JPS60106993A - はんだ接合性パラジウム−ニツケル被膜及びその製造方法 - Google Patents

はんだ接合性パラジウム−ニツケル被膜及びその製造方法

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JPS60106993A
JPS60106993A JP59210613A JP21061384A JPS60106993A JP S60106993 A JPS60106993 A JP S60106993A JP 59210613 A JP59210613 A JP 59210613A JP 21061384 A JP21061384 A JP 21061384A JP S60106993 A JPS60106993 A JP S60106993A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明け、導電性被膜に関し、とくに導電性基体上に
設けた永久的なはんだ接合性パラジウムーニッケル合金
に係る。
〔従来技術及びその問題点〕
一般に金めつきは、電気接触部の腐食を防ぎ。
かつはんだ接合性を維持し、また低荷重での低電気接触
抵抗を維持することができるので、これらの目的を達成
するために使用されている。
しかし、金めつきは大変高価である。そこでパラジウム
−ニッケル合金などの低コストのものが代用材料として
研究されている。例えば米国特許4100039では、
導電性基体上に・ぐラジウム−ニッケル合金を形成する
方法を提案じている。しかし公知のノやラジウム−ニッ
ケル合金は耐食性層を低コストで形成できるが、はんだ
接合性が低下ししかも標準低荷重での電気接触抵抗が高
い問題があった。
〔発明の構成〕
本発明者は、以下に示す導電性基体被覆用の・やラジウ
ム−ニッケル電気めっき被膜が基体を腐食から保護し、
かつ永久的な―°んだ接合性を有し、更に低荷重での’
ii、気接触低接触抵抗るということを見出した。この
被膜は、厚さ約0.1〜1.5μmの電気めっき合金層
で、約46〜82原子−の/fラジウムと約18〜54
原子係のニッケルからなシ、ニッケル、黄銅、銅又は燐
青銅などの導電性基体に付着している。そして更にこの
層の上に約96〜100原子係の金属パラジウムと約0
〜4原子係のニッケルとからなる表面層を連続的に被覆
している。この表面層は約20オングストローム(約9
〜10原子層)よりも薄い。
〔発明の詳細な説明〕
この発明の被膜を作るには、まず燐青銅ワイヤt、cど
の基体をめっき浴中で電気めっきする。
ここで、めっき浴は、パラジウム(n)アンミンクロリ
ドを】0〜i s yyt 、ニッケルアンミンスルフ
ェートを5〜] ] 、11/l 、ビニルスルフオン
酸ナトリウム、アリルスルフオン酸ナトリウム又は四級
化ピリジンなどの光輝剤を少量、更に硫酸アンモニウム
又は塩化アンモニウムを30〜501//を含むもので
ある。
この電気めっきは、処理条件が温度約35℃〜55℃、
 FJI約75〜9.電流密度的5〜25A / d 
m”で、ワイヤを浸漬中に活発に樗−拌する。
そして厚さ0.1〜1.5μmの・臂ラジウムーニッケ
ル被膜を形成する。この被膜は、46〜82原子係の・
母ラジウムと残部ニッケルの組成である。
本発明者は、このようにして得られた・母うノウムーニ
ッケル表面層を硫酸又は塩酸で処理することにより、こ
の上部に非常に薄い金属ノeラジウム96〜100原子
係とニッケル4〜OJJjL子チの連続した層が形成さ
れることを見出した。
このツヤラジウム富化表面層の厚さは20X又はそれ以
下で、これは約9〜10原子層に相当する。
この連続した薄膜は、硫酸又は塩酸で処理して形成され
た96〜100係の純・ギラジウムであシ、厚さは高々
20Xであるが、このものを電気めっき法あるいは気相
めっき法によって多結晶金属表面にめっきすることは全
くできない。
即ち20Xのめつき被膜を電気めっき又は気相めっきで
作ろうとすると、原子が孤立した島のようなめっきがな
され、本発明の酸処理で作られるような連続した層は形
成されない。電気めっき又は気相めっきで作られる最初
の連続薄膜は150〜100OXの厚さであシ、本発明
