JPS6149727B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6149727B2 JPS6149727B2 JP53009893A JP989378A JPS6149727B2 JP S6149727 B2 JPS6149727 B2 JP S6149727B2 JP 53009893 A JP53009893 A JP 53009893A JP 989378 A JP989378 A JP 989378A JP S6149727 B2 JPS6149727 B2 JP S6149727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- fine particles
- plating film
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメツキ形磁気記録媒体及びその製造方
法に関する。
法に関する。
近年、磁気記録媒体と記録再生ヘツドとの間隔
は記録密度の増加に伴ない、次第に小さくなつて
きている。また、最近の磁気デイスク装置では、
磁気ヘツドがデイスク停止時にデイスクと接触し
ているコンタクトスタート／ストツプ方式が用い
られている。このため、磁気デイスクにはますま
す耐摩耗性が要求されている。
は記録密度の増加に伴ない、次第に小さくなつて
きている。また、最近の磁気デイスク装置では、
磁気ヘツドがデイスク停止時にデイスクと接触し
ているコンタクトスタート／ストツプ方式が用い
られている。このため、磁気デイスクにはますま
す耐摩耗性が要求されている。
メツキ膜磁性体を用いる磁気デイスクでは、一
般に、磁性メツキ膜の表面に二酸化珪素
（SiO2）あるいはクローム（Cr）等の保護膜を被
着させて耐摩耗性を得ている。しかし、この方法
では、保護膜形成のために一工程必要であるこ
と、保護膜の表面が非常に滑らかであるため、磁
気ヘツドと磁気デイスクの間に水等の流体が浸入
すると、その表面張力により両者が密着して磁気
記録媒体に損傷が生じる等の欠点がある。
般に、磁性メツキ膜の表面に二酸化珪素
（SiO2）あるいはクローム（Cr）等の保護膜を被
着させて耐摩耗性を得ている。しかし、この方法
では、保護膜形成のために一工程必要であるこ
と、保護膜の表面が非常に滑らかであるため、磁
気ヘツドと磁気デイスクの間に水等の流体が浸入
すると、その表面張力により両者が密着して磁気
記録媒体に損傷が生じる等の欠点がある。
本発明は従来の磁気記録媒体の上述のような欠
点をなくし、磁性メツキ膜上の保護膜を必要とせ
ず、磁気ヘツドとの密着の少ない磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することを目的とする。
点をなくし、磁性メツキ膜上の保護膜を必要とせ
ず、磁気ヘツドとの密着の少ない磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以上の目的を達成するために、非磁
性基板上に金属酸化物、炭化物、硼化物などの耐
摩耗性微粒子が均一に分散された非磁性の分散メ
ツキ膜を無電解メツキ法または電気メツキ法によ
り設け、このメツキ膜を研磨してその表面から前
記耐摩耗性微粒子の一部を突出させた後、この突
出した耐摩耗性微粒子部分を除き、前記非磁性メ
ツキ膜上に前記突出した耐摩耗性微粒子の突出高
さより薄い膜厚の磁性膜を電気メツキ法により形
成するようにしたものである。このようにすれ
ば、磁性メツキ膜から突出した耐摩耗性微粒子に
よつて磁機メツキ膜と磁気ヘツドとの直接の接触
を防ぐことができるので、従来技術のように磁性
膜上に保護膜を必要とせず、しかも磁気記録媒体
の摩耗もほとんど起らない。
性基板上に金属酸化物、炭化物、硼化物などの耐
摩耗性微粒子が均一に分散された非磁性の分散メ
ツキ膜を無電解メツキ法または電気メツキ法によ
り設け、このメツキ膜を研磨してその表面から前
記耐摩耗性微粒子の一部を突出させた後、この突
出した耐摩耗性微粒子部分を除き、前記非磁性メ
ツキ膜上に前記突出した耐摩耗性微粒子の突出高
さより薄い膜厚の磁性膜を電気メツキ法により形
成するようにしたものである。このようにすれ
ば、磁性メツキ膜から突出した耐摩耗性微粒子に
よつて磁機メツキ膜と磁気ヘツドとの直接の接触
を防ぐことができるので、従来技術のように磁性
膜上に保護膜を必要とせず、しかも磁気記録媒体
の摩耗もほとんど起らない。
