JP2005333148A - 半導体ウエハの特性を測定するための仕事関数が制御されたプローブとその使用方法 - Google Patents

半導体ウエハの特性を測定するための仕事関数が制御されたプローブとその使用方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法において、導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設ける。
【解決手段】 基礎材料は第1仕事関数を持ち、コーティングは第2仕事関数を持つ。導電性の接触子6と半導体ウエハ10の上面16との第1電気接触を形成する。半導体ウエハ10との第2電気接触を形成する。第1および第2電気接触間に電気刺激を加え、電気刺激に対する半導体ウエハ10の反応を測定する。反応から半導体ウエハ10の少なくとも1つの電気的特性を決定する。
【選択図】 図1

Description

発明の背景
[0001]発明の分野
[0002]本発明は半導体ウエハの検査に関する。
[0003]関連技術の説明
[0004]半導体ウエハの1つ以上の電気的特性を測定するための導電性の弾性プローブの使用が、マズール(Mazur)ほか名義のアメリカ特許No.6,492,827に開示されている。プラチナ、イリジウムまたはタンタル等の材料で形成された導電性の弾性プローブ、あるいは先端にプラチナ、イリジウムまたはタンタルをコーティングしたプローブが半導体ウエハの検査に最適であると記載されている。これまで、これらの1つ以上の材料において、酸化物が成長する能力がないこと、および/または、導電性酸化物が成長する能力があることが、このような検査にとって、有益であると信じられていた。しかし、本発明によれば、検査中に半導体ウエハに押し付けられるプローブ表面の仕事関数が、その測定に影響を与えると考えられる。
米国特許第6,492,827号明細書
[0005]したがって、従来技術に開示されず、必要となる方法は、少なくとも接触部分が管理された仕事関数を有する接触子またはプローブを用いて半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法である。
発明の要約
[0006]発明は半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法である。その方法は、(a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは基礎材料が第1仕事関数を持ち、コーティングが第2仕事関数を持つ、(b)導電性の接触子と半導体ウエハの上面との第1電気接触を形成し、(c)半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、(d)第1電気接触と第2電気接触の間に電気刺激を加え、(e)電気刺激に対する半導体ウエハの反応を測定し、(f)反応から半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を決定することを含む。
[0007]導電性の接触子はプローブの先端であり得る。コーティングは、導電性の接触子が第2仕事関数と等しいか第1関数と第2仕事関数との中間の全面的な仕事関数を持つ程度の厚さであり得る。コーティングの厚さはせいぜい5デバイ長であることが望ましい。
[0008]導電性の接触子の基礎材料はタンタルで構成され、そのコーティングはイリジウムで構成されてもよい。
[0009]代案として、コーティングは基礎材料を覆う第1材料の層と第1材料を覆う第2材料の層を含み、第2仕事関数は第1および第2材料の仕事関数に関連し、例えばそれらの中間であり得る。基礎材料、第1材料および第2材料は異なる金属であることが望ましい。基礎材料はタンタルで構成され、第1材料はイリジウムで構成され、第2材料はルテニウムとタンタルの少なくとも1つで構成され得る。
[0010]また、発明は半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法であって、その方法は、(a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは基礎材料が第1仕事関数を持ち、コーティングが第2仕事関数を持つ、(b)導電性の接触子と半導体ウエハの上面を覆う誘電体層との第1電気接触を形成し、(c)半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、(d)第1電気接触と第2電気接触の間に電気刺激を加え、(e)電気刺激に対する誘電体層および半導体ウエハの組合せの反応を測定し、(f)反応から誘電体層または半導体ウエハまたは両者の少なくとも1つの電気的特性を決定することを含む。
図面の簡単な説明
[0011]図1は、半導体ウエハの断面図であり、ウエハに作用する半導体ウエハ検査システムをブロック図で示し;
[0012]図2〜図5は、図1に示された検査システムの接触子の種々の実施例を示す図である。
発明の詳細な説明