で作られる20Xのものとは対称的である。
第1図及び第3図は、酸処理した・ぐラジウム−ニッケ
ル合金表面の基本組成をプロットしたものである。これ
によれば、工場事務所環境で時効シタ・やラジウム−ニ
ッケル合金表面(第2図参照)とは明らかに異なる。
本発明の処理をせず時効したものの表面は、ニッケルイ
オンN12+と場合によってはノ4ラジウJイオンPd
2+を含み、これらは酸化物及び塩化物として存在して
いる。これらの表面層は、経時的に変化してはんだ接合
性試験に合格せず、低接触荷重において高い電気接触抵
抗を示す。これに対しこの発明の酸処理したものは、9
6〜100原子係の金属・ぞラジウム(PdO)と少量
(θ〜4原子係)の金属ニッケルとからなる。
従って酸処理した表面層は、優れたはんだ接合性を示し
、電気接触抵抗が低い(10グラム標準押圧力で2mΩ
よ)小さい)。
この発明に係る非常に薄い連続したパラジウム寓化層は
、酸化によるイオン化がなされにくく、安定している。
また合金内部のニッケルが表面に拡散し錐く、この点で
も安定している。
このような安定性は、電子部品が受ける次のような各種
時効処理によっても、特性が変化しないことから明らか
となる。
工業事務所及び保管倉庫環境での28ケ月以内又はそれ
を越える期間の暴露試験。
電子部品証明用の米軍規格2o2.方法208で記載さ
れる促進化蒸気時効。
所定の電子部品使用者が行っている空気中での昇温時効
非処理のノ母ラジウムーニッケル合金被膜では、時効処
理中に著しい化学的性質及び性能の変化がみられ、はん
だ接合性及び電気性能が悪くなっていることがわかった
一方この発明では、酸処理、即ち電着・ぐラジウム−ニ
ッケル皮膜を室温の硫酸濃度2o答量チの静水溶液1c
30秒間浸漬して本発明の特異な皮膜を作シ、そしてこ
の処理後、皮膜を完全にゆすぎ、乾燥する酸処理を行な
った。
この発明では、濃度1〜1oo容を係の硫酸を使用する
ことができる。硫酸の濃度が1容量チに近づくほど、処
理時間を長くしなければならない。例えば硫酸濃度1容
量係の静水溶液で電着・やラジウム−ニッケルを処理す
る場合、室温で30分必要である。
攪拌を行なうことKよ多処理溶液中にお旨て既得の運転
休止時間に関し重要な効果を得ることができる。10容
量係硫酸に電着パラジウム−ニッケル被膜を浸漬した場
合、活発な攪拌を行なえば、室温で0.4秒で処理を行
なうことができる。
20容量係の塩酸静溶液に電着・やラジウム−ニッケル
を浸漬した場合、室温で30秒処理することによシ所望
の被膜を得ることができる。
しかし全ての酸が有効というものではな−。
例えば20容量チの硝酸水溶液、50容景チの氷酢酸及
び50容41%の燐酸で処理した場合、本発明のものと
は異なるものが表面に形成されてしまう。
X線光電分光(XPS)技術及び化学分析用電子分光(
ESCA)を用いて・やラジウム−ニッケル合金皮膜表
面の化学分析を行なった。XPs分析は、軟X線を当て
た時その表面で原子から放出される軌道電子結合エネル
ギーを測定することにょシ、おこなう。放射した軌道光
電子の結合エネルギーから、元素の存在だけでなく元素
の原子価状態をもわかる。従ってパラジウム−ニッケル
合金表面をXPSで分析すれば、金属又は零原子価状態
の元素(p/及びNi’)の原子係とともに酸化物、塩
化物として化合物中忙ある陽イオン原子価状態の元素(
pa2+1びNi2勺をも知ることができる。
ここで行なったXPsの試験条件は次の通シである。
X線放射の種類: MgK (1253,6eV )加
速電圧 : 15 kV 設定チューブ電カニ 300ワット 最大強さの棒でのビーム幅=4.5μm開始角度 =5
00 この発明の試料につきXPSで表面の化学組成を算出し
たところ金属元素成分のみが見出された。パラジウム−
ニッケル合金の表面につき。
金属成分の原子チを決めるKは、以下の光電結合エネル
ギーを用いた。
元素成分 指定電子軌道 結合エネルA’−e VPd
’ 3d572335 Pd” 3d57□ 339 N′。2pV2852 Ni” 2ps7□ 855 ・母ラジウムーニッケル合金被膜をXPS分析すると、
ニッケルの領域は表面から約20オングストローム(X
