JPH111793A - リフロー半田めっき材およびその製造方法 - Google Patents
リフロー半田めっき材およびその製造方法Info
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- JPH111793A JPH111793A JP2837397A JP2837397A JPH111793A JP H111793 A JPH111793 A JP H111793A JP 2837397 A JP2837397 A JP 2837397A JP 2837397 A JP2837397 A JP 2837397A JP H111793 A JPH111793 A JP H111793A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付性および外観に優れるリフロー半田め
っき材を提供する。 【解決手段】 導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき
層が形成され、前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき層が、リフ
ロー処理されており、前記めっき層の表面の結晶粒界20
にＢｉリッチ相30が連続的に析出した組織からなる。 【効果】 Ｓｎリッチ相の結晶粒10の境界（粒界）20に
析出したＢｉリッチ相30により基材の構成元素の表面へ
の拡散が抑制され、半田付性に優れる。
っき材を提供する。 【解決手段】 導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき
層が形成され、前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき層が、リフ
ロー処理されており、前記めっき層の表面の結晶粒界20
にＢｉリッチ相30が連続的に析出した組織からなる。 【効果】 Ｓｎリッチ相の結晶粒10の境界（粒界）20に
析出したＢｉリッチ相30により基材の構成元素の表面へ
の拡散が抑制され、半田付性に優れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のリード
部や電気接続用コネクタなどに使用されるめっき部材に
関し、特に耐酸化性や半田付性を改善したリフロー半田
めっき材およびその製造方法に関する。
部や電気接続用コネクタなどに使用されるめっき部材に
関し、特に耐酸化性や半田付性を改善したリフロー半田
めっき材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣｕまたはＣｕ合金などの導電性基材表
面にＳｎまたはＳｎ合金をめっきした部材は導電性基材
が具備する導電性と機械的強度、ＳｎまたはＳｎ合金が
具備する耐食性と半田付性とがうまく組合わされた高性
能導体であって、端子、コネクタ、リード線などの電気
電子機器用部品や電線ケーブルなどに多用されている。
面にＳｎまたはＳｎ合金をめっきした部材は導電性基材
が具備する導電性と機械的強度、ＳｎまたはＳｎ合金が
具備する耐食性と半田付性とがうまく組合わされた高性
能導体であって、端子、コネクタ、リード線などの電気
電子機器用部品や電線ケーブルなどに多用されている。
【０００３】従来ＳｎまたはＳｎ合金めっき層はＳｎ−
Ｐｂ系合金を電気めっきして形成されていた。また、一
般に、電気めっき材には、短絡事故の原因になるウイス
カー（針状単結晶）が発生し易いという問題があり、こ
の問題は、前記Ｓｎ−Ｐｂ系合金めっき材では光沢めっ
きまたはめっき層を溶融−凝固させるリフロー処理によ
り解決が図られてきた。近年開発された人体に有害なＰ
ｂを含まないＳｎ−Ｂｉ系合金めっき材のウイスカー対
策については、光沢めっきによる方法は未解決であり、
リフロー処理法が特開平４−１６０１９６号に開示され
ているにすぎない。
Ｐｂ系合金を電気めっきして形成されていた。また、一
般に、電気めっき材には、短絡事故の原因になるウイス
カー（針状単結晶）が発生し易いという問題があり、こ
の問題は、前記Ｓｎ−Ｐｂ系合金めっき材では光沢めっ
きまたはめっき層を溶融−凝固させるリフロー処理によ
り解決が図られてきた。近年開発された人体に有害なＰ
ｂを含まないＳｎ−Ｂｉ系合金めっき材のウイスカー対
策については、光沢めっきによる方法は未解決であり、
