JPS6129414A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS6129414A JPS6129414A JP15068084A JP15068084A JPS6129414A JP S6129414 A JPS6129414 A JP S6129414A JP 15068084 A JP15068084 A JP 15068084A JP 15068084 A JP15068084 A JP 15068084A JP S6129414 A JPS6129414 A JP S6129414A
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- Japan
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- magnetic
- particles
- fine particles
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁性金属薄膜層を記録媒体とする薄膜型磁
気ディスクに係り、製造コストの低減を図シーかつ磁気
ヘッドの摺動に対する耐久性がよく、良好なコンタクト
スタートストップに８Ｓ）特性を有するようにしたもの
である。
気ディスクに係り、製造コストの低減を図シーかつ磁気
ヘッドの摺動に対する耐久性がよく、良好なコンタクト
スタートストップに８Ｓ）特性を有するようにしたもの
である。
一般の薄゛膜型の磁気ディスクは、概路次のような構造
となっている。まず、アルミニウム合金板、セラミック
ス板などからなる基板上に下地メッキ層が形成されてい
る。この下地メッキ層は基板表面の微細な凹凸を平滑化
するもので、例えば無電解メッキ法によってＮｉ −Ｐ
メッキなどが厚み１５〜３０μｍ程度に設けられてなる
ものである。
となっている。まず、アルミニウム合金板、セラミック
ス板などからなる基板上に下地メッキ層が形成されてい
る。この下地メッキ層は基板表面の微細な凹凸を平滑化
するもので、例えば無電解メッキ法によってＮｉ −Ｐ
メッキなどが厚み１５〜３０μｍ程度に設けられてなる
ものである。
この下地メッキ層上には磁性層が設けられている。
磁性層は磁気記録媒体となるもので、例えば無電解メッ
キ法によってＣｏ −Ｎｉ −Ｐメッキ、ｃ。
キ法によってＣｏ −Ｎｉ −Ｐメッキ、ｃ。
−Ｐメッキなどが厚み０．０５〜０．５μｍ程度に形成
されてなるものである。磁性層上には保護層が設けられ
そいる。保護層は磁気ヘッドの摺動による磁性層の損耗
を防止するもので一通常ＳｉＯ３膜が厚さ０．０５〜０
．１μｍ程度にスパッタリング法などによって形成され
てなるものである。保護層上には必要に応じて潤滑層が
形成されている。この潤滑層はポリフッ化エーテルなど
の潤滑剤を厚さ０．０１μｍ程度に塗布して形成されて
なるものである。
されてなるものである。磁性層上には保護層が設けられ
そいる。保護層は磁気ヘッドの摺動による磁性層の損耗
を防止するもので一通常ＳｉＯ３膜が厚さ０．０５〜０
．１μｍ程度にスパッタリング法などによって形成され
てなるものである。保護層上には必要に応じて潤滑層が
形成されている。この潤滑層はポリフッ化エーテルなど
の潤滑剤を厚さ０．０１μｍ程度に塗布して形成されて
なるものである。
このような構造の磁気ディスクにあっては、下地メッキ
層が他の薄膜に比べて厚く形成されているため、メッキ
目付は量が大きくなシ、無電解メッキによる製造コスト
が高謄する間頑点があった。
層が他の薄膜に比べて厚く形成されているため、メッキ
目付は量が大きくなシ、無電解メッキによる製造コスト
が高謄する間頑点があった。
また、保護層の保護効果が十分でなく、耐久性が低く、
かつスパッタリング法によっているので保護層形成のだ
めのコストも嵩むなどの問題点があった。
かつスパッタリング法によっているので保護層形成のだ
めのコストも嵩むなどの問題点があった。
そこで、本発明の磁気ディスクにあっては、下地メッキ
層に微粒子を倉入分散せしめて一下地メツキ層の実質の
目付は量を減少して、コスト低減を計りｔこの微粒子に
補強、潤滑効果のある微粒子を用い、微粒子の一部を磁
性層表面に露出せしめることによ＃）％保護効果を得る
ようにし、保護層を不要とするようにした。
層に微粒子を倉入分散せしめて一下地メツキ層の実質の
目付は量を減少して、コスト低減を計りｔこの微粒子に
補強、潤滑効果のある微粒子を用い、微粒子の一部を磁
性層表面に露出せしめることによ＃）％保護効果を得る
ようにし、保護層を不要とするようにした。
以下、図面を参照して具体的に説明する。図面はこの発
明の磁気ディスクの一例を示すもので、図中符号１は基
板である。この基板１はアルミニウム合金板やセラミッ
クス板などからなり、表面のうねυが少ないように加工
されてなるものである。この基板１上には下地メッキ層
２が形成されている。この下地メッキ層２は、基板１表