以下に本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。第１図は本発明による磁気記録媒体の断面図
を示し、同図を用いて本発明による同記録媒体の
製造方法を説明する。
る。第１図は本発明による磁気記録媒体の断面図
を示し、同図を用いて本発明による同記録媒体の
製造方法を説明する。
アルミニウム等からなる金属基板１を用意し、
これに下記浴条件で(i)アルカリ脱脂と(ii)酸洗いの
前処理を施こす。
これに下記浴条件で(i)アルカリ脱脂と(ii)酸洗いの
前処理を施こす。
(i) アルカリ脱脂
苛性ソーダ 100ｇ/
炭酸ソーダ 20ｇ/
液温度 60℃
処理時間 ２分
(ii) 酸洗い
硝 酸 50 ml/
フツ酸 50 ml/
液温度 室 温
処理時間 0.5分
ついで、基板１の上に下記浴条件で粒径１〜３
μのAl2O3微粉末２を含む非磁性ニツケル膜３を
無電解メツキ法または電気メツキにより厚さ20〜
30μｍ程度に形成する。
μのAl2O3微粉末２を含む非磁性ニツケル膜３を
無電解メツキ法または電気メツキにより厚さ20〜
30μｍ程度に形成する。
(i) 無電解メツキ
硫酸ニツケル 30 ｇ/
次亜リン酸ソーダ 20 ｇ/
クエン酸ソーダ 30 ｇ/
Al2O3 ５ ｇ/
液温度 90 ℃
PH 5.0
液撹拌 連 続
メツキ時間 200分
(ii) 電気メツキ
硫酸ニツケル 200 ｇ/
塩化ニツケル 60 ｇ/
硼 酸 30 ｇ/
ラウリル硫酸ソーダ 0.1ｇ/
Al2O3 ５ ｇ/
液温度 50 ℃
PH 5.0
液撹拌 連 続
電流密度 300 mA/cm2
メツキ時間 200 分
(iii) 電気メツキ
スルフアミン酸ニツケル 500 ｇ/
塩化ニツケル 15 ｇ/
硼 酸 50 ｇ/
サツカリンソーダ １ ｇ/
ラウリル硫酸ソーダ 0.1ｇ/
Al2O3 10 ｇ/
液温度 60 ℃
PH 5.0
液撹拌 連 続
電流密度 200 mA/cm2
メツキ時間 150 分
上記のメツキ方法によつて形成した非磁性ニツ
ケル膜中のAl2O3微粉末の含有量は、(i)の場合が
約９容積％、(ii)の場合が約１容積％、(iii)の場合に
おいては約３容積％となり、それぞれにおいて、
ほぼ均一にAl2O3微粒子がニツケルマトリツクス
中に分散されていた。
ケル膜中のAl2O3微粉末の含有量は、(i)の場合が
約９容積％、(ii)の場合が約１容積％、(iii)の場合に
おいては約３容積％となり、それぞれにおいて、
ほぼ均一にAl2O3微粒子がニツケルマトリツクス
中に分散されていた。
つぎに、以上のようにして得た非磁性ニツケル
メツキ膜３の表面を研磨して平滑にする。なお、
研磨には両面研磨装置を用い、研磨剤としてWA
＃6000の砥粒を純水に分散させたものを使用し、
ポリシングクロスにより非磁性ニツケルメツキ膜
の表面を研磨した。このときの研磨量は、研磨後
に、メツキ膜３中に均一に分散して含まれている
Al2O3微粒子２の一部が、メツキ膜３の表面から
突出するようにする。メツキ膜３はAl2O3微粒子
２よりも加工されやすいので、このような状態に
することは容易である。
メツキ膜３の表面を研磨して平滑にする。なお、
研磨には両面研磨装置を用い、研磨剤としてWA
＃6000の砥粒を純水に分散させたものを使用し、
ポリシングクロスにより非磁性ニツケルメツキ膜
の表面を研磨した。このときの研磨量は、研磨後
に、メツキ膜３中に均一に分散して含まれている
Al2O3微粒子２の一部が、メツキ膜３の表面から
突出するようにする。メツキ膜３はAl2O3微粒子
２よりも加工されやすいので、このような状態に
することは容易である。
すなわち、上記のポリシングクロスによる研磨
によつて、非磁性ニツケルメツキ膜に含まれる硬
質のAl2O3微粒子の部分よりも、軟らかいニツケ
ルマトリツクスの部分の方が研磨砥粒による摩耗
速度が速いために段差がつき、その結果として硬
質のAl2O3微粒子の部分が突出した形の非磁性ニ
ツケル膜が形成される。
によつて、非磁性ニツケルメツキ膜に含まれる硬
質のAl2O3微粒子の部分よりも、軟らかいニツケ
ルマトリツクスの部分の方が研磨砥粒による摩耗
速度が速いために段差がつき、その結果として硬
質のAl2O3微粒子の部分が突出した形の非磁性ニ
ツケル膜が形成される。
その後、以上の研磨処理をしたNiメツキ膜に
下記浴条件で(i)アルカリ脱脂と(ii)酸洗いの前処理
を施こす。
下記浴条件で(i)アルカリ脱脂と(ii)酸洗いの前処理
を施こす。
(i) アルカリ脱脂