リフロー処理法が特開平４−１６０１９６号に開示され
ているにすぎない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記開示のリ
フロー処理法では、基材成分がめっき層表面に拡散して
半田付性が低下したり、めっき層表面に流れ模様が形成
されて外観不良が起きたり、流れ模様の薄肉部分の半田
付性が低下したりする問題があった。このようなことか
ら、本発明者等は、Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき材の半田付
性の改善について鋭意研究を行い、リフロー処理を所定
温度に制御して行うことによりめっき層表面への基材の
拡散を防止し得ることを知見し、さらに研究を進めて本
発明を完成させるに至った。本発明は、人体に有害なＰ
ｂを含まず、半田付性および外観に優れるＳｎ−Ｂｉ系
合金のリフロー半田めっき材およびその製造方法の提供
を目的とする。
フロー処理法では、基材成分がめっき層表面に拡散して
半田付性が低下したり、めっき層表面に流れ模様が形成
されて外観不良が起きたり、流れ模様の薄肉部分の半田
付性が低下したりする問題があった。このようなことか
ら、本発明者等は、Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき材の半田付
性の改善について鋭意研究を行い、リフロー処理を所定
温度に制御して行うことによりめっき層表面への基材の
拡散を防止し得ることを知見し、さらに研究を進めて本
発明を完成させるに至った。本発明は、人体に有害なＰ
ｂを含まず、半田付性および外観に優れるＳｎ−Ｂｉ系
合金のリフロー半田めっき材およびその製造方法の提供
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき層が形成された
半田めっき材において、前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき層
がリフロー処理されており、前記めっき層の表面の結晶
粒界にＢｉリッチ相が連続的に析出した組織からなるこ
とを特徴とするリフロー半田めっき材である。
導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき層が形成された
半田めっき材において、前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき層
がリフロー処理されており、前記めっき層の表面の結晶
粒界にＢｉリッチ相が連続的に析出した組織からなるこ
とを特徴とするリフロー半田めっき材である。
【０００６】請求項２記載の発明は、前記Ｓｎ−Ｂｉ系
合金めっき層のＢｉの濃度が、めっき層の表面から内部
に向けて漸次減少していることを特徴とする請求項１記
載のリフロー半田めっき材である。
合金めっき層のＢｉの濃度が、めっき層の表面から内部
に向けて漸次減少していることを特徴とする請求項１記
載のリフロー半田めっき材である。
【０００７】請求項３記載の発明は、導電性基材上にＳ
ｎ−Ｂｉ系合金めっき層を電気めっきし、次いでこれを
前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金の２相状態図の（Ｌ＋β）形成温
度領域に加熱してリフロー処理することを特徴とする請
求項１、２のいずれかに記載のリフロー半田めっき材の
製造方法である。
ｎ−Ｂｉ系合金めっき層を電気めっきし、次いでこれを
前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金の２相状態図の（Ｌ＋β）形成温
度領域に加熱してリフロー処理することを特徴とする請
求項１、２のいずれかに記載のリフロー半田めっき材の
製造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】めっき上がり（リフロー処理前）
材の表面組織は図１(ハ) に示すようにＢｉリッチ相など
が析出していない。これを従来法によりリフロー処理す
るとめっき層の表面は図１(ロ) に示すような、Ｓｎリッ
チ相からなる結晶粒内にＢｉリッチ相40がランダムに分
散した組織になる。このような組織では基材からのＣｕ
などの粒界拡散が防止されないばかりか、めっき相の表
面に流れ模様が生じ、表面が平滑でなくなる。これはリ
フロー処理温度が高すぎるためである。本発明のリフロ
