JPH0123947B2 - - Google Patents
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- JPH0123947B2 JPH0123947B2 JP59184252A JP18425284A JPH0123947B2 JP H0123947 B2 JPH0123947 B2 JP H0123947B2 JP 59184252 A JP59184252 A JP 59184252A JP 18425284 A JP18425284 A JP 18425284A JP H0123947 B2 JPH0123947 B2 JP H0123947B2
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Description
産業上の利用分野
本発明は、電子部品用リード線またはリードフ
レーム等に用いられる銀めつきを施した導体に関
する。 従来の技術 従来、各種電子部品に用いられるリード線また
はリードフレームには、目的に応じて銅導体表面
に種々のめつきを施したものが利用されている。
中でも、第２図にその断面図を示すように、銅導
体１の表面に銀めつき２を施した導体は耐酸化性
に優れ、自然酸化や高温酸化においても酸化皮膜
が生成しにくいという特長があることから、他の
めつき導体に比べ優れた半田付性および電気特性
を示し、信頼性の要求される分野において広く使
用されている。 しかし、銀めつき層が薄いと、酸化雰囲気での
加熱処理によつて酸素は銀めつきを透過し易く、
銀めつき層のピンホールや結晶粒界等を介して素
地の銅が銀めつき層の表面に拡散するので、銅は
酸化されて銅と銀めつきとの界面に酸化皮膜が生
成してしまう。このような現象は、伸線や圧延な
どの加工により欠陥や加工変質層を有する銅導体
を素材とした場合に特に顕著に現われる。これは
銀めつきの電析組織が素地の表面状態に左右され
易いのでピンホール等の欠陥が生成し易く、さら
にめつき結晶が不均一となるので、加熱処理時の
銀―銅界面での熱拡散も不均一になるからであ
る。 発明が解決しようとする問題点 そこで本発明の目的は、従来の問題点を解消
し、熱処理によつても銅と銀めつきとの界面に酸
化皮膜が生ずることなく、半田付性が良好な安価
で製造できる銀めつき導体を提供することにあ
る。 問題点を解決するための手段および作用 本発明は、銅または銅合金よりなる導体の全面
に少なくとも0.5μの厚さの光沢銅めつき層を設
け、さらに該銅めつき層の全面に銀めつき層を設
けてなることを特徴とする銀めつき導体である。 光沢銅めつきは素地の銅導体の欠陥を保障し、
銅めつき上に設けられる銀めつきの結晶を緻密か
つ均一な欠陥のないものにするとともに、銀めつ
きの密着性を高める作用を成す。そして加熱処理
時に銀―銅界面に均一な拡散合金属を形成せしめ
ることにより、半田付性低下の原因となる不連続
な銅の酸化膜の生成を防止する。 このようなことから、光沢銅めつきとしては微
細結晶で均一な平滑めつきの得られるものであれ
ばよく、めつき浴の種類（硫酸銅浴、シアン化銅
浴、ピロリン酸銅浴など）や光沢剤の種類および
電解方法（直流、PR法、交流併用法）など、そ
の製造方法には制限されない。 実施例 以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。 実施例 １ 第３図に示す形状のIC用リードフレーム（錫
入銅、厚さ0.25mm）を用意し、アルカリ電解脱脂
および希硫酸洗浄を行なつた後、光沢硫酸銅めつ
き浴（CuSO4200ｇ/、H2SO430ml/、荏原ユ
ージライト(株)社製光沢剤ユーバツク＃１ ５ml/
）を用いて、室温、電流密度５A/dm2の条件で
光沢銅めつき下地を0.2〜2.0μの厚さで設ける。
さらにその上に銀ストライクめつき（AgCN5ｇ/
、KCN70ｇ/、室温、電流密度４A/dm2×５
秒）および銀めつき（AgCN40ｇ/、KCN100
ｇ／、K2CO320ｇ/、室温、電流密度２A/d
m2）を3μおよび5μの厚さで設けた銀めつきリー
ドフレームを作成した。第１図にその断面図を示
してあり、１は銅導体、２は光沢銅めつき、３は
銀めつきである。 そしてこの銀めつきリードフレームと第２図に
示した構造の従来の銀めつきリードフレームの、
加熱処理後の半田付性を調べた結果を第１表に示
した。ここで加熱処理は空気恒温槽により350℃
×５分の条件で行ない、MILSTD202D208Bの試
験方法に準拠してアウターリード５の半田付性を
評価した。なお、試料は半田付前にロジンフラツ
クスを塗布し、半田付性の判定は半田のぬれ面積
の比率で行なつた。
レーム等に用いられる銀めつきを施した導体に関
する。 従来の技術 従来、各種電子部品に用いられるリード線また
はリードフレームには、目的に応じて銅導体表面
に種々のめつきを施したものが利用されている。
中でも、第２図にその断面図を示すように、銅導
体１の表面に銀めつき２を施した導体は耐酸化性
に優れ、自然酸化や高温酸化においても酸化皮膜
が生成しにくいという特長があることから、他の
めつき導体に比べ優れた半田付性および電気特性
を示し、信頼性の要求される分野において広く使
用されている。 しかし、銀めつき層が薄いと、酸化雰囲気での
加熱処理によつて酸素は銀めつきを透過し易く、
銀めつき層のピンホールや結晶粒界等を介して素
地の銅が銀めつき層の表面に拡散するので、銅は
酸化されて銅と銀めつきとの界面に酸化皮膜が生
成してしまう。このような現象は、伸線や圧延な
どの加工により欠陥や加工変質層を有する銅導体
を素材とした場合に特に顕著に現われる。これは
銀めつきの電析組織が素地の表面状態に左右され
易いのでピンホール等の欠陥が生成し易く、さら
にめつき結晶が不均一となるので、加熱処理時の
銀―銅界面での熱拡散も不均一になるからであ
る。 発明が解決しようとする問題点 そこで本発明の目的は、従来の問題点を解消