[0013]同じ要素に同じ参照番号を付した添付図を参照して、本発明を説明する。
[0014]図1を参照すると、半導体ウエハ検査システム2は、導電性の真空チャック4と接触子6とを含んでいる。接触子6は半導体ウエハ10の検査に適したいかなる形状をも考えられるから、長いプローブの形をした図1の接触子6の例は発明を限定するものではない。チャック4は半導体ウエハ10の裏面8を支持するように構成され、ウエハ10は吸引(図示せず)によってチャック4に接触して保持される半導体材料で形成された基板12を含んでいる。半導体ウエハ10は基板12の上面16を覆う誘電体層14を含んでいるが、これは不可欠ではない。
[0015]接触子6は、基板12の上面16、あるいは誘電体層14があればその上面22と接触する少なくとも部分的に球状の導電性の表面20を含むことが望ましい。部分的に球状の導電性の表面20が望ましいが、半導体ウエハ10の検査に適した他の形状の表面(図示せず)を利用することもできる。したがって、部分的に球状の導電性の表面20である図1の例は発明を限定するものではない。
[0016]周知の種類の接触形成手段26が、チャック4および/または接触子6の矢印28で示された上下動を制御し、接触子6と半導体ウエハ10を互いに近づける。そして、接触子6が基板12の上面16、あるいは誘電体層14があればその上面22を押圧する。
[0017]半導体ウエハ10がチャック4上に載置され、接触子6が半導体ウエハ10と接触すると、電気刺激付与手段30が接触子6と半導体ウエハ10とに適切な電気刺激を付与するよう電気的に接続可能である。
[0018]電気刺激付与手段30によって付与された検査用刺激に対する半導体ウエハ10の反応を測定するために測定手段32が電気的に接続可能である。チャック4は基準グラウンドに接続していることが望ましい。しかし、これは発明を限定するものではなく、チャック4はAC基準バイアスまたはDC基準バイアスに接続していてもよい。
[0019]図2を参照し、図1を引き続き参照すると、接触子6の第1実施例は適当な導電性材料で形成された本体38を含み、本体38に接するタンタルまたはタンタル合金で形成された導電性の基礎材料40を覆うイリジウムまたはイリジウム合金で形成された導電層またはコーティング42を持つ。
[0020]図3を参照し、図1および図2を引き続き参照すると、接触子6の第2実施例は、接触子6の本体38を形成する導電性の基礎材料40を覆う導電性のコーティング42を含んでいる。
[0021]図4を参照し、図1〜図3を引き続き参照すると、接触子6の別実施例は、図2に示された接触子6の実施例と同様に本体38に接する基礎材料40を覆うコーティング42を持つ本体38を含んでいる。しかし、図4に示された接触子6の実施例では、ルテニウム(Ru)、タンタル(Ta)またはRu−Ta合金で形成された層またはコーティング54がコーティング42を覆っている。
[0022]図5を参照し、図1〜図4を引き続き参照すると、接触子6の別実施例は、図3に示された接触子6の実施例のように基礎材料40で形成された本体38を含んでいる。しかし、図5に示された接触子6の実施例では、コーティング54がコーティング42を覆っている。
[0023]図2〜図5に示すように、基板12の上面16、あるいは誘電体層14があればその上面22へ接触形成手段26が押付ける接触子6の表面20を層またはコーティング42および/または54が形成されるだけでよい。しかし、これは発明を限定するものではない。
[0024]図2に示すように、コーティング42が基礎材料40を介してのみ本体38と電気接触することが望ましい。言いかえれば、コーティング42は本体38と直接に電気接触しないことが望ましい。図3で、コーティング42は基礎材料40で形成された本体38に直接接触している。図4で、コーティング42は基礎材料40を介してのみ本体38と接触することが望ましく、コーティング54はコーティング42と基礎材料40を介してのみ本体38と接触することが望ましい。言いかえれば、コーティング42と本体38、あるいはコーティング54と基礎材料40または本体38との直接の電気接触がない。図5で、コーティング54はコーティング42を介してのみ本体38と接触することが望ましい。言いかえれば、コーティング54は基礎材料40で形成された本体38と直接電気接触しない。
[0025]図2と図3に示された接触子6の実施例において、コーティング42は、コーティング42を形成する材料の仕事関数と等しい全体的な仕事関数を接触子6の表面20が持つような厚さになっている。代案として、図2と図3に示された接触子6の実施例において、コーティング42は、コーティング42と基礎材料4を形成する材料との仕事関数の中間である全体的な仕事関数を接触子6の表面20が持つような厚さでもよい。この中間の仕事関数を達成するために、コーティング42はその材料の仕事関数を全体的な仕事関数に与えることができる程度に十分に厚く、しかしその仕事関数が基礎材料40の仕事関数を遮蔽することを回避する程度に十分に薄くなければならない。1つの非限定的な例で、コーティング42の厚さは5デバイ長を超えない厚さである。しかし、これは発明を限定するものではない。