ー半田めっき材は、そのめっき層の表面が、図１(イ) に
示すようにＳｎリッチ相からなる結晶粒10の境界（結晶
粒界）20にＢｉリッチ相30が連続的に析出した組織から
なる。また表面が平滑で外観と半田付性に優れる。前記
結晶粒界に連続的に析出したＢｉリッチ相30は、導電性
基材のＣｕなどの成分が結晶粒界20を通って半田めっき
層の表面に拡散し酸化して半田付性を悪化させるのを防
止する。
材の表面組織は図１(ハ) に示すようにＢｉリッチ相など
が析出していない。これを従来法によりリフロー処理す
るとめっき層の表面は図１(ロ) に示すような、Ｓｎリッ
チ相からなる結晶粒内にＢｉリッチ相40がランダムに分
散した組織になる。このような組織では基材からのＣｕ
などの粒界拡散が防止されないばかりか、めっき相の表
面に流れ模様が生じ、表面が平滑でなくなる。これはリ
フロー処理温度が高すぎるためである。本発明のリフロ
ー半田めっき材は、そのめっき層の表面が、図１(イ) に
示すようにＳｎリッチ相からなる結晶粒10の境界（結晶
粒界）20にＢｉリッチ相30が連続的に析出した組織から
なる。また表面が平滑で外観と半田付性に優れる。前記
結晶粒界に連続的に析出したＢｉリッチ相30は、導電性
基材のＣｕなどの成分が結晶粒界20を通って半田めっき
層の表面に拡散し酸化して半田付性を悪化させるのを防
止する。
【０００９】本発明において、Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき
層のＢｉの濃度が、めっき層の表面から内部に向けて漸
次減少していると、或いはリフロー半田めっき層の表面
近傍のＢｉ濃度が前記めっき層全体のＢｉ濃度より高い
と、半田めっき層への導電性基材成分（例えば、Ｃｕ）
の拡散がより良好に防止される。これはＢｉリッチ相が
結晶粒界に高密度に析出して基材の表面への拡散を効率
良く抑制するためである。
層のＢｉの濃度が、めっき層の表面から内部に向けて漸
次減少していると、或いはリフロー半田めっき層の表面
近傍のＢｉ濃度が前記めっき層全体のＢｉ濃度より高い
と、半田めっき層への導電性基材成分（例えば、Ｃｕ）
の拡散がより良好に防止される。これはＢｉリッチ相が
結晶粒界に高密度に析出して基材の表面への拡散を効率
良く抑制するためである。
【００１０】請求項３記載の発明は、前記リフロー半田
めっき材の製造方法である。この発明において、リフロ
ー処理温度を、図２に示すＳｎ−Ｂｉ系合金の状態図の
（Ｌ＋β）領域が形成される温度範囲に加熱して行う理
由は、前記温度範囲で加熱すると結晶粒界にＢｉリッチ
相が連続的に析出した組織が得られるためである。リフ
ロー処理温度が前記温度範囲を低温側に外れると半田め
っき層が溶融（リフロー）せず、リフロー処理温度が前
記温度範囲を高温側に外れるとＢｉリッチ相が結晶粒内
にランダムに分散し、また表面に流れ模様が生じ、表面
の平滑性が低下する。
めっき材の製造方法である。この発明において、リフロ
ー処理温度を、図２に示すＳｎ−Ｂｉ系合金の状態図の
（Ｌ＋β）領域が形成される温度範囲に加熱して行う理
由は、前記温度範囲で加熱すると結晶粒界にＢｉリッチ
相が連続的に析出した組織が得られるためである。リフ
ロー処理温度が前記温度範囲を低温側に外れると半田め
っき層が溶融（リフロー）せず、リフロー処理温度が前
記温度範囲を高温側に外れるとＢｉリッチ相が結晶粒内
にランダムに分散し、また表面に流れ模様が生じ、表面
の平滑性が低下する。
【００１１】リフロー処理は、導電性基材を、高温に設
定した炉内を高速で通過させて施しても、また低温に設
定した炉内を低速で通過させて施しても良いが、前者の
方がリフロー処理後の冷却が急速になされるため、表面
近傍のＢｉ濃度が高濃度に分布し易い。まためっき層表
面に流れ模様が生じ難い。
定した炉内を高速で通過させて施しても、また低温に設
定した炉内を低速で通過させて施しても良いが、前者の
方がリフロー処理後の冷却が急速になされるため、表面
近傍のＢｉ濃度が高濃度に分布し易い。まためっき層表
面に流れ模様が生じ難い。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）０．５ｍｍφの黄銅線上にＣｕを１μｍ厚
さに下地めっきし、次いでＳｎ−Ｂｉ系合金を電気めっ
きし、次いでこれを８００℃に設定した炉内を通してリ
フロー半田めっき材を製造した。装置には、電解脱脂