面の微細な凹凸を平滑化するもので、例えば無電解メッ
キ法などによりＮｉ −Ｐメッキなどが厚み１０〜３０
μｍ程度に設けられてなるものである。そして、この下
地メッキ層２中には微粒子３・・・が混入、分散せしめ
られている。この微粒子３としては、その粒径が０．５
〜１μｍ程度の無機質粒子が用いられるが、好ましくは
補強効果および／または潤滑効果を有する微粒子が用い
られる。補強効果を有するものとしては、アルミナ（Ａ
ｔ２０３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ） 、窒化ケイ素（Ｓ
１３Ｎ４）、シリカ（ＳｉＯ□）、ダイヤモニｌドに）
、カーボン、ＴｉＣ％ ＷＣｂ ｓｉｃ％ Ｂ４
Ｃ，ＭＯ２Ｃ％ ｃｒ３ｃ２％ＴｉＮ％ ＢＮ ％
ＷＳｉ２、’ｒｉ１３２、ＣｒＢ２、ＭＯＢ％Ａ！２０
３ 、 ＺｒＯ２％などの高強度材料の微粒子が、ま
た潤滑効果を有するものとしてはボロンナイトライド（
ＢＮ）％二硫化モリブデン（ＭＯ８２−）、炭素微粒子
（グラファイト）などの摩擦係数の小さい材料の微粒子
が用いられる。これら微粒子３は単独でもよく、２種以
上任意の割合で混合してもよく、さらには補強効果のあ
るものと潤滑効果のあるものとを混合して下地メッキ層
２中に分散混入せしめてもよい。そして、この例の磁気
ディスクにあっては、これら微粒子３・・・は図面に示
したようにその一部が下地メッキ層２の表面から部分的
に突出して後述の磁性層４中に侵入した状態で分散せし
められており、さらに一部の微粒子３・・・は潤滑層５
をも貫通して磁気ディスクの表面に露出しているものも
ある。
明の磁気ディスクの一例を示すもので、図中符号１は基
板である。この基板１はアルミニウム合金板やセラミッ
クス板などからなり、表面のうねυが少ないように加工
されてなるものである。この基板１上には下地メッキ層
２が形成されている。この下地メッキ層２は、基板１表
面の微細な凹凸を平滑化するもので、例えば無電解メッ
キ法などによりＮｉ −Ｐメッキなどが厚み１０〜３０
μｍ程度に設けられてなるものである。そして、この下
地メッキ層２中には微粒子３・・・が混入、分散せしめ
られている。この微粒子３としては、その粒径が０．５
〜１μｍ程度の無機質粒子が用いられるが、好ましくは
補強効果および／または潤滑効果を有する微粒子が用い
られる。補強効果を有するものとしては、アルミナ（Ａ
ｔ２０３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ） 、窒化ケイ素（Ｓ
１３Ｎ４）、シリカ（ＳｉＯ□）、ダイヤモニｌドに）
、カーボン、ＴｉＣ％ ＷＣｂ ｓｉｃ％ Ｂ４
Ｃ，ＭＯ２Ｃ％ ｃｒ３ｃ２％ＴｉＮ％ ＢＮ ％
ＷＳｉ２、’ｒｉ１３２、ＣｒＢ２、ＭＯＢ％Ａ！２０
３ 、 ＺｒＯ２％などの高強度材料の微粒子が、ま
た潤滑効果を有するものとしてはボロンナイトライド（
ＢＮ）％二硫化モリブデン（ＭＯ８２−）、炭素微粒子
（グラファイト）などの摩擦係数の小さい材料の微粒子
が用いられる。これら微粒子３は単独でもよく、２種以
上任意の割合で混合してもよく、さらには補強効果のあ
るものと潤滑効果のあるものとを混合して下地メッキ層
２中に分散混入せしめてもよい。そして、この例の磁気
ディスクにあっては、これら微粒子３・・・は図面に示
したようにその一部が下地メッキ層２の表面から部分的
に突出して後述の磁性層４中に侵入した状態で分散せし
められており、さらに一部の微粒子３・・・は潤滑層５
をも貫通して磁気ディスクの表面に露出しているものも
ある。
この下地メッキ層２中の微粒子３・・・の混入量は５〜
１５ ｖｏｔ９６程度とされ％５ ｖｏｔ４未満であれ
ば微粒子３・・・が少なすぎてメッキの目付は量を十分
少なくすることができず、十分なコスト低減効果が得ら
れず、また１ ５ ｖｏＬ％を超えると過剰となって下
地メッキ層２の機械的強度等が低下して不都合である。
１５ ｖｏｔ９６程度とされ％５ ｖｏｔ４未満であれ
ば微粒子３・・・が少なすぎてメッキの目付は量を十分
少なくすることができず、十分なコスト低減効果が得ら
れず、また１ ５ ｖｏＬ％を超えると過剰となって下
地メッキ層２の機械的強度等が低下して不都合である。
また、下地メッキ層２表面から突出する微粒子３・・・
の数は、１００〜１０００個／１ｕＬ２程度とされる。
の数は、１００〜１０００個／１ｕＬ２程度とされる。
１００個／騙２未満では後述の磁性層４の補強、潤滑効
果が不足で、十分な耐久性能が得られず、１０００個／
ｗｓ２を越えると、磁性層４の媒体欠陥となり、電磁特
性を損うようになる。
果が不足で、十分な耐久性能が得られず、１０００個／
ｗｓ２を越えると、磁性層４の媒体欠陥となり、電磁特
性を損うようになる。
下地メッキ層２上には磁性層４が設けられている。この
磁性層４は、磁気記録媒体となるもので、例えば無電解
メッキ法などによって、Ｃ０−Ｎ１−Ｐメッキ、Ｃ０−
Ｐメッキなどが厚み０．０５〜０．５μｍ程度に形成さ