[0026]図4と図5に示された接触子6の実施例において、コーティング54は、コーティング54を形成する材料の仕事関数と等しい全体的な仕事関数、またはコーティング42、54の仕事関数の中間の仕事関数を表面20が持つような厚さであることが望ましい。この中間の仕事関数は、基礎材料40を覆うコーティング42について上記したような方法でコーティング54の厚さの管理することにより達成することができる。
[0027]図2〜図5に示された接触子6の各実施例の表面20の仕事関数は、半導体ウエハの検査用として3.0eV〜6.0eVであることが望ましい。しかし、これは、半導体ウエハの検査を最適化するように表面20の全体的な仕事関数が設定可能であるから、発明を限定するものではない。
[0028]図2〜図5に示された接触子6の実施例のいずれかの使用において、接触形成手段26は接触子6の表面20を基板12の上面16、あるいは誘電体層14があればその上面22へ押圧接触させ、それによって第1電気接触を形成する。チャック4に接触する半導体ウエハ10の裏面8は第2電気接触を形成する。あるいは、第2電気接触は、基板12と直接に形成するか、基板12の上面16あるいは誘電体層14があればその上面22と接触する別の接触子(不図示)を介して形成することができる。
[0029]第1および第2電気接触が形成されると、電気刺激付与手段30が第1電気接触と第2電気接触との間に適当な電気刺激を加える。この電気刺激を加える間に、測定手段32が電気刺激に対する半導体ウエハ10の反応を測定する。この反応にもとづいて、測定手段32は、誘電体層14、基板12、誘電体層14および基板12のインターフェースあるいはその組合せの少なくとも1つの電気的特性を決定することができる。
[0030]電気刺激付与手段30が加えることができ、測定手段32が測定することができる適当な電気刺激の非限定的な例は、キャパシタンス−電圧(CV)タイプの刺激、コンダクタンス−電圧(GV)タイプの刺激、電荷−電圧(QV)タイプの刺激および/または電流−電圧(IV)タイプの刺激を含む。これらの刺激にもとづいて決定することができる電気的特性の非限定的な例は、フラットバンド電圧(VFB)、しきい値電圧(V)および漏れ電流(ILEAK)を含む。これらの電気刺激の付与と、これらの電気刺激にもとづく誘電体層14、基板12、誘電体層14および基板12のインターフェースあるいはその組合せの少なくとも1つの電気的特性を決定することの詳細は周知であり、これらの電気刺激の付与と前記少なくとも1つの電気的特性の決定に関する詳細は、簡潔さのためにここでは記載しない。
[0031]好適実施例を参照して本発明を説明した。以上の詳細な説明を読み理解すれば、明白な改変および変更に想到するであろう。例えば、接触子6の各実施例は、表面20を形成する先端部を持つプローブとして示された。しかし、これは発明を限定するものではない。さらに、本体38の丸みの外側で延びた種々の層40、42、54の例は説明のみのために示されている。しかし、当業者なら理解するように、コーティング40、42および54は比較的薄く、これらの層は、図2〜図5に示された程度まで本体38の丸みの外側で延びることはない。付記されたクレームあるいはその均等物の範囲に含まれる限り、そのような改変および変更をすべて含むように発明が解釈されることが意図される。
半導体ウエハの断面図、及び半導体ウエハに作用する半導体ウエハ検査システムのブロック図 図1に示された検査システムの接触子の実施例(1)を示す図 図1に示された検査システムの接触子の実施例(2)を示す図 図1に示された検査システムの接触子の実施例(3)を示す図 図1に示された検査システムの接触子の実施例(4)を示す図
符号の説明
6 導電性の接触子
10 半導体ウエハ
14 誘電体層
16 半導体ウエハの上面
20 導電性の表面
40 基礎材料
42 コーティング
54 コーティング

Claims (24)

  1. 半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法であって、以下の各工程、
    (a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは前記基礎材料が第1仕事関数を持ち、前記コーティングが第2仕事関数を持つ、
    (b)前記導電性の接触子と半導体ウエハの上面との第1電気接触を形成し、
    (c)前記半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、
    (d)前記第1電気接触と前記第2電気接触との間に電気刺激を加え、
    (e)この電気刺激に対する前記半導体ウエハの反応を測定し、
    (f)この反応から前記半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を決定する、
    を備える、方法。
  2. 請求項1の方法において、前記導電性の接触子はプローブの先端である、方法。
  3. 請求項1の方法において、