槽、水洗槽、酸洗槽、水洗槽、下地Ｃｕめっき槽、水洗
槽、半田（Ｃｕ−Ｂｉ系合金）めっき槽、水洗槽、熱風
乾燥器、リフロー炉（長さ１ｍ）を順に配しためっき装
置を用いた。半田めっき層のＢｉ濃度は種々に変化させ
た。黄銅線の走行速度は、半田めっき層が図２に示した
状態図の（Ｌ＋β）形成温度領域を外れない範囲で種々
に変化させた。
る。 （実施例１）０．５ｍｍφの黄銅線上にＣｕを１μｍ厚
さに下地めっきし、次いでＳｎ−Ｂｉ系合金を電気めっ
きし、次いでこれを８００℃に設定した炉内を通してリ
フロー半田めっき材を製造した。装置には、電解脱脂
槽、水洗槽、酸洗槽、水洗槽、下地Ｃｕめっき槽、水洗
槽、半田（Ｃｕ−Ｂｉ系合金）めっき槽、水洗槽、熱風
乾燥器、リフロー炉（長さ１ｍ）を順に配しためっき装
置を用いた。半田めっき層のＢｉ濃度は種々に変化させ
た。黄銅線の走行速度は、半田めっき層が図２に示した
状態図の（Ｌ＋β）形成温度領域を外れない範囲で種々
に変化させた。
【００１３】（比較例１）黄銅線の走行速度を、その半
田めっき層が図２に示した状態図のＬ領域に達する速さ
に設定した他は、実施例１と同じ方法によりリフロー半
田めっき材を製造した。
田めっき層が図２に示した状態図のＬ領域に達する速さ
に設定した他は、実施例１と同じ方法によりリフロー半
田めっき材を製造した。
【００１４】得られた各々のリフロー半田めっき材につ
いて、めっき層厚さ、めっき層の合金成分の濃度分布、
酸化量、および半田付性を調べた。前記酸化量と半田付
性は加熱後および加湿後について調べた。前記加熱は温
度１５５℃で８時間保持の条件で、前記加湿は温度１０
０℃、相対湿度１００％で８時間保持の条件でそれぞれ
行った。まためっき層表面の流れ模様の有無を観察し
た。結果を表１および図３、４に示す。調査方法は下記
の通りである。 〔めっき層厚さ〕蛍光Ｘ線微小膜厚計により測定した。
試料長さ３０ｃｍあたり３０箇所を測定した。表１には
平均値と変動（標準偏差）を示した。 〔めっき層の合金成分の濃度分布〕蛍光Ｘ線分析計によ
り測定した。試料長さ３０ｃｍあたり３０箇所を測定し
た。表１にはめっき層全体の平均値とめっき層表面近傍
の平均値を示した。 〔濃度分布〕めっき層、下地層、および基材中のＢｉ、
Ｓｎ、Ｃｕ、およびＺｎの厚さ方向の濃度分布をオージ
ェ電子分光計により測定した。 〔酸化量〕カソード還元法により測定した。電解液に
０．１ＮのＫＣｌ溶液を用い、電流密度０．１ｍＡ／ｃ
ｍ2 の条件で行った。 〔半田付性〕メニスコグラフ法により調査した。すなわ
ち、２５％ロジン／メタノールフラックスを塗布した試
料を２３０℃に保持した共晶半田浴に１０秒間浸漬（浸
漬速度２ｍｍ／秒、浸漬深さ２ｍｍ）し、濡れ時間（ゼ
ロクロスタイム）により評価した。なお、濡れ時間は短
い程半田付け性に優れることを示す。
いて、めっき層厚さ、めっき層の合金成分の濃度分布、
酸化量、および半田付性を調べた。前記酸化量と半田付
性は加熱後および加湿後について調べた。前記加熱は温
度１５５℃で８時間保持の条件で、前記加湿は温度１０
０℃、相対湿度１００％で８時間保持の条件でそれぞれ
行った。まためっき層表面の流れ模様の有無を観察し
た。結果を表１および図３、４に示す。調査方法は下記
の通りである。 〔めっき層厚さ〕蛍光Ｘ線微小膜厚計により測定した。
試料長さ３０ｃｍあたり３０箇所を測定した。表１には
平均値と変動（標準偏差）を示した。 〔めっき層の合金成分の濃度分布〕蛍光Ｘ線分析計によ
り測定した。試料長さ３０ｃｍあたり３０箇所を測定し
た。表１にはめっき層全体の平均値とめっき層表面近傍
の平均値を示した。 〔濃度分布〕めっき層、下地層、および基材中のＢｉ、
Ｓｎ、Ｃｕ、およびＺｎの厚さ方向の濃度分布をオージ
ェ電子分光計により測定した。 〔酸化量〕カソード還元法により測定した。電解液に
０．１ＮのＫＣｌ溶液を用い、電流密度０．１ｍＡ／ｃ
ｍ2 の条件で行った。 〔半田付性〕メニスコグラフ法により調査した。すなわ
ち、２５％ロジン／メタノールフラックスを塗布した試
料を２３０℃に保持した共晶半田浴に１０秒間浸漬（浸
漬速度２ｍｍ／秒、浸漬深さ２ｍｍ）し、濡れ時間（ゼ
ロクロスタイム）により評価した。なお、濡れ時間は短
い程半田付け性に優れることを示す。
【００１５】
【表１】 （注）外観はNo.1〜6 光沢あり、流れ模様なし、No.7,8光沢と流れ模様あり。 ＊：酸化量の単位：ｍＣ／ｃｍ2 、半田付性の単位：秒。
