｍ程度に小さくすることが可能であるが、
この場合でも非磁性基板表面の応力、研磨軌跡な
どの緩和のためには0.3μｍ以上の厚さの非磁性
金属薄膜が必要であり、これを無電解Ni―Ｐめ
つきにより行うと直径0.5〜1.0μｍ、高さ0.2〜
0.4μｍの突起物が多数発生するという現象が見
られる。これら突起は磁気記録体から微小間隔浮
上しているヘツドの安定性を低下させ、ヘツドク
ラツシユを招きやすく、ヘツドクラツシユに至ら
ずともスタート・ストツプ時にヘツドが磁気記録
体に接触摺動する際にヘツドがこれら突起部分と
衝突し保護膜剥離の原因になるという欠点をもつ
ている。 本発明の目的は、これらの欠点を改善して突起
物の高さが低くかつその数が少ない磁気記録体を
提供することにある。 本発明による磁気記録体は、非磁性基板上の非
磁性金属薄膜を従来のNi―Ｐめつきを用いるか
わりに、Cuの混入により非常に細かい粒子構造
をもち平滑性、光沢性に優るNi―Cu―Ｐめつき
を用いて形成し、その非磁性金属薄膜上に金属磁
性薄膜を形成した後、保護膜を形成したもので、
これにより突起物の高さが低くかつその数が少な
い磁気記録体が得られ、保護膜の耐久性が向上さ
れる。 以下、本発明による磁気記録体の特長を比較例
および実施例により説明する。 比較例 表面粗さ0.02μｍに機械加工された非磁性基板
（ドーナツ状円板、外径356mm、内径168mm、板厚
1.9mm）に下表の各種無電解Ni―Ｐめつき条件で
非磁性金属薄膜（膜厚0.3μｍ）を形成し、その
上に磁性金属薄膜（膜厚0.05μｍ）を形成した後
保護膜（膜厚0.1μｍ）を形成して磁気記録体を
得た。こうして得られた磁気記録体の表面を光学
顕微鏡にて観察を行つたところ多数の班点が見ら
れ、１cm2あたりの個数であらわすと下表第４欄に
示す結果であつた。
【表】
これらの磁気記録体の表面を走査型電子顕微鏡
にて観察を行つたところ、光学顕微鏡で見られた
班点は直径0.6〜1.1μｍ、高さ0.2〜0.4μｍの突
起物であつた。これら磁気記録体の金属磁性薄膜
形成前の非磁性金属薄膜の表面の走査型電子顕微
鏡観察を行つたところ、直径0.5〜1.0μｍ、高さ
0.2〜0.4μｍの突起物があり、光学顕微鏡で見ら
れた班点はNi―Ｐめつきの異常析出粒子である
ことがわかつた。 これら磁気記録体を磁気ヘツドと組み合せて
CSS試験（磁気記録体の静止時に磁気ヘツドと磁
気記録体とは接触していて、磁気記録体が回転を
始めると磁気ヘツドは磁気記録体と接触摺動しな
がらしだいに浮上し、磁気記録体が回転を停止す
ると磁気ヘツドは磁気記録体と接触する。これを
繰り返して磁気記録体の保護膜の耐久性を測る試
験）を行つたところ、保護膜剥離の生じるCSS回
数は下記の結果であつた。
にて観察を行つたところ、光学顕微鏡で見られた
班点は直径0.6〜1.1μｍ、高さ0.2〜0.4μｍの突
起物であつた。これら磁気記録体の金属磁性薄膜
形成前の非磁性金属薄膜の表面の走査型電子顕微
鏡観察を行つたところ、直径0.5〜1.0μｍ、高さ
0.2〜0.4μｍの突起物があり、光学顕微鏡で見ら
れた班点はNi―Ｐめつきの異常析出粒子である
ことがわかつた。 これら磁気記録体を磁気ヘツドと組み合せて
CSS試験（磁気記録体の静止時に磁気ヘツドと磁
気記録体とは接触していて、磁気記録体が回転を
始めると磁気ヘツドは磁気記録体と接触摺動しな
がらしだいに浮上し、磁気記録体が回転を停止す
ると磁気ヘツドは磁気記録体と接触する。これを
繰り返して磁気記録体の保護膜の耐久性を測る試
験）を行つたところ、保護膜剥離の生じるCSS回
数は下記の結果であつた。
【表】
実施例 １
本実施例では、比較例と同様の手順で磁気記録
体を作製したが、非磁性金属薄膜（膜厚0.3μ
ｍ）形成工程のみは下記条件を用いて無電解Ni
―Cu―Ｐめつきを行つた。 無電解Ni―Cu―Ｐめつき液 硫酸ニツケル（NiSO4・7H2O） 0.1mol／ｌ 硫酸銅（CuSO4） 0.05mol／ｌ 次亜リン酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.2mol／ｌ 硫酸アンモニウム（（NH4）2SO4） 0.5mol／ｌ リンゴ酸ナトリウム （C2H3OH（COONa）2） 0.4mol／ｌ コハク酸ナトリウム （Na2C4H4O4・6H2O） 0.5mol／ｌ 浴温 80℃ メツキ時間 130秒 こうして得られた磁気記録体の表面を光学顕微