    前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第2仕事関数と等しい全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法
  4. 請求項1の方法において、
    前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第1関数と前記第2仕事関数との中間の全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。
  5. 請求項4の方法において、
    前記コーティングの厚さは5デバイ長を超えない厚さである、方法。
  6. 請求項1の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
  7. 請求項1の方法において、前記コーティングはイリジウムで構成される、方法。
  8. 請求項1の方法において、
    前記コーティングは、前記基礎材料を覆う第1材料の層と、この第1材料を覆う第2材料の層と、を含み、
    前記第2仕事関数は、前記第1および前記第2材料の仕事関数に関連する、方法。
  9. 請求項8の方法において、
    前記第2仕事関数は、前記第1材料の仕事関数と前記第2材料の仕事関数との中間である、方法。
  10. 請求項8の方法において、
    前記基礎材料と、前記第1材料と、前記第2材料と、は異なる金属である、方法。
  11. 請求項8の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
  12. 請求項8の方法において、
    前記第1材料はイリジウムで構成され、
    前記第2材料はルテニウム(Ru)とタンタル(Ta)との少なくとも1つで構成される、方法。
  13. 半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法であって、以下の各工程、
    (a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは前記基礎材料が第1仕事関数を持ち、前記コーティングが第2仕事関数を持つ、
    (b)前記導電性の接触子と前記半導体ウエハの上面を覆う誘電体層との第1電気接触を形成し、
    (c)前記半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、
    (d)前記第1電気接触と前記第2電気接触との間に電気刺激を加え、
    (e)この電気刺激に対する前記誘電体層および前記半導体ウエハの組合せの反応を測定し、
    (f)この反応から前記誘電体層または前記半導体ウエハまたは両者の少なくとも1つの電気的特性を決定する、
    を備える、方法。
  14. 請求項13の方法において、前記導電性の接触子はプローブの先端である、方法。
  15. 請求項13の方法において、
    前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第2仕事関数と等しい全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。
  16. 請求項13の方法において、
    前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第1仕事関数と前記第2仕事関数との中間の全面的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。
  17. 請求項14の方法において、
    前記コーティングの厚さは5デバイ長を超えない厚さである、方法。
  18. 請求項13の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
  19. 請求項13の方法において、前記コーティングはイリジウムで構成される、方法。
  20. 請求項13の方法において、
    前記コーティングは前記基礎材料を覆う第1材料の層と、この第1材料を覆う第2材料の層と、を含み、
    前記第2仕事関数は前記第1および前記第2材料の仕事関数に関連する、方法。
  21. 請求項20の方法において、
    前記第2仕事関数は、前記第1材料の仕事関数と前記第2材料の仕事関数との中間である、方法。
  22. 請求項20の方法において、
    前記基礎材料と、前記第1材料と、前記第2材料とは異なる金属である、方法。
  23. 請求項20の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
  24. 請求項20の方法において、
    前記第1材料はイリジウムで構成され、
    前記第2材料はルテニウム(Ru)とタンタル(Ta)との少なくとも1つで構成される、方法。
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