れてなるものである。この磁性層４中には前述のように
下地メッキ層２の微粒子３・・・の一部が存在しており
、これによって補強されている。
磁性層４は、磁気記録媒体となるもので、例えば無電解
メッキ法などによって、Ｃ０−Ｎ１−Ｐメッキ、Ｃ０−
Ｐメッキなどが厚み０．０５〜０．５μｍ程度に形成さ
れてなるものである。この磁性層４中には前述のように
下地メッキ層２の微粒子３・・・の一部が存在しており
、これによって補強されている。
磁性層４上には必要に応じて潤滑層５；バ設けられてい
る。この潤滑層５は、例えばポリフッ化エーテルなどの
潤滑剤を厚み０．０１μｍ程度に塗布することによって
形成される。
る。この潤滑層５は、例えばポリフッ化エーテルなどの
潤滑剤を厚み０．０１μｍ程度に塗布することによって
形成される。
このような構造の、磁気ディスクにあっては、下地メッ
キ層２に微粒子３・・・が混入しているので、下地メッ
キ層２形成時の実質的なメッキ目付は量を大きく減少せ
しめうるので、下地メッキ層２の形成のための製造コス
トが大幅に削減できる。また、下地メッキ層２の微粒子
３・・・の一部が磁性層４に侵入しているので、磁性層
４中にも微粒子３・・・が分散していることになる。よ
って−微粒子３・・・に補強効果あるいは潤滑効果を有
するものを使用すれば、磁性層４自体の機械的強度が高
くなり、表面の見掛けの摩擦係数が小さくなる。したが
って、磁気ヘッドによる磁性層４表面の摩擦や機械的衝
撃を微粒子３・・・が受けとめ、磁性層４の摩耗が低減
し、磁気ヘッドに対する耐久力、耐久性が得られ、良好
なＣ８Ｓ 特性を持つようになる。このため、従来のも
ののように保護層をわざわざ設ける必要がなく、これに
よっても製造コストの低減を図ることができる。また、
磁性層４表面に部分的に露出している微粒子３・・・の
周辺には微少な凹部が生じｔこの凹部に潤滑層５をなす
潤滑剤が溜り、このため潤滑剤の保持性が向上する。
キ層２に微粒子３・・・が混入しているので、下地メッ
キ層２形成時の実質的なメッキ目付は量を大きく減少せ
しめうるので、下地メッキ層２の形成のための製造コス
トが大幅に削減できる。また、下地メッキ層２の微粒子
３・・・の一部が磁性層４に侵入しているので、磁性層
４中にも微粒子３・・・が分散していることになる。よ
って−微粒子３・・・に補強効果あるいは潤滑効果を有
するものを使用すれば、磁性層４自体の機械的強度が高
くなり、表面の見掛けの摩擦係数が小さくなる。したが
って、磁気ヘッドによる磁性層４表面の摩擦や機械的衝
撃を微粒子３・・・が受けとめ、磁性層４の摩耗が低減
し、磁気ヘッドに対する耐久力、耐久性が得られ、良好
なＣ８Ｓ 特性を持つようになる。このため、従来のも
ののように保護層をわざわざ設ける必要がなく、これに
よっても製造コストの低減を図ることができる。また、
磁性層４表面に部分的に露出している微粒子３・・・の
周辺には微少な凹部が生じｔこの凹部に潤滑層５をなす
潤滑剤が溜り、このため潤滑剤の保持性が向上する。
〔実施例〕 ゛
次の仕様の磁気ディスクを試作し、そのＣ８Ｓ性を検討
した。
した。
基板１；アルミニウム合金、厚み１．９１ｕ下地メッキ
層２；無電解Ｎ１−Ｐメッキ、厚み２０μｍ中にアルミ
ナ微粒子 （平均粒径０．０３μｍ）を体 積比１５チ分散し、下地メツ キ層２表面に突出した粒子数 を表面１懇２当夕約５００〜 ６００個となるように処理し た。
層２；無電解Ｎ１−Ｐメッキ、厚み２０μｍ中にアルミ
ナ微粒子 （平均粒径０．０３μｍ）を体 積比１５チ分散し、下地メツ キ層２表面に突出した粒子数 を表面１懇２当夕約５００〜 ６００個となるように処理し た。
磁性層４；無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキ厚み０．１ μ
ｍ 潤滑層５；パーフロロポリＪ−−テルヲ０．０１μｍに
塗布 この磁気デ１スクのＣ８Ｓ 性を測定したところ、３Ｘ
１０４回のＣ８Ｓ 後においても記録特性は劣化しなう
１つだ。
ｍ 潤滑層５；パーフロロポリＪ−−テルヲ０．０１μｍに
塗布 この磁気デ１スクのＣ８Ｓ 性を測定したところ、３Ｘ
１０４回のＣ８Ｓ 後においても記録特性は劣化しなう
１つだ。
比較のため、下地メッキ層２に微粒子３・・・を分散さ
せず、磁性層４上にスパッタリング法によってＳｉＯ薄
膜を保護層とし７て０．０５μｒｎｖ厚さに堆積せしめ
た磁気ディスタについて同様にＣ８Ｓ性を測定したとこ
ろ、１０４回であった。
せず、磁性層４上にスパッタリング法によってＳｉＯ薄
膜を保護層とし７て０．０５μｒｎｖ厚さに堆積せしめ
た磁気ディスタについて同様にＣ８Ｓ性を測定したとこ
ろ、１０４回であった。
この発明の磁気ディスクは、下地メッキ層に微粒子を分
散したものであるので、下地メッキ層の実質的なメッキ
目付は量を大きく減少せしめうるので、製造コストの大
幅な削減が図れる。また、下地メッキ層の微粒子の一部
が磁性層中に突出しているものでは、磁性層の機械的強
度が増加し、摩擦係数が低下し、磁性層の磁気ヘソード