鏡にて観察を行つたところ非磁性金属薄膜にNi
―Ｐめつき膜を用いた比較例の場合にくらべて班
点の数は著しく減少し、１cm2あたり400〜600個で
あつた。 磁気記録体の表面の走査型電子顕微鏡観察を行
つたところ、光学顕微鏡で見られた班点は直径
0.25〜0.40μｍ、高さ0.05〜0.1μｍの突起物であ
り、金属磁性薄膜形成前の非磁性金属薄膜の表面
の走査型電子顕微鏡観察では直径0.15〜0.3μ
ｍ、高さ0.05〜0.1μｍの突起物があり、Ni―Cu
―ＰめつきではNi―Ｐめつきにくらべ異常析出
粒子の大きさが相当微小化していることがわかつ
た。 本実施例で得た磁気記録体のCSS試験を行つた
ところ、保護膜剥離の生じるCSS回数は４万回以
上であり耐久性が向上していた。 実施例 ２ 本実施例では、実施例１と同様の手順で磁気記
録体を作製したが、非磁性金属薄膜（膜厚0.3μ
ｍ）形成工程のみは下記条件を用いて無電解Ni
―Cu―Ｐめつきを行つた。 無電解Ni―Cu―Ｐめつき液 ニツクロイ（シプレイ・フア―イースト社製）
―建浴は、ニツクロイ22M20％、ニツクロイ
22S3.3％、水76.7％ 浴温 80℃ メツキ時間 150秒 こうして得られた磁気記録体の表面の光学顕微
鏡観察では班点の数は１cm2あたり250〜500個であ
り、走査型電子顕微鏡観察ではこれら班点は0.2
〜0.35μｍ、高さ0.05〜0.08μｍの突起物であ
り、金属磁性薄膜形成前の非磁性金属薄膜の表面
の走査型電子顕微鏡観察では直径0.1〜0.25μ
ｍ、高さ0.05〜0.08μｍの突起物であり、Ni―Ｐ
めつきにくらべて粒子の細かいNi―Cu―Ｐめつ
きでは異常析出粒子も小さくまたその数も少ない
ことがわかつた。 本実施例で得た磁気記録体のCSS試験を行つた
ところ、保護膜剥離の生じるCSS回数は５万回以
上であり耐久性が向上していた。 以上、実施例１および２で示された様に、本発
明によれば非磁性基板と、その基板を被覆する非
磁性金属薄膜と、この非磁性金属薄膜を被覆する
金属磁性薄膜と、この金属磁性薄膜を被覆する保
護膜からなる磁気記録体において、非磁性金属薄
膜にNi―Cu―Ｐめつき膜を用いることにより突
起物の高さが低くかつその数が少ない磁気記録体
が得られ、保護膜の耐久性が向上される。
体を作製したが、非磁性金属薄膜（膜厚0.3μ
ｍ）形成工程のみは下記条件を用いて無電解Ni
―Cu―Ｐめつきを行つた。 無電解Ni―Cu―Ｐめつき液 硫酸ニツケル（NiSO4・7H2O） 0.1mol／ｌ 硫酸銅（CuSO4） 0.05mol／ｌ 次亜リン酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.2mol／ｌ 硫酸アンモニウム（（NH4）2SO4） 0.5mol／ｌ リンゴ酸ナトリウム （C2H3OH（COONa）2） 0.4mol／ｌ コハク酸ナトリウム （Na2C4H4O4・6H2O） 0.5mol／ｌ 浴温 80℃ メツキ時間 130秒 こうして得られた磁気記録体の表面を光学顕微
鏡にて観察を行つたところ非磁性金属薄膜にNi
―Ｐめつき膜を用いた比較例の場合にくらべて班
点の数は著しく減少し、１cm2あたり400〜600個で
あつた。 磁気記録体の表面の走査型電子顕微鏡観察を行
つたところ、光学顕微鏡で見られた班点は直径
0.25〜0.40μｍ、高さ0.05〜0.1μｍの突起物であ
り、金属磁性薄膜形成前の非磁性金属薄膜の表面
の走査型電子顕微鏡観察では直径0.15〜0.3μ
ｍ、高さ0.05〜0.1μｍの突起物があり、Ni―Cu
―ＰめつきではNi―Ｐめつきにくらべ異常析出
粒子の大きさが相当微小化していることがわかつ
た。 本実施例で得た磁気記録体のCSS試験を行つた
ところ、保護膜剥離の生じるCSS回数は４万回以
上であり耐久性が向上していた。 実施例 ２ 本実施例では、実施例１と同様の手順で磁気記
録体を作製したが、非磁性金属薄膜（膜厚0.3μ
ｍ）形成工程のみは下記条件を用いて無電解Ni
―Cu―Ｐめつきを行つた。 無電解Ni―Cu―Ｐめつき液 ニツクロイ（シプレイ・フア―イースト社製）
―建浴は、ニツクロイ22M20％、ニツクロイ
22S3.3％、水76.7％ 浴温 80℃ メツキ時間 150秒 こうして得られた磁気記録体の表面の光学顕微
鏡観察では班点の数は１cm2あたり250〜500個であ
