JP2005333148A - 半導体ウエハの特性を測定するための仕事関数が制御されたプローブとその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基礎材料は第1仕事関数を持ち、コーティングは第2仕事関数を持つ。導電性の接触子6と半導体ウエハ10の上面16との第1電気接触を形成する。半導体ウエハ10との第2電気接触を形成する。第1および第2電気接触間に電気刺激を加え、電気刺激に対する半導体ウエハ10の反応を測定する。反応から半導体ウエハ10の少なくとも1つの電気的特性を決定する。
【選択図】 図1
Description
[0001]発明の分野
[0002]本発明は半導体ウエハの検査に関する。
[0006]発明は半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法である。その方法は、(a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは基礎材料が第1仕事関数を持ち、コーティングが第2仕事関数を持つ、(b)導電性の接触子と半導体ウエハの上面との第1電気接触を形成し、(c)半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、(d)第1電気接触と第2電気接触の間に電気刺激を加え、(e)電気刺激に対する半導体ウエハの反応を測定し、(f)反応から半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を決定することを含む。
[0011]図1は、半導体ウエハの断面図であり、ウエハに作用する半導体ウエハ検査システムをブロック図で示し;
[0012]図2〜図5は、図1に示された検査システムの接触子の種々の実施例を示す図である。
10 半導体ウエハ
14 誘電体層
16 半導体ウエハの上面
20 導電性の表面
40 基礎材料
42 コーティング
54 コーティング
Claims (24)
- 半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法であって、以下の各工程、
(a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは前記基礎材料が第1仕事関数を持ち、前記コーティングが第2仕事関数を持つ、
(b)前記導電性の接触子と半導体ウエハの上面との第1電気接触を形成し、
(c)前記半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、
(d)前記第1電気接触と前記第2電気接触との間に電気刺激を加え、
(e)この電気刺激に対する前記半導体ウエハの反応を測定し、
(f)この反応から前記半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を決定する、
を備える、方法。 - 請求項1の方法において、前記導電性の接触子はプローブの先端である、方法。
- 請求項1の方法において、
前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第2仕事関数と等しい全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法 - 請求項1の方法において、
前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第1関数と前記第2仕事関数との中間の全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。 - 請求項4の方法において、
前記コーティングの厚さは5デバイ長を超えない厚さである、方法。 - 請求項1の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
- 請求項1の方法において、前記コーティングはイリジウムで構成される、方法。
- 請求項1の方法において、
前記コーティングは、前記基礎材料を覆う第1材料の層と、この第1材料を覆う第2材料の層と、を含み、
前記第2仕事関数は、前記第1および前記第2材料の仕事関数に関連する、方法。 - 請求項8の方法において、
前記第2仕事関数は、前記第1材料の仕事関数と前記第2材料の仕事関数との中間である、方法。 - 請求項8の方法において、
前記基礎材料と、前記第1材料と、前記第2材料と、は異なる金属である、方法。 - 請求項8の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
- 請求項8の方法において、
前記第1材料はイリジウムで構成され、
前記第2材料はルテニウム(Ru)とタンタル(Ta)との少なくとも1つで構成される、方法。 - 半導体ウエハの少なくとも1つの電気的特性を測定する方法であって、以下の各工程、
(a)導電性の基礎材料を覆う導電性のコーティングで形成された弾性変形可能な導電性の接触子を設け、そこでは前記基礎材料が第1仕事関数を持ち、前記コーティングが第2仕事関数を持つ、
(b)前記導電性の接触子と前記半導体ウエハの上面を覆う誘電体層との第1電気接触を形成し、
(c)前記半導体ウエハとの第2電気接触を形成し、
(d)前記第1電気接触と前記第2電気接触との間に電気刺激を加え、
(e)この電気刺激に対する前記誘電体層および前記半導体ウエハの組合せの反応を測定し、
(f)この反応から前記誘電体層または前記半導体ウエハまたは両者の少なくとも1つの電気的特性を決定する、
を備える、方法。 - 請求項13の方法において、前記導電性の接触子はプローブの先端である、方法。
- 請求項13の方法において、
前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第2仕事関数と等しい全体的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。 - 請求項13の方法において、
前記コーティングは、前記導電性の接触子が前記第1仕事関数と前記第2仕事関数との中間の全面的な仕事関数を持つ程度の厚さである、方法。 - 請求項14の方法において、
前記コーティングの厚さは5デバイ長を超えない厚さである、方法。 - 請求項13の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
- 請求項13の方法において、前記コーティングはイリジウムで構成される、方法。
- 請求項13の方法において、
前記コーティングは前記基礎材料を覆う第1材料の層と、この第1材料を覆う第2材料の層と、を含み、
前記第2仕事関数は前記第1および前記第2材料の仕事関数に関連する、方法。 - 請求項20の方法において、
前記第2仕事関数は、前記第1材料の仕事関数と前記第2材料の仕事関数との中間である、方法。 - 請求項20の方法において、
前記基礎材料と、前記第1材料と、前記第2材料とは異なる金属である、方法。 - 請求項20の方法において、前記基礎材料はタンタルで構成される、方法。
- 請求項20の方法において、
前記第1材料はイリジウムで構成され、
前記第2材料はルテニウム(Ru)とタンタル(Ta)との少なくとも1つで構成される、方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/845,815 US7023231B2 (en) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333148A true JP2005333148A (ja) | 2005-12-02 |
JP2005333148A5 JP2005333148A5 (ja) | 2008-06-26 |
Family
ID=34939824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005170117A Pending JP2005333148A (ja) | 2004-05-14 | 2005-05-13 | 半導体ウエハの特性を測定するための仕事関数が制御されたプローブとその使用方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7023231B2 (ja) |
EP (1) | EP1596212B1 (ja) |
JP (1) | JP2005333148A (ja) |
AT (1) | ATE408154T1 (ja) |
DE (1) | DE602005009603D1 (ja) |
TW (1) | TWI391686B (ja) |
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