)を越えた深さに広がっている@この理由は、ニッケル
電子 2P 5/2はこれよシも深いところから励起さ
れるカt、このエネルギーは被膜から放出されるに十分
なエネルギーではないためである。パラジウム−ニッケ
ル合金の表面下20Xの所は、約9〜10原子層に相当
する。電着/4’ラジウム−ニッケル合金被膜の厚さは
0.1〜1.5μmであシ、これは1000〜1500
01に相当する。XPSは、ノ臂ラジウムーニッケル合
金被膜の表面における薄膜領域の化学分析に最適であシ
、このことから、電気コネクター機器に用いる際最もM
要な被膜特性であるはんだ接合性及び電気接触抵抗を検
出することができる。
XPS化学分析では、所定試料につき最初の表面からの
距離の関数として金属元素成分を分析する。第1段階で
は、最初のX=O〜20Xの表面層につきxPS分析す
る、次いでアルデンイオンスパッタリングで材料を所定
原料し、各剥離工程ごとにXPS分析を行なう。最初の
表面から剥離される厚さは12.5,25.50及び1
00Xと次第に厚くなる。いずれの場合も分析する領域
は表面から201の深さである。従ってtIf、1図乃
至第3図で示すXPSの各プロットは、表面下20Xの
位置、換言すれば最初の表面から32.5,45.70
及び120の距離である。
第1図はXPSによる分析の代表例を示す。
・平うジウムーニッケル合金表面ヲアルゴンスパッタで
剥離する条件は、次の通りである。
イオン源:アルゴンガス イオン加速電、圧: 4 kV これらの条件とスa4 ツタリング電流を精度よくコン
トロールスルト、ノ!ラジウムーニッケル合金被膜を2
2/l分の剥離速度で再現性よく均一にス・やツタする
ことができる。
酸処理前のパラジウム−ニッケル被膜にはその表面に相
当量のPd”& Ni2+とがあシ、はんだ付けKよる
ぬれ性を阻害する。このことは、80チはんだ帽Iこよ
ってのみ明らかとされる。工業的に認められる標準はん
だ接合性は、はんだ被覆が少なくとも95%でなければ
ならない。
アルファ611や809などのはんだフラックスを室温
で用いても、Pd2+又はNl 2%−減少し又社除去
して金属とすることはできず、このため、はんだ接合性
は改善されない。
以下実施例につき説明する。各実施例はワイヤ又はディ
スク状の銅合金基体に対してなされたもので、この基体
は通常の前処理を行なった後通常の硫酸ニッケルめりき
処理KJ:、り純粋ニッケルを電着している。ニッケル
の下地は銅がめっき浴で汚染されるのを防ぐものである
が、この発明ではとくに必要とイるものではない。
実施例では、明記したものを除き、20容量チの硫酸溶
液に30秒間室温で浸漬したものである。
実施例1 以下の浴組成及びめっき条件で、ニッケルめっき銅合金
ワイヤ基体上に厚さ0.9μmの・ぜラジウム−ニッケ
ル合金を電着した。
浴組成 Pda度 ・母ラジウム(II)アンミンクロリド17
11/1 Nii1度 ニッケルアンミンスルフェート101/l ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.41/を硫酸アン
モニウム 5011/l めっき条件 温度 37℃ pl(8,9 電流密度 25 A/ d m” 溶液の攪拌 活発 ワイヤの電着パラジウム−ニッケル合金は、81原子チ
のノ臂ラジウムと19原子−のニッケルとが含まれてい
た。次いでめっき試料を表Iに従って処理した。
表 I 各表面後表面の化学的性質をXPs分析で4Qべ、はん
だ接合性を米国軍規路2o2.方法208で評価した。
工場事務所内環境で12チ月時効処理した電着/母うジ
ウムーニッケル合金被膜は、その最初の表面(X=0〜
2oo)がN12+、 Pd” 及ヒPdOの混合物か
らなっていた(表1の試料1aのXPS分析参照)。こ
のものは、はんだ接合性浸漬試験においてはんだ被覆量
が被膜表面の95%未満であり、不適当であった。時効
処理した・母ラジウムーニッケル合金被膜を硫酸処理す
ると、純粋金属・母ラジウム(Pd ’)の連続層から
なる表面を作シ、はんだ接合性試験でけ99チの被覆量
であった(試料1b参照)。硫酸処理によりニッケルN
t2+又はN%0が除去されるので、100%の純粋金