【００１６】表１より明らかなように、本発明例 (No.1
〜6)はいずれも、めっき層の結晶粒界にＢｉリッチ相が
連続的に析出したため酸化量が少なく、また半田付性
（半田濡れ性）に優れた。まためっき層に流れ模様がな
く外観も良好であった。中でもリフロー処理速度が速く
リフロー処理後急速に冷却されたもの(No.2,3)は、図３
から明らかなように、Ｂｉ濃度の表面から内部への減少
が急激で、めっき層の表面近傍の所定厚さ内の結晶粒界
にＢｉリッチ相が非常に高濃度に析出したため、基材成
分の拡散が効率良く抑制され半田付性が特に向上した。
これに対し、比較例のNo.7,8は、リフロー処理速度が遅
いためリフロー処理温度が高くなりすぎて、めっき層表
面が結晶粒内にＢｉリッチ相がランダムに分散する組織
となり、Ｂｉリッチ相による基材成分の拡散防止効果が
得られず、まためっき層が溶融流動してめっき層に薄い
部分が生じ、この薄い部分にＣｕが大量に拡散して表面
が著しく酸化した。この酸化量の多いことが原因で半田
付性も低下した。まためっき層表面が流れ模様となり外
観不良となった。なお、比較例のNo.8のめっき層のＢｉ
およびＳｎの濃度分布は、比較的冷却の速い最表面を除
き、厚さ方向にほぼ一定である。
〜6)はいずれも、めっき層の結晶粒界にＢｉリッチ相が
連続的に析出したため酸化量が少なく、また半田付性
（半田濡れ性）に優れた。まためっき層に流れ模様がな
く外観も良好であった。中でもリフロー処理速度が速く
リフロー処理後急速に冷却されたもの(No.2,3)は、図３
から明らかなように、Ｂｉ濃度の表面から内部への減少
が急激で、めっき層の表面近傍の所定厚さ内の結晶粒界
にＢｉリッチ相が非常に高濃度に析出したため、基材成
分の拡散が効率良く抑制され半田付性が特に向上した。
これに対し、比較例のNo.7,8は、リフロー処理速度が遅
いためリフロー処理温度が高くなりすぎて、めっき層表
面が結晶粒内にＢｉリッチ相がランダムに分散する組織
となり、Ｂｉリッチ相による基材成分の拡散防止効果が
得られず、まためっき層が溶融流動してめっき層に薄い
部分が生じ、この薄い部分にＣｕが大量に拡散して表面
が著しく酸化した。この酸化量の多いことが原因で半田
付性も低下した。まためっき層表面が流れ模様となり外
観不良となった。なお、比較例のNo.8のめっき層のＢｉ
およびＳｎの濃度分布は、比較的冷却の速い最表面を除
き、厚さ方向にほぼ一定である。
【００１７】以上、導電性基体に黄銅線材を用いた例に
ついて説明したが、本発明は、他の金属材料を用いて
も、また形状が棒、条、板材などであっても同様の効果
が得られる。
ついて説明したが、本発明は、他の金属材料を用いて
も、また形状が棒、条、板材などであっても同様の効果
が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のリフロー
半田めっき材は、半田めっき層の結晶組織が基材の構成
元素の表面への拡散が生じ難い組織からなるので表面酸
化が抑制され、したがって半田付性に優れる。また本発
明のリフロー半田めっき材は、リフロー処理を適正な温
度条件で行うことにより容易に製造できる。依って、工
業上顕著な効果を奏する。
半田めっき材は、半田めっき層の結晶組織が基材の構成
元素の表面への拡散が生じ難い組織からなるので表面酸
化が抑制され、したがって半田付性に優れる。また本発
明のリフロー半田めっき材は、リフロー処理を適正な温
度条件で行うことにより容易に製造できる。依って、工
業上顕著な効果を奏する。
【図１】(イ)は本発明材のリフロー処理後の表面結晶組
織図、 (ロ)は従来材のリフロー処理後の表面結晶組織
図、 (ハ)はめっき上がり（リフロー処理前）材の表面結
晶組織図である。
織図、 (ロ)は従来材のリフロー処理後の表面結晶組織
図、 (ハ)はめっき上がり（リフロー処理前）材の表面結
晶組織図である。
【図２】Ｓｎ−Ｂｉ系合金の二元状態図である。
【図３】本発明のリフロー半田めっき材のめっき層の表
面から内部へのＳｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎの各元素の濃度
分布図である。
面から内部へのＳｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎの各元素の濃度
分布図である。