の摺動に対する耐久性が向上し、敢えて保護層などを設
ける必要がなく、高いＣ８Ｓ 性が得られるとともに製
造コストの低減が可能となる。
散したものであるので、下地メッキ層の実質的なメッキ
目付は量を大きく減少せしめうるので、製造コストの大
幅な削減が図れる。また、下地メッキ層の微粒子の一部
が磁性層中に突出しているものでは、磁性層の機械的強
度が増加し、摩擦係数が低下し、磁性層の磁気ヘソード
の摺動に対する耐久性が向上し、敢えて保護層などを設
ける必要がなく、高いＣ８Ｓ 性が得られるとともに製
造コストの低減が可能となる。
図面はこの発明の磁気ディスクの一例を示す概略断面図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下地メッキ層、３
・・・・・・微粒子、４・・・・・・磁性層、５・・・
・・・潤滑層。
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下地メッキ層、３
・・・・・・微粒子、４・・・・・・磁性層、５・・・
・・・潤滑層。
Claims (3)
- （１）基板上に下地メッキ層、磁性層を設けてなる磁気
ディスクにおいて、 上記下地メッキ層には微粒子が分散されていることを特
徴とする磁気ディスク。 - （２）上記微粒子が補強用、潤滑用の微粒子である特許
請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。 - （３）上記微粒子の一部が磁性層の表面に部分的に露出
した状態で分散されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068084A JPS6129414A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068084A JPS6129414A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129414A true JPS6129414A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15502120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15068084A Pending JPS6129414A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236126A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63254268A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | レール・ウント・ブロンカンプ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 角運動可能な円筒状ベロー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54104305A (en) * | 1978-02-02 | 1979-08-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium and production of the same |
| JPS5613516A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15068084A patent/JPS6129414A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54104305A (en) * | 1978-02-02 | 1979-08-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium and production of the same |
| JPS5613516A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236126A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63254268A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | レール・ウント・ブロンカンプ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 角運動可能な円筒状ベロー |
| JPH0477165B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1992-12-07 | Loehr & Bromkamp Gmbh |
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