RパラジウムJr9が連続シて存在した。
硫酸処理により純粋金属・母ラジウム(Pd0)表面層
が形成されるが、これは工場事務所内環境での18チ月
の時効処理で変化しなかった。・(ラジウム−ニッケル
合金被膜の内部から表面へニッケルが拡散することがな
く、又金属)やラジウム(Pd’)が酸化物(p a 
2 + )になることもなかった(試料1c参照)。試
料ICの安定し連続した純粋な金属パラジウム層は第1
図のXPS化学分析に示すように厚さが20xしかない
実施例2 実施例1と同じ方法で・やラジウム−ニッケル電着ワイ
ヤを用意し、第2表に示す処理を行なりたO 表 ■ 処理後XPS化学分析で120xの深さまで調べ、複数
個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
これら試料のXPSによる分析結果を第2図及び第3図
に示す。事務所内時効試料(試料2a)は、はんだ接合
性が悪かったものであるか、NIとP d 2”7!l
’−相当量あシ、第2図に示すように金属/IPラジウ
ム(PdO)は62原子チしかなかった。
事務所内時動径硫酸処理した試料2bにつきはんだ接合
性試験を行なった。この処理で20X厚の表面層は第3
図に示すように金属ノやラジウム(pa ’)が99原
子チあシ、金属ニッケル(N10)は1原子チであった
実施例3 ニッケルめっき銅合金円盤に下記浴組成及び条件で厚さ
1.3μm、76原子チ・やラジウムと24原子係ニツ
ケルの組成の74’ラジウム−ニッケル被膜を電着した
浴組成 pa1度 パラジウム(n)アンミンクロリド 181
/lNs a 度 二、ケルアンミンスルフニー) 1
0.9/Aアリルスルフオン酸ナトリウム 1.711
/を硫酸アンモニウム 509/l めっき条件 温度 55℃ pi−18,7 電流密度 16 A/dm2 液攪拌 活発 次いでめっき試料を表■によシ処理した。
表 m ぴ憾歌処理 処理後xps化学分析を120Xの深さまで行ない、複
数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
試料3aのものがはんだ接合性が悪いのに対し、試料3
bははんだ接合性が良かった(合格品であった)。
実施例4 ニッケルめっき鋼合金円盤上に下記浴組成及びめっき条
件を用いて厚さ0.8μmで70原子チ/lラジウムと
30原子係のニッケルからなるノ4ラジウムーニッケル
被膜を形成した。
浴組成 Pd濃度 ・母ラジウム(If)アンミンクロリド11
.8g/1Nis度 ニッケルクロリド5.21/を四
級化ピリジン 600 ppm 塩化アンモニウム 301/l めっき条件 温度 50℃ pH8,5 電流帯度 5 A/ d m” 液攪拌 活発 めっき試料を表IVにもとづいて処理した。
表 ■ 処理後、XPS化学分析1120iの深さまで行ない、
また複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
試料4aははんだ接合性が悪く、一方酸処理した試料4
bははんだ接合性が良く、合格品であった。
実施例5 ニッケルめっ含銅合金円盤に下記浴組成及びめっき条件
で、厚さ0.8μmで、55原子%パラジウム及び45
原子チニツケルのノやラジウム−ニッケル被膜形成した
浴組成 Pd濃度 ノやラジウム(It)アンミンクロリド10
fj/。
Nl#度 ニッケルクロリド61/を 四級化ピリジン 600 ppm 塩化アンモニウム 3011/l めっき条件 濃度 50℃ pH7,5 電流帯度 5 A/ d m” 液攪拌 活発 次いでめっき試料を表VKよシ処理した。
表 V 時間、125℃ で時効及び工 場環境で28 ケ月事務所内 時効 5b 5mの時効処 10000 0 99理及び硫酸
処 理 処理後xps化学分析で120Xの深さまで調べ、かつ
複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
試料5ILははんだ接合性が悪いのに対し、酸処理した
試料5bははんだ接合性が良く合格品であった。
実施料6 ニッケルめっき銅合金円盤に下記浴組成及びめっき条件
で厚さ13μmで46原子係・4ラジウム及び54原子