り、走査型電子顕微鏡観察ではこれら班点は0.2
〜0.35μｍ、高さ0.05〜0.08μｍの突起物であ
り、金属磁性薄膜形成前の非磁性金属薄膜の表面
の走査型電子顕微鏡観察では直径0.1〜0.25μ
ｍ、高さ0.05〜0.08μｍの突起物であり、Ni―Ｐ
めつきにくらべて粒子の細かいNi―Cu―Ｐめつ
きでは異常析出粒子も小さくまたその数も少ない
ことがわかつた。 本実施例で得た磁気記録体のCSS試験を行つた
ところ、保護膜剥離の生じるCSS回数は５万回以
上であり耐久性が向上していた。 以上、実施例１および２で示された様に、本発
明によれば非磁性基板と、その基板を被覆する非
磁性金属薄膜と、この非磁性金属薄膜を被覆する
金属磁性薄膜と、この金属磁性薄膜を被覆する保
護膜からなる磁気記録体において、非磁性金属薄
膜にNi―Cu―Ｐめつき膜を用いることにより突
起物の高さが低くかつその数が少ない磁気記録体
が得られ、保護膜の耐久性が向上される。
Claims (1)
- １ 非磁性基板と、この基板を被覆する非磁性金
属薄膜と、この非磁性金属薄膜を被覆する金属磁
性薄膜と、この金属磁性薄膜を被覆する保護膜と
からなる磁気記録体において、前記非磁性金属薄
膜がNi―Cu―Ｐめつき膜であることを特徴とす
る磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12762779A JPS5651024A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Magnetic recording body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12762779A JPS5651024A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Magnetic recording body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651024A JPS5651024A (en) | 1981-05-08 |
| JPS6211407B2 true JPS6211407B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=14964754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12762779A Granted JPS5651024A (en) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Magnetic recording body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5651024A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589214A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS60261022A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-24 | C Uyemura & Co Ltd | 磁気記録体の製造方法 |
| JPS613317A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-09 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0770041B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | 磁気デイスク |
| GB8724973D0 (en) * | 1987-10-24 | 1987-11-25 | Bp Oil Ltd | Fire fighting |
-
1979
- 1979-10-02 JP JP12762779A patent/JPS5651024A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651024A (en) | 1981-05-08 |
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