苛性ソーダ 50ｇ/
炭酸ソーダ 25ｇ/
液温度 60℃
処理時間 ２分
(ii) 酸洗い
フツ酸 50ml/
液温度 室 温
処理時間 10秒
ついで、下記浴条件で磁性膜の電気メツキまた
化学メツキを行なう。
化学メツキを行なう。
() 電気メツキ
(i) メツキ液組成
硫酸ニツケル 56ｇ/
塩化コバルト 47ｇ/
硫酸コバルト 28ｇ/
ホウ酸 30ｇ/
次亜リン酸ナトリウム ３ｇ/
(ii) メツキ条件
電流密度 30 mA/cm2
PH 4.0
液温度 30 ℃
メツキ膜厚 0.1〜0.5μｍ
() 化学メツキ
硫酸コバルト 30 ｇ/
次亜リン酸ナトリウム 10 ｇ/
塩化アンモニア 15 ｇ/
クエン酸アンモニア 30 ｇ/
PH 8.0
このとき、磁性メツキ膜４は電気伝導性のある
Niメツキ膜３の表面のみに付着し、Al2O3微粒子
２の表面には付着せず、Al2O3微粒子２は第１図
に示すように磁性メツキ膜４の表面から突出した
ままで残る。たとえば、Al2O3微粒子２のNiメツ
キ膜３からの突出量を0.2μｍ、Niメツキ膜３上
の磁性メツキ膜４の膜厚を0.1μｍになるように
すれば、Al2O3微粒子２は磁性メツキ膜４の表面
から0.1μｍだけ突出していることになる。その
ため、磁気ヘツド５は磁性メツキ膜４に接触せ
ず、以上の方法で得た磁気記録媒体において摩耗
はほとんど認められなかつた。
Niメツキ膜３の表面のみに付着し、Al2O3微粒子
２の表面には付着せず、Al2O3微粒子２は第１図
に示すように磁性メツキ膜４の表面から突出した
ままで残る。たとえば、Al2O3微粒子２のNiメツ
キ膜３からの突出量を0.2μｍ、Niメツキ膜３上
の磁性メツキ膜４の膜厚を0.1μｍになるように
すれば、Al2O3微粒子２は磁性メツキ膜４の表面
から0.1μｍだけ突出していることになる。その
ため、磁気ヘツド５は磁性メツキ膜４に接触せ
ず、以上の方法で得た磁気記録媒体において摩耗
はほとんど認められなかつた。
そして、従来技術においては磁気ヘツドと磁気
デイスク間の距離が約0.01μｍ程度であるのに対
し、本発明においては約0.1μｍ程度となり、従
来に比べてその間隔が約10倍になるので磁気ヘツ
ドと磁気デイスク間の密着力は約1/10程度に減少
されることになる。したがつて、水などの流体が
侵入し、その表面張力によつて両者が密着して磁
気記録媒体が損傷されることはほとんど起こらな
い。
デイスク間の距離が約0.01μｍ程度であるのに対
し、本発明においては約0.1μｍ程度となり、従
来に比べてその間隔が約10倍になるので磁気ヘツ
ドと磁気デイスク間の密着力は約1/10程度に減少
されることになる。したがつて、水などの流体が
侵入し、その表面張力によつて両者が密着して磁
気記録媒体が損傷されることはほとんど起こらな
い。
以上においては、非磁性メツキ膜３中の分散剤
である耐摩耗性微粒子としてAl2O3微粉を用いた
が、この他にZrO2、SiC等の通常の高硬度材料微
粉であつても同様の効果が得られる。
である耐摩耗性微粒子としてAl2O3微粉を用いた
が、この他にZrO2、SiC等の通常の高硬度材料微
粉であつても同様の効果が得られる。
また、下地の非磁性メツキ膜、その上の磁性メ
ツキ膜についても上記以外の種々のものを使用し
うることは明らかである。
ツキ膜についても上記以外の種々のものを使用し
うることは明らかである。
第１図は本発明による磁気記録媒体の断面図で
ある。 図において、１：非磁性金属基板、２：非磁性
金属メツキ膜、２：Al2O3微粒子、４：磁性金属
メツキ膜、５：磁気ヘツド。
ある。 図において、１：非磁性金属基板、２：非磁性
金属メツキ膜、２：Al2O3微粒子、４：磁性金属
メツキ膜、５：磁気ヘツド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基板上に、非磁性の下地層を介して形
成された磁性膜を有する磁気記録媒体において、
上記下地層には、粒子の最大粒径が上記磁性膜の
膜厚よりも大きい非磁性硬質物質からなる耐摩耗
性の微粒子を１〜10容積％分散して含有せしめ、
かつ上記下地層に含まれる微粒子の一部は上記下
地層の表面から突出し、さらに上記下地層の上に
設けられる磁性膜の表面よりも突出する構造の磁
性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 非磁性硬質物質は、金属酸化物、炭化物、硼
化物のうちの少なくとも１種を含有する耐摩耗性