チニツケルの組成の・やラジウム−ニッケル被膜を形成
した。
浴組成 Pd濃度 ・やラジウム(II)アンミンクロリド1r
p/1N1a度 ニッケルアンミンスルフェート111
1/lビニルスルフオン酸ナトリウム 2.89/L硫
酸アンモニウム 501/l めっき条件 温度 48℃ pH8,0 電流密W 8.7 A/ d m” 液攪拌 活発 次いでめっき試料を表■で処理した。
表 ■ 処理後、XPS化学分析で120又の深さまで調べかつ
複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
試料6aは、はんだ接合性が不良であったが、酸処理し
た試料6bは良好で、合格品であった。
実施例7 ニッケルめっき銅合金ワイヤに下記浴組成及びめっき条
件で厚さ0.9Anで81原子チi!ラジウムと19原
子−二、ケルの組成のパラジウム−ニッケル合金被膜を
形成した。
浴組成 PdfIk度 パラジウム(「)アンミンクロリド 1
711/1NIH!j ニッケルアンミンスルフェート
 1oII/lビニルスルフオン酸ナトリウム L41
1/を硫酸アンモニウム 501/l めりき条件 濃度 37℃ PI(8,9 電流密度 25 A/ dm2 液攪拌 活発 次いでめっき試料に表■の処理を行なった。
表 ■ 処理後、XPS化学分析で深さ12oXまで調べ、かつ
複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。
酸処理した試料は、いずれも95チの最小はんだ接合性
規準を満足していた。また米軍規格に従って硫酸処理後
に蒸気処理したものは)4ラジウム富化成分が変化せず
、はんだ接合性に変シはなかった。
実施例8 二、ケルめっき銅谷金ワイヤーに下記浴組成及びめっき
条件で厚さ0.9μmのバラジウムーニ、ケル合金波M
f電着形成した。
浴組成 Pd濃度 ノリジウム([0アンミンクロリド 171
1/1Nillli ニッケルアンミンスルフェート 
xop7tビニルスルフォン酸ナトリウム 1.4.9
/を硫酸アンモニウム 501/l めりき条件 温度 37℃ pH8,9 電流密度 25A/dm2 液攪拌 活発 次いでめっき試料を表■で処理した。
表 ■ 処理後、XPS化学分析で深さ120Xまで調べ、かつ
複数の試料につきはんだ接合性を調べた。
試料8aははんだ接合性が悪かったが、硫酸処理したも
のはいずれも良好で合格品であった。
試料8c及び8dは、酸濃度による表面の特徴のちがい
を示している。試料8cは100容量チ硫酸濃度で30
秒間処理したもので、はんだ接合性の基準を7ヤスして
いた。試料8dは1容量−の硫酸濃度で30秒間処理し
たもので、許容しうるはんだ接合性を示していた。
実施例9 実施例8の方法で・母ラジウムーニッケル電着ワイヤー
を用意し、これに表■の処理を行った。
表 ■ 処理後、複数個の同一試料につきxps化学分析で深さ
120Xまで調べ、はんだ接合性を調べた。この結果、
いずれもはんだ接合性が不良であった。
実施例10 実施例8の方法で別の/やラジウム−ニッケル電着ワイ
ヤーを用意し、これを表Xで処理した。
表 X 処理後複数の同一試料につきXPS化学分析で120X
の深さまで調べ、かつはんだ接合性を調べた。
実施例11 実施例8の方法で別のツヤラジウム−ニッケル電着ワイ
ヤを用意し、これを表Xで処理した。
表 X 処理後複数個の同一試料につき、xPS化学分析で深さ
120Xまで調べ、かつはんだ接合性を調べた。いずれ
の試料もはんだ接合性が不良であった0 実施例12 実施例8の方法で別のパラジウム−ニッケル電着ワイヤ
を用意し、これを表罵で処理した。
表 刈 処理後、複数個の同一試料につき、xps化学分析を1
201の深さまで行ない、又はんだ接合性を調べた。そ
の結果いずれもはんだ接合性は不良であり九。
実施例13 実施例8の方法で別のノやラジウム−ニッケル電着ワイ
ヤを用意し、これを表層で処理した。
表 ■ 処理後、複数の同一試料につきxps化学分析を120
xの深さまで行ない、かつはんだ接合性を調べた。
実施例14 ニッケルめっき鋼合金円盤に下記浴組成及びめっき条件
で厚さ0.9μmの・9ラジウム−ニッケル合金を電着
