JPS59177817A - 電気接触子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は電気接触子に係シ、特に電気接触子の下地メッ
キ構成の改良に関するものである。

（ｂ）　　従来技術と問題点 従来のたとえばコネクタやスイッチなどの電気接触子に
おいて、特に銀メッキを用いた、いわゆる銀メツキ接触
子のメッキ構成としては、たとえば銅合金基体上にニッ
ケル下地メッキを施して、ニッケル下地メッキＪｆｉを
設け、該ニッケル下地メッキ層上に、表面層として銀メ
ッキを施して銀メッキ層が設けられた構成、又は銅合金
基体上に直接銀メッキを施すという構成がある。

しかし上記銀メッキを施すに際し、銅合金基体上、ある
いはニッケル下地メッキ層と銀メツキ表面層との密着性
を良好ならしめるために実質的には前記表面層の下に銀
ストライク層という数百オングストローム（Ｘ）程度の
薄い銀メッキの前処理層を形成させる必要がある。上記
のように構成された電気接触子の要部断面図を第１図に
示す。同図において、１は銅合金基体、２はニッケル下
地メッキ層、ろは銀ストライク層、４は銀メツキ表面層
を示す。しかし上記銀ストライク層４を施すための銀ス
トライク浴の安定性が良くないだめ、密着性あるいは［
耐摩耗性などの点で問題があシ、これに代えて高価な金
ストライクを施す方法が一般にとられておシ、第２図に
その（ｔｅ成を示すが前回と同等部分については同一符
号を付している。

同図において５は金ストライクＭ’ｅ示す。

ところで経済的観点から、製品の原価低減のため、この
高価な金ストライク層５を施す金ストライクを無くした
いとの要望が強く、最近この金ストライクの前処理層５
に代えて金よシ安価で良好な前処理効果が得られるパラ
ジウム（Ｐｄ　）ストライク層を用いる方法が提案され
た。このパラジウムストライク層が設けられた電気接触
子の要部断面図を第６図に示す。前回と同等の部分につ
いては同一符号を付しておシ、６はパラジウムストライ
ク層を示す。

しかしながら上記パラジウムストライク層６を施すだめ
のパラジウムストライク浴は金ストライク浴と同様に強
い攪拌をきらうため、静止浴による全面処理となる点に
おいては従来の金ストライクと同様であり、高速部分ス
トライクには不向である。最近のメッキの使用量を極力
抑制し、原価低減を達成するためのジェットメッキ法な
どによる高速部分メッキが志向されている折、前処理に
おいても、高速部分ストライクが可能な前処理方法の出
現が期待されておυ、その出現によシ安価で性能のよい
メッキ下地構成を有する電気接触子の提供が望まれてい
た。

（Ｃ）　　発明の目的 本発明の目的は、かかる要望点よシ々されたもので、高
速部分メッキを施し実質的に低価格化を実現した電気接
触子の新しいノッキ描成を提供するものである。

（ｄ）　　発明の構成 その目的を達成するため、本発明は銀メッキ層の下地と
して、パラジウム−ニッケ／ｌ／　（Ｐｄ　−Ｎｉ　）
合金ストライク層が設けられたことを特徴とする。

（ｅ）　　発明の実施例 以下本発明の実施例について図面を用いて説明する。第
４図に本発明の一実施例の電気接触子の要部断面図を示
す。

同図において、たとえば銅合金基体１１上に通常のニッ
ケル下地メッキを施して、約厚さ１．５μｍのニッケル
下地メッキ層１２が設けられ、該ニッケル下地メッキ層
１２上にパラジウム−ニッケル（Ｐｄ−Ｎｉ）合金スト
ライク層１３が約４００オーゲストローム（Ａ）の厚さ
にストライクメッキされ、該パラジウム−ニッケル合金
ストライク層１ろ上に表面層として銀メッキ層１４が約
２μｍの厚さに被覆されている。

図から明らかなように本発明の電気接触子が従来と異な
る点は、表面層の銀メッキ１４１４の下地として従来の
銀、金又はパラジウムストライク層に代えて、パラジウ
ム−ニッケル居合金ストライク層１ろが設けられた点に
ある。

上記パラジウム−ニッケル合金ストライク層１６は下記
のストライクメッキ浴を用いて形成することが可能であ
る。即ち、塩化バラドザミン＋　ｆ／ｌ　。

硝酸アンモニウム１０ｇ／ｌ、亜硝酸ナトリウム５Ｖｌ
の組成よシなるｐＨ９，２のストライクメッキ浴を温度
約４０°Ｃにて、電流密度２０Ａ／ｄ　ｍ　”　、スト
ライク時間約１０秒、メッキ方法としてジェットメッキ
が用いられる。

上述したように本発明の電気接触子メッキ下地構成とし
て設けられたパラジウム−ニッケル合金ストライク層１
６は強攪拌可能なパラジウム−ニッケルストライクを用
いることによシ銀メッキの前処理として従来の静止浴、
金又はパラジウムストライクに代えて尚速部分パラジウ
ムーニッケル合金ストライクを施し、パラジウム−ニッ
ケル合金ストライク膜の被メツキ基体との良好な密着性
と、それ自身の化学的安定性を利用して、従来の金又は
パラジウムストライクに用いた金又はパラジウムより安
価なパラジウム−ニッケルを使用することによシ、更に
前処理から本メッキに至るまでの全てを高速部分メッキ
にすることが可能となシ、従来の電気接触子に比べてよ
り低価格な電気接触子となる。尚本実施例の電気接触子
の下地構成として密着性、耐食性、耐摩耗性などの特性
は従来の電気接触子の下地構成と比較して何ら遜色ない
ことは言うまでもない。

（ｆ）　　発明の詳細 な説明したごとく本発明の一実施例によれば銀メッキ層
の下地として、パラジウム−ニッケル合金ストライク層
が設けられたことによシ、従来の電気接触子に比べ低価
格な製品とすることができ、原価低減に大きな効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第６図は従来の電気接触子の要部断面
図、第４図は本発明の一実施例の電気接触子の要部断面
図である。 図において１・１１は銅合金基板、２・１２はニッケル
下地メッキ層、１３はパラジウム−ニッケル合金ストラ
イク層、４・１４は銀メッキ層を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 銀メッキ層の下地として、パラジウム−ニッケ