【図４】従来のリフロー半田めっき材のめっき層の表面
から内部へのＳｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎの各元素の濃度分
布図である。
から内部へのＳｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎの各元素の濃度分
布図である。
10 Ｓｎリッチ相からなる結晶粒 20 Ｓｎリッチ相からなる結晶粒の境界（結晶粒界） 30 Ｂｉリッチ相 40 ランダムに分散したＢｉリッチ相
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき
層が形成された半田めっき材において、前記Ｓｎ−Ｂｉ
系合金めっき層がリフロー処理されており、前記めっき
層の表面の結晶粒界にＢｉリッチ相が連続的に析出した
組織からなることを特徴とするリフロー半田めっき材。 - 【請求項２】 前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき層のＢｉの
濃度が、めっき層の表面から内部に向けて漸次減少して
いることを特徴とする請求項１記載のリフロー半田めっ
き材。 - 【請求項３】 導電性基材上にＳｎ−Ｂｉ系合金めっき
層を電気めっきし、次いでこれを前記Ｓｎ−Ｂｉ系合金
の２相状態図の（Ｌ＋β）形成温度領域に加熱してリフ
ロー処理することを特徴とする請求項１、２のいずれか
に記載のリフロー半田めっき材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02837397A JP3243195B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | リフロー半田めっき材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02837397A JP3243195B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | リフロー半田めっき材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH111793A true JPH111793A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3243195B2 JP3243195B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=12246835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02837397A Expired - Lifetime JP3243195B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | リフロー半田めっき材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243195B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449121B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2004-09-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품, 전자 부품의 제조 방법 및 회로 기판 |
| JP2004322213A (ja) * | 2004-05-28 | 2004-11-18 | Hitachi Ltd | Ｐｂフリーはんだ接続構造体および電子機器 |
| US6960396B2 (en) | 1997-12-16 | 2005-11-01 | Hitachi, Ltd. | Pb-free solder-connected structure and electronic device |
| JP2006249460A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Kobe Steel Ltd | ウイスカー発生抑制に優れたＳｎめっきまたはＳｎ合金めっき |
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