し、熱処理によつても銅と銀めつきとの界面に酸
化皮膜が生ずることなく、半田付性が良好な安価
で製造できる銀めつき導体を提供することにあ
る。 問題点を解決するための手段および作用 本発明は、銅または銅合金よりなる導体の全面
に少なくとも0.5μの厚さの光沢銅めつき層を設
け、さらに該銅めつき層の全面に銀めつき層を設
けてなることを特徴とする銀めつき導体である。 光沢銅めつきは素地の銅導体の欠陥を保障し、
銅めつき上に設けられる銀めつきの結晶を緻密か
つ均一な欠陥のないものにするとともに、銀めつ
きの密着性を高める作用を成す。そして加熱処理
時に銀―銅界面に均一な拡散合金属を形成せしめ
ることにより、半田付性低下の原因となる不連続
な銅の酸化膜の生成を防止する。 このようなことから、光沢銅めつきとしては微
細結晶で均一な平滑めつきの得られるものであれ
ばよく、めつき浴の種類（硫酸銅浴、シアン化銅
浴、ピロリン酸銅浴など）や光沢剤の種類および
電解方法（直流、PR法、交流併用法）など、そ
の製造方法には制限されない。 実施例 以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。 実施例 １ 第３図に示す形状のIC用リードフレーム（錫
入銅、厚さ0.25mm）を用意し、アルカリ電解脱脂
および希硫酸洗浄を行なつた後、光沢硫酸銅めつ
き浴（CuSO4200ｇ/、H2SO430ml/、荏原ユ
ージライト(株)社製光沢剤ユーバツク＃１ ５ml/
）を用いて、室温、電流密度５A/dm2の条件で
光沢銅めつき下地を0.2〜2.0μの厚さで設ける。
さらにその上に銀ストライクめつき（AgCN5ｇ/
、KCN70ｇ/、室温、電流密度４A/dm2×５
秒）および銀めつき（AgCN40ｇ/、KCN100
ｇ／、K2CO320ｇ/、室温、電流密度２A/d
m2）を3μおよび5μの厚さで設けた銀めつきリー
ドフレームを作成した。第１図にその断面図を示
してあり、１は銅導体、２は光沢銅めつき、３は
銀めつきである。 そしてこの銀めつきリードフレームと第２図に
示した構造の従来の銀めつきリードフレームの、
加熱処理後の半田付性を調べた結果を第１表に示
した。ここで加熱処理は空気恒温槽により350℃
×５分の条件で行ない、MILSTD202D208Bの試
験方法に準拠してアウターリード５の半田付性を
評価した。なお、試料は半田付前にロジンフラツ
クスを塗布し、半田付性の判定は半田のぬれ面積
の比率で行なつた。
【表】
（単位μ）
◎：98％以上 ○：98〜95％
△：95〜90％ ×：90％未満
上記表からも明らかなように、光沢銅めつき下
地を設けることにより半田付性が向上し、特に
0.5μ以上の厚さで設けた場合には銀めつき厚を薄
くしても良好な半田付性を示すことがわかる。 実施例 ２ 直径0.8mmの純銅導線を素材とし、光沢シアン
化銅めつき浴（CuCN70ｇ/、遊離NaCN13ｇ/
、ロダンカリ15ｇ/、ロツセル塩20ｇ/、奥
野製薬(株)社製光沢剤ニユーレアCR―１ 0.8ml/
、CR−２ １ml/、pH12.8）を用いて60℃、
PR電解法（平均電流密度３A/dm2、PR比15：
３）により光沢銅めつき下地を設けた後、実施例
１と同様の方法で銀めつきを設け銀めつきリード
線を作成した。この断面図を第４図に示してあ
り、８は銅導線、２は光沢銅めつき、３は銀めつ
きである。 このリード線の加熱処理後の半田付性を調べた
結果、実施例１で得られた結果と同様に良好な半
田付特性が得られた。 なお本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば銀めつきの耐熱性や耐変色性を向上
させるために銀めつきを光沢化する等、目的に応
じて他の処理を組み合わせて施すことも可能であ
る。 発明の効果 以上説明したように、本発明によれば銀めつき
厚を薄くしても加熱処理後の半田特性の低下がな
く信頼性の高い銀めつき導体を得ることができ、
さらに銀の使用量が少ないので低コストで製造で
きるという効果がある。
（単位μ）
◎：98％以上 ○：98〜95％
△：95〜90％ ×：90％未満
上記表からも明らかなように、光沢銅めつき下
地を設けることにより半田付性が向上し、特に
0.5μ以上の厚さで設けた場合には銀めつき厚を薄
くしても良好な半田付性を示すことがわかる。 実施例 ２ 直径0.8mmの純銅導線を素材とし、光沢シアン
化銅めつき浴（CuCN70ｇ/、遊離NaCN13ｇ/
、ロダンカリ15ｇ/、ロツセル塩20ｇ/、奥
野製薬(株)社製光沢剤ニユーレアCR―１ 0.8ml/
、CR−２ １ml/、pH12.8）を用いて60℃、
PR電解法（平均電流密度３A/dm2、PR比15：
３）により光沢銅めつき下地を設けた後、実施例
１と同様の方法で銀めつきを設け銀めつきリード
線を作成した。この断面図を第４図に示してあ
り、８は銅導線、２は光沢銅めつき、３は銀めつ
きである。 このリード線の加熱処理後の半田付性を調べた
結果、実施例１で得られた結果と同様に良好な半
田付特性が得られた。 なお本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば銀めつきの耐熱性や耐変色性を向上
させるために銀めつきを光沢化する等、目的に応
じて他の処理を組み合わせて施すことも可能であ
る。 発明の効果 以上説明したように、本発明によれば銀めつき
厚を薄くしても加熱処理後の半田特性の低下がな
く信頼性の高い銀めつき導体を得ることができ、
さらに銀の使用量が少ないので低コストで製造で
きるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例である銀めつきリー
ドフレームの断面図、第２図は従来の銀めつき導
体の断面図、第３図はICリードフレームの平面
図、第４図は本発明の他の実施例である銀めつき
リード線の断面図である。 図中符号 １……銅導体、２……光沢銅めつ