の微粒子からなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の磁気記録媒体。 ３ 非磁性の下地層が非磁性メツキ膜であつて、
金属酸化物、炭化物、硼化物のうちの少なくとも
１種を含む非磁性硬質物質からなる耐摩耗性の微
粒子をほぼ均一に分散して含有し、かつ微粒子の
一部が上記非磁性メツキ膜の表面から、磁性膜の
膜厚よりも高く突出している突出部を有し、上記
非磁性メツキ膜の上記微粒子の突出部以外の表面
に、上記微粒子の突出高さよりも薄い磁性膜を設
けることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の磁気記録媒体。 ４ 非磁性硬質物質は、Al2O3、SiC、ZrO2のう
ちより選ばれる少なくとも１種を含有する耐摩耗
性の微粒子からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。 ５ 非磁性基板上に、粒子の最大粒径が磁性膜の
膜厚よりも大きい非磁性硬質物質からなる耐摩耗
性の微粒子を、１〜10容積％ほぼ均一に分散せし
めた非磁性メツキ膜を、無電解メツキ法もしくは
電気メツキ法を用いて形成させ、上記非磁性メツ
キ膜の表面を研磨加工することによつて、上記微
粒子を上記非磁性メツキ膜の表面から、磁性膜の
膜厚よりも高く突出させ、その後、非磁性メツキ
膜上に上記微粒子の突出高さよりも薄い磁性膜を
メツキ法により形成させることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP989378A JPS54104305A (en) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | Magnetic recording medium and production of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP989378A JPS54104305A (en) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | Magnetic recording medium and production of the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19969887A Division JPS6346620A (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54104305A JPS54104305A (en) | 1979-08-16 |
| JPS6149727B2 true JPS6149727B2 (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=11732800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP989378A Granted JPS54104305A (en) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | Magnetic recording medium and production of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54104305A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129414A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Tokico Ltd | 磁気デイスク |
| JPS6346620A (ja) * | 1987-08-12 | 1988-02-27 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523562B2 (ja) * | 1971-12-28 | 1977-01-28 |
-
1978
- 1978-02-02 JP JP989378A patent/JPS54104305A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54104305A (en) | 1979-08-16 |
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