した。
浴組成 Pd洟度 I9ラジウム(If)アンミンクロリド17
11/lNl 濃度 ニッケルアンミンスルフエート1
エ硫酸アンモニウム s o 11/1 めっき条件 温度 48℃ PH1 8.0 電流密度 8. 7 O A/ d m”液撹拌 活発 次いでめっき試料を表Wで処理した。
表 W 14^ ]:嚇環境での88 0 0 12 4.70
4ケ月事務19丁 内時効 14b 工場環境での56 0 0 44 9.444
ケ月事務酒 内時効及び米 軍規格202゜ 方法202に よる蒸気時効 14c 工場環境での99 0 1 0 1..694
ケ月1■務ry■ 14d 工場環境での99 0 1 0 1.964ケ
月眉J務所 軍規格202゜ 方法208に よる蒸気時効 処理後xps化学分析を深さ120Xまで行なった。接
触抵抗については以下の米軍規格1344 。
方法3004により複数の同一試料につき調べた。
某準荷重:1011抑圧力 試験電流:lQmADC 開回路記:最大20mVDC 硫酸処理試料14c及び14dけ点接触抵抗が低く、全
電着接触表面のそれと同様であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は横軸を表面からの深さ、縦軸を金属の原子係と
した実施例1の試料ICの説明図、第2図は横軸を表面
からの深さ、縦軸を金属の原子係とした実施例2の試料
2aの説明図、第3図は横軸を表面からの深さ、縦軸を
金属の原子係とした実施例2の試料2bの説明図である
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 溶水〕計か5の5
〒y(バ〕

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性基体上に設けた永久的なはんだ接合性を有
    するパラジウム−ニッケル被膜であって、 上記基体に付着する第1合金層が46〜82原子係のパ
    ラジウムと18〜54原子係のニッケルからなシ、 この第1合金層を被覆する第2合金層が96〜ioo@
    子係の金14f(14ラジウムと4原子チ以下のニッケ
    ルとからなシ、かつ第2合金層の層厚が20オングスト
    ローム以下であるはんだ接合性・9ラジウム−ニッケル
    被膜。
  2. (2)第2合金層は低荷重での電気接触抵抗が10.9
    標準押圧力で2mΩ以下である特許請求の範囲第1項記
    載のはんだ接合性・母ラジウムーニッケル被膜。
  3. (3)基体がワイヤである特許請求の範囲第1項記載の
    けんだ接合性パラジウム−ニッケル被膜。
  4. (4)基体が燐青銅合金である特許請求の範囲第1項記
    載のはんだ接合性パラジウム−ニッケル被膜。
  5. (5)基体がニッケルめっき銅基合金である特許請求の
    範囲第1項記載のはんだ接合性パラジウム−ニッケル被
    膜。
  6. (6) 第1合金層が厚さ0.1〜1.5μmである特
    許請求の範囲第1項記載のはんだ接合性・母うジウムー
    ニッグル被膜。
  7. (7)導電性基体上に永久的なはんだ接合性を有する/
    やラジウム−ニッケル被膜を形成する方法であって、上
    記基体を以下a乃至dの組成の電気めっき浴中K。 @ /4’ラジウム(II)アンミンクロリドb ニッ
    ケルアンミンスルフニー)1を塩化ニッケル Cビニルスルフオン酸ナトリウム、アリル硫酸ナトリウ
    ム及び四級化ピリジンから選択される光輝剤 d 硫酸アンモニウム又は塩化アンモニウム温度35〜
    55℃、 pH7,5〜9.電流密度5〜25 A/d
    m”で浸清し、活発に攪拌してめっき表面を形成し、し
    かる後このめっき表面を硫酸又塩酸の静水溶液中に浸漬
    する、 はんだ接合性・母ラジウムーニッケル被膜の製造方法。
JP59210613A 1983-11-15 1984-10-09 はんだ接合性パラジウム−ニツケル被膜及びその製造方法 Granted JPS60106993A (ja)

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