き、３……銀めつき、４……リードフレーム、５
……アウターリード、６……インナーリード、７
……タブ、８……銅導線。
ドフレームの断面図、第２図は従来の銀めつき導
体の断面図、第３図はICリードフレームの平面
図、第４図は本発明の他の実施例である銀めつき
リード線の断面図である。 図中符号 １……銅導体、２……光沢銅めつ
き、３……銀めつき、４……リードフレーム、５
……アウターリード、６……インナーリード、７
……タブ、８……銅導線。
Claims (1)
- １ 銅または銅合金よりなる導体の全面に少なく
とも0.5μの厚さの光沢銅めつき層を設け、さらに
該銅めつき層の全面に銀めつき層を設けてなるこ
とを特徴とする銀めつき導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184252A JPS6163044A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 銀めつき導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184252A JPS6163044A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 銀めつき導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163044A JPS6163044A (ja) | 1986-04-01 |
| JPH0123947B2 true JPH0123947B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=16150053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59184252A Granted JPS6163044A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 銀めつき導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163044A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10109397B2 (en) | 2010-08-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Electrical characteristics of shielded electrical cables |
| US11664137B2 (en) | 2010-08-31 | 2023-05-30 | 3M Innovative Properties Company | High density shielded electrical cable and other shielded cables, systems, and methods |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2580059B2 (ja) * | 1990-03-23 | 1997-02-12 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| KR100266726B1 (ko) * | 1995-09-29 | 2000-09-15 | 기타지마 요시토시 | 리드프레임과 이 리드프레임을 갖춘 반도체장치 |
| IT201600086321A1 (it) * | 2016-08-19 | 2018-02-19 | St Microelectronics Srl | Procedimento per realizzare dispositivi a semiconduttore e dispositivo corrispondente |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59184252A patent/JPS6163044A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10109397B2 (en) | 2010-08-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Electrical characteristics of shielded electrical cables |
| US10109396B2 (en) | 2010-08-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Electrical characteristics of shielded electrical cables |
| US11664137B2 (en) | 2010-08-31 | 2023-05-30 | 3M Innovative Properties Company | High density shielded electrical cable and other shielded cables, systems, and methods |
| US11923112B2 (en) | 2010-08-31 | 2024-03-05 | 3M Innovative Properties Company | High density shielded electrical cable and other shielded cables, systems, and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163044A (ja) | 1986-04-01 |
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